• Embed Doc
  • Readcast
  • Collections
  • CommentGo Back
Download
 
 ТЕХНИЧЕСКИ УНИВЕРСИТЕТ - СОФИЯ
ДЕПАРТАМЕНТ ПО ПРИЛОЖНА ФИЗИКА
Протокол №.......... Специалност...................................Студент:..............................................................................Фак №..............................................Група....................
Задача №
Определяне ширината на забранената зона на полупроводник потемпературния ход на електричната проводимост.......................................................................................................................................................
1. Схема на опитната постановка:
Енергетична структура на електрона в атомафиг. 11) метали 2) диелектрицифиг. 2 фиг. 3
 
3) полупроводнициа) собствена б) примесна-
n
в) примесна-
p
проводимост проводимост проводимостфиг. 4 фиг. 5 фиг. 62.
Описание на метода и теоретични изводи:
Специфичната електрична проводимост
 
на собствените полупроводниципредставлява сума от проводимостта
n
 
, обусловена от свободните електрони сконцентрация
0
n
и подвижност
n
  
и проводимостта
 p
 
, обусловена от свободнитедупките с концентрация
0
 p
и подвижност
 p
  
.
00
n nn p p p
qnqp
   
Температурната зависимост на проводимостта на собствените полупроводници се давас израза
20
 E kT 
e
 
V
където
 E 
V
е ширината на забранената зона,
е абсолютната температура, а
4
0,86.10
eV  K 
е константата на Болцман
303
10ln ln2 .10
 E k
 
V
2 13 32 1
ln ln10 10
tg T
  
3
2.10
 E k t
 
V
3213321
lnln2.101010
 E T
 
 
V
252
1,10,10
l  R l m S mSR
   
  
3
10
 R
 
of 00

Leave a Comment

You must be to leave a comment.
Submit
Characters: ...
You must be to leave a comment.
Submit
Characters: ...