3) полупроводнициа) собствена б) примесна-
n
в) примесна-
p
проводимост проводимост проводимостфиг. 4 фиг. 5 фиг. 62.
Описание на метода и теоретични изводи:
Специфичната електрична проводимост
на собствените полупроводниципредставлява сума от проводимостта
n
, обусловена от свободните електрони сконцентрация
0
n
и подвижност
n
и проводимостта
p
, обусловена от свободнитедупките с концентрация
0
p
и подвижност
p
.
00
n nn p p p
qnqp
Температурната зависимост на проводимостта на собствените полупроводници се давас израза
20
E kT
e
V
където
E
V
е ширината на забранената зона,
T
е абсолютната температура, а
4
0,86.10
eV k K
е константата на Болцман
303
10ln ln2 .10
E k T
V
2 13 32 1
ln ln10 10
tg T T
3
2.10
E k tg
V
3213321
lnln2.101010
E k T T
V
252
1,10,10
l l R l m S mSR S
3
10
R
Leave a Comment