Problemas de Materiales

Problemas en Ciencia de Materiales
1

Contenido

Prefacio Problemas y Soluciones

1 Estructura atmica y enlace

2 Estructura cristalina

3 Defectos 28

4 Defectos superficiales 43

5 Soluciones Solidas 48

6 Difusin Atmica 56


2

Prefacio

CUAL ES EL OBJETIVO DE ESTE LIBRO

Generalmente los estudiantes han visto a la ciencia de materiales como una
materia difcil de entender y aprender. A pesar de la publicacin de varios
libros de texto sobre la materia, cada uno con el objetivo de proporcionar un
avance sobre los anteriores, los estudiantes siguen quedndose perplejos
como resultado de las numerosas condiciones que regularmente se tienen que
recordar y correlacionar para resolver un problema. Varias posibles
interpretaciones de los trminos usados tambin contribuyen a las dificultadas
experimentadas por los estudiantes.

En un estudio del problema, se han descubierto las siguientes razones bsicas
en referencia a las dificultades de los estudiantes con la ciencia de materiales
enseada en las escuelas:

(a) No se han desarrollado reglas sistemticas de anlisis las cuales puedan
seguir los estudiantes de una manera paso a paso para resolver los problemas.
Esto es resultado del hecho de las nmeros condiciones y principios que
pueden estar involucrados en un problema, resultando en muchos mtodos
posibles para resolverlo. El prescribir una serie de reglas a seguir para cada
una de las posibles variaciones involucrara una enorme cantidad de reglas y
pasos para ser buscados por los estudiantes y esta tarea sera aun ms
pesada que resolver el problema directamente acompaado de algo de prueba
y error para encontrar la ruta correcta.

(b) Los libros de texto disponibles actualmente explican un principio dado en unas
cuantas pginas escritas por un profesional que tiene una interpretacin sobre
la materia la cual no es compartida por los estudiantes. Las explicaciones
generalmente estn escritas de una manera abstracta dejando a los
estudiantes confundidos en cuanto a la aplicacin de dicho principio. Las
explicaciones proporcionadas no son suficientemente detalladas y extensas
para hacer que los estudiantes se den cuenta del amplio rango de aplicaciones
y los diferentes aspectos del principio estudiado. Las numerosas posibles
variaciones y sus aplicaciones usualmente no son discutidas y por consiguiente
queda en los estudiantes descubrirlas por si mismos mientras realizan
ejercicios. De esta forma se espera que el estudiante redescubra aquello que
se ha conocido y practicado por largo tiempo pero no publicado o explicado de
manera extensa.

(c) Los ejemplos que usualmente siguen a la explicacin de un tpico son muy
pocos y muy simples para permitir que el estudiante tenga un conocimiento
profundo de los principios implicados. Las explicaciones nos proveen bases
suficientes para permitir al estudiante resolver problemas que puedan ser
asignados subsecuentemente como tarea o en exmenes.
Los ejemplos son presentados de una forma abreviada la cual deja fuera
mucho material entre cada paso requiriendo que los estudiantes lo deriven por
si mismos. Como resultado de esto los estudiantes encuentran los ejemplos
difciles de entender contrario al objetivo de los ejemplos.


3
Los ejemplos son, por consiguiente, escritos generalmente de una manera
confusa. No plantean el problema y luego presentan la solucin. En vez de eso,
pasan a travs de una discusin general, nunca revelando lo que se tiene que
resolver.

Adems los ejemplos no siempre incluyen diagramas o grficos, cuando estos
sean adecuados, y los estudiantes no obtienen el entrenamiento para dibujar
dichos diagramas o grficos para simplificar y organizar sus pensamientos.

(d) Los estudiantes pueden aprender la materia solamente haciendo los ejercicios
por s mismos y revisndolos en clase, esto para obtener la experiencia
aplicando los principios con sus diferentes ramificaciones.
Al hacer los ejercicios por si mismos los estudiantes descubren que necesitan
invertir considerablemente ms tiempo a la Ciencia de Materiales que a otras
materias comparadas en importancia debido a la incertidumbre con respecto a
la seleccin y aplicacin de los teoremas y principios involucrados. Es, en
algunas ocasiones, necesario para los estudiantes descubrir trucos no
revelados en sus textos (o libros de referencia), que les permitan resolver los
problemas de manera ms fcil. Los estudiantes deben usualmente recurrir a
mtodos de prueba y error para descubrir dichos trucos, y como resultado se
dan cuenta de que debern algunas veces gastar varias horas para resolver un
solo problema.

(e) Cuando se revisan los ejercicios en clase, los instructores usualmente solicitan
que los alumnos tomen turnos para escribir soluciones en el pizarrn y
explicarlas a la clase. Los estudiantes regularmente encuentran difcil de
explicarlo de una manera que llame la atencin de la clase, permitiendo al resto
de los estudiantes comprender el material escrito en la pizarra, escuchando la
explicacin oral y adems concentrarse en los mtodos para resolverlo.

Este libro est encaminado a ayudar a los estudiantes de la Ciencia de
Materiales a superar las dificultades antes mencionadas, proporcionando
ilustraciones detalladas de los mtodos de solucin los cuales usualmente no
son aparentes para los estudiantes. Los mtodos de solucin son ilustrados por
problemas seleccionados de entre aquellos que son comnmente asignados
para trabajo en clase o exmenes. Los problemas estn acomodados por
orden de complejidad para permitir a los estudiantes aprender y entender un
tpico en particular revisando los problemas en secuencia. Dichos problemas
son ilustrados con explicaciones detalladas paso a paso para ahorrarles a los
estudiantes la gran cantidad de tiempo que usualmente se necesitara para
llenar los espacios generalmente encontrados entre los pasos ilustrados en
libros de texto o de referencia.

Al usar este libro los estudiantes debern revisar y estudiar los problemas
ilustrados a su propio ritmo, no estarn limitados al tiempo permitido para
explicar problemas del pizarrn en clase.

Cuando los estudiantes quieren fijarse en un tipo particular de problema y
solucin, pueden localizarlo rpidamente en el libro consultando el ndice, el
cual ha sido preparado extensivamente. Tambin es posible localizar un
particular tipo de problemas echando un vistazo a las porciones de material
encuadradas. Para facilitar la bsqueda de los problemas, cada uno cuenta con
un borde grueso alrededor. As mismo, cada problema est identificado con un
nmero arriba de l en el margen derecho.

4

Para obtener el mximo beneficio del libro los estudiantes debern
familiarizarse con la seccin, Como usar este libro localizadas en las primeras
pginas.

Para alcanzar los objetivos de este libro, los miembros se han seleccionado
problemas usualmente encontrados en tareas y exmenes, y se han resuelto
cada problema meticulosamente para ilustrar los pasos lo cuales son difciles
de comprender por los estudiantes.

COMO USAR ESTE LIBRO

Este libro puede ser una ayuda invaluable para el estudiante de Ciencia de
Materiales como un suplemento a sus libros de texto. El libro esta subdividido
en 4 captulos, cada una abarcando un tpico diferente. La materia es
desarrollada empezando con estructura atmica y enlaces, estructura cristalina
y defectos. Un extenso nmero de aplicaciones han sido incluidas, ya que
estas parecen ser las ms problemticas para los estudiantes.

APRENDER Y COMPRENDER UN TOPICO
COMPLETAMENTE

1) Revisa tus apuntes de clase y lee la seccin pertinente al tpico. As
debers familiarizarte con los principios discutidos ah. Estos principios, sin
embargo, pueden no quedarte claros en ese momento.

2) Despus localiza el tpico que estas buscando en la Tabla de Contenido
en el frente de este libro, Resolucin de Problemas de Ciencia de
Materiales.

3) Cambia a la pgina donde el tpico comienza y revisa los problemas de
cada uno de dichos tpicos en el orden dado. Para cada tema los
problemas han sido organizados por orden de complejidad, del ms simple
al ms complicado. Algunos problemas pueden parecer similares a otros,
pero cada problema ha sido cuidadosamente seleccionado para ilustrar un
punto diferente o un mtodo de solucin distinto.

Para aprender y comprender un tema completamente y retener su contenido
ser generalmente necesario que los estudiantes revisen los problemas varias
veces. El revisarlos repetidamente es esencial para ganar experiencia en
reconocer los principios que deben ser aplicados y en seleccionar la mejor
tcnica para resolverlos.

PARA ENCONTRAR UN PROBLEMA EN PARTICULAR

Para localizar uno o ms problemas relacionados a un tema en particular,
dirgete al ndice. Al usar el ndice date cuenta de que los nmeros que se
refieren ah corresponden al nmero de problema, no al nmero de pgina.
Esta organizacin de ndice est orientada a facilitar el encontrar un problema

5
de manera ms rpida ya que uno o ms problemas pueden estar en la misma
pgina.

Si un tipo de problema no puede ser encontrado rpidamente, se recomienda
que el estudiante consulte la Tabla de Contenidos en las primeras pginas, y
posteriormente cambie la pgina al captulo que es aplicable al problema que
se busca. Mediante el chequeo o al echar un vistazo al material que est
encuadrado uno puede localizar problemas relacionados a aquel que se est
buscando sin tener que invertir mucho tiempo. Despus de que han sido
localizados los problemas, las soluciones pueden ser revisadas y estudiadas en
detalle. Para el propsito de localizar problemas rpidamente, los estudiantes
debern familiarizarse con la organizacin del libro descrita en la Tabla de
Contenidos.

Al prepararse para un examen es de ayuda encontrar los temas que abarcar
el examen en la Tabla de Contenidos, y posteriormente revisar los problemas
de esos tpicos varias veces. Esto deber preparar al estudiante con lo
necesario para el examen.


6
Captulo 1

ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE
Los elementos son las sustancias fundamentales de los cuales se compone
toda la materia, para entender la unin entre los tomos para formar los
diferentes materiales es necesario entender la constitucin del tomo, en las
ltimas dcadas se han encontrado un nmero de partculas elementales en el
ncleo, solo es necesario considerar en este curso no necesitamos entrar en
detalle al estudio del ncleo, es suficiente considerar el nmero de protones y
neutrones en el ncleo y los electrones que se encuentran orbitando alrededor
del ncleo ocupando niveles discretos de energa dentro del tomo, cada
electrn posee una energa particular, con no ms de dos electrones en cada
orbital teniendo la misma energa. Esto tambin implica que hay una diferencia
de energa definida entre cada electrn.
Nmeros cunticos.
El nivel de energa al cual cada electrn pertenece est determinado por los
cuatro nmeros cunticos n, l, m, s. El nmero de posibles niveles de energa
est determinado por los primeros tres nmeros cunticos.
1.- El nmero cuntico principal n le son asignados valores enteros 1, 2, 3, 4, 5,
que se refieren al a la capa cuntica a la cual el electrn pertenece, a menudo
esta capa cuntica es asignada una letra ms bien que un nmero; n=1 es
designada K, para n=2 se designa L, para n=3 se designa M, y as
sucesivamente.
El nmero de niveles de energa en cada capa cuntica est determinado por
el nmero cuntico acimutal l y el nmero cuntico magntico m
l
. los nmero
cunticos acimutales tambin se les puede asignar nmeros: l=0,1, 2,, n-1. Si
n=2, entonces hay dos nmeros cunticos acimutales, l=0 y l=. Los nmeros
cunticos acimutales a menudo se designan por letras minsculas.
s para l=0 d para l=2
p para l=1 f para l=3
El nmero cuntico magntico m
l,
proporciona el nmero de niveles de energa,
o de orbitales, para cada nmero cuntico acimutal. El nmero total de
nmeros cunticos magnticos para cada l es 2l+1. Los valores totales estn
dados de l a +l. Para l=2, hay 2(2)+1=5 nmeros cunticos magnticos, con
valores -2,-1,0,+1, y +2.
3.- El principio de exclusin de Pauli. El cual establece que no ms de dos
electrones, cada uno con spn opuesto, puede permanecer en cada orbital. Al
nmero cuntico de spn m
s
le son asignados los valores de +1/2 y -1/2 que
reflejan los diferentes spines.

Istopo.- La mayora de los elementos estn formados de tomos con masa
distinta, los istopos de un elemento dado contienen el mismo nmero de
protones y de electrones porque son tomos del mismo elemento. Su masa
vara porque contienen distinto nmero de neutrones en el ncleo.

PROBLEMAS RESUELTOS

- Problema 1.1
Considerando los istopos
23 30
11 14
, Na Si indicar

7

a) # de protones en el ncleo
b) # de neutrones
c) # de electrones
d) el # de protones, neutrones, electrones en los iones
1 4
, Na Si
+ +

Solucin:
Na Si Na
1+
Si
4+

a) # Protones 11 14 11 14
b) # Neutrones 12 16 12 16
c) # Electrones 11 14 10 10
- Problema 1.2

Solucin:
El peso atmico del Au es 197 uma si consideramos el peso atmico en
gramos, esto representa la masa de 6.023x10
23
tomos de Au as 1 tomo de
Au pesa:
23
22
1 (197 )
1 . 3.2707 10
6.023 10
at g
at Au x g
x at
= =

La energa radiante se describe en trmino de la teora ondulatoria. Cualquier onda se
caracteriza por su longitud de onda , o su frecuencia . La , es la distancia entre dos
puntos idnticos adyacentes en la onda, por ejemplo dos crestas adyacentes. La
frecuencia , es el nmero de crestas de onda que pasan a travs de un punto dado
por unidad de tiempo; suele expresarse en ciclos/segundo o con mayor frecuencia
como 1/s. Para ondas que viajan con cierta velocidad la y la se relacionan as
=velocidad de propagacin de la onda o =c
- Problema 1.3
Solucin:
Si n=2, entonces l=0,1.
Para l=0, hay 2(0)+1= 1 nmeros cunticos magnticos, as m
l
=0.
Para l=1, hay 2(1)+1= 3 nmeros cunticos magnticos, as m
l
=-1, 0, +1.
Consecuentemente hay un total de cuatro posibles orbitales en la capa L.

- Problema 1.4
Solucin:
El nmero cuntico principal dela capa M es n=3, entonces l=0, 1, 2.
s nivel, l=0, m
l
=0 , m
s
= +1/2, -1/2 2 electrones

p nivel, l=1, m
l
= -1, m
s
= +1/2, -1/2
= 0, m
s
= +1/2, -1/2 6 electrones
= +1, m
s
= +1/2, -1/2

Cul es la masa en gramos de un tomo de Au?
Una uma equivale exactamente a 1/12 de la masa del tomo de carbono-
12.

Calcule el nmero de posibles orbitales en la capa L, donde n=2.
Determine el nmero mximo de electrones en la capa M de un tomo.

8
d nivel, l=2, m
l
= -2, m
s
= +1/2, -1/2
= -1, m
s
= +1/2, -1/2
= 0, m
s
= +1/2, -1/2 10 electrones
= +1, m
s
= +1/2, -1/2
= +2, m
s
= +1/2, -1/2
As un total de 18 electrones pueden estar presentes en la capa M.

- Problema 1.5
Que evidencia indica? que la Radiacin Electromagntica es de
a) Tipo ondulatorio, b) Tipo partcula.
Solucin:
a) Los haces luminosos pueden interferir entre s dando lugar a rayas
luminosas alternadas con otras obscuras. Para esto es necesario que
los trenes de ondas posean idntica frecuencia y exista entre ellos una
diferencia de fase constante y determinada, Lnea Brillante.

b) Es igual al movimiento armnico simple. La fuerza de restitucin acta
casi horizontalmente para valores de u y el movimiento es
aproximadamente lineal. La fuerza de restitucin es entonces
proporcional al desplazamiento y el movimiento es armnico simple.

Un fenmeno peridico que puede llamarse armnico simple an
cuando no exista un cuerpo masivo; el movimiento del punto luminoso
sobre la escala de un galvanmetro balstico es armnico simple an
cuando no exista un cuerpo masivo.

En el curso de ondas electromagnticas, es cualquier componente del
campo elctrico o magntico.

- Problema 1.6
Por qu se dispersa la luz blanca al atravesar el prisma?
Solucin:
La velocidad de la luz en un medio material (que no sea el vaco) vara segn la
longitud de onda , ello equivale a decir que el ndice de refraccin (n) depende de la
longitud de onda.
La dispersin por tanto se puede considerar el resultado de una refraccin diferencial
o desigual.
- Problema 1.7
Si cada tomo de 1 mol de tomos emite un fotn con =5.15x10
3
. Cunta energa
se emite? Exprese la respuesta en KJ/Mol.
Solucin:
8
34
10
3
2.997925 10
(6.6262 10 . )( )
10
(5.15 10 )x
1
x m s
E h x J s
m
x
u

= =

19
1
3.8572 10
1000
Joules KJ
E x x
Atomo Joules
=

23
22
6.023 10
3.8572 10
1
KJ x atomo
E x x
atomo mol
=

9
232.32 E KJ mol =

- Problema 1.8
Indique si cada uno de los enunciados es verdadero o falso. Corrija.
Solucin:
a) La energa de un e
en el hidrgeno depende solo del nmero cuntico

principal n. V
b) Las energas de electrones en el H y el He
+
son los mismos cuando el nmero
cuntico principal n es el mismo. F
c) El nmero de orbitales en una subcapa del numero cuntico azimutal l es el
mismo de acuerdo al valor del numero cuntico n. V
d) La serie
( 4, 3, 3)
l
n l m = = =
, es una serie permisible de nmeros cunticos
para un e
en el hidrgeno. V
e) La representacin del contorno del orbital 3p se parece mucho a la del orbital
3d
z
2
. V
- Problema 1.9
El principio de incertidumbre de Heisenberg se puede expresar matemticamente
como,
. 2 x p h t A A >

Donde Ax y Ap representa la incertidumbre en posicin y momento respectivamente y
h es la constante de Planck.

a) Si un electrn tiene una velocidad de 3.0 x10
6
m/s y la exactitud con la cual
esta se puede medir es 1.0% Cul es el mnimo de incertidumbre en la
posicin del electrn?
b) Repita el clculo de a) pero para una bala de 12 gramos cuya velocidad es 200
m/s.
c) Compare los resultados de a) y b);
d) Como se interpreta el resultado con el tamao del objeto? (p=mv )
Solucin:
Para el electrn
34
2 1.054 10 . h x J seg t

=
34
1.054 10 . x J S
x
p
>
A

6 31
24
34
24
11
(3 10 )(9.1072 10 )
.
2.73216 10
1.054 10
.
2.73216 10
3.857755 10
p m
m
p x x kg
s
kg m
p x
seg
x
x
kg m
x
seg
x x m
v
=
=
=
A >
A >

Para la bala

10
3
34
35
(200 )(12 10 )
.
2.4
1.054 10 .
.
2.4
4.39166 10
p m s x kg
kg m
p
seg
x J S
x
kg m
seg
x x m
=
=
A >
A >

Comparando el resultado obtenido, encontramos que la incertidumbre crece con
objetos muy pequeos.

- Problema 1.10
Un tomo en su nivel fundamental absorbe radiacin UV de = 2x10
-7
m, enseguida
emite radiacin con = 6x10
-7
m. Cul es la ms corta de la radiacin que el tomo
puede emitir?
8
34
7
19
25
1 2 1
1
25 25
7
2
25
19
2
2
2.997925 /
(6.6262 10 )( )
2 10
9.932425 10 ( _ _ )
1.986485 10
1.986485 10 1.986485 10
6 10
1.986485 10
3.3108 10
( ) 1
a
a
a
a
a
a
c m s
E h x J s
x m
E x Joules energia que absorbe
x
E E E E
x x
E
x
x
E x
E J
= =
=
= + =
= +
= +
=
19 19
25 25
7
2
3.3108 10 ( ) 6.621825 10
1.986485 10 1.986485 10
2.999 10
x J x
x x
x m

=
=

1 2
2 1 2 1 2 1
1 1
2
2 1 1
13 13
7
2 7 7 7
1 1 1 1 1
( ) ( )
1
1.2 10 1.2 10
3.0 10
(6 10 ) (2 10 ) 4 10
a
a a
a a a
a a
a a
c c hc hc
E h h
hc hc hc hc
hc
x x
x
x x x

= = +
= = =
= =
= = =

- Problema 1.11
Un lser produce radiacin electromagntica en el espectro IR cercano con una
=1.064m. Cul es la energa de la radiacin?

11
6
10
1.064
m
mx
m

=
18
33
6.24 10
0.662 10
x ev
h x J sx
J
=
c
E h h v
= =
8
2.99 10
m
c x
s
=
15
8
15
6
19
18
4.13 10
2.99 10
(4.13088 10 ) ( )
1.064 10
1
(1.16083 ) ( ) 1.8603 10
6.24 10
h x ev
m
x
s
E x ev x
x m
J
E ev x x J
x ev
=
=
= =

- Problema 1.12
Considerando los istopos
23 30
11 14
, Na Si indicar

e) # de protones en el ncleo
f) # de neutrones
g) # de electrones
h) el # de protones, neutrones, electrones en los iones
1 4
, Na Si
+ +

Solucin:

Na Si Na
1+
Si
4+

a) # Protones 11 14 11 14
b) # Neutrones 12 16 12 16
c) # Electrones 11 14 10 10

Enlace atmico
Existen cuatro mecanismos mediante los cuales los tomos se enlazan.
Enlace metlico. Este se produce cuando los tomos forman un mar de electrones
alrededor de sus tomos vecinos. Los electrones de valencia los cuales estn ms
dbilmente unidos al ncleo se comparten entre los tomos vecinos, de tal forma que
no pertenecen a ningn tomo en particular, movindose libremente dentro del mar de
electrones y llegando asociarse con los varios ncleos de los tomos vecinos
formando as un enlace fuerte entre los diferentes tomos que los contienen. Cuando
un elemento que exhibe el enlace metlico es doblado los tomos que estn en esa
regin tratan de cambiar su interrelacin con otros vecinos, as la direccin del enlace
solo cambia y no se rompe, esto permite que los materiales con este enlace presenten
buena ductilidad y sean deformados permanentemente, este enlace tambin permite
buenos conductores elctricos.

Problemas Resueltos
- Problema 1.13
Solucin:
Peso atmico Al 26.981g.gmol
Calcule el nmero de tomos en 100g de Al. Si todos los electrones de valencia
pueden llevar una corriente elctrica. Calcule el nmero de estos portadores de
carga en 100g de Al.

12
23
24
100 6.023 10 .
# 2.232 10 .
26.981 .
gx x at mol
at x at Al
g gmol
= =
Cada tomo de Al contiene 3e
-
de valencia as el nmero total de portadores de carga:
24 24
arg 3(2.232 10 . ) 6.696 10 portadores de c a x at Al x e
= =

Enlace inico,
Cuando diferentes tipos de tomos con alta diferencia de electronegatividad se unen
uno de los tomos puede donar electrones a su vecino y el tomo vecino lo aceptar,
con ello cada uno de estos tomos adquieren una carga elctrica y se comportarn
como iones el tomo que dona los electrones ser un anin el que los acepta ser un
catin. Los materiales que exhiben este enlace generalmente son frgiles.

Problemas Resueltos
- Problema1.15
La energa potencial neta E
N
entre dos tomos adyacentes se puede algunas veces
representar como funcin de la distancia interatmica de acuerdo a la relacin:

N m n
A B
E
r r
= +
En la cual A, B, m y n son constantes cuyo valor depende del material.
Calcular la energa de enlace E
o
en trminos de los parmetros A, B, m y n.
Solucin:
Diferenciamos E
n
con respecto a r y la expresin resultante se iguala a cero; Se
resuelve r en trminos de A, B, m y n
1 1
1 1
0
1 1
0 0
1 1
1 1 0 0
0 0 1 1
0 0
1
0 0
0
0
0
0 0 0
( )
(1)
( ) ( )
m n N
m n
m n
m n
n m m n
m n
m n
m n
m n
m n m n
dE
Amr Bnr
dr
Amr Bnr
r r
Amr Bnr
Amr Bnr
Am Bnr Am Br
r r
Am Am
r r
Bn Bn
A B
E
Am Am
Bn Bn

+ +

=
=
=
=
= = =
= =
= +


13
2 -10
0
2
9
0 0 0
12
0
19 2 38 2
9
10 2 20 2
2
18
2
18
4 10
2.11x
1 1
8.9 10
4
4 (8.9 10 )
(1.6 10 ) (2.46 10 )
8.9 10 ( )(4) 8.941288943 (4)
(2.11 10 ) (4.4521 10 )
5.14 10 (4)
5.14 10 (
A
A A
A
A
k q m
F
a
VM
k k k x
c
c
x
VM
VM x c VM x c
F x F
c x M c x M
VM c
F x
c M
F x
t
t

=
= = =
e
= =
=
=
18 17
4)
( )
5.14 10 (4) 2.056 10
A
Vc
M
J
c
J
c
F x x
M M

= =

2
9 2 9 2 38 0
0
2
2
9 38 2
2 20 2
9
2.96 10 ; ; 8.9 10 ; 2.56 10
(8.9 10 )(2.56 10 )
7.6979 10
2.96 10
KCl
A
A
k q J Vm
F x a k x q x
m F c
Vm
Vm
c
Vm
Vc
c
Vm
x x c
c
a x m
Vc
x
m

= = = =
=
= =

- Problema 1.16
Para el par de iones Na
+
y Cl
-
la energa de atraccin y de repulsin E
A
y E
R

respectivamente, dependen de la distancia entre iones r, de acuerdo a la ecuacin
siguiente y el valor de sus constantes es: A=1.436, B=7.32x10
-6
, m=1, n=8

6
8
1.436 7.32 10
;
A R
x
E E
r r
= =

Para estas expresiones, la energa est dada en eV para el enlace del Na
+
-Cl
-
, y r es
la distancia inter-inica en nm, la energa neta es:
E
N
= E
A
+ E
r

a) Sobre la base de esta grfica, determine (i) El espacio de equilibrio r
0
entre los iones
de Na
+
y el Cl
-.

b) Determine matemticamente el r
0
y el E
0
usando valores de la soluciones del
problema anterior y compare estos resultados con los resultados de la grfica.
Solucin:


14
0
6
0 1 8
1 8 1 8
6
0 0.1428 1.1428
( ) ( )
1.436 7.32 10
(24521.35) (24521.35)
1.436 7.32 10
6.081 0.7601 5.3208
(24521.35) (24521.35)
m n
m n m n
A B
E
Am Am
Bn Bn
x
E
x
E eV

= +
= +
= + = + =

nm
x Bn
Am
r
n m
236 . 0
) 8 )( 32 . 7 (
) 1 )( 436 . 1 (
6
0
1
= =
|
.
|
\
|
=

Para diversos valores de r tenemos:
r = 1 nm r = 1.5 nm r = 2 nm r = 0.5 nm
E
A
= -1.436 ev E
A
= -0.9573 ev E
A
= -0.718 ev E
A
= -2.872 ev
E
R
= 7.32x10
-6
ev E
R
= 2.8561x10
-7
ev E
R
= 2.8593x10
-8
ev E
R
= 3.90625x10
-3
ev

r = 0.4 nm
E
A
= -3.59 ev
E
R
= 11.16x10
-3
ev

r = 0.3 nm
E
A
= -4.78 ev
E
R
= 11.15x10
-3
ev

r = 0.2 nm
E
A
= -7.18 ev
E
R
= 2.859 ev

r = 0.1 nm
E
A
= -14.36 ev
E
R
= 732 ev
Graficando estos valores:

15
0 2
0
200
400
600
800
E
r
(
e
V
)
r(nm)
(a)
0 2
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
E
a
(
e
v
)
r (nm)
(b)
0 2
-6
-4
-2
0
E
(
e
V
)
r(nm)
(c)

Fig. 1. (a) Energa de repulsin (b) Energa de atraccin (c) Suma de las Energas
de atraccin obtenindose la distancia de equilibrio y energa potencial mnima
entre iones de Na
+
y Cl
-

16
Enlace Covalente.- Los materiales que exhiben este enlace comparten electrones
entre dos o ms tomos, por ejemplo los tomos de Si, el cual contiene 4 electrones
de valencia, obtiene 8 electrones de valencia al compartir con cuatro tomos de Si a
su alrededor, con ello forma cuatro enlaces covalentes con los tomos vecinos. Para
formar estos enlaces los tomos de Si deben estar arreglados de tal forma tal que los
enlaces tengan una relacin direccional entre ellos. En el caso del Si se produce un
arreglo tetradrico entre ellos, con ngulos de casi 109entre cada enlace, la
probabilidad de que los electrones se encuentren muy localizados es alta para este
tipo de enlace. As, los materiales con este enlace se comportan ms bien frgiles y
como aislantes elctricos.
Problemas Resueltos
- Problema 1.17

Solucin:
Si

O

Fig. 2. Compartimiento de electrones entre el Oxgeno y el Silicio y la posible
estructura tetradrica formada por enlaces covalentes en la molcula de SiO
2
.

Enlace Van der Waals.- Este enlace une a los tomos o las molculas por dbiles
atracciones electrostticas. El mecanismo de enlazamiento secundario es por
atraccin de cargas opuestas y la diferencia con el enlace primario es que no se
transfieren electrones, la atraccin depende de las distribuciones asimtricas de carga
positiva y negativa dentro de cada unidad atmica o molecular que se enlaza.. Esta
asimetra de cargas se le conoce como dipolo. Muchos polmeros, cermicas, metales
estn permanentemente polarizados y en otros se puede inducir la polarizacin; esto
es que algunas porciones de las molculas tienden a tener carga positiva o negativa.
La accin electrosttica entre las dbiles regiones cargadas positivamente y las
regiones negativas de cada molcula forman un dbil enlace conocido como el enlace
Van der Waals este es un enlace de tipo secundario que puede hacer cambios
importantes en las propiedades de muchos materiales.
- Problema 1.18
Solucin:

H

_ +
Describa como se forma el enlace covalente en la molcula de (SiO
2
)
Describa el enlace Van der Waals para las molculas de agua.

17

O

Fig. 3 El enlace Van der Waals es formado debido a la polarizacin de las
molculas o grupos de tomos, en el agua los electrones en el oxgeno tienden a
concentrarse lejos del hidrgeno la diferencia de carga resultante permite que la
molcula sea dbilmente enlazada a otra molcula de agua.

Energa de Enlace y distancia interatmica
La distancia interatmica es la distancia de equilibrio entre los tomos y es causada
por el balance entre las fuerzas de atraccin y repulsin. La separacin de equilibrio
ocurre cuando la energa total en el par de tomos es un mnimo. Esta energa
representa la energa de enlace o la energa para crear o romper el enlace.

Ncleo +

2r

E Periferia -

Energa de
Enlace

Fig. 4 tomos o iones estn separados por una distancia de equilibrio que
corresponde al mnimo de energa de los tomos o iones formando enlace.

Problemas Resueltos

- Problema 1.19
Solucin:

E Distancia Interatmica
La figura muestra las curvas de Separacin-Energa de tres materiales, un metal un
cristal inico, y uno con enlace de Van der Waals.
Indique cual curva corresponde a cada uno de estos materiales.

18

B
C
A
A Van Der Waals, B Metlico, C Inico

Una importante conclusin sobre el enlace en los compuestos, nos lleva a
encontrar que elementos metlicos poseen relativamente bajas
electronegatividades y los no metlicos poseen altas electronegatividades.
Cuando dos elementos teniendo baja diferencia de electronegatividad se unen
para formar un enlace, esta ser predominantemente metlico o covalente,
dependiendo de la naturaleza de los elementos involucrados, con un
incremento de la diferencia de electronegatividad entre los elementos que
forman el enlace se formar un compuesto inico. As los compuestos
puramente metlicos inicos o covalentes son realmente extremos en la escala
continua del enlace.

Metlico

Van der Waals

Covalente Inico

Fig. 5 Tetraedro para tipos de enlaces, los vrtices en el tetraedro representan el
enlace puro en los materiales reales siempre existe una mezcla de estos enlaces
por lo que para representar ese tipo de enlace se hara sobre la superficie de una
de las caras o en el centro del tetraedro.

La energa de los enlaces de los diferentes tipos de enlaces, se puede comparar a
travs de una de las propiedades fsicas de estas subtancias, por su punto de fusin
en la tabla se presentan algunos materiales representativos.
Material Tipo de enlace Punto de fusin (C)
CaCl
2
Inico
Si covalente 1414
Covalente y secundario
Au Metlico 1064.43
Dipolo inducido
H
2
O Secundario (dipolo permanente) 0

PROBLEMAS PROPUESTOS

1.- El Cr tiene un nmero atmico de 24, tiene cuatro istopos: 4.31% tomos de Cr
contienen 26 neutrones, 83.76% contiene 28 neutrones, 9.55% contiene 29 neutrones,
y 2.38% contiene 30 neutrones. Calcule la masa atmica del Cr.
2.- El cobre, el cual tiene un nmero atmico de 29 y una masa atmica de 63.54g.mol
contiene dos istopos el Cu
63
y Cu
65
. Determine el porcentaje de cada istopo en el
Cu.

19
3.- Calcule el nmero mximo de electrones en la capa O de un tomo. Determine el
nmero atmico de este tomo si todos los niveles en las capas K, L, M, N y la capa O
estn llenas.
4.- El In con nmero atmico de 49, contiene todos sus niveles de energa llenos
excepto el subnivel 4f. Proponga la estructura electrnica y determine el nmero de
electrones de valencia para el In.
5.- La energa potencial de un cristal inico algunas veces es encontrado como
2 2
0 0
1
4
A n
o
N Mz e N B
E
r r tc
| |
= +
|
\ .
(1)
Donde B y n son constantes de los materiales. ( n est entre 5 y 12)
a) Diferencie la ecuacin (1) con respecto a, r y resuelva para B.
b) Use los datos del problema resuelto 1.16

6.- Describa en un tetraedro las caractersticas del enlace para el CH
4
, NaCl, Na y HF.

7.- Los electrones de valencia de un tomo se pueden expulsar por excitacin de un
haz de radiacin electromagntica. Calcule la longitud de onda mnima de la radiacin,
para expulsar un electrn 1s de un tomo de
12
C. Utilice el diagrama de niveles de
energa, observe la convencin de signo. Una energa de atraccin es negativa, los
electrones 1s estn ms cercanos al ncleo y ms fuertemente atrados por el ncleo
(-283.9 eV). Los electrones de la rbita externa tienen una energa de solo -6.5eV. El
nivel cero corresponde a un electrn que es removido completamente del potencial de
atraccin del ncleo.

0

6.5 2sp
3

E(eV)

283.9 1s

8.-Las molculas de gas exhiben enlace secundario, estas molculas sobre una
superficie slida proporcionan un mtodo para la medicin del rea superficial de los
materiales porosos. Si se disminuye la temperatura del slido por debajo de la
temperatura ambiente, un volumen medido del gas se condensar formando un
recubrimiento de monocapa de molculas sobre la superficie porosa. Para una
muestra de 100g de catalizador de Cu fundido se necesita un volumen de 9 x 10
3
mm
3

de nitrgeno, en condiciones normales (0C y 1atm) para formar una monocapa por
condensacin. Calcule el rea superficial del catalizador, en m
2
/kg. Suponga que el
rea que cubre una molcula de nitrgeno es 0.162 nm
2
, y recuerde que para un gas
ideal, pV=nRT, siendo n el nmero de moles del gas.

9.-
10.-


20


21
Captulo 2

ESTRUCTURA
Estructura.- Los agregados atmicos en estado slido se agrupan en varias formas, en
el estado slido dos de estas formas son:
Cristalina.-formando un orden de largo alcance
Amorfa.- formando un orden de corto alcance
En la naturaleza encontramos en los agregados atmicos cristalinos 14 redes, que se
caracterizan por el tamao de sus aristas a, b, c, y el ngulo entre ellas ,, son
arreglos nicos que se les conoce como Redes de Bravais fig. 2.1, en honor del
francs Auguste Bravais (1811-1863).

CBIC0
a=b=c, y ===90

CS FCC BCC

TETRAGONAL
y ===90

TS BCT
ORTORRMBICO

OCB OCC OCF OS

HEXAGONAL


22
HEXAGONAL

HS HC
MONOCLNICO

MS MC

TRICLNICO

Fig.2.1 Los catorce tipos de redes de Bravais, agrupados en siete sistemas cristalinos.

Segn el tipo de enlace que se manifieste en mayor proporcin entre los
tomos enlazados, habr cristales inicos, covalentes, metlicos.
Las propiedades fsicas qumicas y mecnicas de los cristales, se manifiestan a
travs de este, en bulto, sin embargo la porcin ms pequea que exhibe estas
propiedades es la celda unitaria.
Los cristales por lo general son anisotrpicos esto significa que no exhiben
propiedades idnticas a travs de direcciones y planos atmicos, por ello se
requiere un lenguaje que ayude a identificar las direcciones y planos dentro del
cristal. Los ndices de Miller para planos y direcciones desarrollan este
concepto.

INDICE DE MILLER PARA PLANOS
La determinacin de los ndices de Miller para planos, se realiza de la siguiente forma:


23

1.- Se determina las intersecciones del plano con los ejes x, y, z,
2.- Se toman los recprocos de las intersecciones con los ejes.
3.- Incluir los nmeros resultantes entre parntesis ( ) se debe tener cuidado de
representar los ndices negativos mediante una barra sobre el nmero.

INDICES DE MILLER PARA CRISTALES HEXAGONALES (hkil)
Los tres ndices de Miller pueden describir cualquier plano para cualquier cristal. Sin
embargo es til en sistemas hexagonales establecer cuatro ndices (hkil), porque
definen mejor la simetra, tres de estos ndices son coplanares, el cuarto ndice i est
relacionado matemticamente a la suma de los dos primeros:

h + k = -i

Algunas consideraciones importantes deben ser hechas para los planos cristalinos:
a) Los planos y sus negativos son idnticos.
b) Los planos y sus mltiplos no son idnticos.
c) Cierto grupo de planos son equivalentes. Por ejemplo el plano [100] es
equivalente con [01-0] al redefinir las coordenadas.
d) Un grupo de planos equivalentes forman una familia, los parntesis { } indican
una familia de planos.

Problemas Resueltos

- Problema 2.1
Solucin:

1/1

(a) (b) (c) (d)
3 4
(2 )
2 3

5
(1 1)
4

4 9
( 0 )
3 14
(100)

- Problema 2.2
Solucin:

Determine los ndices de Miller para cada uno de los planos mostrados en las
estructuras cristalinas cbicas de las figuras.
2/3
1/2
3/4
4/5
3/4
1/3
Determine los ndices de Miller de los planos mostrados en cada uno de las celdas
unitarias que pertenecen al sistema cristalino cbico mostrado en las figuras a
continuacin.

24

(a) (b)

(c) (d)

Intercepcin con los ejes Recprocos ndices de Miller
Plano X Y Z 1/x 1/y 1/z H k L
(a) 1 2/3 3/4 1 3/2 4/3 1 3/2 4/3
(b) 2/3 1/4 2 3/2 4 2 3/2 4
(c) -1/3 -3/4 -3 -4/3 0 -3 -4/3 0
(d) -9/5 1/3 -5/9 1/3 0 -5/9 1/3 0

- Problema 2.3

Solucin:

No existe

_
(1210)
_
(1102)
_
(0120)
_ _
(1121)

- Problema 2.4
Liste los miembros de la familia
_
{0110} de los planos prismticos para la celda
hexagonal.

Solucin:
3/4
2/3

1/2
1/4
2/3
3/4
1/3
1/3
3/4
Dibuje los planos en una celda hexagonal.


25

_
_
_
_
_ _
(0110)
(1100)
(1010)
{1100}
(0110)
(1100)
(1100)
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(

INDICES DE MILLER PARA DIRECCIONES
La determinacin de los ndices de Miller para direcciones, se realiza de la siguiente
forma:

1.- Se determinan las coordenadas del punto de inicio y final del vector que representa
la direccin.
2.- Se restan las coordenadas del punto final al inicial.
3.- Si existen fracciones se obtienen nmero enteros multiplicando todos por un factor
4.-Incluir los nmeros resultantes entre parntesis [ ], se debe tener cuidado de
representar los ndices negativos mediante una barra sobre el nmero.

Algunas consideraciones importantes deben ser hechas para las direcciones
cristalinas:
a) Una direccin y su negativo no son idnticas; [100] [100]
= ello representa la
misma lnea pero con direcciones opuestas.
b) Una direccin y sus mltiplos son idnticos; [100] = [210].
c) Cierto grupo de direcciones son equivalentes. Por ejemplo la direccin [100] es
equivalente con [010] al redefinir las coordenadas.
d) Un grupo de direcciones equivalentes forman una familia, los parntesis < >
indican una familia de direcciones.
e) Las direcciones paralelas siempre tienen los mismos ndices.

Problemas Resueltos
IM para los dos vectores

(a) 1- [0,0.25,0.3] dL=1.2803x10
7

at
/
cm

2- [0.2,0.25,0.3] dL=1.1399x10
7

at
/
cm

(b)
0.4
2

(0 5 0) DP = no hay

0.4
2

0.4
2
0.2 (5,5,5)
14
2
1
4.8129 10
(0.2828)(0.2449)
2
at
a
DP x
cm
= =
(c) a- ortorrmbico b-tetragonal
l
i
k
h

26

- Problema 2.5

Solucin:

Iniciamos determinando las coordenadas del punto de inicio del vector y el final de
este, ahora se procede a restar el final del inicio.
_
tan
1 1
0 1 000 2(0 1)
2 2
1 [012]
tan
1 1 1 1 1 1
1 000 1 1 2
2 2 2 2 2 2
2 112
res do
Direccion
res do
Direccion
=
=
(
=
(

(
=
(

_
tan
1 1
0 1 000 2(0 1)
2 2
1 [012]
tan
1 1 1 1 1 1
1 000 1 1 2
2 2 2 2 2 2
2 112
res do
Direccion
res do
Direccion
=
=
(
=
(

(
=
(

- Problema 2.6
, , 0 D2
0,1/2, 1
DD
0. 5nm
0.4 nm
0.3 nm
D
1
Dibuje las direcciones a) [211] b) [1-22] c) [11
-
1] d) [1
-
2
-
0] en un sistema hexagonal.

En la figura se muestran dos celdas cbicas unidad, para un metal hipottico
Determine los ndices de Miller para las direcciones de los dos vectores mostrados

27
Solucin:

- Problema 2.7

Solucin:
Consultando las constantes para las catorce redes de Bravais encontramos que si
y = 90entonces pertenece a la red Ortorrmbica.

- Problema 2.8

Solucin:

Densidad Lineal y Puntos equivalentes:
La densidad lineal y densidad de puntos equivalentes, es el recproco de la distancia
ms corta entre tomos o sitios equivalentes, en la red cristalina representndose con
la relacin:
_
(021)
[211]
x
z
z
x
y
y
z
i
y
x
a
b
c
d
La celda para un metal con los siguientes valores: a = 4.5258 , b = 4.5186 ,
c = 7.6570 , =|==90. Encuentre a que red de Bravais corresponde.

Dibuje en una celda unitaria ortorrmbica donde y la direccin
y el plano


28

[ , , ] at x y z
atomos
longitud
=

[ , , ] Peq x y z
puntosequivalentes
longitud
=

La densidad planar, es la fraccin de un plano en la red que intersecta al tomo por el
centro, podemos calcularla a partir de la relacin:

d
{hkl}
= nmero de tomos que intersectan al plano/ rea del plano

Problemas Resueltos:
- Problema 2.9
Solucin:
Aplicando las relaciones
[ , , ] at x y z
atomos
longitud
=
[ , , ] Peq x y z
puntosequivalentes
longitud
=
El Cu tiene la estructura FCC
0
3.62
Cu
a = A

14 2
(031)
8 2
0.5
3.6197 10 /
10(3.62 10 )
3
at Peq
at
x at cm
x cm

= = =

14 2
(210)
8 2
1
6.8254 10 /
5(3.62 10 )
2
at Peq
at
x at cm
x cm

= = =

El C presenta dos formas alotrpicas, en este caso la estructura es la FCC cbica
diamantina.

0
3.5565
C
a = A

14 2
(031)
8 2
0.5
3.7501 10 /
10(3.5565 10 )
3
at Peq
at
x at cm
x cm

= = =

14 2
(210)
8 2
1
7.0713 10 /
5(3.5565 10 )
2
at Peq
at
x at cm
x cm

= = =
- Problema 2.10
Determine la densidad lineal de tomos y de puntos equivalentes por cm en las
direcciones [111], [120] y [220] para el MgO y Au.
Determine el nmero de tomos/cm
2
y de puntos equivalentes, en los planos
(031) y (210) para el Cu y el C

29
Solucin:

El MgO exhibe la estructura FCC aplicando la relacin
[ , , ] at x y z
atomos
longitud
= y
[ , , ] Peq x y z
puntosequivalentes
longitud
=

MgO 4.1 a = | |
8
111 3 7.1014 10 d a x cm
= =

7
1.4082 10 /
Peq
x puntos cm =
7
2.8163 10 /
at
x at cm =
| |
8
120 5 9.1679 10 d a x cm
= =
7
1.0908 10 /
Peq
x puntos cm =

7
2.1815 10 /
at
x at cm =
| |
8
2
220 2.8991 10
2
a
d x cm
= =
7
3.4493 10 /
Peq
x puntos cm =

7
3.4493 10 /
at
x at cm =

Au

4.1295 a = | |
8
111 3 7.1525 10 d a x cm
= =

7 7
1.3981 10 / 1.3981 10 /
Peq at
x puntos cm x at cm = =
| |
8
120 5 9.2338 10 d a x cm
= =

7 7
1.083 10 / 1.083 10 /
Peq at
x puntos cm x at cm = = =
| |
8
2
220 2.92 10
2
a
d x cm
= =

7 7
3.4247 10 / 3.4247 10 /
Peq at
x puntos cm x at cm = = =

Densidad Planar:

Solucin:
a)

(0001)

El Zn tiene la estructura hexagonal compacta, determine.
a) La densidad lineal para el Zn en la direccin [110]
b) La densidad planar para el Zn en el plano (0001)
z
y
x
[110]

30
7
[110] 8
1 . 1
.
3.75 10
2.6648 10
at
at
d x
cm
a x cm
= = =
b)
La densidad planar en el plano (0001)
Calculamos el rea de uno de los tringulos equilteros de la base,

2
. 3 3
2 4 4
bxh a a a
A = = =

15
2 (0001)] 16 2 2
1
6 1
12
3
.
1.6264 10
6(1.732)(7.10 10 ) 3
6
4
at at
at
at
d x
cm
x cm a

+
= = =


- Problema 2

Solucin:
a)

b) El cristal es un cbico centrado en el cuerpo
c) El factor de empaquetamiento

El Cr tiene una constante de red de 2.8844 y una densidad de 7.19 g/cm
3
a) Calcule el nmero de tomos por celda unitaria
b) A qu tipo de estructura pertenece?
c) Determine el factor de empaquetamiento.
8 3 22
3
22
(7.19 )(2.8844 10 ) 1.725422 10
51.966
1.725422 10
1.999 2 /
g
m v x cm x g
cm
g NA
x g X
X atomos cu
= = =
= ~

31
3 3
3
3
4 8
( )2 (3 3)
3
3 3
0.6801
4
64 8
( )
3
r r
fe
r
r
t t
t
= = = =

- Problema 3

Solucin:

Solucin:

1/2

1/2

1/2
A B (c) (d)

a)
A 101 011 011-101=
_
110
(
(

B 101 010 010-101=
_ _
111
(
(

C
1
/
2
10 10
1
/
2
10
1
/
2
-
1
/
2
10=
_ _
1
1 2 121
2 2
1 ( (
=
( (

D 100 01
1
/
2

1
/
2
10-100=
_
1
10 2 120
2
( (
=
( (

b)

6
6
6
1
24.51 10 /
2
1
20.0163 10 /
3
_ _
1 2
23.11 10 /
3
3
2
atomo
A dl x atomos cu
a
B dl x atomos cu
a
C dl no toca atomos
D dl x atomos cu
a
a
= =
= =
=
= = =

c)
Densidad planar para el plano (001):
El Cr tiene la estructura BCC y una constante de red de 2.8844 , si
para cada una de las figuras mostradas la estructura pertenece al Cr.
.
a) Determine los Indices de Miller para los vectores mostradas en las
figuras A,B,C,D.
b) Determine la densidad lineal de las direcciones A, B, C, D.
c) Determine la densidad planar para los planos (001), (201), .


32

15 2
2
1
. 1.2019 10 / D A x at cm
a
= =

Densidad planar para el plano (201)

2
2 2
2 2
4
5
4
5
2
a
x a
x a
a
x
= +
=
=

2 2 2 2
2 2 2
2
2
2
cos
5 5
2
0.8860
5 2 5 2 3
4 4 4 4 4
3
2
a
a
arco
a a a a
h h a
a
h
u
u
u
= =
=
=
= + = =
=

3
3
12 2
16
4.92265 10
.
( 2)( 3 / 2)
2
9.845301376 10
. 4.8312 10 /
(2.4494)(8.319763 10 )
x atomos
D A
a a
x
D A x atomos cm
x
=
= =

Densidad planar para el plano
_ _
(334) :

a
x
3
/
4
a

a
x
a/2

33
2 2 2 2
9 25
16 16
5
4
x a a a
x a
= + =
=
2
2 2
2
2 2
2
3
2 3
2
cos 0.8054
5
5
4
25
3
16
25
3
16
73
73
16 4
a
a
a
h a
a
h a
a
h a h
u u = = =
= +
= +
= =

3
12 2
4.474444 10
. 2.90734 10 /
( 3) 73
4
2
x atomos
D A x at cm
a
a
= =

- Problema 2.11
Solucin:
El Au tiene la estructura FCC y una constante de red a = 4.0786 .

El plano (010) en el Au contiene:

1
( )4 1 2
4
atomo atomo atomos + =
La densidad planar ser:
z

15 2
(010) -8 2
2
1.2022 10 /
(4.0786x10 )
p
atomos
d x at cm
cm
= =

x y El plano (002) en el Au contiene:

1
( )4 2
2
atomo atomos =
La densidad planar ser:

15 2
(002) -8 2
2
1.2022 10 /
(4.0786x10 )
p
atomos
d x at cm
cm
= =

Angulo entre direcciones.
Determine la densidad planar para el Au en los planos (010) y (002)

34
Para ciertos clculos para la determinacin de propiedades mecnicas en el cristal es
necesario determinar el ngulo entre dos direcciones, en cristales cbicos se puede
determinar
' ' '
cos[ ] [ ] hkl hk l por el producto punto.


- Problema 2.12

Solucin:
Por la ley de la zona de Weiss, hu+ku+lu=0. As (hkl) = (328). Usando tringulos
esfricos, o el hecho que la suma de los cuadrados de los cosenos de la direccin en
ejes ortogonales es la unidad, para obtener el ngulo (001) a (hkl) = 45 5. Por esa
razn usa la ecuacin a la normal, a cos[(100) a (hkl)]/h = b cos [(010) a (hkl)]/k = c
cos [(100) a (hkl)]/l, para obtener a = 10.5 ;

Factor de Empaquetamiento:
Si los tomos en la celdilla unidad se consideran esfricos, se puede calcular el factor
de empaquetamiento atmico APF a travs de la relacin,

Fraccin de volumen ocupado por los tomos, dentro de una celda unitaria, se calcula
a partir de la relacin:

Factor de empaquetamiento = volumen de los tomos dentro de la celda
unitaria/volumen de la celda unitaria


- Problema 2.13

Solucin:
Para CS, tomando como base de clculo una celda unitaria.

3
4
3
3
0.5236
(2 )
e
r
f
r
t
= =

Para BCC, tomando como base de clculo una celda unitaria

Un cristal de un sulfuro tiene una cara (hkl) cayendo en la interseccin de las zonas
[2-30] y [041-]. Los siguientes ngulos han sido medidos.
(100) a (hkl) = 5128
(010) a (hkl) = 7018
Determine los ndices hkl, el ngulo (001) a (hkl) y la longitud de los ejes a y c, dado
que b=12.94 A

Determine el factor de empaquetamiento para la estructura cbica CS, BCC, FCC y
la estructura HC


35

3
4
3
3
4
3
2( )
0.64
( )
e
r
r
f
t
= =

Para FCC, tomando como base de clculo una celda unitaria

3
4
3
3
4
2
4( )
0.75
( )
e
r
r
f
t
= =

Para la celda HCC (hexagonal compacta), existen en la celda (3at. En el centro+2(1/2)
centrando las bases+12(1/6) en los vrtices = 6 tomos), si 2 c a =

-------a -------
2
2 2
4
3
2
a
a h
a
h
= +
=

2
2
6 3
6 3
4
T
a
A r = = 2 a r =

3
4
3
2
6 .( )
0.6045
(6 3 )4
e
at r
f
r r
t
= =

- Problema 2.14
El Ti BCC con un parmetro de red de a=3.32 se transforma en una estructura
HC con parmetros de red de a=2.978 y c=4.735 . Calcular el cambio de
volumen durante el enfriamiento.
Solucin:
Por la ley de la conservacin de la materia:
3 celdillas BCC (6 tomos)
Enf
1 celdilla de HC
1 celda BCC de Ti V=a
3
=(3.32)
3
=36.594368A
3

3 celdas BCC de Ti V
t
=109.783104A
3

60

36
El clculo del volumen de una celda HC:

2
2 2 2 2 2
2
2
3
4 4 4
3
2
( ) 3 / 2 3
2 4
6 3
23.04099
4
(23.04099 )4.735=109.0991223
T
HC
a a
a h h a a
a
h
a a a
A
a
A
V A
2
= + = =
=
= =
= =
=

0.6839817
0.623%
BCC HC
V V
Contraccion
=
=

- Problema 2.15

Solucin:
Calculando r para la estructura BCC y FCC

a/2
a a
a
a
a
a
4r
El Fe por debajo de los 912C tiene una estructura cristalina BCC con un
parmetro de red de a=2.89 , por arriba de esta temperatura se transforma
en una estructura cristalina FCC con un parmetro de red a=3.66 .
a) Calcular la variacin del radio durante el calentamiento.
b) Calcule el porcentaje de la variacin del volumen durante el calentamiento y
determine si el material se expande o se contrae.

37
2 2 2 2
2
2
2
2 2 2
16 2 3
3 3 4
16 4 3
2.89 3
1.254
4
2 2
16 2
16 4
3.66 2
1.2940
4
1.2940 1.254 0.0426 _ 3.40%
BCC
r a a a
a a r
r r a
r
FCC
a a
r a r r
r
r incremento
= + =
= = =
= =
= = =
= =
A = =

b)
8 3 8 3
24 3
24
2
2(2.89 10 ) (3.66 10 )
48.275 10 49.028
0.752862 10
BCC FCC
x x
x cm
x

Se expande el 1.15%

El Cobalto experimenta una transformacin alotrpica a los 420C de hexagonal
compacto a cbico centrado en las caras. Calcule el cambio de volumen que
experimenta una pieza de Co de 2cm de espesor y 3 cm de ancho cuando es
calentado por arriba de los 420 C. Establezca si se contrae o se expande.
Solucin:
3 cm

2 cm

Por la ley de la conservacin de la materia:
2celdillas HC con 6 tomos cada una
A
3celdillas FCC con 4 tomos cada una

El clculo del volumen de una celda HC:

a/2
a a
a
a
a

38
2
2 2 2 2 2
2
2
2 3 8 3 23 3
3
4 4 4
3
2
( ) 3 / 2 3
2 4
6 3
4
3 3
3 3 (1.63) 5.368(2.5071 10 ) 8.46 10
2 2
T
HC
a a
a h h a a
a
h
a a a
A
a
A
V a c a x x cm
2

= + = =
=
= =
=
= = = =

Clculo para el volumen de una celda FCC:
8
8
3 23 3
4 4(1.253 10 )
3.5 10
2 2
4.2875 10
r x cm
a x cm
a x cm
= = =
=

Estableciendo la relacin para la pieza de Co,

2 celdas HC de Cobalto al calentarse se transforman en 3 celdas FCC de Cobalto as:
2(8.45916 x10
-23
cm
3
) de Co HC se transforma en 3(4.2875x10
-23
cm
3
) de Co FCC,
entonces 18 cm
3
de Co HC al calentarse por arriba de 420C se transforma en 13.699
cm
3
de Co FCC. Por lo que el material se contrae al calentarse hasta los 420C.

Anlisis de estructuras cristalinas
Determinacin de la estructura cristalina y del parmetro reticular: difraccin de
rayos X.
Puesto que algunas de las longitudes de onda de la radiacin electromagntica
del rango de los rayos X son aproximadamente iguales a la distancia
interplanar en los slidos cristalinos, al hacerlas incidir sobre el cristal, se
producen picos de difraccin de diferente intensidad, de la radiacin emitida por
el cristal. Fig.

39

Fig.- Registro de los ngulos de difraccin para una muestra de acero M2
recubierto con TiN obtenido con un difractmetro

La disposicin de los tomos en la celda unitaria es especfica de una red
cristalina de un material debido a que solo ciertos planos del cristal producen
intensidades de difraccin esto constituye la base para la determinacin de la
estructura cristalina. Los rayos X que se utilizan en la determinacin de la
estructura cristalina de los cristales, es del tipo K

est polarizado y es
monocromtico. Su energa se calcula a partir de la ecuacin de Planck:

c
E h
=
Donde h es la constante de Planck; c la velocidad de la luz y la longitud de
onda. La razn de flujo de esta energa a travs de un rea unitaria
perpendicular al movimiento de la onda es la intensidad la cual es proporcional
al cuadrado de la amplitud esto es;

2
I A

Interferencia constructiva.- Cuando la radiacin electromagntica incide sobre
los tomos del cristal, todos los electrones emiten ondas esfricas que se
expanden y se superponen unas con otras.


40

La tcnica ms comn utilizada para la investigacin de la estructura cristalina es por
el mtodo de polvos o el mtodo de monocristal, La interpretacin de los resultados de
la difraccin de los rayos X sobre una muestra cristalina es compleja para la mayora
de las sustancia cristalinas y sobrepasa el propsito de este libro por ello solo se
propone el anlisis de metales cbicos. El anlisis de los datos se simplifica
combinando la ecuacin de difraccin de Bragg con la ecuacin para la distancia
interplanar la cual para sistemas cbicos tiene la relacin:

2 2 2
a
d
h k l
=
+ +

Si se diferencia entre las estructuras cristalinas cbicas FCC y BCC y del espectro se
pueden identificar los planos de difraccin principales y los valores de 2u
correspondientes entonces empleando la ecuacin de Bragg elevando al cuadrado y
despejando sen
2
u se obtiene:

2 2 2 2
2
2
( )
4
h k l
sen
a
+ +
O=
A partir de los resultados experimentales de difraccin de rayos X se pueden obtener los
valores de 2u para cualquier serie de planos principales, como la longitud de onda y la
constante de red son constantes entonces se puede obtener la siguiente relacin:

2 2 2 2
2 2 2 2
( )
( )
A A A A
B B B B
sen h k l
sen h k l
O + +
=
O + +

Aplicando la ecuacin y los ndices de Miller para los principales planos de difraccin
para la estructura BCC {110} y {200} y sustituyendo los ndices de Miller {hkl} para
estos planos se obtiene:
2 2 2 2
2 2 2 2
(1 1 0 )
0.5
(2 0 0 )
A
B
sen
sen
O + +
= =
O + +

As, si la estructura cristalina de un material desconocido es cbica y la relacin de los
valores de sen
2
u es 0.5 para las dos primeras series de planos la estructura es BCC.
Aplicando la ecuacin y los ndices de Miller para los principales planos de difraccin
para la estructura FCC {111} y {200} y sustituyendo los ndices de Miller {hkl} para
estos planos se obtiene:
2 2 2 2
2 2 2 2
(1 1 1 )
0.75
(2 0 0 )
A
B
sen
sen
O + +
= =
O + +

As, si la estructura cristalina de un material desconocido es cbica y la relacin de los
valores de sen
2
u es 0.75 para las dos primeras series de planos la estructura es FCC.


- Problema 2.15
En un experimento usando Rayos X con =1.79 sobre polvo de platino. Se
observan en una pelcula lneas de difraccin localizadas a 2u 46.44, 80.37 y
86.14. Determine los ndices de Miller de los planos que los producen.

41
Solucin:
Lneas 2u u sen
2
u sen
2
u/0.1427 h
2
+k
2
+l
2
(h, k, l)
1 46.44 23.22 0.1554 1 2 (110)
2 80.37 40.185 0.4163 2.67 4 (200)
3 86.14 43.07 0.4663 3 6 (211)

Solucin: terminarlo
Lneas 2u u sen
2
u sen
2
u/0.1427 h
2
+k
2
+l
2
(h, k, l)
1 44.4 22.2 0.14276 1 2 (110)
2 64.6 32.3 0.2855 2 4 (200)
3 81.8 40.9 0.4286 3 6 (211)

- Problema 2-15
La distancia entre planos (110) en un cristal es 2.024 , determine el parmetro de
red, el ngulo 2u resultante cuando se aplican rayos X con =0.558 . Proponga el
elemento.

Solucin :
Aplicando la ecuacin de difraccin de Bragg, donde n es el orden de difraccin y se le
dar el valor de 1, d es la distancia interplanar la cual para sistemas cbicos tiene la
relacin:

2 2 2
a
d
h k l
=
+ +
, 2 ngulo de difraccin. Con el valor de d se calcula la
constante de red para la muestra.

0
0
2
7.92
2 15.84
n dsen u
u
=
=
=

2 2
2.024 1 1 0 2.8623 a = + + =

Consultando los parmetros de red para los elementos de la tabla:
El elemento podra ser el Cr con nuna constante de red reportada de 2.8844 A y
una estructura BCC o el Fe con una constante de 2.866 y estructura BCC.

Al analizar una muestra de Cr, con rayos X con =1.5418 se obtienen lneas de
difraccin de primer orden localizadas a 2u, 44.4, 64.6 y 81.8. Determine los
ndices de Miller de los planos correspondientes a cada lnea.


42

- Problema 2.16
Solucin:
Aplicando la ley de Bragg para difraccin, 2 n dsen u = y la ecuacin para la
distancia entre planos en sistemas cbicos,
200
2 4 0 0
a a
d = =
+ +
, sustituyendo en la ecuacin de Bragg,
(1)(0.58 ) 2 9.5
2
o
a
sen

A =

se despeja de la ecuacin la constante de red
0
3.514 a = A

- Problema 34

Solucin:
Aplicando la ecuacin de Bragg para difraccin, se encuentra la constante de red en la
muestra deformada,
u dsen n 2 = , sabiendo que para sistemas cbicos
2 2 2
l k h
a
d
+ +
= , substituyendo
en la ecuacin de Bragg,
u sen
l k h
a
n
2 2 2
2
+ +
= entonces
0
0
0
143 . 4
6 . 28 2
1 1 1 ) 29 . 2 )( 1 (
A
sen
A
a =
+ +
=
La constante de red para el Cu a temperatura ambiente
0
62 . 3 A a =
La variacin de la constante de red por la deformacin,

% 45 . 14 100
163 . 3
) 163 . 3 143 . 4 (
0
0
=
x
A
A
Se concluye de este resultado que el alambre se
alarg.

- Problema 2-17

Un alambre de cobre se deform al aplicrsele una carga externa. A una muestra de
este alambre se le aplic un anlisis de rayos X utilizando radiacin con =2.29 , el
A una muestra cristalina de Ni se le aplican rayos X, con una =0.58 y un orden
de difraccin de n=1. Calcule la constante de red sobre la distancia interplanar d
200

si el ngulo de reflexin obtenido de la aplicacin de los rayos x fue u=9.5.
Un alambre de cobre se deform al aplicrsele una carga externa. En una muestra
del alambre se aplic un anlisis de rayos x utilizando radiacin con = 2.29 , el
anlisis mostr que el ngulo u era de 28.6 para difraccin de primer orden en la
familia de planos {111}.
a) Calcule el cambio porcentual del parmetro de red en relacin al
parmetro a temperatura ambiente.
b) De acuerdo a los resultados anteriores, deduzca si el alambre se estir o
se acort?
c) Si la difraccin se hubiera producido sobre la familia de planos {110} cual
sera el ngulo 2u?


43
anlisis mostr que ngulo de difraccin 2u era de 57.2 para los planos {111} para
n=1
a) Calcule el cambio porcentual del parmetro de red en comparacin con el
valor de equilibrio.
b) Deduzca si el alambre sufri alargamiento o compresin.
c) Calcule los ngulos 2u sobre las familias de planos {111} {110}, {202} para
n=1
d) Calcule la densidad planar ( ) en los planos propuestos en c, para el
cristal deformado
Solucin:
(a) Aplicando la ecuacin de difraccin de Bragg, donde n es el orden de difraccin,
d es la distancia interplanar la cual para sistemas cbicos tiene la relacin

2 2 2
a
d
h k l
=
+ +
, 2 ngulo de difraccin. Se calcula la constante de red para la
muestra deformada.

0
0
2
28.6
2.3919
2
n dsen
n
d A
sen
u
u
u
=
=
= =

La constante de red para el material despus de la deformacin
2 2 2
2.3919 1 1 1 4.1429 a = + + =
La constante de red sin deformacin para el Cu es 3.62 a = calculando la variacin
en %
4.1429 3.62
% (100) 14.44%
3.62
= =

(b) Se alarg

(c) Para la familia de planos { }
4.1429
110 2.9295
1 1 0
d = =
+ +

Para la familia de planos { }
4.1429
202 1.4647
4 0 4
d = =
+ +

Aplicando la ley de Bragg
2 n dsen u =
2
n
sen
d
u = 2 46.01 u =

(d) {111}
{ } 111 2 2 2
2 4 4
0.1345
3 3 (4.1429) 3
2
2
2
tomos at
a
a
a
= = = =
{110}
{ } 110 2 2 2
2 2
0.1165
(4.1429) 2
tomos at at
a
= = =


44
{202}
{ } 202 2 2 2
1 2
0.0823
(4.1429)
2
tomo at at
a
= = =

- Problema 2-18

Solucin:
Ni =1.5418 2u=36.12 2u=43.05 2u=76.64 a=3.5167 .
Aplicando la ecuacin de Bragg para difraccin:
n=2dsenu

a) 2.486671768
2
d
sen
u
= =
2 2 2 2
( ) 2
a
h k l
d
+ + = = { } 110
b) 2.101076451 2.8 d = c) 1.243280951 8 d = { } 220
a)
2.88
2 76.86
d
u
=
=
b)
1.6628
90
d
u
=
=>

2.3515
2 99.14
d
u
=
=

De un anlisis por rayos X con una = 1.5418 aplicados a una muestra cristalina,
se obtiene sobre una pelcula una lnea de difraccin localizada a 2 u= 38.51; para
los planos (111), determinar la constante de red de la muestra, determine el tipo
de estructura a la que pertenece la muestra.
Solucin:
Aplicando la ley de Bragg para difraccin y la relacin de distancia entre planos
para sistemas cbicos:
8
8
8
2
1 1 1 3
2
1.5418 10
3
1.335237968 10
3.3852 10
0.3944268
n dsen
a a
d
a
x cm sen
x
a x cm
u
u
=
= =
+ +
=
= =

Como partimos del sistema cbico hay tres posibilidades, se calcula el radio
atmico considerando cada una de las estructuras.
2 1.6926
2
a
CSa r r = = =
4
. 3 1.4658
4 3
r a
BCCa r = = =
4 2
1.1968
4
2
r a
FCCa r = = =
De la difraccin de Rayos X con = 1.5418 obtenida del polvo de Ni. Sobre
una pelcula se observan lneas de difraccin localizadas a 2u= 36.12, 43.05 y
76.64. El parmetro de red del Ni es 3.5167. Determine los ndices de Miller
de los planos que producen estas lneas.


45

1.-Determine el nmero de puntos equivalentes y de tomos por mm
2
que habr en
los planos (031) y (210) para el Cu y el C
2.-Determine la densidad lineal de puntos equivalentes y la densidad lineal de
tomos por mm en las direcciones [100] y [120] para el NaCl y Al.
3.-Dibuje las direcciones [1
-
2
-
0], [210], [1
-
1
-
1] y [121] en una celda hexagonal.
4.- Al analizar una muestra de Cr con rayos x con una = 1.5418, se obtienen
lneas de difraccin de primer orden con ngulos de 2u 44.4, 64.6 y 81.8.
Calcule los ndices de Miller de los planos correspondientes a cada lnea.
5.-En una pelcula se observan lneas de difraccin localizadas a 2u=46.44, 80.37
y 86.14, obtenidas en un experimento usando Rayos X con =1.79 en polvo de
platino. Determine los ndices de Miller de los planos que los producen.
6.- Determinar la densidad de tomos/mm, para las direcciones [110] [210] y [1
-
11].
En las estructuras de la fig.

7.- La distancia entre planos (110) en un cristal es 2.024, determine el parmetro
de red y el radio de los tomos del material. Cul sera el elemento ms probable
y el ngulo 2u resultante cuando se aplican rayos X con =0.558?
8.- En una pelcula usando radiacin de rayos X con =1.5418, se observa una
lnea de difraccin 2u=76.64, esta es obtenida de polvo de Ni, el parmetro de red
del Ni es 3.5167, cuales son los ndices de Miller del plano que produce la lnea,
si se usaron 10 gr de polvo de Ni, cuntos tomos estn presentes? Cuntos
electrones de valencia que puedan conducir corriente?

9.- Para analizar Ag se aplica radiacin con = 1.79, cual es el ngulo 2u de
difraccin para lneas de difraccin de segundo orden de los planos (101), (211) y
(111)

10.-Determinar el dimetro del tomo ms grande que pueda caber en un
intersticio de una celda CC de Rubidio.
(a)Cul elemento puede introducirse en la celda?

(b) Si en una de cada 23 celdas se incrusta uno de estos tomos. Cul ser la
densidad del material?
11.- a) Calcule al ngulo de difraccin 2u de la reflexin de los planos (110) en el
Hierro a temperatura ambiente si las lneas de difraccin son de primer orden y
es de 1.79.


46
b) Por difraccin de rayos x se determin que el parmetro del latice del hierro a
T.A. es 2.89 y a 913C 3.66. Determine el radio atmico en cada caso y calcule
el porcentaje de incremento o reduccin del radio producido por esta
transformacin

c)Cual ser la densidad planar a temperatura ambiente y cual a 913C en esos
planos

1) Determine el nmero de tomos y puntos equivalentes por mm
2
para los planos
(001) y (102) para el C y el Mo.
2) Determine la densidad planar por cm
2
, en los planos (100), (210) y (1
-
11
-
) para el
Cu y el NaCl.
3) Al analizar una muestra de cromo con rayos X con una = 1.5418 se obtienen
lneas de difraccin con ngulos u= 22.2, 32.3 y 40.9. Determinar los ndices de
Miller de los planos correspondientes a cada lnea. a=2.8845
4) Determine la densidad lineal de puntos equivalentes y de tomos por mm en las
direcciones [111], [121] y [101] para el NaCl, Au y Si.
5)
6) Dibuje los siguientes planos en una celda hexagonal (12
-
20), (11
-
02), (1001 y (325
-
0)
7) Determine la cantidad de tomos y de puntos equivalentes por cm
2
en los planos
(001) y (210) para el Cu y C.

1) a)Determine el tamao de grano ASTM cuando se observan 5, 10 y 15 granos al
microscopio a 100x, 250x y 500x si la longitud del recuadro observado es de 3.5
cm
1) b)Determine el tamao equivalente de grano cuando se interceptan 8, 15 y 17
fronteras de grano a los mismos aumentos y con el mismo recuadro del inciso a).
En un circulo de 3 cm de dimetro se observan 13 granos, y 13 intercepciones de
frontera de grano. Si el aumento utilizado es 100x, 250x, 500x y 800x determine el
nmero de tamao de grano ASTM y el nmero de tamao de grano equivalente.
1) a)Determine el tamao de grano ASTM cuando se observan 8, 14, 19 granos al
microscopio a 100x, 300x y 800x sobre un circulo de 10 cm de dimetro.

b) Determine el tamao de grano equivalente cuando se interceptan 13, 18 y 21
fronteras de grano a los mismos aumentos y sobre el mismo circulo del inciso a.

2) Una barra cilindrica de Niquel contiene 2.3x10
3
vacantes/cm
3
a 370C y 4.7x10
8

vacantes a 542C, las dimensiones de la barra son 12.7 mm de dimetro y 5 cm de
longitud.
a) Determine el nmero total de vacantes en el material a 435C
b) Determine el nmero de celdas por cada vacante
1) Durante el estudio de un material policristalino se aplica a los granos un circulo de
prueba de 20 cm de dimetro encontrandose 13 intersecciones de frontera de
grano y 35 granos. Determine el N de tamao de grano por los dos metodos vistos
si el aumento a que se observa fue a)100x, b)250x, c)500x, d)800x.
2) Suponga que en un material de cobre hay una vacante por cada 60 celdas
unitarias y que se han sustituido 2 de cada 50 tomos por tomos de Sn. Si
suponemos que no hay cambio en el parmetro de red determine:
a) Densidad terica del Cu
b) Densidad del material con vacantes
c) Densidad del material con tomos de sustitucin
d) Densidad real del material con vacantes y tomos de sustitucin


47
1) Determine la densidad de puntos equivalentes y de tomos para el Cu, NaCl y Mo
en las direcciones [120] y [111] por cada cm.


48

Captulo 3
DEFECTOS
Imperfecciones cristalinas
En la realidad, no existen cristales perfectos sino que los cristales contienen varios
tipos de defectos e imperfecciones que afectan a sus propiedades. Esto es de
importancia en Ingeniera ya que su conocimiento se logra su manejo para lograr el
control de las propiedades del material que los contiene. Las imperfecciones en los
cristales se clasifican en: Defectos puntuales de dimensin cero, defectos de lnea o
de una dimensin (dislocaciones), defectos de dos dimensiones que incluyen lmites
de grano y granos. Las imperfecciones en los apilamientos atmicos, son
responsables de afectar las propiedades fsicas, qumicas y mecnicas, elctricas y
pticas. Las imperfecciones en los slidos se clasifican como:

1.- Defectos puntuales o de dimensin cero. Vacantes, defectos de Schottky, defectos
Frenkel e intersticialidades.
2.- Defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones). Defectos de borde y de
tornillo.
3.- Defectos superficiales. Fronteras de grano, granos.
4.-Compuestos anestequiomtricos.
5.- Defectos macroscpicos o de volumen. Poros, fisuras e inclusiones.
6.- Soluciones slidas

1.- Defectos puntuales o de dimensin cero
A todas las temperaturas superiores al cero absoluto, los tomos de un slido estn
sujetos a vibraciones trmicas, lo que significa que vibren continuamente alrededor de
su posicin de equilibrio en la malla con una amplitud promedio de vibracin que
aumenta con la temperatura. A una temperatura dada siempre hay un espectro amplio
de amplitudes de vibracin, con lo que las vibraciones en una regin localizada
ocasionalmente pueden ser tan intensas que desplazan un tomo de su posicin en la
malla y se forma una vacancia. El tomo desplazado se puede mover a un intersticio,
a este defecto se le conoce como Frenkel y a la vacancia simple se le conoce como
Schotky.
Experimentalmente se ha encontrado que a ciertas temperaturas existen
concentraciones de equilibrio en los defectos de Frenkel y Schottky, lo que significa
que el cristal con defectos debe tener una energa libre ms baja que el cristal perfecto.
La energa libre est definida por la siguiente ecuacin:

G H T S A = A A

Donde AH representa la energa necesaria E
d
para formar un defecto, o para
desplazar un tomo de su lugar en la malla, en este caso E
d
es positiva y por tanto
corresponde a un aumento de la energa libre del cristal. Por otra parte la presencia de
defectos aumenta el grado de desorden del cristal y aumenta la entropa, lo que
favorece la disminucin de la energa libre. Las contribuciones relativas de estos dos
trminos a la energa libre del cristal estn dadas en funcin del nmero de defectos, n,
en la fig. se observa que conforme aumenta el nmero de defectos, la energa libre
cae hasta un mnimo y luego aumenta, el nmero de equilibrio de defectos n
e

corresponde a la condicin de energa libre mnima.

49

Fig.3.1 El nmero de equilibrio de defectos n
e
, corresponde a la condicin de mnima
energa libre.

Calculando la condicin de energa mnima libre en funcin de la temperatura,
Boltzman obtuvo la siguiente expresin que proporciona el nmero de equilibrio n
e
y
por tanto la concentracin c
e
de equilibrio de los defectos.
exp
e D
e
n E
c A
N KT
| |
= =
|
\ .

Donde N es el nmero total de tomos en el cristal, A es una constante que con
frecuencia se toma igual a la unidad, T es la temperatura absoluta y K es la constante de
Boltzman.


Solucin:
Base de clculo 1 celda de MgO, este presenta la estructura FCC, con 4Mg
2+
y 4O
-2.
Peso atmico Mg 24.312 masa de 4Mg
2+
=1.6146x10
-22
g
Peso atmico O 15.999 masa de 4O
-2
=1.0625x10
-22
g
la masa total en la celda unitaria M
t
= 2.677x10
-22
g
Calculando la densidad terica

22
23
2.677 10
3.6134 /
7.4088 10
x g
g cc
x cc
= =

Comparando la densidad de la muestra contra la densidad terica del MgO encontramos
que si el volumen de la celda permanece constante, la diferencia en masa por celda
unitaria ser.

22 22 24
2.677 10 / 2.6523 10 / 2.47 10 / x g cu x g cu x g cu

=

el nmero de defectos Shottky (la vacancia simple)

24
22
2.47 10 (4 / )
0.06119
1.6146 10
g
x iones cu
vac
cu
g
cu
x
cu
=
La densidad para una muestra de MgO es 3.58g/cc su parmetro de red es de 4.20 .
Determine el nmero de defectos Shottky por celda unitaria en el MgO presentes en
la muestra.

50

- problema

Solucin:
Base de clculo 1cm
3
de Si

No. de celdas en la barra de Si a=5.4307 a
3
=1.6016x10
-22
cm
3

Vol. De la Barra =62.832 cm
3
en 1cm
3
de Si, hay 6.243564x10
21
celdas/cm
3

Y 4.99485x10
22
at.Si/cm
3
Para 300C

2 3
21
22 3
3.1 10 /
6.20639 10
4.99485 10 /
n x vac cm
x
N x at cm
= =

Para 600C

Determinando la constante M del sistema,
24 24
21 16 (13.8 10 / )(573 ) (13.8 10 / )(873 )
6.20639 10 ; 7.966 10
E E
x J K K x J K K
x Me x Me

= =
21 14
21 20
ln6.20639 10 ln ; ln5.0016 10 ln
7.9074 10 1.20474 10
E E
x M x M
x J x J

= =
21 20
46.52871 ln ; 30.62572 ln
7.9074 10 1.20474 10
E E
M M
x x

= =
Despejando:

0.77805 M =
19
3.6594 10 E x J
=

Vacantes a 490C en la barra

19
24
3.6594 10
16 (13.8 10 / )(763 )
0.77805 6.2732 10
x J
x J K K
n
e x
N
= =
22 3 16 7 3
4.99985 10 / (6.2731 10 ) 3.13 10 / x at cm x x vac cm
=

Una barra de Si de 2 cm. de dimetro y 20 cm de longitud contiene 3.1 x 10
2
vacantes/cm
3
a 300C y 2.5 x 10
9
vacantes/cm
3
a 600C.
a) Determinar las vacantes a 490C

9 3
14
22 3
2.5 10 /
5.00516 10
4.99485 10 /
n x vac cm
x
N x at cm
= =

51
Comprobar resultados mios y de Frank
1) T=500C ; 1x10
-9
; T=1000C ; 1x10
-6

20 20
9 6
1.0667 10 1.75674 10
1 10 ;1 10
E E E
x x KT
n
Me x Me x Me
N

= = =
20 20
20.723266 ln 13.51551 ln
1.0667 10 1.75674 10
E E
M M
x x

= + = +
19 20 19 20
2.21055 10 1.0667 10 ln ; 2.42703 10 1.75674 10 ln x x M E x x M E

= + =
20 21
2.1648 10 6.9004 10 ln ;ln 3.137209 x x M M

= = 0.0434 M =
19
1.8759 10 E x

=
19
1.8759 10
4
13463.0435
10 ; 9.2103 3.137209
x
KT
Me
T
= =
1943.8 (2216.8 ) T C K =
19
24
1.8759 10
(13.8 10 )(473)
0.0434
x
x
n
e
N
=
14
1.43 10 x

=

Solucin :
a)
Base de clculo 100g de aleacin entonces en 100g existen:

El peso atmico del Cu 63.54 el nmero de tomos de en 75g de Cu 7.1093x10
23

El peso atmico del Zn 65.37 el nmero de tomos de en 25g de Cu 2.3034x10
23

No total de tomos 9.4127x10
23
;

23
% %
23
7.1093 10 .
100 75.52
9.4127 10 .
a a
x at
Cu x
x at
= =

23
% %
23
2.3034 10 .
100 24.47
9.4127 10 .
a a
x at
Cu x
x at
= =
b)
La estructura de la aleacin es FCC as en la celda existen 4 tomos/celda unitaria de
estos,
23
% %
23
7.1093 10 .
100 75.52
9.4127 10 .
a a
x at
Cu x
x at
= =

4(75.52)
. 3.020
100
at Cu = =

Un latn contiene 75% de Cu y 25% de Zn en peso.
a) Determine los porcentajes atmicos de cada uno de los componentes.
b) Cul es el peso de cada celda unitaria de este latn?
c) La densidad de este latn es 8.5g/cm
3
.Cul es el volumen y el valor de la
constante de red de este material?

52
4(24.47)
. 0.9788
100
at Zn = =
En la celda unitaria por cada 4 tomos existen 3 tomos de Cu y 1 tomo de Zn.

c)
La total de esta cantidad de tomos en cada celda unitaria es:
4(24.47)
. 0.9788
100
at Zn = =
22 22 22
3.1648 10 1.0853 10 4.2502 10
t
M x g x g x g

= + =
La densidad de la celda es:

22 22 22
3.1648 10 1.0853 10 4.2502 10
t
M x g x g x g

= + =
3
22
3
4.2502 10
8.5
g
cm
x
a

= =
Despejando la constante de red:

3
22
3
4.2502 10
8.5
g
cm
x
a

= =
0
3.68 a A =

Propiedades Electrnicas
Prob. De estudio Colangelo pag 136 5.3

En un cierto material a 500C 1 tomo por cada 10
9
tiene la energa necesaria para
saltar y ocupar una vacante adyacente sin embargo a 1000C 1 tomo de cada 10
6

tiene la energa suficiente para lograrlo. Determine E si la fraccin de tomos n/N que
poseen esta energa es:
E
kT
n
Ae
N
=
resp. 1.2 eV
9
4
500
ln ln
1
ln ln
10
(2 )773
20.723 ln
1546
ln 20723 6.4683 10
T C
n E
A
N kT
E
A
cal
K
mol K
E
A
cal
mol
A x E
=
=
=
=
= +

6
4
4
1000
1
ln ln
10
(2 )(1273 )
16.1180 ln 3.9277 10
ln 16.1180 3.9277 10
T C
E
A
cal
K
mol K
A x E
A x E
=
=
=
= +

Igualando las ecuaciones:

53
4 4
4
20723 6.4683 10 16.1180 3.9277 10
2.5406 10 20, 706.882
81, 503.904
x E x E
x E
cal
E
mol

+ = +
=
=

Solucin;
E
kT
n
Ae
N
=
6
86.1 10
ev
k x
K
=
5
2.5 10 A x =

6
2.0
(86.1 10 )(1073)
4
1
10
ev
ev
x
K
Ae
=
6
2.0
(86.1 10 )( )
5
1
(2.5 10 )( )
1000
ev
ev
x T
K
x e
=

Tomando Logaritmos
3
3
3
23.2288 10
6.9077 12.4292
23.2288 10
19.3369
23.2288 10
1201.2680
19.3369
x
T
x
T
x
T T K
=
=
= =

3) Si =2 cm; l=20cm; 3.1x10
2
v/cm
3
; T=300C ; 2.5x10
9
v/cm
3
@ 600C ; a=5.4307
21 14
1 2
; 6.20639 10 ; 5.00515 10 ; ln ln
Ea
KT
n n n n Ea
Me x x M
N N N N KT

= = = =
21 14
24 24
ln6.20639 10 ln5.00515 10
(13.8 10 )(573) (13.8 10 )(873)
Ea Ea
x x
x x

+ = +
20 39 21 39
1.20474 10 4.4325 10 7.9074 10 2.9175 10 x Ea x x Ea x

=
39 21
1.515 10 4.14 10 x x Ea

=
19
3.6594 10 0.7783 Ea x M
= =
19
24
3.6594 10
16 (13.8 10 )(763)
0.7783 6.2752 10
x
x
n n
e x
N N
= =
7 3
# 3.134 10 / VAC x cm =
24
# 3.1384 10 at x =

Para formar una vacante en un metal se requiere una energa de activacin de 2.0 eV
a 800C hay una vacante por cada 10
4
tomos A qu temperatura habr una
vacante por cada 1000 tomos?


54

- Problema 3.1
Solucin:
Calculando el volumen de la barra;
3
2
334 . 6 5
2
27 . 1
cm cm
cm
V =
|
.
|
\
|
=t , el Ni tiene la estructura FCC y a=3.5072x10
-8
cm, 4
tomos de Ni estn contenidos en un volumen de 4.3140x10
-23
cm
3
por lo que en 1cm
3

de Ni; . 10 318 . 2
22
at x N =
Aplicando la ecuacin de Boltzman para 370
C;
E
KT
n
Me
N
= ,
24
3
(13.8 10 )(643 )
22
2.3 10
2.318 10
J
K
E
x k
x
Me
x
= aplicando logaritmos,
20
21
ln9.92235 10 ln
8.8734 10
E
x M
x
=
Despejando;
21
10 8734 . 8
7569 . 43 ln
+ =
x
E
M (1)

Aplicando la ecuacin de Boltzman para 542
C,
24
8
(13.8 10 )(815 )
22
4.7 10
2.318 10
J
K
E
x k
x
Me
x
=

14
20
ln 2.0276 10 ln
1.1247 10
E
x M
x
=
Despejando;
20
10 1247 . 1
5293 . 31 ln
+ =
x
E
M (2)
Igualando (1) y (2):

21 20
43.7569 31.5293
8.8734 10 1.1247 10
E E
x x

=

Resolviendo para E;
20 19
1.1269 10 43.7569 8.8912 10 31.5293 x E x E =
19
2.3778 10 12.2276 x E =
19
19
12.2276
5.1424 10
2.3778 10
E x J
x
= =
Substituyendo E en (2) y resolviendo para M;
6
1.458618 10 M x =
Para encontrar las vacantes totales a 435
o
C
19
24
5.2414 10
(13.8 10 )(708 )
6
1.4586 10
J
k
x J
x k
n
x e
N
=
18
7.3435 10
n
x
N
= despejando,
5 3
1.7022 10 / n x vacantes cm =
Una barra de nquel contiene 2.3 x 10
3
vacantes por centmetro cbico a 370
o
C y
4.7 x 10
8
vacantes a 542
o
C, las dimensiones de la barra son12.7 mm de dimetro y
5 cm de longitud. Determine el nmero de vacantes totales en el material a 435
C.

55

5 3 3 6
1.7022 10 . / 6.31 1.078 10 vacantestotales x vac cm x cm x = =

- Problema 3.2

Solucin:
La constante de red del Fe; a=2.9098

a)
23 8 3
(2 .)(55.847 )
(6.023 10 .)(2.9098 10 )
T
at g
x at x cm

=
3
7.527 / g cm =

b)
23 8 3
(89)(55.847 )
(45)(6.023 10 .)(2.9098 10 )
V
g
x at x cm

=
3
7.443 / g cm =

c)
23 8 3
(1)(12.11 ) 150(55.847 )
(75)(6.023 10 .)(2.9098 10 )
C
g g
x at x cm

+
=
3
7.538 / g cm =

d)
23 8 3
(1)(52 ) 49(55.847 )
(25)(6.023 10 .)(2.9098 10 )
Cr
g g
x at x cm

+
=
3
7.518 / g cm =

e)
23 8 3
(3)(12.11 ) 9(52 ) 436(55.847 )
(225)(6.023 10 )(2.9098 )
M
g g g
x at cm

+ +
=
3
7.444 / g cm =

- Problema 3.3
El nmero de vacantes aumenta cuando la temperatura aumenta, entre 20C y
1020C, la constante de red de un metal con estructura BCC, aument un 0.5
l
/
0

debido a la expansin trmica, en el mismo intervalo de temperatura la densidad
disminuy 2%, teniendo una vacante por cada 1000 celdas unitarias a 20C. Cuntas
vacantes habr por cada 1000 celdas unitarias a 1020C?
Solucin:
La estructura del metal es BCC entonces la constante de red,
4
3
r
a = el metal presenta
1/1000c.u =1x10
-3
vacantes/cu
Calculando la densidad,
Tomando como base de clculo 1 celda unitaria,

| |
3
3
20 3
3
3 3
1020 3 3
3
1020 3
2 (1 10 ) ( ) /
1.999( )( 3)
4
( )64
( )
3
1.999 ( 3) 1.999 ( 3)
0.02
( )64 ( )64
1.999 ( 3)
1 0.02 (1)
( )64
C
C
C
at x PA NA
PA
r
NA r
Pat Pat
NA r NA r
Pat
NA r
(

= =
(
=
(

=
En una pieza de Fe se encuentra 1vacante por cada 45 celdas, 1 tomo de carbono
por cada 150 tomos de Fe y un tomo de cromo por cada 50 tomos de Fe.
a) La densidad terica del Fe
b) La densidad del Fe con vacantes.
c) La densidad del Fe con tomos de carbono.
d) La densidad del Fe con tomos de cromo.
e) La densidad del Fe con todos los defectos.


56

Considerando la disminucin de la densidad y el aumento de la constante de red
Se establece la siguiente ecuacin en donde x representa en nmero de vacantes a
1020C por cada 1000c.u

( )
) 2 (
) 005 . 1 (
3
4
2
3
4
005 . 0
3
4
) 2 (
3 3
` 1020

|
.
|
\
|

=
|
.
|
\
|
+
=
r
x
r r
x
NA
PA
NA
PA
C

Igualando (1) y (2)

3 3
3 3 3
3
. ( 3) (1.999)(0.98) (2 ) . ( 3)
( )64 64 (1.005)
Re
1.95902(1.005) (2 )
0.011447528 / . .
11.44 /1000
P at x P at
NA r NA r
solviendo
x
x Vacantes cel unit
y Vacantes cu
=
(

=
=
=

- Problema 3.4
Solucin:
PAt
Cu
= 63.54 gr ; PAt
Ni
=58.71 gr la constante de red para el Cu a = 3.62
Base de clculo una celda unitaria

a)
23 8 3
(4 .)(63.54 )
(6.023 10 .)(3.62 10 )
Cu
at g
x at x cm

= =
3
8.8955 / g cm

Base de clculo 225 sitios de la red del Cu.

b)
23 8 3
(224)(63.54)(4)
(6.023 10 )(3.62 10 ) (225)
M
x x

= =
3
8.8559 / g cm

Base de clculo una celda unitaria del Cu, esta es FCC con 4 tomos por celda el 25%
de 4 es 1 esto es lo que existe de Ni en cada una de las celdas, entonces la densidad
de la aleacin es:

c)
23 8 3
3(63.54) 58.71
(6.023 10 )(3.62 10 )
A
x x

+
= =
3
8.7264 / g cm

A 1000
o
C, uno de cada 225 sitios en la red del cobre est vacante. El material se
enfra rpidamente hasta 20
C de manera que las vacantes permanecen.

Determine:
a) La densidad terica del cobre
b) La densidad del material obtenido
c) Si se tiene una aleacin cobre-nquel con 25 % atmico de nquel cual sera la
densidad del material

57
- Problema 3.5
Solucin:
El Fe a temperatura ambiente tiene la estructura BCC, si tomamos como base de
clculo 1 celda unitaria de Fe.
Existen 2 tomos de hierro por celda unitaria, el peso atmico del hierro es 55.847 si
se toma en gramos ese peso le corresponde a 6.023 x 10
23
tomos de hierro,
utilizando la ecuacin (1).

v
m
= (1)
Sustituyendo la masa de 2 tomos de hierro sobre el volumen de la celda unitaria;
a)
23 8 3
(2 .)(55.847 )
(6.023 10 .)(2.9098 10 )
T
at g
x at x cm

=
3
7.5271 / gr cm =

Cambiando la base de clculo a 60 celdas unitarias de hierro BCC, se calcula el
volumen de las 60 celdas unitarias;

3 8 3
) 10 9098 . 2 ( 60 60 cm x a v

= = ; en 60 celdas BCC existen 120 tomos de hierro
menos 1 vacante tendremos 119 tomos de hierro, sustituyendo la masa de estos
tomos y el volumen de las 60 celdas en la ecuacin (1);

b)
23 8 3
(119 )(55.847 )
(6.023 10 )(2.9098 10 ) (60)
VAC
at g
x at x cm celdas

=
3
7.4644 / gr cm =

Cambiando la base de clculo a 100 tomos de hierro con estructura BCC, esto
corresponde a 50 celdas unitarias,
3 8 3
) 10 9098 . 2 ( 50 50 cm x a v

= = utilizando la
ecuacin (1);

c)
23 8 3
(100 )(55.847 ) (1 )(12 )
(50 .)(6.023 10 )(2.9098 10 )
C
at g at g
cel x at x cm

+
=
3
7.5433 / gr cm =

Empleando de nuevo la base de clculo de 60 celdas unitarias de hierro BCC, y
considerando la masa de hierro menos una vacancia, mas la masa de los tomos de
carbono intersticial empleando esto en la ecuacin (1);

d)
23 8 3
(119 )(55.847 ) (12 )(1.2 )
(60 )(6.023 10 )(2.9098 10 )
MAT
at g g at
celdas x at x cm

+
=
3
7.4765 / gr cm =

- Problema 3.6

Una estructura de hierro contiene una vacante por cada 60 celdas y un tomo de
carbono intersticial por cada 100 tomos. Si suponemos que no hay cambio en el
parmetro de red, determinar:
a) La densidad terica del hierro
b) La densidad del hierro nicamente con vacantes
c) La densidad del hierro nicamente con tomos intersticiales
d) La densidad del material con vacantes y tomos intersticiales.
Una muestra de Sr contiene una vacante por cada 50 celdas y un tomo de
nitrgeno intersticial por cada 125 tomos. Si suponemos que no hay cambio en el
a) La densidad terica del estroncio
b) La densidad del estroncio nicamente con vacantes
c) La densidad del estroncio nicamente con tomos intersticiales
d) La densidad del material


58

Solucin:
Se tomar una base de clculo de 62.5 celdas unitarias de Sr el elemento tiene la
estructura cristalina BCC con una constante de red a=6.0849
V=a
3
= (6.0849x10
-8
cm)
3
=2.2529x10
-22
cm
3
Volumen de 62.5 celdas unitarias=1.4080x10
-20
cm
3
, peso atmico del Sr 87.62
62.5 celdas de Sr contienen 250 tomos de Sr estos pesan,
20
23
10 6368 . 3
10 023 . 6
) 62 . 87 )( 250 (

= = x
atdeSr x
g atdeSr
m
3
20
-20 3
3.6368 10
2.5830
1.4080x10
g
T
cm
x g
cm

= =
Se toma como base de clculo 50 celdas unitarias de Sr, las cuales contienen 200
tomos pero existe una vacante entonces la masa es para 199 tomos de Sr
3
23 22 3
(199 )(87.62 )
2.5699
(50 )(6.023 10 )(2.2529 10 )
g
V
cm
atSr g
celdas x atSr x cm

= =
Se toma como base de clculo 62.5 celdas unitarias de Sr, las cuales contienen 250
tomos pero existen tomos intersticiales, entonces la masa es para 250 tomos de Sr
ms 2 tomos de N.

3
23 22 3
(250 )(87.62 ) (2 )(14 )
2.5862
(62.5 )(6.023 10 )(2.2529 10 )
g
N
cm
atSr g atN g
celdas x at x cm

+
= =
Se toma como base de clculo 62.5 celdas unitarias de Sr, las cuales contienen 250
tomos pero existen vacantes y tomos intersticiales, entonces la masa es para
248.75 tomos de Sr mas 2 tomos de N.

3
23 8 3
(2 )(14 ) (248.75 )(87.62 )
2.5731
(62.5 )(6.023 10 )(6.0849 10 )
g
M
cm
at g at g
celdas x at x cm

+
= =
- Problema 3.7
Solucin:
a) Se toma una base de clculo de 1 celda unitaria de Fe. Para b, se toma una base
de clculo de 45 celdas. Para c, se toma una base 120 tomos de fierro. Para d, la
base de clculo 120 tomos de hierro el cual tiene la estructura cristalina BCC con una
constante de red a=2.9098, y radio atmico=1.26

23 8 3
(2 )(55.847 )
(6.023 10 )(2.9098 10 )
T
at g
x at x cm

=
3
7.527 / g cm =

23 8 3
(89 )(55.847 )
(45)(6.023 10 )(2.9098 10 )
V
at g
x at x cm

=
3
7.443 / g cm =

Una muestra de acero contiene una vacante por cada 45 celdas y un tomo de
carbono intersticial por cada 120 tomos y suponemos que no hay cambio en el
a) La densidad terica del fierro
b) La densidad del fierro nicamente con vacantes
c) La densidad del fierro nicamente con tomos intersticiales

59
23 8 3
(120 )(55.847 ) 1 (12 )
(60)(6.023 10 )(2.9098 10 )
c
at g at g
x at x cm

+
=
3
7.541 / g cm =

23 8 3
(118.67 )(55.847 ) 1 (12 )
(60)(6.023 10 )(2.9098 10 )
M
at g at g
x at x cm

+
=
3
7.457 / g cm =

Defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones).

Dislocaciones:
Si un problema elstico es definido en trminos de los desplazamientos, se puede
considerar el campo elstico de una dislocacin de borde en un medio infinito y
elsticamente isotrpico.
Una forma de producir una dislocacin de borde es entresacando un plano del cristal y
acercando las caras expuestas como se observa en la figura.

Fig.3.2 Formacin de una dislocacin de borde

Los desplazamientos elsticos as producidos son todos paralelos a la normal del
plano a la lnea de la dislocacin y son convenientemente definidos, considerando la
relacin entre la dislocacin de borde y una dislocacin de cua.

Fig.3.3 Formacin de una dislocacin de cua y una dislocacin de borde.

La fig.3.3 muestra la formacin de una dislocacin de cua positiva, que se crea
removiendo la cua AOB de un ngulo pequeo (a), y forzando las caras a AO y OB
a estar en contacto (b). Una dislocacin de cua negativa se forma haciendo un corte
radial a travs de AO (d) forzando a la formacin de un pequeo ngulo y uniendo,
si un corte radial OC es hecho (b) el material se abrir para formar la brecha COD de

60
ngulo pequeo en (c), y los esfuerzos desaparecern, en efecto el sector BOC ha
sido rotado meramente de la posicin que tuvo en (a). Si COD es ahora rotada con un
ngulo nada es cambiado, el cuerpo permanece libre de esfuerzos, y existe an una
dislocacin de cua a lo largo de OC. Esto significa que una dislocacin de cua a lo
largo de cualquier radio cancela el campo de esfuerzos de una dislocacin de cua
positiva a lo largo de cualquier otro radio entonces i.e,

(i) Su campo de esfuerzos son iguales y opuestos
(ii) El campo de esfuerzos de una dislocacin de cua es cilndricamente simtrica.

La declaracin (i) implica que los esfuerzos derivados de los dos desplazamientos
+
w
u
y
-
-
w
u son iguales. As que el desplazamiento solo puede diferir por el desplazamiento
de un cuerpo rgido. Si las dos dislocaciones son formadas como en a), d) con un
punto comn O y una direccin comn no desviada OA, entonces.

-
w
u =
+
w
u

Ahora hacemos una dislocacin de cua positiva y entonces una dislocacin de cua
negativa con su pice a una pequea distancia d=OO
como se muestra en (e). Una

forma de hacer esto es:
(i) Cortar a lo largo de AO, BO
(ii) Deslizar la cua hacia abajo tal que su pice est en O

y se una a lo
largo de AO

un cuerpo sin esfuerzos conteniendo una fisura radial de
lados paralelos de ancho b= d es derecha,

(iii) Cierre la fisura y nala

El resultado de cerrar los lados de la fisura paralela de ancho b, es la de producir una
dislocacin de borde con un vector de Burgers de magnitud b,
Es evidente que

( , ) ( , ) ( , )
( , ) ( , )
e
w w
w w
u x y u x y u x y d
u x y u x y d
+
+ +
= + +
= +

Poniendo esto en forma diferencial, y substituyendo b= d,
...,
e
w
b
u u
y
+
c
=
O c

i.e el campo elstico de una dislocacin de borde puede ser obtenida de aqulla de
una dislocacin de cua simplemente por diferenciacin. Usando el sistema de
coordenadas definido en la figura 6.8.2. f, muestra que el desplazamiento elstico
debido a una dislocacin de borde es

1
2
2
2
1
u = tan
2 2(1 )
1 2 1 1
= ln
2 2(1 ) 2(1 )
b y xy
x r
b y
r r
t o
o
v
t o o
(
+
(

(
+
(

Donde es la relacin de Poisson.

61
Un tipo de defectos lineales son las dislocaciones, estos son largos en una direccin
en tanto que miden solamente alrededor de uno o dos dimetros atmicos en direccin
perpendicular a su longitud. En la fig. se observa un monocristal cargado en tensin la
fuerza aplicada se descompone en dos componentes, una componente normal de
tensin P
T
y una componente paralela P
s
a cualquier plano ( o sea una fuerza cortante),
en el plano XX
.

Esto significa que una fuerza de tensin produce fuerzas cortantes y por tanto
esfuerzos cortantes en una muestra. El valor del esfuerzo cortante vara con la
orientacin del plano y es mximo para los planos a 45respecto al eje de tensin. El
orden de largo alcance alcanzado en el cristal perfecto, por las posiciones regulares de
los tomos, molculas o iones en la red, minimiza la energa potencial del cristal; as la

62
presencia de defectos en la red cristalina presenta una elevacin de la energa
potencial en todos los tomos, molculas o iones en los que la presencia de estos
defectos afectan sus posiciones de equilibrio. Por lo tanto se le puede asignar una
energa a una dislocacin, esta es la energa incorporada en la estructura cristalina por
efecto del desplazamiento de los tomos, molculas o iones de sus posiciones de
equilibrio.
Estimando la energa para una dilocacin de tornillo en un cilindro de longitud l como
se muestra en la figura.


63
En un radio r, la deformacin de un anillo delgado de espesor dr est dada por la
magnitud b del vector de Burgers de manera que la deformacin cortante
, es
/ 2 b r t
fig b y aplicando la ley de Hooke para el corte el esfuerzo promedio
t , est
dado por / 2 Gb r t en donde G es el mdulo de corte elstico, entonces el campo de
esfuerzo de una dislocacin es inversamente proporcional a la distancia de la
dislocacin y por tanto se describe de largo rango
, as las dislocaciones interactan entre s a distancias bastante largas de hecho el campo
de esfuerzo podr alcanzar un valor del orden de 10
-5
G, a distancias de 10,000 tomos
del ncleo.
La energa del esfuerzo elstico dw de un pequeo elemento de volumen dv est dado
por
1
2
dv t de manera que se obtiene:
2
1 1 1
.
2 2 2 2 2 2
Gb b b
dw dv dv G dv
r r r
t
t t t
| |
= = =
|
\ .

Pero como el volumen del elemento anular es 2 rldr t ,
2
4
Gb l dr
dw
r t
=
La energa alrededor de la dislocacin se obtiene integrando esta ecuacin hasta el
lmite R. Sin embargo, no se toma el lmite inferior de la integracin igual a cero por las
siguientes razones:
a) El clculo supone que que el material es un continuo istropo aunque en la
regin cercana en la dislocacin esta suposicin es irreal, por lo que es

64
necesario considerar los desplazamientos y las fuerzas entre los tomos
individuales.
b) Los esfuerzos cerca de la dislocacin son grandes, y la ley de Hooke, en que
estn basados los clculos no funciona con esfuerzos grandes. Por ello se
toma el lmite inferior de integracin con un valor pequeo r
o
(que con
frecuencia se hace igual a b, la regin dentro de r
o
se conoce como el centro
de la dislocacin as se obtiene:

2
4 o
R
c
r
Gb l dr
E E l
r t
= +
}

En donde
c
E l es la energa del esfuerzo dentro del radio 0 a r
o
, o sea que sera la
energa del centro, aunque el clculo de la energa del centro es complejo se
acepta como razonable
2
/10 Gb l , por tanto al integrar para obtener la energa del
esfuerzo elstico se obtiene para la energa total de esfuerzo:

2 2
ln
4 10
o
Gb l R Gb l
E
r t
= +
Ya que generalmente R>>r
o
, el trmino logartmico de esta expresin vara
lentamente con R/r
o
, para una aproximacin, se puede tomar R>>r
o
igual a 4t ,
con lo que:

2
2
10
Gb l
E Gb l ~ +

Dos caractersticas importantes se muestran en la ecuacin.
1.- La energa total es proporcional al alcuadrado del vector de Burgers.

65
2.- La energa del centro es de 1/10 de la energa del esfuerzo elstico.
Existe una nomenclatura para describir las dislocaciones en funcin del vector
de Burgers.
Cuando b es de magnitud igual al espaciado de malla, se conocen como
dislocaciones unitarias, este es un caso especfico de una dislocacin perfecta,
esto es el vector es un nmero entero de espaciados de malla.
Una dislocacin imperfecta es cuando el vector de Burgers es menor a la unidad,
una superdislocacin puede ser perfecta o imperfecta con un vector de Burgers
mayor que la unidad.

Fuerza en las dislocaciones:
La fuerza en una dislocacin como consecuencia de un esfuerzo aplicado est
relacionado al vector de Burgers de la dislocacin. En la fig. se observa un
cristal de espesor unitario que se ha cortado por el movimiento de una sola
dislocacin de borde desde la cara A a la cara B. Si F es la fuerza por unidad de
longitud unitaria de dislocacin entonces FL es el trabajo hecho cuando se
mueve una dislocacin desde la cara A a la cara B, la fuerza en el plano de
deslizamiento debido al esfuerzo cortante aplicado
t es 1 xarea xLx L t t t = = , y
esta fuerza hace trabajo para producir el desplazamiento b(vector de Burgers).

El vector de Burgers es la magnitud y direccin de deslizamiento resultado del
movimiento de una sola dislocacin, b.

PROBLEMAS RESUELTOS

- Problema 3.7

Dibujar un circuito de Burgers para una dislocacin de borde en un cristal cbico
primitivo. El vector de Burgers en determinado cristal para una dislocacin de borde
es de 2.5 x 10
-10
. Calcular la fuerza por longitud unitaria en la dislocacin cuando se
aplica un esfuerzo cortante de 350 N/m
2

66

Solucin:
a) Defecto de borde dentro de una red cbica simple.

b).- Empleando la relacin:
F b t =

Substituyendo:
10 8
2
350 2.5 10 8.7 10
N N
F x m x
m m

= =


67

3.- Defectos superficiales.

En la solidificacin de un lquido (aleacin, metal puro, cermica), la rapidez con la que
desciende la temperatura del lquido durante la solidificacin, resulta en una
considerable magnitud de sobreenfriamiento. Bajo estas condiciones se produce la
formacin de ncleos (agrupamiento cristalino de cantidades pequeas de tomos), la
cual avanza rpidamente a travs del lquido, una vez formados los ncleos conforme
desciende la temperatura los tomos restantes van tomando posiciones cristalinas en
alguno de esto ncleos, formando as los granos, cuando se completa la solidificacin.
Idealmente, dentro del grano, todos los tomos tendrn una sola orientacin, los
granos adyacentes tienen orientaciones diferentes y en los lmites granulares, se hace
evidente la separacin del espaciamiento atmico regular de los granos. Se ha
observado que los granos se presentan por los menos en tres formas que se ilustran
en la fig. Son varios factores los que afectan la forma el tamao y orientacin de los
granos.

Fig. Tipos de granos a) Dendrtico b) Equiaxial c) Alargado
Tamao de grano y rea de la frontera de grano.


68
Donde n es el nmero de tamao tamao de grano.
TAMAO DE GRANO,
El tamao de grano y el rea de frontera de grano son importantes en el
comportamiento fsico del material
El tamao de grano de materiales policristalinos es
importante, porque la cantidad de superficie de lmite de grano tiene un efecto
significativo en muchas de las propiedades de los materiales especialmente en la
resistencia. A temperaturas bajas aproximadamente a T
b,
los lmites de grano
refuerzan al material por restriccin del movimiento de las dislocaciones bajo tensin, y
los lmites de grano pueden llegar a ser regiones de baja resistencia en materiales
policristalinos. Un mtodo de medida del tamao de grano es el mtodo ASTM
(American Society for Testing and Materials), en el cual el ndice del tamao de grano
n es definido por la relacin,
1
2
n
N

= donde N es el nmero de granos por pulgada
cuadrada sobre una superficie de material pulida y grabada, con aumentos de 100x y n
es un nmero entero referido al ndice ASTM de tamao de grano.

Fig. Mallas de referencia para establecer el tamao de grano (ASTM). Un nmero
grande para el tamao de grano indica ms granos y ms rea de frontera de grano
por unidad de volumen.
El rea de frontera de grano se puede calcular considerando el permetro y el rea que
proporciona la imagen del microscopio a un aumento x100, con la siguiente relacin,

2
v L
S P =
S
v
rea de frontera de grano por unidad de volumen
P
L
nmero de frontera de grano interceptadas por el permetro del campo observado

La tabla muestra los ndices de tamao de grano que corresponden a los nmeros
nominales de granos por pulgada cuadrada a x100 aumentos y granos por milmetro
cuadrado a x1

Tamao de grano ASTM

69
Nmero nominal de granos
ndice del tamao de grano Por milmetro cuadrado a x1 Por pulgada cuadrada a x100
1 15.5 1.0
2 31.0 1.0
3 62.0 4.0
4 124 8.0
5 248 16.0
6 496 32.0
7 992 64.0
8 1980 128
9 3970 256
10 7940 512
Fuente: Metals Handbook, vol. 7, 8.
a
ed., American Society for Metals, 1972, pag.4.
El rea de frontera de grano/in
3
puede ser calculada a partir de la relacin:

2
v L
S P =
Donde:
P
L
= # de Granos Interceptados/Longitud

Malla patrn ASTM para lminas de acero de bajo
carbono. n= 9.

carbono. n= 8.

carbono. n= 7.
Los materiales se pueden clasificar en general en grano grueso cuando n < 3, grano
medio; 4 < n < 6 y de grano fino cuando 7 < n < 9 y de grano ultrafino n >10.


70

PROBLEMAS RESUELTOS

Solucin:

# _ _int
L
Fronteras grano erceptado
P
L
=
3
_ _ _
V
Area frontera de grano
S
L
=

Para TG 2 # de fronteras interceptadas = 8
16.8
0.168
100
L cm = =
8
47.61
0.168
2 95.23
L
V L
P
cm
S P
= =
= =

- Problema 3.8
Solucin:

1
2

=
n
N (1)
Para aplicar la ecuacin (1) se calcula N para 100x
2
2621 . 55
) (
10
2
250
100
2
2 . 1
1
in
granos
in
granos
N = =
t
; ) 1 ( 2 log 2621 . 55 log
1
= n n
1
= 6.7882 equivalente a 7
La circunferencia del crculo de 1.2 in, intersecta 13 fronteras de grano a 250x, por lo
tanto :
13
862.08/
1.2 / 250
L
P in
in t
= = as
2 3
2(862.08/ ) 1724.17 /
v
S in in in = =
Al efectuar un estudio cristalogrfico, se observa en el microscopio en un campo de
1.2 in de dimetro, 10 granos y 13 fronteras de grano interceptadas a un aumento
de 250x y 16 granos y 17 fronteras de grano interceptadas a un aumento de 500X
determine:
a) El tamao de grano ASTM
b) El tamao de grano equivalente
c) rea de frontera de grano/in
3

Suponga que el T.G #2 de la figura representa el corte bidimensional de un slido
policristalino. Calcule el rea de frontera de grano.


71

2
67 . 353
) (
16
2
500
100
2
2 . 1
2
in
granos
in
granos
N = =
t
; ) 1 ( 2 log 67 . 353 log
2
= n n
2
=9.4663 equivalente a 10
tanto:

17
2254.69/
1.2 / 500
L
P in
in t
= =
2 3
2(2254.69/ ) 4509.39 /
v
S in in in = =

- Problema 3.9

cSolucin:

1
2

=
n
N (1)

2
1 2
1.2 100
2 250
10
55.262
( )
granos
in in
granos
N
t
= =
log55.262
1 6.78
log2
n = + = equivalente a n = 7
tanto :
13
862.08/
1.2 / 250
L
P in
in t
= = as
2 3
2(862.08/ ) 1, 724.16 /
v
S in in in = =

tanto :
17
2, 254.69/
1.2 / 500
L
P in
in t
= = as
2 3
2(2254.695/ ) 4, 509.39 /
v
S in in in = =

2
2 2
1.2 100
2 500
16
353.67
( )
granos
in in
granos
N
t
= =
log353.677
1 9.46
log2
n = + =
equivalente a n=9

- Problema 3.10
Al efectuar un estudio cristalogrfico, se observan tres muestras en el
microscopio en un campo de 3.2 cm (1.26in) de dimetro, en la muestra 1, se
observan 8 granos y 10 fronteras de grano interceptadas a 250x, en la segunda
muestra se observan 12 granos y 12 fronteras de grano interceptadas a 500x en
la tercera muestra se observan 15 granos y 18 fronteras de grano interceptadas
a 800x. Determine:
a) El tamao de grano ASTM para cada aumento.
b) El tamao de grano equivalente para cada aumento
c) rea de frontera de grano/in
3

Al efectuar un estudio cristalogrfico, se observa al microscopio en un objetivo
de 1.2 in de dimetro, en la muestra 1, se observan 10 granos y 13 fronteras de
grano interceptadas a 250x, en la segunda muestra se observan 16 granos y 17
fronteras de grano interceptadas a 500x.
Determine:
a) El tamao de grano ASTM para cada muestra.
b) P
L
para cada muestra.
c) S
v
para cada muestra.


72
Solucin:

2
1 2
1.26 100
2 250
8
40.09
( )
granos
in in
granos
N
t
= =
log40.09
1 6.32
log2
n = + = equivalente a n = 6
La circunferencia del crculo de 1.2 6in, intersecta 10 fronteras de grano a 250x, por lo
tanto :
10
631.56/
1.26 / 250
L
P in
in t
= = as
2 3
2(631.56/ ) 1263.13 /
v
S in in in = =

2
1 2
1.26 100
2 500
12
240.59
( )
granos
in in
granos
N
t
= =
log240.59
1 8.91
log2
n = + =
tanto :
12
1515.76/
1.26 / 500
L
P in
in t
= = as
2 3
2(1515.76/ ) 3031.52 /
v
S in in in = =

2
1 2
1.26 100
2 800
15
769.91
( )
granos
in in
granos
N
t
= =
log769.91
1 10.58
log2
n = + =
tanto :
18
3637.82/
1.26 / 800
L
P in
in t
= = as
2 3
2(3637.82/ ) 7275.65 /
v
S in in in = =

10 6.64log
NM
g
C
= +

Solucin:
3.2 cm ; 10, 14 granos; 11, 17 Fg; Aum. 300x y 800x; A=1.587 in
2
; P=12.8 cm.

a) N=56.71
ln
1;
ln
N
n
Z
= n=6.825 N=403.277 n=9.656
N=564.87 n=10.142 N=79.395 n=7.311

b) 10 6.64log
NM
E
C
= + 6.01 8.839 7.266 10.095

Al efectuar un estudio de microestructura, se observan dos muestras en el
microscopio en un campo de 3.2 cm (1.26in) de dimetro, en la muestra 1, se
observan a 300x 10 granos y 11 fronteras de grano interceptadas, en la
muestra 2 se observan a 800x, 14 granos y 17 fronteras de grano interceptadas
en un permetro de 12.8 cm.
Determine:
a) El tamao de grano ASTM para cada aumento.
b) El tamao de grano equivalente para cada aumento


73
Lmite de grano.
El lmite de grano es la superficie que separa los granos individuales, esta es una zona
estrecha donde los tomos no se encuentran de manera ordenada, en ciertos sitios del
lmite pueden estar muy espaciados creando una zona de compresin en otros sitios
pueden estar muy estrechados creando una regin de compresin, en algunas zonas
existen vacancias y enlaces rotos, se pueden controlar las propiedades mecnicas de
un material a travs del endurecimiento mediante el control de tamao de grano en el
material. La ecuacin de Hall-Petch relaciona el tamao de grano con el esfuerzo de
fluencia del metal.
1
2
0 y
Kd o o

= +
Donde
y
o es el esfuerzo de fluencia (deformacin plstica por efecto de esfuerzos)
constantes y temperatura), d es el dimetro promedio de los granos y
0
K o son
constantes del material.

Solucin:
1
2
0
50, 000 (8 ) psi K mm o

= + (1)
1
2
0
40, 000 (4.9 ) psi K mm o

= + (2)
Resolviendo las ecuaciones (1) y (2)
1
2
3225.80 K mm
= 24,193.548
o
psi o =

- Problema 3.12

Solucin:
e) Calcule el cambio porcentual del parmetro de red en comparacin con el
valor de equilibrio.
f) Deduzca si el alambre sufri tensin o compresin.
g) Calcule los ngulos 2u sobre las familias de planos {110}, {202} para n=1
h) Calcule la densidad planar( ) para la familia de planos {110}, {202}

(c) Aplicando la ecuacin de Bragg para difraccin.
Un alambre de cobre se deform al aplicrsele una carga externa. A una muestra
de este alambre se le aplic un anlisis de rayos X utilizando radiacin con
=2.29, el anlisis mostr que ngulo de difraccin 2u era de 57.2 para la
reflexin en los planos {111} para n=1

Determinar en la ecuacin de Hall-Petch para el acero mostrado en la figura.


74
El parmetro de red del Cu a 25C es 3.6151

0
0
2
28.6
2.3919
2
n dsen
n
d A
sen
u
u
u
=
=
= =

0 0
2 2 2
2.3919 1 1 1 4.1429 a A A = + + =

4.1429 3.6151
% (100) 14.59%
3.6151
= =

(b) Se Tens

(c) Para la familia de planos { }
0
0
4.1429
110 2.9295
1 1 0
A
d A = =
+ +

Para la familia de planos { }
0
0
4.1429
202 1.4647
4 0 4
A
d A = =
+ +

Aplicando la ley de Bragg para la familia de planos {110}
2 n dsen u =
0
0
(1)2.29
(2)2.9295
senu
A
=
A
2 46.01 u =
Aplicando la ley de Bragg para la familia de planos {202}
2 n dsen u =
0
0
(1)2.29
(2)1.4647
senu
A
=
A
2 102.83 u =

(d) familia {110}
2
0
0
2
2 (1.26 )
0.833
4(1.26 )
2( )
3
at
densidadplanar
t A
= =
A

Para la familia {202} la densidad planar es cero ya que el plano no corta
a ningn tomo por el centro.

- Problema 3.13

75
Solucin:
Aplicando la ecuacin de Bragg, se encuentra la constante de red en la muestra
deformada

u dsen n 2 = , sabiendo que para sistemas cbicos
2 2 2
l k h
a
d
+ +
= , substituyendo
en la ecuacin de Bragg,
u sen
l k h
a
n
2 2 2
2
+ +
= entonces
0
0
0
143 . 4
6 . 28 2
1 1 1 ) 29 . 2 )( 1 (
A
sen
A
a =
+ +
=
La constante de red para el Cu a temperatura ambiente
0
62 . 3 A a =
La variacin de la constante de red por la deformacin,

% 45 . 14 100
163 . 3
) 163 . 3 143 . 4 (
0
0
=
x
A
A
El alambre se alarg.

SOLUCIONES SLIDAS

Las soluciones slidas sustitucionales pueden ocurrir tanto en slidos metlicos como
inicos la fig. muestra un ejemplo simple de una solucin slida inica. La estructura
es el MgO en la cual los iones Mg
2+
han sido remplazados por iones de Fe
2+
, como los
radios de los dos iones son 0.66 y 0.74 respectivamente, es posible la sustitucin
total. Un requisito ms severo para las soluciones cermicas es la carga del tomo
que sustituye debe ser igual a la carga del tomo sustituido.
- Problema 3.14

Solucin:
Base de clculo 100 gr de aleacin #tomos
a
/
o

75 gr de Cu P.At. 63.54 7.1093x10
23
75.52%
25 gr de Zn P.At. 65.37 2.3034x10
23
24.47%
9.4127x10
23

De 4 tomos/cu : 3.0 son de Cu y 1.0 es de Zn

1) Dibuje los planos (12
-
10), (11
-
02), (012
-
0) y (112
-
2) en una celda hexagonal
Un alambre de cobre se deform al aplicrsele una carga externa. En una
muestra del alambre se desarroll un anlisis de rayos x utilizando radiacin
con = 2.29 , el anlisis mostr que el ngulo u era de 28.6 para difraccin de
primer orden en la familia de planos {111}.
d) Calcule el cambio porcentual del parmetro de red en relacin al
parmetro a temperatura ambiente.
e) De acuerdo a los resultados anteriores, deduzca si el alambre se estir o
se redujo?
f) Si la difraccin se hubiera producido sobre la familia de planos {110}
cual sera el ngulo 2u?
a) Una aleacin contiene 75
p
/
o
de Cu y 25
p
/
o
de Zn. Cunto
a
/
o
de Cu y
a
/
o
de Zn?
b) Cunto pesar cada celda unitaria de esta aleacin?
c) La densidad de este latn es 8.5 g/cm
3
Cul es el volumen y la constante de red
promedio de cada celda unitaria?

76
22 22
22
22
3
3 23 3
8
/ 3.164868 10 1.0853395 10
/ 4.250207532 10
4.250207532 10
8.5
. 5.00029 10
3.68 10
3.68
Masa cu x x
Masa cu x
g x
cc a
vol a x cm
a x cm
a

= +
=
=
=
=
=

Compuestos Anesteqiomtricos
Los compuestos que contienen proporciones exactas de elementos y cargas se les
conoce como esteqiomtricos. Sin embargo existen compuestos que no contienen
proporciones exactas de tomos y de cargas a estos se les conoce como compuestos
anesteqiomtricos, un ejemplo de ellos es el Cu
2
Al el cual puede contener desde un
31/o hasta un 37/o de Al en lugar de ser 33 1/3 /o de Al. La anestequiometra del
Fe
1-x
O tiene un origen diferente

debido a la diferencia del tamao de los iones que lo
forman en estos compuestos siempre encontramos la presencia de Fe
2+
y Fe
3+

entonces para lograr el balance de cargas debe de haber un exceso de oxgeno en la
red as para un par de iones de Fe
3+
se requiere de un ion extra de O
2-
; o de lo
contrario cada par de iones debe estar acompaado de una vacante por catin fig. A
este tipo de estructuras se les conoce como defectuosas, ya que hay irregularidades
en el empaquetamiento atmico.

- Problema 3.15

Una muestra de xido de hierro Fe
1-x
O contiene 52
a
/
o
de oxgeno, y tiene una
constante de red a= 4.29
a) Cul es la proporcin de iones Fe
+2
/ Fe
+3
?
b) Cul es la densidad de este material?
Solucin

Fe
2+
vacancia Fe
3+
O
-2

Fig.- Estructura FCC de Fe
1-x
O anestequiomtrica, las vacantes son necesarias para


77
balancear las cargas.

Base de clculo 100 iones de material anestequiomtrico como el que se muestra en
la fig.

52 iones de O
-2

x iones de Fe
+3

y iones de Fe
+2

48 iones=x+y
x=48-y

Balance de carga
52(-2)+3(x)+2(y)=0
-104+3(48-y)+2y=0
-104+144-3y+2y=0
y=40
x=8

2
3
8 3
5
(52)(15.99) / 55.847(48) /
5.6812 /
(4.29 10 ) 13
831.48 2680.656 3512.136
() 618.198
Fe
Fe
NA NA
g cl
v x
NA
+
+
=
+
= = =
+
= =

- Problema 3.16
Por c/u hay 4 aniones y 4 cationes entonces deben ser 100 iones y cationes son 13
c/u.

Problema 4.3.3 l
Cul es la densidad de Fe
<1
O si la razn Fe
+3
/Fe
+2
es de 0.14 Fe
<1
O si este tiene la
estructura del NaCl y el promedio v
Fe
+ R
o
es de 2.15 ?
Solucin:

Base de clculo 1 celda unitaria
4 iones de O
-2
y 4 iones (Fe
+2
, Fe
+3
, vacantes)
3
2
3
2
0.14
Fe
Fe
x Fe
y Fe
+
+
+
+
=
=
=

3 2
0.14
0.14
4
4 0.14
Fe Fe
x y
x y v
y y v
+ +
=
=
= + +
= + +

Balance de cargas

78
22 22
22
22
4( 2) (0.14 )(3) 2( ) 0
8 0.42 2 0
2.42 8
3.305/ 0.4628/
4 0.14 0.2322 /
4(15.99) 3.7678(55.847)
1.061929 10 3.493613 10
4.55554 10
4.555 10
(2.15 10
y y
y y
y
y cu x cu
v y y v vac cu
masa masa x x
NA NA
masa x gr
x g
x
+ + =
+ + =
=
= =
= =
= + = +
=
=
3
8
5.729
)2
g
cc
=
(

1.- Dibuje una celda unitaria ortorrmbica e incluya la direccin
_
211
(
(

y el plano
_
(021)

3) Determine la densidad planar para el C, Fe y Ni en los planos (101) y (210)
4) Determine el numero de tomos por mm
2
sobre los planos (101) y (200) para el
NaCl, Ba y Al.

5) Suponga que en un material de cobre hay una vacante por cada 240 atomos y que
ademas se han sustituido 2 de cada 50 atomos por estao, si no hay cambio en el
parmetro de red:
a) Determine la densidad terica del cobre
b) Determine la densidad del material con vacantes
c) Determine la densidad del material con estao sin vacantes
d) Determine la densidad del material con estao y vacantes
1) Una barra cilindrica solida de Silicio es de 2 cm de dimetro por 20 cm de longitud;
contiene 3.1x10
2
vacancias/cm
3
a 300C y 2.5x10
9
vacancias/cm
3
a 600C.
a) Determine las vacancias/cm
3
a 500C
b) Determine la densidad del material perfecto y de los tres casos mencionados.
El Si es CCC y a=5.4307

2) Suponga que uno de cada 250 tomos se pierde en el cromo.
a) Determine la densidad del material puro y del material con vacantes
b) si se sustituyen 2 atomos de Cr por Ni determine la densidad.

2.- Una placa de zinc contiene 1.8 x 10
2
vacantes por centmetro cbico a 70
o
C y 2.7 x
10
6
vacantes a 220
o
C, las dimensiones de la placa son15.7 mm de espesor y 5 x 7 cm
por cada lado. Determine el nmero de vacantes totales en el material a 100C.
3.- Una muestra de Cu contiene una vacante por cada 50 celdas y un tomo de
nitrgeno intersticial por cada 125 tomos. Si suponemos que no hay cambio en el
a) La densidad terica del estroncio
b) La densidad del estroncio nicamente con vacantes
c) La densidad del estroncio nicamente con tomos intersticiales


79
4.- Al efectuar un estudio cristalogrfico se observan al microscopio en un objetivo de
3.2 cm de dimetro 15 granos y 12 fronteras de grano interceptadas, si el aumento
utilizado fuese: 100x, 250x, 500x y 800x determine:
a) El tamao de grano ASTM

5.- Un alambre de cobre se deform al aplicrsele una carga externa. A una muestra
de este alambre se le aplic un anlisis de rayos x utilizando radiacin con =2.29, el
anlisis mostr que ngulo de difraccin 2u era de 57.2 para la reflexin de los planos
{111} con lneas de primer orden
i) Calcule el cambio porcentual del parmetro de red en comparacin con el
valor de equilibrio
j) Diga si el alambre sufri tensin o compresin
k) Si el anlisis hubiera sido efectuado sobre las familias de planos {110}, {202}
Cules deberan de ser los ngulos 2u?
6.- Calcule el ngulo de difraccin 2u de la reflexin de los planos (110) y (200) en el
hierro a temperatura ambiente, si las lneas de difraccin son de primer orden y
=1.79 =2
b) Cul ser la densidad planar a temperatura ambiente y a 913C en esos planos? si
por difraccin de rayos x se determin que el parmetro de red del Hierro a
temperatura ambiente es 2.89 y a 913C es 3.66.

2) Una barra cilindrica de Si es de 2 cm de dimetro por 20 cm de longitud y contiene
3.1x10
2
vacantes/cm
3
a 300C y 2.5 x10
9
vacantes a 600C. Una formula para
determinar las vacancias con respecto a la temperatura es
Ea KT
n
e
N
= .
a) Determine las vacantes presentes a 490C
b) Determine el nmero de atomos de Si en la barra a las tres temperaturas

2) En cierto material a 500C, un atomo de cada 10
9
tiene la energia necesaria para
saltar y ocupar una vacante adyacente. A 1000C un atomo de cada 10
6
tiene la
energia necesaria para lograrlo
a) Determine el valor de la energa requerida para el proceso
b) A que temperatura sera igual a 10
-4
la fraccin de atomos con esa energa
c) 200C
3) Suponga que el Estroncio contiene una vacante por cada 50 celdas y un atomo
intersticial de Nitrgeno por cada 125 atomos. Si suponemos que no hay cambio
en el parmetro de red determinar:
a) Densidad teorica del Estroncio
b) Densidad del Estroncio con Vacantes
c) Densidad del Estroncio con atomos intersticiales
d) Densidad del Estroncio con vacantes y atomos intersticiales

3) El Niquel tiene un parmetro de red de 3.5238. Suponer que un atomo de
carbono se acomoda intersticialmente por cada 10 celdas unintarias, considerar
que los atomos de carbono no cambian a
0
, si ademas se han perdido dos atomos
de Ni por cada 200 celdas determinar la densidad de la aleacin.


80

Captulo 4
Difusin Atmica en Slidos

La difusin atmica es el mecanismo a travs del cual la materia se transporta a travs
de la materia. Hay dos principales mecanismos de difusin de los tomos en una red
cristalina.
1) Mecanismo Substitucional o por vacantes; los tomos pueden moverse en la
red cristalina de una posicin atmica a otra cuando estos tienen suficiente
energa (E
a
) energa de activacin.
2) Mecanismo intersticial; Este mecanismo se da cuando los tomos se mueven
de posiciones intersticiales a otras intersticiales.

Difusin en estado estacionario.- Cuando no existe interaccin qumica entre los
tomos del soluto y el disolvente y existe una diferencia de concentracin entre
dos planos, se produce un flujo neto de tomos en la parte de concentracin ms
alta a la ms baja. Se produce cuando un gas no reactivo se difunde a travs de un
slido.La densidad de flujo o corriente se calcula a partir de la primera ley de Fick

81

. . . . .
. . .
dc
J D
dx
J flujo o corriente neta de tomos
D difusividad
dc
gradiente de la concentracion
dx
=
=
=
=

Se utiliza un signo negativo porque la difusin tiene lugar de una concentracin mayor
a otra menor. Las unidades SI para esta ecuacin son

2
2 3
1
( ) ( ) ( )
.
atomos m dc atomos
J D
m s s dx m m
=

Coeficiente de difusin o difusividad. El coeficiente de difusin vara con la naturaleza
de los tomos que se difunden (soluto), con la naturaleza de la estructura del slido
(solvente) en donde se difunde el soluto, y con los cambios de la temperatura.
Como la difusin atmica implica movimientos atmicos, entonces el incremento de la
temperatura en muchos sistemas puede expresarse por el siguiente tipo de ecuacin
de Arrhenius.

Q
RT
o
D D e
=

D= Coeficiente de difusin, m
2
/s
D
o
= Constante de proporcionalidad, m
2
/s (no vara con la temperatura solo vara con
el tipo de sistema).
Q = Energa de activacin de las especies en difusin, J/mol o cal/mol
R = Constante molar de los gases =8.314 J/mol.K 1.987 cal/mol.K
T = Temperatura, K

- Problema 4.1
Solucin:
( H en Fe
Bcc
D
o
=0.0012 cm
2
/s, Q=3,600 cal/mol )

Se difunde gas hidrgeno a travs de una membrana de hierro de 1.7mm de
espesor y 5 cm de permetro, la concentracin del lado donde se inyecta el gas es
de 4.2 X 10
18
tomos de H/cm
3
y el nmero de tomos totales que pasan a travs
de la membrana es de 8.2 X 10
15
tomos de H en un segundo a 700
o
C. Cul es la
concentracin del otro lado de la membrana al dar inicio la difusin?

82

C1= 4.2 X 10
18
tomos de H/cm
3
1.7mm T=700
O
C

Aplicamos la 1a, ley de Fick
2 1
0.17
C C
J D
cm
= (1), se calcula el coeficiente de difusin a

700C donde
s
cm
D
2
0012 . 0
0
=
2
3600
(1.987 )(973 )
0.0012
cal
mol
cal
molK
K
cm
s
D e
=
2
4
1.8642 10
cm
s
D x

=

t| = P cm
cm
5915 . 1
5
= =
t
|
2
2
2
9894 . 1
2
) 5915 . 1 (
cm
cm
r A = = =t entonces
s cm
atH
x
s cm
atH x
J
2
15
2
15
10 2 . 8
9894 . 1
10 2 . 8
= =

Introduciendo el coeficiente de difusin y J, despejando C
2
de (1)

3 2 2
18
atH
2
15 4 cm .
C 4.2 10
4.1217 x 10 1.8642 10
0.17
at cm cm
s s
x
x
cm

=

18 18
2
3.6586 10 4.2 10 x C x =
3
17
2
5.414 10
atH
cm
C x =

1) D= 0.5 in; 0.25% at Cu; 0.1 % at; J=?; 500C; a=4.05; D
o
=2.0cm
2
/s; Q=33900
Cal/mol; #at /cm
3
= 6.0213645x10
22
; Sup=1.5053411x10
20
; Cen=6.02136x10
19
;
AC=-9.032046x10
19
.

33900
22.038 10 2 (1.987)(773)
2 2 5.1965 10 /
Q
RT
o
D D e D e e D x cm s

= = = =
19
20 10 20
9.032045 10
1.422369 10 ( 5.3723 10 )( 1.4223695 10 )
0.635
C x
x J x x
x
A
= = =
A

10 2
7.391 10 / J x at cm seg =

- Problema 4.2

1.5915cm
8.2 X 10
15
t. de H/s
Se difunde gas hidrgeno a travs de una membrana de hierro de 1.7mm de
espesor y 1.59155 cm de permetro, la concentracin del lado donde se inyecta el
gas es de 3.7 X 10
18
tomos de H/cm
3
y del otro lado de la membrana se reciben
2.1 X 10
15
tomos de H/cm
3
Cul es el flujo de tomos totales de H que pasan a
travs de la membrana en un segundo a 700
o
C?

83

Solucin : L=1.7 mm; =1.59155cm; A=1.989cm
2
; C
2
=3.7x10
18
t. de H/cm
3
;
C
1
=2.1x10
15
t. de H/cm
3
; T=700C.
( H en Fe
Bcc
D
o
=0.0012 cm
2
/s, Q=3,600 cal/mol )
Se calcula el coeficiente de difusin a 700C :
0
Q
RT
D D e
=
3,600 /
2
1.987 973
0.0012
cal mol
cal
K
mol K
cm
D e
s
=
2
4
1.86424 10
cm
D x
s
=
Para encontrar el flujo de tomos de H a travz de la membrana se aplica la 1a. ley de
Fick :
C
J D
X
A
=
A

15 18 19
3 3 3
. . .
2.1 10 3.7 10 3.6979 10
at H at H at H
C x x x
cm cm cm
A = =

18
2
3
4 15
2
.
3.6979 10
.
1.86424 10 ( ) 4.055 10
0.17
at H
x
cm at H
cm
J x x
s cm cm s

= =

- Problema 4.3
Una muestra de hierro FCC (austentico), contiene recubrimiento electroltico de Ni en
la superficie, este es de 1.5
a
/
o
, a 5 mm de la superficie y la concentracin de Ni es de
0.8
a
/
o
. Si la temperatura se mantiene a 1000C determine el flujo de tomos de Ni en
la superficie.

Solucin: Ni en Fe FCC D
1000C
2x10
-12
cm
2
/s
Aplicando la 1 ley de Fick para la difusin y tomando como base de clculo 1 celda
unitaria de Fe FCC, se calculan las concentraciones en la superficie y a 5 mm de la
superficie en tomos de Ni/cm
3
2 1
21
1 8 3 3
20
2 8 3 3
21 20 20
2 1 3
20
3
;
; 3.59
0.06 . .
1.296 10
(3.59 10 )
0.032 . .
6.916 10
(3.59 10 )
.
1.296 10 6.916 6.0438 10
.
6.0438 10
1.208762 10
0.5
Fe
dc
J D
dx
C C
a
a
at Ni at Ni
C x
x cm
at Ni at Ni
C x
x cm
at Ni
C C x x
cm
at Ni
x
dc
cm
x
dx cm
=
= =
= =
= + =
= =
21
3
. at Ni
cm cm

a 1000C

84
2
12 21
3
9
2
.
(2 10 )( 1.208 10 )
.
2.416 10
cm at Ni
J x x
s cm cm
at Ni
J x
s cm
=
=

- Problema 4.4
Solucin:

38 at. Ag / 10
8
at. Au

a) El D
o
=0.072 cm
2
/s para Ag en Au y Q=40,200 cal/mol
Estructura del Au es FCC la constante de red a
au
= 4.07 en la estructura FCC
existen 4 tomos de Au por celda as que 10
8
tomos de Au son 2.5x 10
8
celdas. Con
estos datos se calculan las concentraciones C
1
y C
2
en tomos de Ag/ cm
3
para la
superficie y profundidad del material:

0.29cm
22 at.Ag /10
8
t. Au
Una lmina de oro contiene 22 tomos de plata por cada 10
8
tomos de oro a una
profundidad de 0.29 cm y 38 tomos de plata por cada 10
8
tomos de oro en la
superficie.
a) Cul es la densidad de flujo atmico a 700
o
C?
b) Cunto tiempo se requiere para aumentar la concentracin de plata al doble
en el material inicial?


85
15
1 8 8 3 3
38 . .
2.25455 10
2.5 10 (4.07 10 )
at Ag at Ag
C x
x celdas x cm cm
= = ;
15
2 8 8 3 3
22 . .
1.305 10
2.5 10 (4.07 10 )
at Ag at Ag
C x
x celdas x cm cm
= = ;
40200 /
2 2
11 (1.987 / . )(973 )
0.072 6.735 10
cal mol
cal mol K K
cm cm
D e x
s s
= =
15 15
2
3 3
11 5
. .
1.305 10 2.254 10
.
( 6.735 10 )( ) 2.204 10
0.29
at Ag at Ag
x x
cm at Ag
cm cm
J x x
s cm cm

= =
b) Lograr aumentar la concentracin en la superficie al doble, haciendo uso del
sistema no es posible ya que la difusin se da, de la concentracin mayor a la
menor. Esto solo se lograra aumentando el flujo externo de tomos del gas
que alimentan a la superficie.

Solucin: Estableciendo la condicin de los gradientes:

( ) 10( )
Al Al
Zn
dc dc
dx dx
(
=
(

1
2
( ) 0.78
o
cm
Zn Cu D
s
=
1
43900
cal
Q
mol
=
2
2
( ) 0.045
o
cm
Al Cu D
s
=
2
39500
cal
Q
mol
=
1 1
(10 )
dc
J D
dx
=
2 2
dc
J D
dx
=
43900
2
2 (773 )
1
(0.78 )
cal
mol
cal
K
mol K
cm
D e
s
=
39500
2
2 (773 )
2
(0.045 )
cal
mol
cal
K
mol K
cm
D e
s
=
2
13
1
3.6301 10
cm
D x
s
=
2
13
2
3.606 10
cm
D x
s
=
Un gradiente de Zn en una aleacin de Cu es 10 veces ms grande que un
gradiente de aluminio en una aleacin de Cu. Compare el flujo de tomos de
soluto/cm
2
en las dos aleaciones a 500 C.


86
2
13
1
2
13
2
3.6301 10 (10 )
10.0065
3.606 10
cm dc
x
J
s dx
dc
cm J
x
dx
s
= =

- Problema 4.5
( ) 10( )
Al Al
Zn
dc dc
dx dx
(
=
(

Para Zn en Cu
1
2
0.34
o
cm
D
s
=

1
45, 600 / Q cal mol =

Para Al en Cu??????? buscarlommmmmmmmmmmmmmmm

2
2
0.045
o
cm
D
s
=
2
39, 500 / Q cal mol =
Estableciendo la ecuacin de difusin para ambos sistemas:
( )
1 1
(10 )
Zn Cu
dc
J D
dx
=
( )
2 2
Al Cu
dc
J D
dx
=

Calculando el coeficiente de difusin para ambos sistemas a 700C

gradiente de Al en una aleacin de Cu, compare el flujo de tomos de soluto/cm
2
.s
en las 2 aleaciones a 700 C.

87
45600
(2 )973
2
1
(0.34 / )
cal
mol
cal
K
mol K
D cm s e
=
39500
(2 )973
2
2
(0.045 / )
cal
mol
cal
K
mol K
D cm s e
=
2
11
1
2.2636 10
cm
D x
s
=
2
11
2
6.88466 10
cm
D x
s
=

Se encuentra la relacin entre los flujos atmicos:

2
11
1
2
11
2
(2.2636 10 )(10 )
18.06
(6.88466 10 )( )
cm dc
x
J
s dx
cm dc J
x
s dx
= =

- Problema 4.6

( ) 10( )
Al Al
Zn
dc dc
dx dx
(
=
(

Para Zn en Cu
1
2
0.78
o
cm
D
s
=

1
43, 900 / Q cal mol =

Para Al en Cu

2
2
0.045
o
cm
D
s
=
2
39, 500 / Q cal mol =
Estableciendo la ecuacin de difusin para ambos sistemas:
( )
1 1
(10 )
Zn Cu
dc
J D
dx
=
( )
2 2
Al Cu
dc
J D
dx
=

Calculando el coeficiente de difusin para ambos sistemas a 500C

gradiente de Al en una aleacin de Cu, compare el flujo de tomos de
soluto/cm
2
.s en las 2 aleaciones a 500 C.


88
43900
(2 )773
2
1
(0.78 / )
cal
mol
cal
K
mol K
D cm s e
=
39500
(2 )773
2
2
(0.045 / )
cal
mol
cal
K
mol K
D cm s e
=
2
10
1
1.2439 10
cm
D x
s
=
2
11
2
6.88466 10
cm
D x
s
=

Se encuentra la relacin entre los flujos atmicos:

2
10
1
2
11
2
(1.2439 10 )(10 )
18.06
(6.88466 10 )( )
cm dc
x
J
s dx
cm dc J
x
s dx
= =

- Problema 4.7

Av 22x10
-8
Ag; .29 cm; 38x10
-8
Ag; T= 700C ; =4.1295
16
1
# 1.2496 10 atAg x = ;
16
2
# 2.1585 10 atAg x = ;
40200
11 (1.987)(973)
0.072 6.7156 10 D e x
= =
16 16
11
1.2496 10 2.1585 10
( 6.7156 10 )( )
0.29
x x
J x

=
6
2.1048 10 J x = ; No Se Puede

- Problema 4.8
Una muestra de hierro FCC (autntico) tiene un recubrimiento electroltico de Ni en la
superficie es de 1.5
a
/
o
y a una profundidad de 5 mm la concentracin de Ni es de 0.8
a
/
o
. Si la temperatura se mantiene a 1000C determine el flujo de tomos de Ni en la
superficie.

D=3x10
-12
cm
2
/s


89
2 1
21
1 8 3 3
20
2 8 3 3
21 20 20
2 1 3
20
3
21
;
; 3.59
0.06
1.296 10
(3.59 10 )
0.032
6.916 10
(3.59 10 )
1.296 10 6.916 6.0438 10
6.0438 10
1.208762 10
0.5
Fe
dc
J D
dx
C C
a
a
atomos
C x
x cm
atomos
C x
x cm
atomos
C C x x
cm
atomos
x
dc atom
cm
x
dx cm
=
= =
= =
= + =
= =
3
os
cm cm

a 1000C
2
12 21
3
9
2
(3 10 )( 1.208762 10 9
3.6262 10
cm at
J x x
s cm cm
at
J x
s cm
=
=

La superficie del acero puede endurecerse mediante la carburizacin. Durante uno de
tales tratamientos a 1000C hay una cada en la concentracin del carbono de 5 a 4%
a una distancia entre 1 y 2 mm desde la superficie del acero. Estime el flujo de los
tomos de carbono hacia el acero en esta regin cercana a la superficie.
Solucin:
1 3
2 3
#
#
dc
J D
dx
atomos
C
cm
atomos
C
cm
=
=
=

-8
3 8 3
3 24 3
3.66
3.60x10
(3.66 10 )
49.028 10
cm
a x cm
a x cm
=
=

Base 100 gr de acero
Sup 95gr Fe y 5gr de C
96gr de Fe y 4gr de C

55.847gr NA
95 gr x
x=1.02455x10
24
atomos de Fe
=256.1375x10
21
c/u

12.011 NA
5gr x
x= 2.5073x10
23
atomos de C

90

23
21
1 24 3 21 3
24 23
23
23
21 3
2 23 24 3
2 1
2.5073 10
19.9659 10
(49.028 10 )(256.1375 10 )
1.03534 10 _ 2.5883 10 / _
200.583 10
2.00582 10
15.8064 10 /
(2.5883 10 )(49.028 10 )
0.2
x atC
C x
x cm x cm
x atomos Fe x c u FCC
x atomosC
x atC
C x atC cm
x x cm
C C
= =
=
= =
21
22
3
4.1595 10
4.1595 10
0.1 0.1
x atC
x
cm cm cm cm cm
= =

7 2
7 2 22 15
3 2
4 10 /
.
(4 10 / )(4.1595 10 ) 1.6638 10

D x cm s
at c atC
J x cm s x x
cm cm cm s
=
= =

6).-Si CD ; x=0.05cm ; z 10
7
; x 10
7
; AC/Ax= -2x10
18
at/cm
3
.cm

15 18 1 2
1 2 2 1 2
; ; ; 9.9897 10 (0.05)( 2 10 )
C C C C C
x C C C C x C x x
x x x x
A A A
= = = =
A A A

17
2
1.099897 10 C x = ;
7
2
22 /10 C atGa Si = %w=5.46x10
-4
%

1) Si 0.05 cm; 2 at Ga / 10
7
Si; AC/Ax= -2x10
18
at/cm
3
cm; a=5.4307;
Vcelda=1.60165x10
-22
cm
3
; #celdas=1,250,000; V
T
=2.0021x10
16
cm
3
; at
Ga/cm
3
=9.9895x10
15

15 18 17 1 2
2 1 2
; ( ) 9.9895 10 ( 2 10 )(0.05) 1.0999 10
C C C C
C C x x x C x
x x x
=
A A
= = =
A A

7
22.021/10 atGa Si =
4
% 5.466 10 w x

=

Segunda ley de Fick.
Difusin en estado no estacionario,

Difusin en estado no estacionario.- El estado estacionario, en el cual las condiciones
permanecen invariables con el tiempo, no se encuentran comunmente en los
materiales de ingeniera. En la mayor parte de los casos, la difusin en estado no
estacionario, en la que la concentracin de los tomos de soluto en cualquier punto del
material cambia con el tiempo, es la que tiene lugar. Para los casos de difusin en
estado no estacionario, en los que el coeficiente de difusin es independiente del
tiempo, se aplica la segunda ley de la difusin de Fick,

2
2
C C
D
t x
| | c c
=
|
c c
\ .


91
Esta ley establece que la velocidad de cambio de la composicin de la muestra es
igual al coeficiente de difusin por la velocidad de cambio del gradiente de
concentracin, los valores de
C
t
c
c
y
2
2
C
x
c
c
se determinaron experimentalmente en el
laboratorio para poder calcular los valores de D la difusividad []
La solucin particular a esta ecuacin para una gas que se difunde en un slido es de
gran importancia para algunos procesos de difusin en ingeniera como carburizacin,
descarburizacin, produccin de semiconductores, produccin de aleaciones para
MEMS etc.

2
2
dc d c
D
dt dx
=

Esta ecuacin describe la dinmica, de la difusin de los tomos en estado no
estacionario la solucin de la ecuacin depende de las condiciones de frontera para una
situacin particular. Una de las soluciones a esta ecuacin es:

0
( )
2
s x
s
c c x
erf
c c Dt

Donde c
s
es la concentracin constante de los tomos que se difunden sobre la superficie
del material, c
o
es la concentracin uniforme inicial de los tomos que se difunden en
el material y c
x
es la concentracin de los tomos que se difunden localizados a una
profundidad x de la superficie del material despus de un tiempo t. D es el coeficiente
de difusin del tomo A difundindose en el material.

C
s

C
x
Concentraciones

C
0

Distancia

La solucin de esta ecuacin se aleja de los objetivos de este libro. Sin embargo, la
resolucin particular a esta ecuacin para un gas que se difunde en un slido es de
gran importancia para algunos procesos de difusin en ingeniera y se utiliza para la
solucin de problemas de difusin en la industria.
Considrese el caso de de un gas A difundindose en un slido B, como se ilustra en
la fig.
A
B

X=0
A medida que aumenta el tiempo de difusin la concentracin de tomos de soluto en
cualquier punto del slido en la direccin x tambin aumentar, como se indica en los
tiempos t
1
y t
2
, Si el coeficiente de difusin del gas A en el slido B es independiente
de la posicin, entonces la solucin a la segunda ley de Fick es

92
2
s x
s o
C C x
erf
C C Dt
| |
=
|
\ .

Donde C
s
=concentracin superficial del elemento en el gas que difunde dentro del
slido
C
o
= concentracin inicial uniforme del elemento en el slido
C
x
= concentracin del elemento a la distancia x de la superficie en el tiempo t
D= coeficiente de difusin del elemento soluto que difunde
t = tiempo

PROBLEMAS RESUELTOS

- Problema 4.9

Solucin:
El parmetro de red del Ge a=5.6575 ;
Primero se calcularn las concentraciones en la superficie y en la profundidad
sealada, tomando como base de clculo 1 cm
3
de Ge:
C
s
=Concentracin de P en la superficie.
En 1cm
3
de Ge hay 4.4179 x10
22
tomos entonces habr 1.988 x 10
22
de tomos de P
en la superficie.
C
x
=Concentracin de P a la profundidad de 0.015cm
En 1cm
3
22
tomos entonces habr 4.4179 x10
20
tomos de P
en la profundidad sealada.

22
3
1.988 10 .
s
x at deP
C
cm
=
20
3
4.4179 10 .
x
x at deP
C
cm
=
22
3
1.9438 10 . x at deP
C
cm
A =
Con la ecuacin tipo Arrhenius, se calcula el coeficiente de difusin del P en el Ge a la
temperatura de 900C si
s
cm
D
2
2
0
= para P en Ge y
mol
cal
Q 57500 = entonces;

RT
Q
e D D

=
0

2 2
.
(57500 )
(1.987 )(1173 )
11
2 3.8629 10
cal
mol
cal
K mol
k
cm cm
s s
D e x
= =

El coeficiente de difusin obtenido, se aplica a la 1. Ley de Fick, para calcular el flujo
estacionario de tomos de P en Ge de la superficie a la profundidad indicada;

) (
x
C
D J
A
A
= substituyendo en la ecuacin de la 1. Ley de Fick ,

3 3 2
2
20 22
. .
11 13
.
4.4179 10 1.988 10
3.8629 10 5.0058 10
0.015
at deP at deP
cm cm cm at deP
s
cm
x x
J x x
cm

= =

Con el objeto de producir un semiconductor extrnseco se difunde Fsforo en
Germanio, si la concentracin de fsforo en la superficie del Germanio es de 45 %
atmico y la concentracin a una profundidad de 0.15 mm es de 1 % atmico de
fsforo.
a) Calcule el flujo de tomos de Fsforo a 900
o
C en Germanio.
b) Estime el tiempo que durar el proceso si se desea elevar la concentracin
del Fsforo, hasta una tercera parte de la concentracin que se tiene en la
superficie

93

Para determinar el tiempo en que vara el proceso, se aplica la solucin de la segunda
ley de Fick;

0
( )
2
S x
S
C C x
erf
C C Dt

Se sabe que C
s
=0.45% atmico de P en la superficie, C
x
=0.15% atmico de P a
0.015cm de la superficie; C
0
=0.01% atmico de P como concentracin inicial. De
acuerdo con la segunda ley de Fick

0
( )
2
s x
s
C C x
erf
C C Dt

2
0.45 0.15 0.015
( )
0.45 0.01
2
cm
s
cm
erf
D t

2
11
0.015
0.6818 ( )
2 3.8629 10
cm
s
cm
erf
x t
=
De la tabla de tabulacin error funcin encontramos:
N erf. N
0.70 0.677801
- 0.71 - 0.684666
---------- ------------
0.01 6.865 x10
-3
0.6818-0.677801= 3.999 x10
-3

y 3.999 x10
-3

y = (3.999x10
-3
) 0.01/6.865x10
-3
= 5.8252x10
-3
para encontrar el valor sin error:

0.70 + 5.8252x10
-3
=0.7058 este valor se sustituye en la ecuacin de la 2. Ley de
Fick y se elimina erf. sabiendo que x= 0.015 cm;
2
11
0.015
0.7058
2 3.8629 10
cm
s
cm
x t
=
2
2
6
11
0.0001129
2.923 10
3.8629 10
cm
s
cm
t x s
x

= = 811.97h

- Problema 4.10

Solucin:
C C C C
La descarburizacion as como la carburizacion de un acero puede describirse
mediante la funcin error de la 2 ley de Fick si se toma C
s
=0 deduzca una
expresin para describir el perfil de concentracin de carbono conforme se difunde
en un acero con concentracin inicial C
o
. (Esta situacin se puede producir
colocando el acero en el vaco a una temperatura elevada)

94

_________________C
s
=0
C acero C
Aplicando la segunda ley de Fick, y substituyendo C
s
=0

2
0
0 2
( )
2
s x
s o
x
o
x o
C C x
erf
C C Dt
C x
erf
C Dt
x
C C erf
Dt
=

- Problema 4.11
Solucin:
El coeficiente de difusin de carbono en Fe, FCC
2
7
1000
4 10
C
cm
D x
s
=

Substituyendo en la ecuacin de la segunda ley de Fick para descarburizacin:

Calcule y dibuje el perfil de concentracin de Carbono en una descarburizacin,
calculando la concentracin C
x
con la expresin obtenida en el problema anterior
despus de 1 hora a una profundidad de 1 mm de la superficie en el vaco a 1000C
el contenido inicial del acero es de 0.3% en peso.

95
2
7
0.1
0.3
2 4 10 (3600 )
(1.3176)
0.3
0.06920728
0.3
0.020762%
x
x
x
x
C cm
erf
cm
x seg
s
C
erf
C
C C
=
=
=
=

- Problema

Solucin :
Fe C
s
=0; C
x
=?; C
o
=0.03%; T=680C; t=21600seg; x=0.07cm

18300
7 (1.987)(953)
0 0.07
( ) 0.0047 2.985679 10
0 0.03 2
x
C
erf D e D x
Dt
= = =

0 0
0.435832 0.462324
0 0.03 0 0.03
x x
C C
erf

= =

0.01387%
x
C =

- Problema 4.12
Solucin: 0.15% C ; T= 900C ; t= 42 hrs ; X=0.7 cm
(a) Aplicando la ecuacin,
KT
Q
e D D

=
0
se calcula el coeficiente de difusin de carbono
en hierro BCC a 900C donde
s
cm
D
2
011 . 0
0
= ;
20, 900
cal
mol
Q =
substituyendo en la
ecuacin
2 2
.
20900
(1.987 )(1173 )
6
0.011 1.4029 10
cal
mol
cal
mol k
k
cm cm
s s
D e x
= =
En este proceso el carbono saldr del material por lo que C
s
deber igualarse a cero.
Considerar un acero que contiene 0.15 % de carbono. Este material es colocado en
una cmara al vaco con el fin de descarburizarlo, la temperatura del proceso es de
900
o
C, despus de 42 horas (a) Cunto carbono estar presente a 7 mm bajo la
superficie? (b) Cunto tiempo se requiere para eliminar el 50 % de la
concentracin inicial?
Calcule y dibuje el perfil de concentracin de Carbono en una descarburizacin,
calculando la concentracin C
x
con la expresin obtenida en el problema anterior
despus de 21600 s a una profundidad de 0.07 cm de la superficie en el vaco a 680C
el contenido inicial del acero es de 0.03% en peso.


96
Aplicando la solucin a la segunda ley de la difusin de Fick se procede a sustituir las
diferentes concentraciones existentes en el acero:

0
( )
2
s x
s
C C x
erf
C C Dt

2
6
0.7
( )
0.15%
2 (1.4029 10 )(151, 200 )
x
C cm
erf
cm
x s
s
=
(0.7599)
0.15
x
C
erf =
De la tabla de tabulacin erf encontramos:

N erf. N
0.75 0.7112
- 0.76 - 0.7175
---------- ------------
0.01 6.3 x10
-3
0.7599-0.75= 9.99 x10
-3

9.9x10
-3
y

y = (9.99x10
-3
) 6.3x10
-3
/0.01= 6.237x10
-3
para encontrar el valor:

0.7112 + 6.237x10
-3
Fick;

0.717437
0.15
x
C
=
0.1076%
x
C =

La concentracin inicial es 0.15%C si se elimina el 50% de esta cantidad quedara
0.075%C, se sustituye este valor en la ecuacin de la segunda ley de Fick:

2
6
0.075% 0.7
( )
0.15%
2 1.403 10
cm
erf
cm
x t
s
=
2
6
0.35
0.5 ( )
1.403 10
cm
erf
cm
x t
s
=

N erf. N
0.47 0.4937
- 0.48 - 0.5027
---------- ------------
0.01 9.0 x10
-3
0.5 - 0.4937 = 6.3 x10
-3

y

6.3x10
-3

y = 7.0 x10
-3
para encontrar el valor:

7.0 x10
-3
+ 0.47

= este valor se sustituye en la ecuacin de la 2. Ley de Fick;

2
6
0.35
0.477
1.403 10
cm
cm
x t
s
=
2
6
0.35 1
( ) ( )
0.477 1.403 10
t
x

=
383, 744.054 (106.59 ) t seg hrs =


97

- Problema 4.13
Solucin:
45% atmico de P en Sup.; 1% atmico de P en x=0.015 cm.; El parmetro de red del
Ge a=5.6575 ;
Primero se calcularn las concentraciones en la superficie y en la profundidad
sealada, tomando como base de clculo 1 cm
3
de Ge:
C
s
=Concentracin de P en la superficie.
En 1cm
3
22
tomos entonces habr 1.988 x 10
22
de tomos de P
en la superficie.
C
x
=Concentracin de P en la profundidad.
En 1cm
3
22
tomos entonces habr 4.4179 x10
20
tomos de P
en la profundidad sealada.

22
3
1.988 10 .
s
x at deP
C
cm
=
20
3
4.4179 10 .
x
x at deP
C
cm
=
22
3
1.9438 10 . x at deP
C
cm
A =
Con la ecuacin tipo Arrhenius, se calcula el coeficiente de difusin del P en el Ge a la
temperatura de 900C si
s
cm
D
2
2
0
= para P en Ge y
mol
cal
Q 57500 =
entonces;

RT
Q
e D D

=
0

2 2
.
(57500 )
(1.987 )(1173 )
11
2 3.8629 10
cal
mol
cal
K mol
k
cm cm
s s
D e x
= =

estacionario de tomos de P en Ge de la superficie a la profundidad indicada;

) (
x
C
D J
A
A
= substituyendo en la ecuacin de la 1. Ley de Fick ,

3 3 2
2
20 22
. .
11 13
.
4.4179 10 1.988 10
3.8629 10 5.0058 10
0.015
at deP at deP
cm cm cm at deP
s
cm
x x
J x x
cm

= =

Para determinar el tiempo en que vara el proceso, se aplica la solucin de la segunda
ley de Fick;

0
( )
2
S x
S
C C x
erf
C C Dt

Con el objeto de producir un semiconductor extrnseco se difunde fsforo en
germanio, si la concentracin de fsforo en la superficie es de 45 % atmico y la
concentracin a una profundidad de 0.15 mm es de 1 % atmico de fsforo.
a) Calcule el flujo de tomos de fsforo a 900
o
C en germanio.
b) Estime el tiempo que durar el proceso si se desea elevar la concentracin
del fsforo, hasta una tercera parte de la concentracin que se tiene en la
superficie

98
Se sabe que C
s
=0.45% atmico de P en la superficie, C
x
=0.15% atmico de P a
0.015cm de la superficie; C
0
=0.01% atmico de P como concentracin inicial. De
acuerdo con la segunda ley de Fick

0
( )
2
s x
s
C C x
erf
C C Dt

2
0.45 0.15 0.015
( )
0.45 0.01
2
cm
s
cm
erf
D t

2
11
0.015
0.6818 ( )
2 3.8629 10
cm
s
cm
erf
x t
=
N erf. N
0.70 0.677801
- 0.71 - 0.684666
---------- ------------
0.01 6.865 x10
-3
0.6818-0.677801= 3.999 x10
-3

y 3.999 x10
-3

y = (3.999x10
-3
) 0.01/6.865x10
-3
= 5.8252x10
-3

0.70 + 5.8252x10
-3
Fick sabiendo que x= 0.015 cm;
2
11
0.015
0.7058
2 3.8629 10
cm
s
cm
x t
=
2
2
11
0.0001129
3.8629 10
cm
s
cm
t
x

=
2923114 811.98 t seg hrs = =

- Problema 4.14

Solucin: El coeficiente de difusin para Ag en Au D
o
=0.072. Q=40,200)

J=10
5
at Ag/cm
2
s; x=0.28 cm; C
M
= 45/1.5 x10
7
; T= 550C; cm= ?

17
7 8 3
(45)(4)
1.7041 10
(1.5 10 )(4.1295 10 )
M
C x
x x

= =
40200
12 (1.987)(823)
0.072 1.5179 10 D e x
= =
m M
C C
J D
x
=
5
12
(0.28)(10 )
1.5179 10
m M
C C
x

=

17 16
1.7041 10 1.8446 10
m
C x x =
17
1.51964 10
m
C x =
17 7 8 3
(1.51964 10 )(1.5 10 )(4.1295 10 )
4
x x x

7
40.13
1.5 10
atAg
x atAv
=

Se difunde plata en oro y se requiere una densidad de flujo atmico de 10
5
tomos
de plata/cm
2
s en una distancia de 2.8 mm.
(a)Qu concentracin se debe tener en el lado de menor concentracin si en el de
mayor concentracin tenemos 45 tomos de plata por cada 1.5x10
7
tomos de oro.

b) Cunto tiempo se requiere para aumentar un 25% la concentracin en el lado
de menor concentracin?

99
b) No se Puede
- Problema 4.15

Solucin:
En este proceso se libera carbono de la superficie por lo que C
s
=0% atmico de
carbono.
C
0
=0.25% atmico de carbono en el acero.
C
s
= 0% atmico de carbono en la superficie.
C
x
=Concentracin de carbono a 0.3 cm despus de 42 h.
Aplicando la ecuacin,
KT
Q
e D D

=
0
se calcula el coeficiente de difusin de carbono en
hierro BCC a 900C donde
s
cm
D
2
011 . 0
0
= ;
mol
cal
Q 20900 =
substituyendo en la
ecuacin
2 2
.
20900
(1.987 )(1173 )
6
0.011 1.4029 10
cal
mol
cal
mol k
k
cm cm
s s
D e x
= =

Aplicando la solucin a la 2a. Ley de Fick

0
( )
2
s x
s
C C x
erf
C C Dt
;
2
6
0.3
0.325688
2
2( (1.4029 10 )(151200 )
cm
s
x cm
Dt
x s
= =

N erf. N
0.32 0.349126
- 0.33 - 0.359279
---------- ------------
0.01 0.010153 0.325688 - 0.32= 5.688x10
-3
5.688x10
-3
y

y = (5.688x10
-3
) 0.010153/0.01= 5.7750x10
-3
para encontrar el valor error funcin:
0.349126 + 5.7750 x10
-3
=0.3549
3549 . 0
25 . 0 0
0
0
=
X
S
X S
C
C C
C C

0
0.3549
x
C
C
=
0.0887%
x
C C =

El tiempo que se requiere para eliminar el 50% de la concentracin inicial de carbono
del acero?.

0.125
( )
0.5 2
x
erf
Dt
=
2
6
0.3
0.5 .
2 1.4029 10
cm
s
cm
erf
x t
=
N erf. N
0.47 0.4937
- 0.48 - 0.5027
---------- ------------
0.01 9x10
-3
0.5 - 0.4937= 6.3x10
-3
y 6.3 x10
-3

Una muestra de acero con 0.25% de carbono es colocado en una cmara al vaco
con el fin de descarburizarlo, la temperatura del proceso es de 900C, despus de
42 horas. Cunto carbono estar presente a 3mm bajo la superficie?
b) Cunto tiempo se requiere para eliminar el 50% de la concentracin inicial de
carbono del acero?

100
y = 7.0x10
-3
para encontrar el valor sin error funcin:
0.47 + 7.0 x10
-3
=0.477
t x
cm
s
cm
2
6
10 4029 . 1 2
3 . 0
477 . 0
=

2
6
0.3 1
( ) ( )
(2)(0.477) 1.4029 10
t
x

= 70488.63 19.56 t seg h = =

4) T=700C ; J=10
5
; X=.0.28cm ; C
2
=35 por cada 10
8
; a=4.1295
C
2
=1.9881x10
16

40200
11 (1.987)(973)
0.072 6.7156 10 D e x
= =
C
J D
X
A
=
A

5 11
10 6.7156 10
0.28
C
x
A
=
14
4.1694 10 C x A =
14
1 2
4.1694 10 C C x =
16
1
1.9464 10 C x =
C
1
=34.3 at Ag por cada 10
8
at Au No se puede duplicar

- Problema 4.16
Solucin:
El D
o
=0.072 cm
2
/s para la difusin de Ag en Au, Q=40,200 cal/mol
a
au
= 4.07 estructura FCC con 4 tomos de Au por celda, as 1.5x10
7
tomos de
Au son 3.75x 10
6
celdas, se calcula C
M
la concentracin mayor.
17
6 8 3 3
45 . .
1.793 10
(3.75 10 )(4.06 10 )
M
at Ag at Ag
C x
x celdas x cm cm
= =
Se calcula la difusin de la Ag
en Au a

m M
C C
J D
x
= despejando
5
2
2
12
.
(0.28 )(10 )
1.5179 10
m M
at Ag
cm
cm s
C C
cm
x
s

17 16
3 3
. .
1.793 10 1.8446 10
m
at Ag at Ag
C x x
cm cm
=
17
3
.
1.51964 10
m
at Ag
C x
cm
=
Se difunde plata en oro y se requiere una densidad de flujo atmico de 10
5
tomos
de plata/cm
2
s en una distancia de 0.28 cm. Si en la regin de mayor concentracin
existen 45 tomos de plata por cada 1.5x10
7
tomos de oro. Qu concentracin
debe existir en la regin de menor concentracin? b) cuanto tiempo se requiere
para aumentar un 25% la concentracin en el lado de menor concentracin?

40,200 /
2 2
12 (1.987 / . )(823 )
0.072 1.5179 10
cal mol
cal mol K K
cm cm
D e x
s s
= =

101

J=10
5
at Ag/cm
2
s ; x=2.8mm ; C
M
=45 at Ag/1.5x10
7
at Au C
M
=1.704x10
17
at
Ag/cm
3
; D=3.095x10
-13
; a=4.1295
m M
C C
J D
x
A

5
16
13
(10) (0.28)
9.0468 10
3.095 10
m M m M
C C x C C
x

= =
17 16 16
1.704 10 9.0468 10 7.9932 10 x x x =
16
7 3
4
7.9932 10 21.1 26.38
1.5 10
x
x
x a
= =
17 16 16
17 16 16
0
1.704 10 9.9897 10 7.0503 10
( )
1.704 10 7.9932 10 9.0468 10 2
s x
s
C C x x x x
erf
C C x x x Dt

= =

0.779314 =

0.7761 0.86 5.3x10
-3
0.01
0.7814 0.87 3.214x10
-3
x=6.064x10
-3
= 0.866064

2
13
0.28 1
( )
(0.866064)(2) 3.095 10
t
x

(
=
(

10 7 5
8.4317 10 2.342 10 9.758 10 x seg x hrs x Dias =

- Problema 4.17
Solucin:
=1.5 cm; 0.32% at Zn Sup.; 0.08% at Zn Int.; El parmetro de red del Cu
a
Cu
=3.62 , Zn en Cu D
o
=0.78 cm
2
/s, Q=43,900 cal/mol

Zn

Fig. Difusin de tomos de Zn de la superficie al centro de una barra de Cu

Primero se calcularn las concentraciones en la superficie y en el centro de la barra
tomando 1 cm
3
de cobre como base de clculo:
C
1
=Concentracin de Zn en la superficie de la barra.
En 1cm
3
de Cu hay 8.429 x10
22
tomos estos pesan 8.8924g el 0.32% de este peso es
0.02845g que corresponde a 2.6212 x 10
20
tomos de Zn de la superficie.
C
2
=Concentracin de Zn en el centro de la barra.
Cs
Cx
Una barra cilndrica de cobre de 15 mm. de dimetro, contiene 0.32 % en peso de
zinc en la superficie. La concentracin en el centro de la barra es de 0.08 % en
peso.
a) Determine el flujo atmico hacia el centro de la barra a 550
C
b) Determine el tiempo para obtener una concentracin de 0.13 % en peso de Zn a
una profundidad de 4 mm. de la superficie.


102
En 1cm
3
de Cu hay 8.429 x10
22
tomos estos pesan 8.8924g el 0.08% de este peso es
7.1139 x 10
-3
que corresponde a 6.5545 x 10
19
tomos de Zn en el centro de la barra.

20
1 3
2.6212 10 . x at deZn
C
cm
=
19
2 3
6.5545 10 . x at deZn
C
cm
=
20
3
1.96575 10 . x at deZn
C
cm
A =
Con la ecuacin tipo Arrhenius, se calcula el coeficiente de difusin del Zn en el Cu a
la temperatura de 550C;

RT
Q
e D D

=
0

2 2
.
(43900 )
(1.987 )(823 )
12
0.78 1.711 10
cal
mol
cal
K mol
k
cm cm
s s
D e x
= =

estacionario de tomos de Zn en Cu de la superficie al centro de la barra;

) (
x
C
D J
A
A
= substituyendo en la ecuacin,
3 2
2
20
.
12 8
.
1.96575 10
1.711 10 4.4845 10
0.75
at deZn
cm cm at deZn
s
cm
x
J x x
cm

= =

Para determinar el tiempo en que vara la concentracin, se aplica una de la
soluciones de la segunda ley de Fick;

0
( )
2
S x
S
C C x
erf
C C Dt

Se sabe que C
s
=0.32% en peso de Zn en la superficie, C
x
=0.13% en peso de Zn a
0.75c de la superficie; C
0
=0.08% en peso de Zn concentracin inicial en el centro de la
barra de acuerdo con la segunda ley de Fick

0.32 0.13
( )
0.32 0.08 2
x
erf
Dt
0.7917 ( )
2
x
erf
Dt
=
N erf. N
0.88 0.7867
- 0.89 - 0.7918
---------- ------------
0.01 5.1 x10
-3
0.7917 - 0.7867= 5x10
-3
X 5x10
-3

X = (5x10
-3
) 0.01/5.1x10
-3
= 9.8x10
-3

0.88 + 9.8x10
-3
=0.8898 este valor se sustituye en la ecuacin de la 2. Ley de Fick
sabiendo que x= 0.4 cm;
2
12
0.4
0.8898
2 1.711464 10
cm
s
cm
x t
=
2
12 2
0.4
1.711464 10 ( )
(2)(0.8898)
cm
s
cm
x t
=
10 6 5
2.9519 10 8.2 10 3.42 10 t x seg x hrs x dias = = =

- Problema 4.18

Un gas de hidrocarburo se utiliza para que el contenido de carbono de la superficie
(C
s
) sea del 1% en peso. El contenido inicial de carbono del acero (C
o
) es de 0.2%
en peso. Cuanto tiempo ser necesario para que a 1000C se alcance un
contenido de carbono de 0.6 % en peso a una distancia de 1 mm de la superficie.


103

Solucin:
7 2
1000
2
1 0.6 0.4
0.5
1 0.2 0.8
4 10 /
s x
s o
s x
s o
C
C C x
erf
C C Dt
C C
C C
D x cm s

= = =

=

de la tabla erf
erf N N erf N N
0.4937 0.47 0.4755 0.45
0.5027 0.48 0.5205 0.50
0.0090 0.01 0.0450 0.05
0.0063 x=7x10
-3
0.0245 x=0.0272
x=0.45+0.0272
x=0.4772

0.47+7x10
-3
=0.477

2
2
2
7
3
0.477 (0.477) 0.954 0.910116( )
2
(0.1 )
(0.910116)(4 10 )
27.46 10
7.62
x
x s Dt x Dt x Dt
Dt
cm
t
cm
x
s
t x seg
t horas
= = = =
=
=
=

- Problema 4.19
Solucin :
La difusin inversa en los slidos tambin se puede dar, este proceso se utiliza en la
industria para disminuir la concentracin de soluto en el slido a travs de la superficie,
para lograrlo la pieza se deber colocar en una cmara al vaco a temperaturas altas
como se muestra en la fig.

vaco
Considerar que una muestra de acero que contiene 0.15 % de carbono, es
colocada en una cmara al vaco 42 horas, con el fin de descarburizarla, la
temperatura del proceso es de 900
o
C.
a) Cunto carbono estar presente a 7mm bajo la superficie al final de las 42
horas?
b) Cunto tiempo se requiere para eliminar el 50 % de la concentracin inicial?


104

Fig. Descarburizacin en una pieza de acero

a) Para C en Fe BCC D
o
=2.2 cm
2
Calculando el coeficiente de difusin a la temperatura de 900
o
C
29300 /
2 2
6 (1.987 / )(1173 )
2.2 7.636 10
cal mol
cal molK K
cm cm
D e x
s s
= = , 42 horas = 151,200 s
Como se est dando una descarburizacin en el material, la concentracin en la
superficie debe ser cero. As substituyendo en la ecuacin de la segunda ley de Fick
0
( )
2
s x
s
C C x
erf
C C Dt

2
6
0.7
( )
0.15%
2 (7.636 10 )(151200 )
x
C cm
erf
C
cm
x s
s
=
(0.3257)
0.15
x
C
erf = ahora consultando N en la tabla error funcin

N erf. N
0.32 0.3491 0.3257 0.32 = 5.7 x 10
-3
0.33 0.3593
--------- ----------
0.01 0.0102
5.7 x 10
-3
x x = 5.814 x10
-3
5.814 x10
-3
+ 0.3491= 0.3549

0.3549
0.15
x
C
= 0.0532%
x
C =

c) El 50% de la concentracin inicial es 0.075%C as:

6
0.075 0.7
( )
0.15
2 1.403 10
erf
x t
=
0.35
0.5 ( ) erf
Dt
= consultando la tabla error funcin

0.35
0.4769
Dt
=
2
6
0.35 1
( ) ( )
0.4769 1.403 10
t
x

=

383905 (106.64 ) t seg hrs =

- Problema 4.20

- PROBLEMA 3.14

C
C
C
C
C
C
acero
900
0
C
Un supervisor de tratamientos trmicos, est realizando un programa de economas
para obtener una mayor vida de los hornos elctricos, para lograrlo el recomienda
reducir la temperatura de carburizacin del proceso de 1000C a 900C. Con los
datos siguientes determine si esta medida es correcta.
La concentracin de un engrane es de 0.2 %C, se requiere elevar esta
concentracin a 0.5%C a una profundidad de 0.005 cm. Manteniendo la
concentracin en la superficie en 0.9%C, Qu porcentaje de reduccin de tiempo
se obtendra de ser correcto el programa de economas del supervisor?


105

Solucin:
Para 900C Para C en Fe BCC D
o
=0.011 cm
2
para C en Fe FCC D
o
=0.23 cm
2

C
0
=0.2%C; C
x
=0.5%C; C
S
=0.9%C; x=0.005cm
32900 /
2 2
7 (1.987 / )(1273 )
1000
0.23 5.1637 10
cal mol
cal mol K K
C
cm cm
D e x
s s
= =
20900 /
2 2
6 (1.987 / )(1173 )
900
0.011 1.403 10
cal mol
cal mol K K
cm cm
D e x
s s

= =
aplicando la segunda ley de Fick
0
( )
2
s
s
C Cx x
erf
C C Dt

0.9% 0.5%
0.571429
0.9% 0.2%
C C
C C
consultando la tabla error funcin 0.559794 =

Substituyendo este valor en la ecuacin de la segunda ley de Fick,
0.005
0.559794
2 Dt
= en esta ecuacin se subtituyen los coeficientes de difusin para
1000C
5
1.99445 10 Dt x

=
1000
38.624
C
t seg
=
y para 900C
900
14.2156
C
t seg
=
de estos resultados se encuentra que existe una reduccin en
los tiempos del 63.19% con lo que se comprueba que la propuesta del Supervisor es
correcta.
- Problema 4.21

Solucin :
Para 900C Para C en Fe BCC D
o
=0.011 cm
2
para C en Fe FCC D
o
=0.23 cm
2

T
1
=1000C ; T
2
=900C ; C
o
=0.2% ; C
x
=0.5% ; C
s
=0.9% ; x=0.0127cm.

Calculando el coeficiente de difusin para 1000C

32900
2 7 2 (1.987 / )(1273 )
(1000)
(0.23 / ) 5.163655 10 /
cal
cal molK K
D cm s e x cm s
= =

Calculando el coeficiente de difusin para 900C

Un supervisor de tratamientos trmicos, est realizando un programa de
economas para obtener una mayor vida de los hornos elctricos, para lograrlo
el recomienda reducir la temperatura de carburizacin del proceso de 1000C
a 900C. Con los datos siguientes determine si esta medida es correcta.
La concentracin de un engrane es de 0.2 %C, se requiere elevar esta
concentracin a 0.5%C a una profundidad de 0.0127cm. Manteniendo la
concentracin en la superficie en 0.9%C, Qu porcentaje de reduccin de
tiempo se obtendra de ser correcto el programa de economas del supervisor?


106
20900 /
2 6 2 (1.987 / )(1173 )
(900)
(0.011 / ) 1.402959 10 /
cal molK
cal molK K
D cm s e x cm s
= =

Aplicando la segunda ley de Fick

3
7 7
0.9 0.5 0.0127 6.35 10
( ); 0.571429 ( )
0.9 0.2
2 5.163655 10 5.163655 10
x
erf erf
x t x
= =

buscando N en la tabla erf. se obtiene ; 0.571429 este valor se iguala a la razn de
las composiciones; se calcula t para cada temperatura
3
7
6.35 10
0.559794
5.163655 10
x
x t
=
1000
248.95 t seg =

900
91.72 t seg =

y se encuentra que a la temperatura de 900C es ms rpida la difusin lo cual
confirma lo que ha propuesto el supervisor.

- Problema 4.21
Solucin:
Para 800C para N en Fe BCC D
o
=0.0047 cm
2
C
S
=0.1% ; C
0
=0.001% ; x=0.1cm ; t=560min=33600seg
Calculando el coeficiente de difusin a 800C
18300
2 2
(1.987 )(1073 )
7
0.0047 8.7988 10
cal
mol
cal
K
mol K
cm cm
D e x
s s
= =
Aplicando la segunda ley de Fick :

0
( )
2
s x
s
C C x
erf
C C Dt
para calcular N
2
7
0.1
0.2908
(2)( 8.7988 10 (33600 )
cm
cm
x s
s
=
buscando N en la tabla error func. se obtiene ; 0.3191 este valor se iguala a la razn
de las composiciones ;
0.1
0.3191
0.1 0.001
x
C
=

0.0684%
x
C =

- Problema 4.22ta

Solucin: a
Ge
=5.6575, para P en Ge D
o
=2.0 cm
2
/s, Q=57,500 cal/mol; T=900C ;
C
M
=45% ; C
m
=1% ; x=0.15mm ; n=4.4179x10
22
at/cm
3
; C
M
=1.988x10
22
;
C
m
=4.4179x10
20
.
Los aceros pueden endurecerse por nitruracin a 800C. Si la atmsfera nitrurante
contiene 0.1% de nitrgeno en la superficie de un acero que contiene originalmente
0.001% de nitrgeno. Determine el porcentaje de nitrgeno a una distancia de 1
mm de la superficie despus de 560 min.

Con el objeto de producir un semiconductor extrnseco se difunde fsforo en
germanio, si la concentracin de fsforo en la superficie es de 45% atmico y la
concentracin a una profundidad de 0.15 mm es de 1 %,
a) Calcule el flujo de tomos a 900C
b) Estime cunto durar el proceso si se desea elevar la concentracin hasta una
tercera parte de la concentracin en la superficie.


107
a) Para encontrar el flujo atmico a 900C, calculamos el coeficiente de difusin a
T=900C y se aplica la
1a. ley de Fick
.
57500
2 2
(1.987 )(1173 )
11
2 3.8629 10
cal
mol
cal
K
mol K
cm cm
D e x
s s
= =

20 22
2
3 3
11
4.4179 10 1.988 10
3.8629 10 ( )
0.015
at at
x x
C cm
cm cm
J D x
x s cm

A
= =
A

13
2
5.00 10
at
x
cm s
=

b) Aplicando la segunda ley de Fick
0
( )
2
s
s
C Cx x
erf
C C Dt

susbtituyendo las concentraciones;

0.2589 0.083
0.677926
0.2589 0.0043
buscando erf.N en las tablas encontramos el valor

de 0.7002 este se sustituye en la ecuacin de la segunda ley de Fick.
2
0.015
0.7002
2 ( )
cm
cm
D t s
s
= despejando el tiempo
6
2.97 10 825 t x seg Hrs =

Si se desea elevar la concentracin hasta una tercera parte de la concentracin en la
superficie se encuentra el tiempo el cual es t=2.92x10
6
seg =811.98 Hr

- Problema 4.23
Si la profundidad (x) de una capa carburizada, en una pieza de acero es proporcional a
(Dt)
1/2
.
Qu tiempo se tomar el producir una camisa de carbono de 1mm de espesor a
500C en comparacin con 1000C?
Solucin: El coeficiente de difusin para C en Fe BCC a 500C es D=6.3x10
-8
cm
2
/s, y
el coeficiente de difusin para C en Fe FCC a 1000C es D=3.0x10
-7
cm
2
/s.
Aplicando la condicin impuesta por el problema;
8
8
1 2
7
2 1
2 1
500
0.1 6.3 10
0.01 6.3 10
15, 8730.1587 44.09
1000
0.01 4 10
25, 000 6.94
44.09 6.94 37.15
C
C
x Dt
T
x t
x t
t s t hrs
T
x t
t s t hrs
t t t hrs
=
=
=
=
= =
=
=
= =
A = = =

- Problema 4.24

108
Se requiere difundir Al en Si puro para fabricar un semiconductor. Cunto tiempo se
debe calentar a 1300C el Si en contacto con Al, de modo que la concentracin del Al
a 0.01 mm bajo la superficie sea igual a la mitad de la concentracin del Aluminio en la
superficie inmediata?
Solucin: Para el Al en Si D
0
=8cm
2
/s y Q=80,000.00 cal/mol
Utilizando la ecuacin:
0
Q
RT
D D e
=
Substituyendo en la ecuacin,
80,000
2 2
1.98 1573
11
8 5.5951 10
cal
mol
cal
K
mol K
cm cm
D e x
s s
= =
Utilizando este valor y la relacin x Dt = :

2 2
2
11
(0.001 )
17,872.78 4.96
5.5951 10
x cm
t s horas
cm D
x
s
= = = =
0.061%
x
C at =

Solucin:
32900
2 7 2 (1.987 / )(1273 )
(1000)
(0.23 / ) 5.163655 10 /
cal
cal molK K
D cm s e x cm s
= =
2
7
0.1
1.3176
2 (4 10 )(3600 )
cm
x s
s
=

7 2
1000
4 10 /
C
D X cm s
= t = 1 hora N erf
1.30 0.9340
1.40 0.9523
0.10 0.0183
0.0176 x=8.052x10
-4

2
7
0.1
1.3176
2 (4 10 )(3600 )
cm
x s
s
=

Durante la carburizacin de un acero con 0.2% de C se introduce 1.0% de C en la
superficie. Calcular la cantidad de C a una distancia de 0.1cm por debajo de la superficie
despus de 1 hora a 1000 C, a esta temperatura el acero tiene la estructura FCC.


109
0.35 0.35( )
0.35( ) 0.35( )
0.35(1 0.2) 1.0
0.72
s x
s x s o
s o
x s o s x s o s
x
x
C C
C C C C
C C
C C C C C C C C
C
C
= =
= = +
= +
=

1.80 0.9891
1.90 0.9928
0.1 0.0037
0.0633 x=2.3421x10
-3

0.9348052 0.99144(1 0.2) 1.0
0.2068
1 0.06599 1 0.93401
1 0.06599
s x
x
s o
x
C C
C
C C
C
erfN
erfN
= = +
=
= =
=

Es Cu en Ni ?????

2) =12.7mm Ni ; 0.25% Cu S ; C 0.1%Cu ; T=500C ; 9.271712x10
22

a)
( 61500)
18 (1.987)(773)
; 0.65 2.652252 10
Q
RT
o
D D e e x
= =
20
18
1 2.31793 10 ; 9.27171 1019
9.3849 10 ( 2.3)
o
xS x i x
x D
= =
=

20
18
1.39076 10
2.652252 10 ( )
0.635
C x
J D x
x
A
= =
A
580.9 = 2055.45
b)
18
0.25 0.17 0.254
( ); (
0.25 0.1 2
2 2.652252 10
s x
s o
C C x
erf erf
C C Dt
x t

= =

18
0.127
0.5333 ( )
2.652252 10
erf
x t
=
15 12
6.487 10 1.802 10 x x =
2
0.127 0.127
0.5147 ; ( ) 0.06088
0.5147
Dt
Dt
= = =
16 12
2.2955 10 6.7516 10 t x seg x hrs = =

4) P en Ge ; D
o
=2 ; Q=57500 ; C
1
=0 ; C
2
=2.2777x10
22
; x=0.1mm

57500
(1.987)(1073)
2 D e
=
12 2
3.876 10 / x cm seg
=

22
12
2.2777 10
( 3.876 10 )( )
0.01
C x
J D x
x
A
= =
A

12
8.828 10 x =

110
0.50 12.5
( ); ( ); 0.75 ( )
0.50 0 2 2 2
s x
s o
C C x x x
erf erf erf
C C Dt Dt Dt

= = =

12
0.01
0.81345
2 3.876 10 x t
= 9747528.5 2707 112.82 t seg hrs dias = = =

2) D
o
=2.0; Q= 57000; T=800C; CD=8 at; a=5.6; #at sup=2.277697x10
22
; AC=-
2.277697x10
22
; AC/Ax=2.277697x10
24

57000
26.69452 (1.99)(1073)
2 2 D e e
= =
12
5.10209845 10 x

=
12 24
( 5.10209845 10 )( 2.2777697 10 ) J x x
=
13
1.1621 10 x =
0.5 0.25 0.001 0.001 0.001
( ); ( ); 0.5 ( ); 0.477
0.5 0 2 2 2 2
s x
s o
C C x
erf erf erf
C C Dt Dt Dt Dt

= = = =

3 6
0.954 0.001 1.048218029 10 1.098761036 10 Dt Dt x Dt x

= = =
215354.73 59.82 t seg hrs = =

2) D
o
=2 ; Q=57500 ; #at/cm
3
=4.5554x10
22
; #at P=2.2777x10
22

Q
RT
o
D D e
=
12
3.876 10 D x

=
22
12
2.2777 10
( ) 3.876 10 ( )
0.01
C x
J D x
x
A
=
A

12
8.8284 10 x =
50 12.5 0.01
( )
50 0 2 2
s x
s o
C C x
erf erf
C C Dt Dt

= =

3
0.01 0.01 0.01
0.75 ( ); 0.81345 ( ) 6.146659 10
2(0.81345) 2 2
erf Dt x
Dt Dt
= = = =
5
5
12
3.778 10
3.778 10
3.876 10
x
Dt x t
x
= = 9747528.5 2707 seg hrs = =


111
Difusin atmica
1.-En una barra de aluminio de 0.5 in de dimetro contiene 0.25% atomos de Cu
en la superficie, la concentracin de cobre en el centro de la barra es de 0.1%
atomos. Cual es el flujo de Cobre hacia el centro de la barra a 500C
a=4.05 D
o
= 2.0 cm
2
/s Q=33900 Cal/molK
2.- Con el objeto de producir un tipo de semiconductor se difunde P en Ge; si D
o
=2.0
cm
2
/s y Q=57500 Cal/Mol, para el Ge a=5.6
(a) Calcule el coeficiente de difusin del P en Ge.
Si la concentracin de P en la superficie es de 50at % y la concentracin a una
profundidad de 0.1mm es de cero.
(b) Calcule el flujo de tomos a 800C

(b) Estime cuanto tiempo llevar el proceso si el P se difunde en Ge
hasta que la concentracin alcance un cuarto de la concentracin
de la superficie.
3.- Los aceros pueden endurecerse por nitruracin a 800C. Si la atmsfera nitrurante
es de 0.1% N en la superficie de un acero que contiene originalmente 0.001% N.
Determinar el porcentaje de N a una distancia de 1 mm debajo de la superficie
despus de 360 min.
4,-a)Con el objeto de producir un tipo de semiconductor se difunde P en Ge. Si D
o
para
el P en Ge es de 2.0 cm
2
/s y Q=57000 cal/molK, determine la difusividad del P en Ge a
800C

b)Si la concentracin de P en la superficie de Ge es de 50% atomos y la
concentracin a una profundidad de 0.1 mm es cero calcule el flujo de atomos
entre la superficie y esta profundidad a 800C, El Ge es CD y a=5.6

c)Estime cuanto tiempo durara el proceso si el fosforo se difunde en Ge hasta que
la concentracin a 0.01 mm de la superficie alcanza la mitad de la concentracin
en la superficie.

5.- a)Una barra de Niquel de 12.7 mm de dimetro contiene 0.25% atomico de
cobre en la superficie. La concentracin de Cu en el centro de la barra es de 0.1%
atomico. Cual sera el flujo de atomos de Cu hacia el centro de la barra a 500C
b)En que tiempo se obtendra una concentracin de 0.17% atomico de cobre a una
profundidad de 0.1 pulgadas de la superficie.

4) Un cristal de Si de 0.05cm de espesor contiene 2 atomos de Ga por cada 10
7

atomos de Si en una superficie, la otra superficie es tratada para producir una alta
concentracin de Ga, cuantos atomos de Ga por cada 10
7
atomos de Si deben
estar presentes en la superficie para producir un gradiente de concentracin de -
2x10
18
at / cm
3
cm. Que % de Ga, a
0
=5.4307

1) Durante la carburizacion de un acero con 01.% de C se introduce el acero en 1 atm
de C con 1.7 de C, el contenido final de C requerido a 0.15 cm bajo la superficie es
de 0.5% C. Determinar el tiempo necesario para este proceso a 800 y 1000C
2) Se difunde un gas a traves de una membrana de hierro de 1.7 mm de espesory 5
cm de permetro, la concentracin del lado en donde se inyecta el gas es de
4.2x10
18
atomos H/cm
3
y el nmero de tomos totales que pasan a traves de la
membrana es de 8.2x10
5
at H en un segundo a 700C, cual era la concentracin
del otro lado de la membrana al iniciar la difusin.

112
3) Una lamina de oro contiene 22 tomos de plata por cada 10
8
atomos de oro a una
profundidad de 0.29 cm y 38 tomos de plata por cada 10
8
atomos de oro en la
superficie
a) Cual es la densidad de flujo atmico a 700C
b) Cuanto tiempo se requiere para aumentar la concentracin de plata al doble

3) a) Con el fin de fabricar un semiconductor se difunde arsnico en silicio. Si D
o
es
0.32 cm
2
/s y Q=82000 Cal/Mol. Determine la difusividad del arsnico en Si a
1000C
b)Si la concentracin de As en la superficie de Si es 45% atomico y la
concentracin a 0.07 mm es 1% atomico calcule el flujo de atomos entre la
superficie y esta profundidad a 1000C. El Si es CD y a=5.4307
c)Estime cuanto tiempo durara el proceso si se requiere una concentracin de
de la de la superficie a una profundidad de 0.035 mm

4) Si se requiere una densidad de flujo atomica de Ni en Fe a 1000C de 10
6

atomos/cm
2
en una distancia de 3.7 mm, que concentracin se debe tener en el
lado de mayor concentracin si en el de menor concentracin tenemos 5 atomos
de Ni por cada 10
8
atomos de Fe.
5) Considerar un acero que contiene 0.15% de C este material es colocado en una
camara al vaco con el fin de descarburizarlo, la temperatura del proceso es 880C,
despus de 36 hrs cuanto estar presente a 7 mm bajo la superficie?

5) Considerar un acero conteniendo 0.03%de N. este es puesto en una camara a
vacio a 680C; despus de 6 hrs cuanto N esta presente a 0.07 cm bajo la
superficie?
6) Suponga que un supervisor de tratamientos trmicos est haciendo un programa
de economas para obtener una mayor vida de sus hornos elctricos. El
recomienda reducir la temperatura de carburizacin de 1000C a 900 C
considerando que la vida del horno ser mas larga a 900C, tambin dice que el
tiempo de carburizacin ser solo de 105 mayor que a 1000C. Con los datos
siguientes determine si l est en lo correcto o est equivocado; la concentracin
de un engrane es de 0.2%C, se requiere elevar a 0.5% C en 0.005 in y la
concentracin de la superficie es de 0.9 %C.
7) Se difunde un gas a travs de una membrana circular de fierro de 1.7 mm de
espesor y 5 cm de permetro, la concentracin del gas del lado en donde se
inyecta el gas es de 3.7x10
18
tomos de H/cm
3
y del otro lado la concentracin es
de 2.1x10
15
tomos de H/cm
3
. Determine el nmero total de tomos que pasan a
travs de la membrana en un segundo a 700C.
8) Se difunde plata en oro y se requiere una densidad de flujo a 700C de 10
5
at/cm
2
s
en una distancia de 2.8 mm. Que concentracin se debe tener en el lado de menor
concentracin si en el de mayor concentracin tenemos 35 tomos de plata por
cada 10
8
tomos de oro. Cuanto tiempo se requiere para duplicar la concentracin
en el lado de menor concentracin.
9) Una barra cilndrica de cobre de 15 mm de dimetro contiene 0.32% atmico de Zn
en la superficie. La concentracin en el centro de la barra es de 0.08% atmico
a) Determine el flujo atmico hacia el centro de la barra a 550C
b) En que tiempo se obtendr una concentracin de 0.13% atmico de Zn a una
profundidad de 4 mm de la superficie.


113

Captulo 5
Conductores Elctricos

Conductores
Por sus propiedades electrnicas todas las sustancias de la naturaleza pueden ser
divididas en tres grandes grupos: conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores.- En un metal los electrones de valencia tienen la capacidad de moverse
a travs de todo el metal, los electrones se comportan como ondas estacionarias. As,
se mueven dentro del metal transportando la misma carga tanto en un sentido como el
opuesto. En ausencia de un campo elctrico no hay un transporte de carga neto. Si el
conductor se coloca bajo un campo elctrico los electrones adquieren un momento
adicional como resultado aparece la velocidad de arrastre.
v c =
La red de un metal cristalino es un medio excelente para el movimiento de los
electrones. Sin embargo cualquier irregularidad en la estructura deflecta la onda. El
efecto neto es una reduccin de la velocidad de arrastre, a pesar de que el campo
elctrico no se alter, as las irregularidades en la red disminuyen la conductividad e
incrementan la resitividad. La distancia promedio que un electrn es capaz de viajar sin
ser deflectado se conoce como la trayectoria libre media.
La resistividad de un metal aumenta con la temperatura fig.

En una primera aproximacin el aumento es lineal (excepto para temperaturas cercanas
al cero absoluto). Conforme aumenta la temperatura la agitacin trmica aumenta en
intensidad. Este incremento en la agitacin disminuye la trayectoria libre media, y por

114
tanto disminuye la movilidad de los electrones. Podemos expresar la relacin
versus T mediante un coeficiente trmico de la resistividad
T
y . As
0
(1 )
C
T T
y T

= +
Donde
0
C

es la resistividad a 0C o 273K. El valor de este coeficientes de,
aproximadamente, 004/C para metales puros tabla.
Esto sugiere que la trayectoria libre media de los electrones se reduce en un factor de
dos, entre 0C a 250C. El efecto de la temperatura sobre la resistividad elctrica de un
metal con una red cristalina perfecta. La pendiente de la curva es el coeficiente de la
resistividad. Fig.

Las imperfecciones de la red dispersan los electrones y as reducen la movilidad de
los portadores de carga y con ello la conductividad elctrica del metal. El incremento
en la resistividad debido a los tomos (soluto) en la solucin slida se puede calcular a
partir de la siguiente relacin:
(1 )
d
b x x =
Donde:
d
Incremento de la resistividad por los defectos.
b Coeficiente de la resistividad por defectos.
x Fraccin atmica por impurezas.
La resistividad total en el metal variar por la temperatura y por la cantidad de defectos
as:
T d
= +

PROBLEMAS RESUELTOS

A qu temperatura la resistividad del Au, ser igual a la resistividad de la plata a
50C ?


115
Solucin:
6
0
1.7 10 .
o
Ag C
x cm

= O , 0.0038 . /
Ag
y cm C = O
Empleando la ecuacin para la resistividad en metales, encontramos la resistividad de
la Ag a 50C,
( )
6 6
1.7 10 . 1 0.0038 . / (50 ) 2.023 10 .
Ag
x cm cm C C x cm

= O + O = O
La resistividad para el Au
6
0
2.3 10 .
o
Au C
x cm

= O , 0.0034 . /
Au
y cm C = O entonces
calculando para el Au igualamos a la resistividad de la Ag,
( )
6 6
2.023 10 . 2.3 10 . 1 0.0034 . / ( ) x cm x cm cm C T

O = O + O
Despejando T de la ecuacin,
35.42 T C =

- Problema 5.1

Solucin: La resistividad del Fe puro a 0
0
C
0
9 .cm = O , y el coeficiente de la
resistividad de temperatura y
t
=0.0045C
-1
0
(1 ) yT = +
(a)

1
9 . . (1 0.0045 (500 )) 29.25 . . cm C C cm
= O + = O

Aplicando la relacin:
(1 )
d
b x x =
(b)
4
2.0 10 .
1000 .
(1 5)5
x cm
b cm
O
= = O


1.- A qu temperatura la resistividad de la Ag, ser igual a la resistividad del Au a
50C?

La resistividad del Fe conteniendo 5at % de impurezas a 500C es de 2.0x10
4
cm.
Determine para este material la contribucin a la resistividad debido a la temperatura e
impurezas.
a) Calculando la resistividad esperada para el Fe puro a 500
C.
c) Calculando el coeficiente de la resistividad por defectos.

116
Energa de Fermi.
A 0
K los estados de menor energa ms cercanos al ncleo se llenan primero,

despus los siguientes y as sucesivamente. Finalmente todos los electrones quedan
ubicados.
La energa del estado ocupado ms alto recibe el nombre de nivel de Fermi E
f
es la
energa a la cual la mitad de los posibles niveles de energa en la banda son realmente
ocupados por los electrones.
Distribucin de Fermi. La distribucin de Fermi ( ) f E da la probabilidad que un nivel de
energa particular E en la banda es ocupada por un electrn. La funcin ( ) f E , la cual
puede variar de de 0 a 1, es:
1
( )
1 exp
f
E E
kT
f E
| |
|
|
\ .
=
+

Donde k es la constante de Boltzman (8.63x10
-5
eV/K). En el cero absoluto, la
probabilidad ( ) f E que un electrn tiene una energa E menor que E
f
es uno; la
probabilidad ( ) f E que un electrn tiene E mayor que E
f
es cero. A altas temperaturas,
algunos electrones entran a los niveles de energa en la banda de conduccin.

PROBLEMAS RESUELTOS
- Problema 5.2
Solucin: Aplicando la funcin de distribucin de Fermi:

6
48
2.8
(86.6 10 )298
5.6
2.8
2
1
( ) 5.9 10
1
eV
eV
x K
K
E Ef eV eV
f E x
e
= =
= =
+

(a) Cul es la probabilidad de que 1e
-
sea trmicamente promovido a la banda de
conduccin en el diamante a 25C? Eg=5.6eV
(b) Cul es la probabilidad de que 1e
-
sea trmicamente promovido a la banda de
conduccin en el Silicio a 25C? Eg=1.07eV


117
(b) Para el Si
1.107
0.5535
2
E Ef eV eV = =
6
10
0.5535
(86.6 10 )(298 )
1
( ) 4.49 10
1
eV
eV
x K
K
f E x
e
= =
+

An cuando estos nmeros son muy pequeos su magnitud es 38 veces mayor que
el valor para el diamante y esto es suficiente para crear pares de electrn-hueco para
el comportamiento del Si como semiconductor.

Calcular la probabilidad a niveles de energa a E
f
y a E
f
+ 0.025eV, E
f
+ 0.075eV, E
f
+
0.10eV, E
f
+ 0.25eV, E
f
+ 1.0eV, de un electrn a 30C.

SEMICONDUCTORES
Es necesario saber que el comportamiento elctrico es influenciado por la estructura
del material, su procesamiento y el ambiente al cual es expuesto, en la seleccin de un
material para aplicaciones elctricas y electrnicas. La ley de Ohm
V IR =
Donde V es el voltaje (volts, V), I es la corriente (ampers, A), y R es la resistencia
(ohms, ) al flujo de la corriente. La resistencia de los materiales tambin se puede
medir a travs de la ecuacin:
l l
R
A A
o
= =
Donde l es la longitud del conductor, A es la seccin transversal de el conductor, es
la resistividad elctrica la cual es el recproco de o .
Una segunda forma de la ley de Ohm se obtiene combinando las dos ecuaciones:
Il
V IR
A
I V
A l
o
o
= =
=
as,
Si se define
I
A
como la densidad de corriente y
V
l
como el campo elctrico
entonces:
J o =

118
Con ello podemos determinar que
J nqv =
Donde n es el nmero de portadores de carga, q es la carga del electrn (1.6 x10
-19
C) y
v es la velocidad promedio a la cual se mueven los portadores de carga as:
nqv o = o
v
nq o
=
El trmino
v
es llamado la movilidad
Finalmente la ley de Ohm :
nq o =

Donde n es el nmero de portadores de carga, q es la carga del electrn (1.6 x10
-19
C) y
es la movilidad.
Los ms importantes semiconductores son el Si y el Ge elementos del grupo IVB de la
tabla peridica. Ambos tienen la estructura cristalina del diamante y tienen enlaces
covalentes altamente direccionales. Los orbitales hbridos de enlace sp
3
que forman los
tomos enlazados en el cristal son discretos y ocupados por pares de electrones, estos
electrones son capaces de moverse a travs del cristal y conducir electricidad siempre
que estos electrones contengan la energa suficiente para superar la brecha de energa
prohibida entre la banda de valencia y la banda de conduccin que existe en el
semiconductor, al incrementarse la temperatura ms electrones pasan la brecha
prohibida y la conductividad elctrica se incrementa rpidamente as cada electrn que
pasa a la banda de conduccin, deja una vacante en la banda de valencia, bajo la
influencia de un campo elctrico aplicado electrones y huecos se mueven en sentido
contrario y por lo tanto ambos contribuyen aditivamente a la corriente.
Semiconductores intrnsecos.- El movimiento de los portadores de carga en general
tiene un carcter catico, el vector de su velocidad media es igual a cero, es decir a cada
portador de carga libre le corresponder un portador con una velocidad, cuyo vector est
dirigido en sentido inverso fig. en consecuencia la velocidad media del movimiento
dirigido de todos los portadores de carga es igual a cero, por eso no existe la
transferencia de carga. Si se coloca un semiconductor en un campo elctrico bajo la
accin de este campo sus electrones libres comienzan a moverse en sentido contrario al
del campo. Los electrones que se mueven en sentido contrario del campo elctrico
debido a la energa trmica sern acelerados por el campo y durante el recorrido libre
acumularn energa. Los electrones que se mueven por el campo sern retardados por
este, y su energa ser disminuida. Fig. al chocar con defectos en la red cristalina, estos
electrones entregarn su energa excedente adquirida por accin del campo externo, o
bien recibirn energa de l. El movimiento dirigido de los portadores de carga libres en
un campo elctrico se le conoce como deriva, y la velocidad de su movimiento dirigido
se llama velocidad de deriva en la fig se muestran con lneas continuas los vectores de la
componente de la deriva de la velocidad, y con lneas de trazos, los vectores de la
velocidad resultante del movimiento trmico y de la deriva. En este caso la velocidad

119
media del movimiento de los electrones libres ya no es igual a cero, y por el
semiconductor circular una corriente en sentido del campo aplicado, debida a los
electrones libres.
Los electrones de los enlaces saturados, que transitan al enlace incompleto por accin
del campo elctrico, se desplazarn en sentido contrario al del campo. Con ello el lugar
de valencia del enlace de valencia tambin se desplazar, pero ya en direccin del
campo, lo equivale al desplazamiento de una carga positiva por el campo. El mecanismo
de conduccin determinado por el movimiento de los electrones acoplados por los
enlaces de valencia, se llama conduccin por hueco.
Por lo tanto, la corriente elctrica en el semiconductor intrnseco se determina por dos
componentes: la corriente electrnica y la corriente por huecos que circulan en una
misma direccin.

PROBLEMAS RESUELTOS

Solucin:
Suponiendo que
se est
preparando un
semiconductor
tipo intrnseco
entonces:
2
Eg
kT
o
e o o

=
Substituyendo:

6
2(86.5 10 293 )
1 1
0.001
Eg
ev
x K
K
o
cm e o

O = (1)
6
2(86.5 10 373 )
1 1
0.5
Eg
ev
x K
K
o
cm e o

O = (2)
Resolviendo 1 y 2:
1.46
g
E eV =

Un material semiconductor experimental exhibe una conductividad de 0.001O
-1
cm
-1
a
20C y de 0.5 O
-1
cm
-1
a 100C, determine el tamao de la brecha energtica del
semiconductor

120

- Problema 5.3
Solucin:
Cada tomo de Sn gris contiene 4 electrones de valencia, as habr 32 e
-
/cu

23 3
8 3
19
3
4
23
3
32
1.17 10 /
(6.49 10 )
2 10
1.7 10 0.0002
1.17 10
n
e
n x e cm
x cm
e
x
cm
fraccion x
e
x
cm
= =
= = ~

- Problema 5.4
Solucin: Utilizando la conductividad del Ge a 20C, se calcula
0
2
Eg
kT
o
e o o

=
6
0.72
86.1 10
293
Ge
Eg ev
ev
K x
K
T K
=
=
=

Cada tomo en el Sn gris tiene 4e
-
de valencia la constante de red del Sn gris
a = 6 49. Clculos independientes indican que hay 2x10
19

e
/
cm
en la banda de
conduccin. En qu cantidad se han promovido los electrones a la banda de
conduccin?
La resistividad del Ge a 20C es de 50 Ocm. Cul es la resistividad a 40 C?

121
6
0.72
2(86.1 10 )(293 )
1 1
14.27
1
0.02
ev
ev
x K
K
o
o
e
cm
e
o o
o
=
O =

8
1.27 10
o
x o

=
Para 40C se sustituye el valor encontrado,
6
0.72
2(86.5 10 )(313 )
8
14 1 1
13
40
1.27 10
1.099 10
1
9.09 10
ev
ev
x K
K
C
x e
x cm
x cm
o
o

=
= O
=
= O

Semiconductores extrnsecos:
La semiconduccin extrnseca resulta de la adicin de impurezas al semiconductor
intrnseco; hay dos tipos de semiconduccin extrnseca: tipo n (en la cual dominan los
portadores negativos) y tipo p (en la cual dominan los portadores positivos). La
semiconduccin extrnseca es otro proceso activado trmicamente que sigue el
comportamiento de Arrhenius.
Para semiconductores tipo n la conductividad la podemos calcular a partir de la
ecuacin:
( ) /
0
g d
E E kT
e o o

=
Se observa que en esta ecuacin no aparece el 2 en la exponencial, esto es porque la
activacin trmica produce un solo portador de carga opuesto a los dos portadores que
se producen en el caso de la semiconduccin intrnseca.

Para semiconductores tipo p la conductividad la podemos calcular a partir de la
ecuacin:
( ) /
0
g
E Ep kT
e o o

=
PROBLEMAS RESUELTOS

122
- Problema 5.5

Solucin: Aplicando la ecuacin para semiconductores extrnsecos tipo p,

Por cada tomo de Boro introducido en la red cristalina del Si, se produce 1 hueco

Entonces se tendr que introducir 1.25x10
15
tomos de Boro por cada cm
3
de Si.
- Problema 5.6

Solucin:
(a) Peso at del Si 28.09 g as encontrando los tomos en 2.33g de Si

22
3 3
2.33
28.09
4.9934 10
xNA
at
x x
cm cm
= =

Aplicando la ley de Ohm para semiconductores extrnsecos tipo n y substituyendo,
(b)
2
1 1 19
1 1 1
15
3
19 2
1 (1.6 10 )(1400 )
1
4.46 10
(1.6 10 )(1400 )
n e n
n
cm
n q cm n x C
V s
cm e
n x
V s
cm
x cm V s
o

= O =
O
= =
O

- Problema 5.7
(a) Calcular el nmero de cargas extrnsecas en un semiconductor tipo n cuando 1
de cada 10
7
tomos en Ge es reemplazado con un tomo de fsforo.
(b) Calcular la conductividad del Ge en el rango de agotamiento.
El Si tienen una =2.33
g
/
cm
3
, (a) Cul es la concentracin de tomos de Silicio
por centmetro cbico?, (b) Se le aade fsforo P, al silicio para formar un
semiconductor tipo n con una conductividad
-1
cm
-1
y una movilidad electrnica de
1400 cm
2
/Vs Cul es la concentracin de electrones del donador por cm
3
?
Se requiere preparar un semiconductor extrnseco tipo p con una conductividad
de 0.1 O
-1
cm
-1
. Cunto B se necesita aadir al Si en tomos/cm
3
para lograr
esta conductividad?

2
1 1 19
15
3
0.1 1.6 10 (500 )
1.25 10
P P
P
P
n q
V s cm
cm n x
V s
h
n x
cm
o

=
O =
O
=

123
Solucin: Ge a=5.66 A a
3
=181.321x10
-24
cm
3

(a) El Ge es del grupo IV mientras que el P es del grupo V entonces por cada tomo
de P introducido en la red del Ge se adiciona 1e
-
, as,
24 3
7
16 3
181.321 10 /
10 .
2.2665 10
V x cm celda
at Ge
V x cm
=
=
entonces

7
1
10
e
n
atomosGe
= o
16 3
1
2.2665 10
n
x cm
=
15
3
4.4120 10
e
n x
cm
=
(c) Aplicando la ley de Ohm
n e p p
n q n q o = + para semiconductores extrnsecos tipo n

2
15 19 1 1
3
(4.4120 10 )(3800 )(1.6 10 ) 2.6824
e cm
x x C cm
cm v s
o

= = O

- Problema 5.8
Solucin:
Por cada tomo de In introducido en la red cristalina del Si se produce 1 hueco por e
-
10
7
tomos de Si ocupan 2.0x10
-16
cm
3
Entonces
16
16 3 3
5 .
2.4903 10
2.00 10
p
at deIn hoyos
n x
x cm cm
= =

3 22 3
22 3
5.43
1.60 10
1.60 10 /
Si
a
a x cm
V x cm celda
=
=
=

Para semiconductores extrnsecos:
Suponga que la zona de agotamiento ocurre a 200C en un Si semiconductor de Si
extrnseco dopado con 5 tomos de In por 10
7
tomos de Si,
(a) Determine el valor de n
o
.
(b) El nmero de portadores de carga a 0 C
(c) La conductividad a 0 C

124

0
p
KT
p
n n e
c
=
para el In en Si
0.160
p
eV c = a 200C

6
0.160
(86.1 10 )(473 )
0
ev
ev
x k
K
p
n n e
=
18
0 3
1.2710 10
hoyos
n x
cm
=
(b)
6
0.160
18 15 (86.1 10 )(273 )
3
1.2710 10 1.4057 10 0
ev
x K
T
hoyos
N x e x a C
cm
= =
(c)
2
15 19 1 1
3
(1.4057 10 )(1.6 10 )(500 ) 0.112456
hoyos cm
x x cm
cm v s
o

= = O

- Problema 5.9
Solucin:
Se calcula el nmero de tomos contenidos en 3g de Si,
23
22
2 2
3 6.023 10 .
. 6.4325 10
28.09
1400 500

Si
eSi hSi
gx x at
at x
g
cm cm
V s V s

= =
= =

Despejando el nmero de portadores negativos y substituyendo, de la ecuacin de
conductividad para semiconductores tipo n extrnsecos:

1 1
16
2 3
19
6
2.6785 10
(1.6 10 )(1400 )

n n
n
n q
cm e
n x
V s cm cm
x
s V s
o

=
O
= =
O

3 gr de Si tipo n que haba sido contaminado con fsforo para producir una
conductividad de 6 O
-1
cm
-1
, son fundidos junto con silicio tipo p, que haba sido
contaminado con aluminio para producir una conductividad de 6 O
-1
cm
-1
Cul es la
conductividad resultante? Ser un semiconductor tipo p o tipo n?

125
Despejando el nmero de portadores positivos y substituyendo, de la ecuacin de
conductividad para semiconductores tipo p extrnsecos:
1 1
16
2 3
19
6
7.5 10
(1.6 10 )(500 )

h h
n
n q
cm h
n x
V s cm cm
x
s V s
o

=
O
= =
O

Considerando la posibilidad de que se neutralicen un nmero igual de portadores
positivos y negativos:
16
4.8215 10
h n
n n x h =

Como quedan portadores negativos en exceso el semiconductor resultante es del tipo p,
y la conductividad:
2
16 19 1 1 1
3
(4.8215 10 )(1.6 10 . . )(500 ) 3.8572
.
h cm
x x V s cm
cm V s
o

= O = O
- Problema 5.10

Solucin:
El Sb pertenece al grupo V al ocupar una posicin nodal dentro de la red del
Ge aporta por cada tomo un e
-
en exceso, por lo que el semiconductor resultante:

(a) Ser del tipo n
La densidad del Ge 5.35g/cm
3

Peso atmico del
72.59 Ge =
en 100g de Ge habr:

23
23
100 6.023 10 .
8.5824 10 .
72.59
gx x at
x at Ge
g
=
Peso atmico del
121.75 Sb =
en 3.22x10
-6
habr:

6 23
16
3.22 10 6.023 10 .
1.5929 10 .
121.75
x gx x at
x at Sb
g
=

El Ge exhibe una celda cbica diamantina por cada celda existen 8 tomos la
constante de red del Ge a=5.66
El Ge extrnseco se hace fundiendo 3.22x10
-6
g de Sb con 100 g de Ge. (a) Qu
tipo de semiconductor se forma? (b) Calcular la concentracin de Sb en tomos/cm
3

en Ge.

126
24 3
23
3
16
14
3 3
181.321 10 /
8.5824 10 .
19.4521
1.5929 10 .
8.188 10
19.4521
V x cm celda
x at Ge
V cm
x atSb at Sb
n x
cm cm
=
=
= =

(b) n= 8.1888x10
14
at.Sb/cm
3

(c) Se prepara un semiconductor al mezclar 3.22x10
-6
g de Sb y 3.4x10
-6
g de In
en 90 g de Ge. La densidad del Ge es de 5.35 g/cm
3
.
(d) (a) Determinar la conductividad del material en la zona de agotamiento.

Solucin
El tipo de
semiconductor
que se forma al
agregar P el cual
es del grupo V es
tipo n

El Si exhibe una celda cbica diamantina por cada celda existen 8 tomos la constante
de red del Ge a=5.66
Por cada tomo de P introducido en la red cristalina del Si se produce 1 e
-
10
7
tomos de Si ocupan 2.0x10
-16
cm
3
Entonces para la zona de agotamiento:

15
16 3 3
1 .
4.9948 10
2.002 10
n
at deP e
n x
x cm cm
= =
3 22 3
22 3
5.43
1.60 10
1.60 10 /
Si
a
a x cm
V x cm celda
=
=
=

Calculando la conductividad para el semiconductor en la zona de agotamiento.
2
15 19 1 1 1
3
(4.9948 10 )(1.6 10 . . )(1900 ) 1.5184
.
h cm
x x V s cm
cm V s
o

= O = O

- Problema 5.11
El Ge extrnseco se hace fundiendo 4.2x10
-5
g de Sb en 78g de Ge. (a) Determinar
la conductividad de este material en la zona de agotamiento a 200C (b) Determinar
la conductividad del material a 175C.
Para un semiconductor extrnseco el agotamiento de donadores ocurre a 145C,
cuando 1 por cada 10
7
tomos en el Si son de P (a) Determinar la conductividad
del semiconductor extrnseco en la zona de agotamiento.


127
Solucin:

(a) Base de clculo 78g de Ge, as por cada tomo de Sb introducido en la red se
produce un portador negativo 1e
-

Peso atmico:
72.59 Ge =
23
78
6.4718 10
72.59
gxNA
x atomosGe
g
=
121.75 Sb =
5
17
4.2 10
2.0777 10
121.75
x xNA
x atomosSb
g
=
24 3
23
3
17
16
3 3
8 181.321 10
6.4718 10 .
14.6684
2.0777 10
1.4164 10
14.6684
atGe x cm
x at x
x cm
x e e
n x
cm cm
=
= =

La conductividad en la zona de agotamiento es debido al agotamiento de los
portadores de carga en el nivel de donadores, en este semiconductor se produce a
200C:
2
16 19 1 1
3
(1.4164 10 )(3800 )(1.6 10 ) 8.6117
e cm
x x C cm
cm v s
o

= = O

a) Para encontrar la conductividad del material a 175C utilizaremos la ecuacin
de conductividad para un semiconductor extrnseco tipo n.
d
KT
o
e
c
o o

=
Substituyendo valores en la ecuacin para la conductividad a 200C,
5
0.0096
8.63 10 (473)
1 1
8.6117
eV
eV
x K
K
o
cm e o

O = (2)
Despejando de (2)
1 1
10.8941
o
cm o

= O
As la conductividad del semiconductor a 175C ser,
5
0.0096
8.68 10 (448 )
1 1 1 1
(10.8941 ) 8.4988
eV
eV
x K
K
cm e cm o

= O = O


128

- Problema 5.12
Solucin:
En la zona de agotamiento todos los portadores de carga de los elementos dopantes
se han promovido por lo que se calcula el nmero de portadores aportados por los
elementos dopantes:
Al dopar el Ge con Sb e In se producen huecos y electrones en la red del Ge debido a
que el In es del grupo III y el Sb es del grupo V de la tabla peridica.
Se calcula el nmero de tomos a partir de la masa de cada uno de los elementos,
72.59
121.75
114.82
Ge
Sb
In

23
16
16
7.467 10
1.5929 10
1.7835 10
Ge x atomos
Sb x atomos
In x atomos

Se obtiene la cantidad total portadores =
16 16 15
( )
( ) ( )
1.7835 10 1.592910 1.9059 10
h
e e
x x

=
A partir de la densidad del Ge, se calcula el volumen que ocupan 90g de Ge,
V= 16.822 cm
3

con el nmero de portadores totales se calcula la
conductividad del semiconductor extrnseco.

2
14 19 1 1
3
(1.133 10 )(1.6 10 )(3900 ) 0.07069
e cm
x x C cm
cm V s
o

= = O
- Problema 5.13

Solucin:
Ge a =5.6575 ;
e
=3,800 cm
2
/V.s;
h
=1,820 cm
2
/V.s; E
g
=0.67eV; la conductividad del
Ge a 25C es 0.02
-1
cm
-1

Se prepara un semiconductor al mezclar 3.22x10
-6
g de Sb y 3.4x10
-6
g de In en 90
g de Ge. La densidad del Ge es de 5.35 g/cm
3
.
(a) Determinar la conductividad del material en la zona de agotamiento.
A 125C la conductividad intrnseca del Ge se iguala a la conductividad extrnseca
a 20C de cierto semiconductor de Ge dopado con Sb (a) Cuntos tomos/cm
3

de Sb se requieren en el semiconductor GeSb para poder producir este efecto (b)
Qu porcentaje atmico representa?

15 _
14
3 3
1.906 10
1.133 10
16.822
n
x e e
n x
cm cm
= =

129
(a) Substituyendo valores en la ecuacin
2
g
KT
o
e
c
o o

= , se calcula
o

5
0.67
2(8.63 10 )(293 )
1 1
0
0.02
eV
eV
x K
K
cm e o

O = ;
1 1
11, 344.2610
o
cm o

= O
La conductividad del Ge a 125C;
5
0.67
2(8.63 10 )(398 )
1 1 1 1
11, 344.2610 ( ) 0.6591
eV
eV
x K
K
cm e cm o

= O = O
El Sb es del grupo V, por cada tomo de Sb introducido en la red de Ge se produce un
portador negativo 1e
-
, para encontrar el nmero de portadores negativos se iguala la
conductividad del Ge a 125C
1 1 19 1 2
0.6591 (1.6 10 )(3,800 / . )
n
cm n x V cm V s

O = O
15
3
1.084 10
n
e
n x
cm
=

b) Para calcular el porcentaje de cada uno de los componentes;
15 15
1.084 10 1.084 10 . x e x at Sb
=
3 22
1 4.4179 10 .
Ge
cm x at Ge =
Nmero total de tomos =4.4179x10
22
at.
Fraccin de tomos de Sb
15
8
22
1.084 10
2.45 10
4.4179 10
Sb
x
x
x
_

= =

% atmico de Sb = 2.45x10
-6

1.- A 300C la conductividad intrnseca del Si se iguala a la conductividad extrnseca a
25C de cierto semiconductor de SiAl. Cuntos tomos/cm
3
de Al se requieren en el
semiconductor SiAl para poder producir este efecto?
2.- El silicio contiene 310 vacantes/cm
3
a 300C y 2.5x10
9
vacantes/cm
3
a 600C.
Determine el nmero de vacantes a 250C y a 450C.
3.-


130

Indice

Arreglo atmico y inico 15,
celdas unitarias
densidad
estructura cristalina
estructura hexagonal compacta
factor de empaquetamiento
parmetros de red
planos/direcciones
puntos de red
red
redes de Bravais
sistemas cristalinos
sitios intersticiales
transformaciones alotrpicas
transformaciones polimrficas
Arreglos atmicos /inicos imperfectos
defectos lineales

131
defectos puntuales
defectos superficiales
dislocaciones
Atomos intersticiales
Atomos substitucionales
Banda de conduccin
Banda de energa
Banda de valencia
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V

132
X
Y
Z

Problemas de Materiales

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Problemas en Ciencia de Materiales

en el hidrgeno depende solo del nmero cuntico

C de manera que las vacantes permanecen.

como se muestra en (e). Una

= (1), se calcula el coeficiente de difusin a

consultando la tabla error funcin 0.559794 =

buscando erf.N en las tablas encontramos el valor

= 9747528.5 2707 112.82 t seg hrs dias = = =

= = 9747528.5 2707 seg hrs = =

K los estados de menor energa ms cercanos al ncleo se llenan primero,

0.1 1.6 10 (500 )

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