KONDUKTOR, DIELEKTRIK, DAN KAPASITANSI

MENU
5.1 ARUS DAN KERAPATAN ARUS
5.2 KEMALARAN ARUS
5.3 KONDUKTOR LOGAM
5.4 SIFAT KONDUKTOR DAN SYARAT BATAS
5.5 METODE SANTIR
5.6 SEMIKONDUKTOR
5.7 SIFAT BAHAN DIELEKTRIK
5.8 SYARAT BATAS BAHAN DIELEKTRIK SEMPURNA
5.9 KAPASITANSI
5.10 BEBERAPA CONTOH KAPASITANSI
5.11 KAPASITANSI SALURAN DUA KAWAT
5.1 ARUS DAN KERAPATAN
ARUS

Muatan listrik yang bergerak membentuk arus. Satuan
arus ialah ampere (A) yang didefinisikan sebagai laju
aliran muatan yang melalui titik acuan (atau menembus
suatu bidang acuan) sebesar satu coulomb per detik.
Arus diberi lambang I, maka

dt
dQ
I =
Pertambahan arus AI yang melalui pertambahan
permukaan AS yang normal pada kerapatan arus
ialah



Dan dalam hal kerapatan arusnya tidak tegak lurus
terhadap permukaan.




S J I
N
A = A
S J I A = A
Arus total diperoleh dengan mengintegrasi



arus resultannya ialah




}
=
S
dS J I
t
x
S
t
Q
I
v
A
A
A =
A
A
= A
Jika kita ambil limit terhadap waktu, kita dapatkan



Dengan vx menyatakan komponen kecepatan
v. Jika dinyatakan dalam kerapatan arus, kita
dapatkan


Dan umumnya









x v x
v J =
x v
v S I A = A
v J
v x
=
5.2 KEMALARAN ARUS
Arus yang menembus permukaan tertutup ialah



Dan prinsip kekekalan muatan menyatakan




}
=
s
dS J I
}
= =
s
i
dt
dQ
dS J I
bentuk diferensial atau bentuk titiknya diperoleh dengan
mengubah integral permukaan menjadi integral volume
melalui teorema divergensi



Dan menyatakan muatan yang terlingkungi Qi dengan
integral volume dari kerapatan muatan



Apabila permukaannya tetap maka turunannya muncul
dalam tanda integral




( )
} }
c
c
=
vol
v
vol
dv
t
dv J V

.
( )
} }
=
s vol
dv J V dS J
( )
} }
=
vol vol
v
dv
dt
d
dv J V
Maka


Dan bentuk titiknya



kita perhatikan kerapatan arus yang arahnya keluar
secara radial

( ) v
t
dv J V
v
A
c
c
=

t
J V
v
c
c
=

2
1
m
A
a e
r
J
r
t
=
Dengan t=1 s, maka arus max pada r=5 m




Pada saat sama dan r=6 m, maka




Arus nya lebih besar di r=6 daripada di r=5.Kemudian
tinjaulah

( ) A e S J I
r
1 . 23 5 4
5
1
2 1
=
|
.
|

\
|
= =

t
( ) A e I 7 . 27 6 4
6
1
2 1
=
|
.
|

\
|
=

t
Persamaan kontinuitas



Maka konstanta integralnya




Jika v 0 dan t , maka K(r) = 0




t t
r
t
v
e
r
e
r
r
r r
a e
r
V J V
t

=
|
.
|

\
|
c
c
=
|
.
|

\
|
= =
c
c

2
2
2
1 1 1 1
( ) ( )
}
+ = + =

r K e
r
r K dt e
r
t t
v
2 2
1 1

t
e
r
v

=
2
1

Dengan menggunakan J =
v
v , maka kecepatannya






Beberapa gaya mempercepat kerapatan muatan dalam
arah keluar

s
m
t
t
v
r
r
r
e
r
e
r
J
v = = =

2
1
1

5.3 KONDUKTOR LOGAM

Dalam medan E, elektron yang bermuatan Q = -e akan
mengalami gaya

F = -eE

Mobilitas diukur dalam m
2
per V-detik




Dapat diperoleh




Hubungan antara J dan E

J = E
E d
e
v
=
E J
e e
=




Konduktivitas dinyatakan dalam kerapatan muatan dan
mobilitas elektron


Karena serbasama maka

e e
o =
JS dS J I
s
= =
}
JADI
Dan



atau


jadi


atau
} }
= = = =
a
b
a
b
ab ba ab
L E L E dL E dL E V
V = EL
L
V
E
S
J o o = = =
1
I
S
L
V
o
=

Resistansi dari tabung adalah




Resistansi dalam medan yang tidak serbasama






S
L
R
o
=
}
}

= =
s
a
b ab
dS E
dL E
I
V
R
o
5.4 SIFAT KONDUKTOR DAN
SYARAT BATAS
Medan elektronikanya



Sepanjang lintasan tertutup abcda, maka integralnya



Dengan E=0dalam konduktor, didapatkan




}
= 0 dL E
} } } }
= + + +
b
a
c
b
d
c
a
d
0
0
2
1
,
2
1
, = A + A A h pada E h pada E w E
a
N
b
N t



Karena Ah dapat diabaikan, maka


Dan menghasilkan

Et = 0

0 = Aw E
t

Dengan memakai hukum Gauss



Dan diintegrasikan pada permukaan yang berbeda



Kedua suku terakhir didapati = 0, maka



atau
D
N
= S

}
= Q dS D
0
} } }
= + +
pinggir bawah atas
S Q S D
S N
A = = A
Syarat batas yang dicari untuk batas ruang hampa konduktor
dalam elektrostatika




Untuk meringkas prinsip yang dipakai pada konduktor
dalam medan elektrostatik, kita nyatakan bahwa :
1. Intensitas medan listrik statik dalam konduktor
aialah nol
2. Intensitas medan listrik statik pada permukaan
konduktor mempunyai arah normal terhadap
permukaan
3. Permukaan konduktor merupakan permukaan
sepotensial
0 = =
t t
E D
S N N
E E = =e
0
5.5 METODE SANTIR
Dua muatan yang sama besar tetapi tandanya berlawanan
dapat diganti dengan sebuah muatan dan bidang datr
konduktor tanpa mengubah medan diatas permukaan V =
0




-Q
+Q
Permukaan sepotensial V=0
-Q
+Q
+Q
Bidang datar konduktor V=0
Suatu konfigurasi bidang datar konduktor dapat diganti
oleh konfigurasi muatan yang diketahui tersebut
ditambah dengan konfigurasi santirnya, tanpa bidang
konduktor tersebut

+1
L
+1
L
Bidang Datar Konduktor V=0 Permukaan Sepotensial V=0
-L
+1
-4
5.6 SEMIKONDUKTOR
Pada bahan semikonduktor intrinsik seperti germanium atau silikon
murni ada dua jenis pembawa arus yaitu elektron dan lubang (hole).
Elektronnya datang dari bagian atas pita valensi penuh yang
menerima energi yang cukup (biasanya energi termal) untuk
menyeberangi pita terlarang yang relatif kecil ke pita produksi.
Jurang pita energi yang terlarang biasanya dalam orde satu
elektronvolt. Kekosongan yang ditinggalkan elektron tersebut
menjadi tingkat energi yang tak terisi pada pita valensi yang dapat
juga berpindah dari satu atom ke atom lainnya dalm kristal.
Kekosongan ini disebut lubang , banyak sifat semikonduktor dapat
digambarkan dengan memperlakukan lubang tersebut seakan-akan
bermuatan positif e dengan mobilitas h dan masa efektif yang
hampir sama dengan masa efektif elektron. Kedua jenis pembawa ini
bergerak dalam medan listrik dan arah geraknya berlawanan ; jadi
masing-masing akan memberi sumbangan pada arus total.
Konduktivitasnya merupakan fungsi dari konsentrasi lubang,
konsentrasi elektron dan mobilitas



h h e e
o + =
Untuk germanium murni, mobilitas elektronnya 0,36 dan
mobilitas lubangnya 0,17 ; sedangkan untuk silikon,
mobilitasnya ialah 0,12 dan 0,025. Satuannya adalah meter
persegi per volt detik dan besarnya berkisar antara 10
sampai 100 kali mobilitas dalam alumunium, tembaga,
perak dan konduktor logam lainnya. Mobilitas tersebut
berlaku untuk temperatur 300 K. Konsentrasi elektron dan
lubang sangat tergantung pada temperatur. Pada 300 K,
kerapatan muang ruang elektron dan lubang adalah 3,0
C/m3 pada germanium intrinsik ; sedangkan pada silikon,
besarnya 0,0024 C/m3. Harga tersebut menyebabkan
konduktivitas sebesar 1,6 /m pada germanium dan pada
silikon 0,0035 /m. Bila temperaturnya naik, mobilitasnya
turun, tetapi kerapatan muatan naik sangat cepat. Hasilnya,
konduktivitas bertambah dengan faktor 10 bila
temperaturnya naik dari 300 ke 330 K dan berkurang
dengan faktor 10 ketika temperaturnya turun dari 300 ke
sekitar 275 K. Konduktivitas semikonduktor intrinsik
bertambah terhadap temperatur, sedangkan konduktivitas
konduktor logam menurun terhadap temperatur.
Semikonduktor intrinsik juga memenuhi hukum Ohm
bnetuk titik ; ini berarti konduktivitasnya hampir tetap
terhadap kerapatan arus dan terhadap arah kerapatan arus
tersebut. Banyaknya pembawa muatan dan konduktivitas
dapat dinaikkan berlipat ganda dengan menambah
ketidakmurniannya. Bahan donor menyediakan elektron
tambahan dan membentuk semikonduktor tipe-n (jenis-n) ,
sedangkan akseptor menyediakan lubang
tambahan dan membentuk semikonduktor tipe-p
(jenis-p). Proses seperti ini dikenal sebagai
doping . Dan konsentrasi donor pada silikon
hanya 1 bagian dalam 107 , tetapi menyebabkan
penambahan konduktivitas dengan faktor 105.
Harga konduktivitas berubah sangat besar dari
bahan isolator ke semikonduktor terus ke
konduktor yang baik. Jika dinyatakan dalam ohm
per meter, harga berkisar 10-17 untuk kuatrz
yang dilebur, 10-7 untuk isolator plastik, dam
kira-kira 1 untuk semikonduktor sampai 108
untuk konduktor logam pada temperatur kamar.
Harga-harga tersebut meliputi jangkauan sampai
orde sebesar dua puluh lima kali.
5.7 SIFAT BAHAN DIELEKTRIK
Kedua jenis dwikutub yang digambarkan dengan momen dwikutub p seperti
yang dikembangkan dalam pasal 4.7, persamaan (37)


Dengan Q menyatakan muatan fositif dari pasangan muatan yang membentuk
dwikutub dan d merupakan vektor dari muatan negatif dengan muatan
positif.
Jika terdapat n dwikutub per satuan volume dan kita meninjau volume v,
maka ada n v dwikutub. Dan momen dwikutubnya didapat dengan
menjumlahkannya secara vektor,



polarisasi P didefinisikan sebagai momen dwikutub per satuan volume,




Dengan satuan coulomb per meter persegi.

A
=
=
v n
i
i total
p p
1
Qd p =

A
=
A
A
=
v n
i
i
v
p
v
P
1
0
1
lim
Jadi karena ada n molekul/m3 muatan total neto yang melewati unsur
permukaan dalam arah ke atas ialah nQd cos u AS, atau



dengan subskrip pada Qb untuk mengingatkan kita bahwa muatannya
terikat (bound) bukan muatan bebas. Dinyatakan dalam pengutuban
(polarisasi), kita peroleh







S nQd Q
b
A = A
S P Q
b
A = A
Jika ditafsirkan AS sebagai unsur dari permukaan tertutup
dalam bahan dielektrik, maka arah AS adalah keluar, dan
pertambahan neto muatan terikat di dalam permukaan
tertutup dapat kita peroleh dengan integrasi


Mula-mula kita tulis hukum Gauss dalam fungsi Eo E dan
QT muatan total yang terlingkung, baik yang terikat
maupun yang bebas.

dS P Q
s
b
=
}
dS E Q
s
r
e =
}
0
Dengan

kombinasikan ketiga persamaan terakhir, kita dapatkan
rumusan untuk muatan bebas yang terlingkung.


Sekarang kita dapat mendefinisikan D dalam bentuk yang
lebih umum daripada dalam Bab 3.

Q Q Q
b r
+ =
( ) dS P E Q Q Q
s
b r
+ e = =
}
0
P E D + e =
0
Di situ terlihat ada penambahan suku pada D jika ada
pengutuban dalam bahan. Jadi


Q menyatakan muatan bebas yang terlingkung
Dengan memakai beberapa bentuk kerapatan muatan
ruang, kita dapatkan



dS D Q
s
=
}
dv Q
v
b b
}
=
dv Q
v
v
}
=
dv Q
v
T T
}
=
Dengan pertolongteorema divergensi, kita dapat
mengalihkan (20), (21) dan (24) kebentuk yang setara
dengan hubungan divergensi,






Hubungan linear antara P dan E adalah

b
P = V
T
E = e V
0
v
D = V
E P
e 0
e = _
Dengan menggunakan hubungan dalam (23), kita
dapatkan


Ekspresi di dalam kurung sekarang didefinisikan sebagai

Ini adalah besaran tak berdimensi lainnya dan disebut
sebagai permitivitas relatif, atau tetapan dielektrik bahan.
jadi.
( ) E E E D
e e 0 0 0
1 e + = e + e = _ _
1 + = e
e R
_
E D
R
e e =
0
E D e =
Dengan

Kita dapatkan bahwa tiap-tiap komponen D dapat
merupakan suatu fungsi dari setiap komponen E
dan D = cE menjadi suatu persamaan matriks
dengan D dan E masing-masing adalah matriks
dengan kolom 3 x 1 dan c matriks bujur sangkar
3 x 3. Ekspansi persamaan matriks ini
menghasilkan

0
e e = e
R
z xz y xy x xx x
E E E D e + e + =e
z yz y yy x yx y
E E E D e + e + =e
z zz y zy x zx z
E E E D e + e + =e
Ringkasnya, sekarang kita mempunyai hubungan antara D
dan E yang bergantung dari bahan dielektrik yang ada.

Dengan

Kerapatan fluks listrik ini masih berpautan dengan muatan
bebas melalui bentuk titik atau bentuk integral hukum
Gauss:

E D e =
0
e e = e
R
r
D = V
MENU
5.8 SYARAT BATAS BAHAN DIELEKTRIK
SEMPURNA
Kita tinjau dahulu permukaan batas dua jenis bahan dielektrik
yang premitivitasnya c1 dan c2 dan menempati daerah
1dan 2 seperti yang terlihat pada gambar 5. 10.
Pertama kita tinjau komponen tangensial dengan memakai


}
= 0 .dL E
Mengelilingi lintasan tertutup kecil pada ruas kiri
persamaan , maka kita dapatkan


Kontribusi kecil pada integral garis yang datang
dari kompenen normal E sepanjang bagian yang
panjangnya Ah menjadi sangat kecil ketika Ah
mengecil dan lintasan tertutupnya menyempit
pada permukaan sehingga
Kontribusi kecil pada integral garis yang datang
dari komponen normal E sepanjang bagian yang
panjangnya Ah menjadi sangat kecil ketika Ah
mengecil dan lintasan tertutupnya menyempit
pada permukaan. Sehingga
E
tan 1
= E
tan 2
0
2 tan tan
= A A w E w E
I
hukum tegangan Kirchoff masih berlaku untuk
kasus ini. Tentu saja kita sudah memperlihatkan
bahwa beda potensial antara dua titik pada
perbatasan terpisah sejarak Aw sama saja di
bawah atau di atas perbatasan. Jika intensitas
medan listrik tangensial malar melalui
perbatasan, maka D tangensial akan tak malar,
karena


Atau


sisinya diambil sangat pendek , dan fluks yang
meninggalkan permukaan atas dan bawah ialah

2
2 tan
2 tan 1 tan
1
1 tan
c c
D
E E
D
= = =
2
1
2 tan
1 tan
c
c
=
D
D
S P Q S D S D
S N N
A = A = A A
2 1
Sehingga

. Muatan ini harus sengaja diletakan disitu,
sehingga mengimbangi muatan total dalam dan
pada badan dielektrik tersebut. kecuali hal
khusus maka ia harus menganggup s = 0 pada
perbatasan dan

Atau komponen normal D harus malar. Sehingga

Dan E normal takmalar
karena komponen normal D malar

Rasio komponen tangensial diberikan

S N N
D D =
2 1
2 1 N N
D D =
2 2 1 1 N N
E E c c =
2 2 2 1 1 1
cos cos
N N
D D D D = = = u u
2
1
2 2
1 1
2 tan
1 tan
sin
sin
c
c
u
u
= =
D
D
D
D
Atau

pembagian persamaan ini (35) menghasilkan


Dalam gambar 5.11 kita anggap
Arah E yang dekat dengan perbatasan sama dengan arah
D, karena D=cE.
Besar D dalam daerah 2 didapat dari (35) dan (36)


besar E
2
ialah





2 2 1 1 1 2
sin sin u c u c D D =
2
1
2
1
tan
tan
c
c
u
u
=
1
2
2
1
2
1
2
1 2
sin cos u
c
c
u
|
|
.
|

\
|
+ = D D
1
2
2
1
1
2
1 2
cos sin u
c
c
u
|
|
.
|

\
|
+ = E E
Kedua komponen D dan E yang tangensial keduanya
harus nol supaya memenuhi hubungan

Dan
D = cE
Akhirnya pemakaian hukum Gauss ,


D dan E keduanya mempunyai arah yang tegak lurus
terhadap permukaan konduktor, serta Dn = ps dan En =
ps /c. syarat batas yang telah kita kembangkan untuk
perbatasan ruang bebas-konduktor berlaku juga untuk
perbatasan konduktor-dielektrik jika kita mengganti c0
dengan c. jadi
D
t
= E
t
= 0
D
N
= cE
N
=
S






}
= 0 .dL E
}
=
S
Q dS D.
hukum Omh
J = oE
persamaan kemalaran


j dan berpautan dengan muatan bebas saja ,
atau

Jika mediumnya serbasama sehingga


kita pakai persamaan pertama Maxwell untuk
mendapatkan

t
v
v
c
c
=

o
c

t
J
v
c
c
= V

.
t
E
v
c
c
= V

o .
t
D
v
c
c
= V

c
o
.
t
D
v
c
c
= V

o
c
.
5.9 KAPASITANSI

KAPASITANSI
C =

nyatakan Q sebagai integral permukaan pada konduktor
positif, dan kita peroleh Vo dengan membawa satuan
muatan positif dari permukaan negatif ke muatan positif.

C =







0
V
Q
}
}
+

dL E
dS E
S
.
. c
c menyatakan permitivitas dielektrik serbasama, dan
D = P
S
a
z
Muatan pada bidang bawah harus positif,
D
N
= D
z
= p
S
Sama dengan kerapatan muatan permukaan di situ. Pada
bidang atas,
D
N
= D
z
Dan muatan permukaannya negatif dari muatan
permukaan pada bidang bawah.
Beda potensial antara bidang bawah dan atas ialah

Vo =





d dz dL E
S
bawah
atas d
S
c

= =
} }
0
.
muatan total pada masing-masing bidang besarnya
takberhingga, maka kapasitansinya takberhingga.
Jawaban yang praktis diperoleh jika kita tinjau bidang
yang luasnya S yang dimensi linearnya jauh lebih besar
dari jarak d. medan listrik dan distribusi muatannya
hampir serbasama pada setiap titik yang cukup jauh dari
pinggiran, dan kontribusi dari daerah pinggir tersebut
kepada kapasitas totalnya sangat kecil, hal ini
memungkinkan kita untuk menuliskan hasil yang sudah
dikenal.
Q = P
S
S

Vo =


C =



d
S
c

d
S
V
Q c
=
0
Kapasitansi parsial antara tiap pasangan konduktor. Hal ini
dibahas secara sangat menarik dalam pekerjaan
Maxwell.
Akhirnya, energi total yang tersimpan dalam kapasitor ialah

W
E
=

Atau
WE =

merupakan rumusan yang sudah dikenal. Persamaan (45)
juga menunjukkan bahwa energi yang tersimpan dalam
kapasitor dengan beda potensial tetap akan bertambah
jika tetapan dielektrik mediumnya bertambah.







2
2
2
0 0
2
2
2
2
2
1
2
1
2
1
2
1
c
c
c

c
c
c
d p
d
S
Sd dzdS dv E
S
vol
S d
S S
= = =
} } }
C
Q
QV CV
2
0
2
0
2
1
2
1
2
1
= =
5.10 BEBERAPA CONTOH KAPASITANSI
contoh pertama kita ambil kabel sesumbu (koaksial) atau
kapasitor sesumbu dengan jari-jari dalam a, jari-jari b,
dan panjang L, beda potensialnya telah diketahui dari
persamaan (11), pasal 4.3 dan kuantitas tersebut dibagi
dengan muatan total P
L
L, jika panjangnya L. jadi,
C =

tinjau kapasitor bola yang dibentuk oleh dua kulit bola-
konduktor sesumbu berjari-jari a dan b, b > a. rumusan
medan listrik telah diperoleh melalui hukum Gauss,
Er =
) / ( 1
2
a b n
L tc
2
4 r
Q
tc
daerah antara kedua bola diisi dengan dielektrik yang
permitivitasnya E rumusan beda potensialnya diperoleh
dengan melakukan integral garis. Jadi,
V
ab
=

Q menyatakan muatan total pada bola dalam, dan
kapasitasnya menjadi
C =

Jika bola luarnya menjadi besar tak berhingga, kapasitansi
konduktor bola yang terisolasi,
C = 4tco
Untuk yang berdiameter 1 cm, atau bola sebesar kelereng
C = 0,556 pF
Dalam ruang hampa.



|
.
|

\
|
b a r
Q 1 1
4tc
b a
V
Q
ab
1 1
4

=
tc
Dengan menutup bola tersebut dengan lapisan dielektrik
yang berbeda yang mempunyai c = c
1
, berkisar dari r = a
ke r = r
1
,
D =

E
r
=Q (a < r < r1)

= (r
1
< r)

Sehingga beda potensialnya menjadi

Va V1 =


=




2
4 r
Q
t
2
1
4 r
Q
tc
2
0
4 r
Q
tc
} }

a
b
r
a
r
Qdr
r
Qdr 2
2
0
2
1
4 4 tc tc
(
(

+
|
|
.
|

\
|

1 0 1 1
1 1 1 1
4 r r a
Q
c c t
Sehingga
C =

beda potensial antara kedua keping adalah V
o
.
Intensitasnya medan listrik dalam kedua daerah tersebut.
E
2
dan E
2
, keduanya serbasama dan V
o
= E
1
, d
1
+ E
2
d
2
.
Pada permukaan batas, E normal dan D
n1
= D
n2
, atau c
1

E
1
= c
2
E
2
. Dengan meniadakan E
2
dalam hubungan V
o

tersebut, kita peroleh
E
1
=

besarnya kerapatan muatan permukaan ialah
P
S1
=








1 0 1 1
1 1 1 1
4
r r a c c
t
+
|
|
.
|

\
|

) / (
2 1 2 1
0
c c d d
V
+
2
2
1
1
0
1 1 1
c c
c
d d
V
E D
+
= =




D1 = D2, besar muatan permukaan pada masing-masing
keping sama. Kapasitansinya menjadi

C =













2 1 2
2
1
1
0 0
1 1
1 1
C C S
d
S
d
V
S
V
Q
S
+
=
+
= =
c c

5.11 KAPASITANSI SALURAN DUA KAWAT

pilih R10 = R20 ini berarti kita menempatkan acuan nol
pada jarak yang sam dari masing-masing garis.
Permukaan ini terletak pada bidang datar x = 0.
Dengan menyatakan R1 dan R2 dalam x, dan y, kita
dapatkan

V =

Pilih permukaan sepotensial V = V
1
, kita definisikan K
1

sebagai parameter takberdiamensi yang merupakan
fungsi dari potensial V
1
.
K1 =




( )
( )
2
2
2
2
2 2
2
1
4 ) (
) (
1
2
y a x
y a x
n
L
y a x
y a x
n
L
+
+ +
=
+
+ +
tc

tc

L v
e
tc / 4
1
Maka:
K
1
=

Setelah pengalian dan pengumpulan suku yang
berpangkat sama, kita peroleh
x
2
2ax

lengkapkan pangkat kuadratnya,


Yang menunjukkan bahwa permukaan sepotensial V = V1
tidak tergantung pada z (atau merupakan tabung) dan
memotong bidang xy pada lingkaran yang berjari-jari b,
b =




( )
( )
2
2
2
2
y a x
y a x
+
+ +
0
1
1
2 2
1
1
= + +

+
a y
K
K
2
1
1 2
2
1
1
1
2
1
1
|
|
.
|

\
|

= +
|
|
.
|

\
|

K
K a
y
K
K
a x
1
2
1
1
K
K a
yang berpusat di x = h, y = 0, dengan
h =

sebuah biadang konduktor berpotensial nol pada x = 0, dan
sebuah tabung konduktor berjari-jari b dan berpotensial
V
o
yang sumbunya terletak pada jarak h dari bidang
tersebut di atas. Kita pecahkan dua persamaan terakhir
untuk a dan K
1
yang dinyatakan dalam b dan h.
a =
dan

Tetapi potensial tabung adalah V
o
. jadi (53) menjadi








1
1
1
1

+
K
K
a
2 2
b h
b
b h h
K
2 2
1
+
=
PL V
e K
/ 2
1
0
tc
=
Sehingga
P
L
=

jika diketahui h, b dan Vo . kita dapat menetukan a, PL dan
parameter K1. Kapasitansi antara tabung dan bidang
sekarang dapat ditentukan. Untuk panjang L dalam arah
z, kita dapatkan
C =

Atau
C =









1
0
1
4
nK
V tc
1
1 0
1
2
1
4
K n
L
nK
L
V
L
L
tc tc
= =
| |
) / ( cosh
2
) ( 1
2
1
2 2
b h
L
b b h h n
L

=
+
tc tc
Lingkaran hitam pekat dalam gambar 5.17 memperlihatkan
penampang lintang tabung berjejari 5 m pada potensial
100 V dalam ruang hampa, dimana sumbunya terletak 13
m dari bidang berpotensial nol. Jadi b = 5. h = 13, Vo =
100 dan secara cepat kita dapatkan lokasi muatan garis
setara dari (54).
a = m
nilai parameter potensial K1 dari (55).
K1 = 25

Kekuatan muatan garis setara dari (56),
P
L
= nC/m

Dan kapasitas antara tabung dan bidang dari (57)
C = pF/m



12 5 13
2 2 2 2
= = b h
, 5
5
12 13
2 2
1
=
+
=
+
=
b
b h h
K
46 . 3
25 1
100 10 854 . 8 4
1
4
12
1
0
= =

n
x x x
nK
V t tc
6 . 34
) 5 / 13 ( cosh
10 854 . 8 2
) / ( cosh
2
1
12
1
= =

x x
b h
t tc
Kita juga dapat menetukan tabung yang menyatakan
permukaan sepotensial 50 V dengan mencari nilai baru
untuk K
1
, h dan b. pertama-tama kita pakai (53) untuk
mendapatkan
K
1
=

Maka jejari barunya adalah

b = m

dan nilai h menjadi

h = m

tabung ini diperlihatkan dengan lingkaran berwarna dalam
Gambar 5.17.








00 . 5
9 12
1
10 46 . 3 / 50 10 854 . 8 4 / 4
= =

x x x x L V
e e
t tc
42 . 13
1 5
5 12 2
1
2
1
1
=

x
K
K a
18
1 5
1 5
12
1
1
1
1
=

+
=

+
K
K
a
intensitas medan listrik dapat ditemukan dengan
mengambil gradien medan potensialnya, seperti pada
(52).
E =
Jadi
E =
Dan
D =

Jika kita evaluasi D
x
pada x = h b , y = 0, kita peroleh
P
Smaks
P
S maks
=








(

+
+ +
V
2 2
2 2
) (
) (
1
4 y a x
y a x
n
L
tc

+
+

+ +
+ +

2 2 2 2
) (
2 ) ( 2
) (
2 ) ( 2
4 y a x
ya a a x
y a x
ya a a x
pL
y x y x
tc
(

+
+

+ +
+ +
=
2 2 2 2
) (
) (
) (
) (
2 y a x
ya a a x
y a x
ya a a x
PL
E
y x y x
t
c
(

+
+
=
= =
2 2
0 , ,
) ( ) ( 2 a b h
a b h
a b h
a b h pL
D
y b h x x
t
Untuk contoh kita,

P
S maks
= nC/m2

Dengan cara yang sama P
S min
= D
x
,
x = h + b, y = 0,
dan

P
S min
= nC/m2


Jadi, P
S maks
= 2,25 P
S min

Jika kita pakai (57) untuk soal konduktor dengan b < h, maka

C = (b << h)








1650 . 0
) 12 5 13 (
12 5 13
) 12 5 13 (
12 5 13
2
10 46 . 3
2 2
9
=
(

+
+ +

t
x
0734 . 0
6
12 5 13
30
12 5 13
2
10 46 . 3
2 2
9
=
(

+ +

t
x
) / 2 ( 1
2
b h n
L tc
PERTAMBAHAN MUATAN AQ = ASAL YANG BERPINDAH SEJARAK AX DALAM
WAKTU AT, MENIMBULKAN KERAPATAN ARUS YANG LIMITNYA JX = VX.
v v
Q A = A
S A
x A
L A
v v
Q A = A
S A
L A
x
y
x
y
z
z
PITA
KONDUKSI PITA
KOSONG KONDUKSI
KOSONG

PITA GAP ENERGI GAP ENERGI
KONDUKSI
KOSONG
ENERGI
PITA PITA PITA
VALENSI VALENSI VALENSI
TERISI PENUH TERISI PENUH TERISI PENUH


KONDUKTOR ISOLATOR SEMI KONDUKTOR


(a) (b) (c)




Struktur pita energi tiga jenis bahan pada 0 K. (a) Konduktor menunjukkan tidak
ada jurang energi antara pita valensi dan pita konduksi. (b) Isolator menunjukkan
jurang energi yang lebar. (c) semikonduktor memiliki jurang energi yang sempit.








KERAPATAN ARUS SERBASAMA J DAN INTENSITAS MEDAN
LISTRIK E PADA TABUNG YANG PANJANGNYA L DAN LUAS
PENAMPANGNYA S. DI SINI V = IR, DENGAN R = L/oS.
L
L
V
E =
TAS KONDUKTIVI
S LUAS =
JS I =
LINTASAN TERTUTUP DAN PERMUKAAN GAUSS YANG SESUAI
DIGUNAKAN UNTUK MENENTUKAN SYARAT BATAS PADA
PERBATASAN KONDUKTOR RUANG HAMPA : ET = 0 DAN DN =
PS
D
b
s A
h A
h A
w A
w A
h A
c
a
d
E
D
N
D
N
E
t
E
RUANG HAMPA
BILA DIBERIKAN TITIK P (2, -1, 3) DAN MEDAN POTENSIAL V = 100 (X2 Y2), MAKA
KITA DAPATKAN PERMUKAAN SEPOTENSIAL YANG MELALUI P YAITU X2 Y2 = 3, DAN
GARIS MEDAN YANG MELALUI P ADALAH XY = -2.

y

X

P(2,-1,3)

1

0

2

1 3

-1

-2

-3

XY = -2

X
2
Y
2
= 3
v = 300 v

(A) DUA MUATAN YANG SAMA BESAR TETAPI TANDANYA BERLAWANAN DAPAT
DIGANTI DENGAN (B) SEBUAH MUATAN DAN BIDANG-DATAR KONDUKTOR
TANPA MENGUBAH MEDAN DI ATAS PERMUKAAN V = 0
+Q-
+Q-
PERMUKAAN SEPOTENSIAL v = 0 BIDANG DATAR KONDUKTOR v = 0
-Q-
+Q-
+Q-
-Q-
(a)
(b)
(a) Suatu konfigurasi muatan di atas bidang-datar konduktor dapat diganti
oleh (b) konfigurasi muatan yang diketahui tersebut ditambah dengan
konfigurasi santirnya, tanpa bidang konduktor tersebut.
BIDANG DATAR KONDUKTOR V = 0 BIDANG DATAR KONDUKTOR V = 0
+1-
-4-

L
-
L

L
+4-
-4-
-1-
+1-
(A) SEBUAH MUATAN GARIS DI ATAS BIDANG KONDUKTOR (B) KONDUKTOR
DIHILANGKAN, DAN BAYANGAN MUATAN GARIS DITAMBAHKAN.








30 nC/m
30 nC/m
-30 nC/m
P(2,5,0)
x
z
y
x
y
z
BIDANG KONDUKTOR
P
R
-
R
+
(b) (a)
(a) unsur pertambahan permukaan AS ditunjukkan berada dalam dielektrik
dalam medan listrik E.
(b) molekul takberkutub membentuk momen dwikutub p dan pengutuban P.
ada peralihan neto muatan terikat melewati AS.
BAHAN DIELEKTRIK
s
E
(a)
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
- -
-
-
-
-
-
-
-
+
-
d cos
d cos
(b)
Perbatasan antara dilektrik yang permitivitasnya 1 dan 2. Kemalaran Dn diperlihatkan
dengan permukaan Gauss di sebelah kanan, dan kemalaran Etan dengan integral
sekeliling lintasan tertutup di sebelah kiri.
DAERAH 1
DAERAH 2
E
tan 1
E
tan
2
D
N 1
D
N1
S
Pembiasan D pada perbatasan dielektrik. Untuk kasus ini 1 lebih besar dari 2 ; E1
dan E2 searah dengan D1 dan D2, dengan D1> D2 dan E1< E2.
D
tan 1
D
N1
D
1
D
tan 2
D
N2
D
2

2

TEPLON


x
e
= 1,1
E = E
0
- - E = 0,476 E
0
- E = E
0
D = c
0
E
0
- - D = c
0
E
0
- D = c
0
E
0
P = 0 - - P = 0,524 c
0
E
0
- P = 0


X = 0 x = a

Pengetahuan akan medan listrik diluar elektrik memungkinkan kita untuk
menemukan medan eksternal lainnya dan memakai
kemalaran D normal untuk mulai mencari medan internal



1 , 2 =
R
c
Persoalan kapasitor keping-keping kapasitas per satuan luas permukaan
ialah e/d.
PERMUKAAN
KONDUKTOR
KERAPATAN
PERMUKAAN
MUATAN
BERSAMA
PERMUKAAN
KONDUKTOR
-s
+s