Fairchild Semiconductor

2N5457 / 2N5458 / 2N5459 / MMBF5457 / MMBF5458 / MMBF5459

Discrete POWER & Signal Technologies

2N5457 2N5458 2N5459

MMBF5457 MMBF5458 MMBF5459

G

D G S

TO-92
D

SOT-23
Marca: 6D / 61S / 6L

Amplificador de canal N de propsito general

Este dispositivo consiste en un amplificador de audio de bajo nivel y transistores de conmutacin. Se puede utilizar para aplicaciones anlogas de conmutacin. Fuente obtenida de Process 55.

Especificaciones mximas absolutas*

Smbolo
VDG VGS IGF TJ, Tstg

TA = 25C si no hay contraindicacin

Parmetro
Tensin drenaje-compuerta Tensin compuerta-fuente Corriente de compuerta directa
Margen de temperaturas de la conexin de funcionamiento y de almacenamiento

Valor
25 - 25 10 -55 a +150

Unidades
V V mA C

*Estos valores son limitados y sobrepasarlos puede afectar a la capacidad de servicio de cualquier dispositivo semiconductor.
NOTAS: 1) Estos valores lmite se basan en una temperatura mxima de unin de 150 grados centgrados. 2) Estos lmites son de rgimen permanente. Se debera consultar a la fbrica acerca de las aplicaciones que implican funcionamientos pulsados o ciclos de utilizacin reducidos.

Caractersticas trmicas
Smbolo
PD RJC RJA

TA = 25C si no hay contraindicacin

Caracterstica
Disipacin total del dispositivo Degradacin por encima de 25C Resistencia trmica, conexin a caja Resistencia trmica, conexin a ambiente 2N5457 625 5,0 83,3 200

Mx.
*MMBF5457 350 2,8 357

Unidades
mW mW /C C/W C/W

*Dispositivo montado sobre FR-4 PCB 1,6" X 1,6" X 0,06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

2N5457 / 2N5458 / 2N5459 / MMBF5457 / MMBF5458 / MMBF5459

Amplificador de canal N de propsito general

(continuacin)

Caractersticas elctricas
Smbolo Parmetro

TA = 25C si no hay contraindicacin

Condiciones de la prueba

Mn.

Tipo

Mx. Unidades

CARACTERSTICAS DE DESCONEXIN
V(BR)GSS IGSS VGS(off) Tensin de ruptura compuerta-fuente IG = 10 A, VDS = 0 Corriente inversa de compuerta VGS = -15 V, VDS = 0 VGS = -15 V, VDS = 0, TA = 100C Tensin de corte compuerta-fuente VDS = 15 V, ID = 10 nA 2N5457 2N5458 2N5459 Tensin compuerta-fuente VDS = 15 V, ID = 100 A 2N5457 VDS = 15 V, ID = 200 A 2N5458 VDS = 15 V, ID = 400 A 2N5459 - 25 - 1,0 - 200 - 6,0 - 7,0 - 8,0 - 2,5 - 3,5 - 4,5 V nA nA V V V V V V

- 0,5 - 1,0 - 2,0

VGS

CARACTERSTICAS DE CONEXIN
IDSS Corriente de drenaje de tensin de compuerta nula* VDS = 15 V, VGS = 0 2N5457 2N5458 2N5459 1,0 2,0 4,0 3,0 6,0 9,0 5,0 9,0 16 mA mA mA

CARACTERSTICAS DE PEQUEA SEAL

gfs
Conductancia de transferencia directa* VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1,0 kHz 2N5457 2N5458 2N5459 Conductancia de salida* VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1.0 kHz

1000 1500 2000 10 4,5 1,5

gos Ciss Crss NF

5000 5500 6000 50 7,0 3,0 3,0

mhos mhos mhos mhos pF pF dB

Capacitancia de entrada Figura de ruido

VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1.0 kHz, RG = 1.0 megohm, BW = 1.0 Hz

Capacitancia de transferencia inversa VDS = 15 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz

*Prueba de impulsos: anchura entre impulsos 300 ms, ciclo de funcionamiento 2%

Caractersticas tpicas
Caractersticas de transferencia Caractersticas de transferencia

NOTA: Drain current (corriente de drenaje); gate-source voltage (tensin compuerta-fuente)

2N5457 / 2N5458 / 2N5459 / MMBF5457 / MMBF5458 / MMBF5459

Amplificador de canal N de propsito general

(continuacin)

Caractersticas tpicas

(continuacin)

Caractersticas de transferencia

Caractersticas de transferencia

NOTA: Transconductance (transconductancia); Gate-source voltage (tensin compuerta-fuente).

Drenaje-fuente comn

Interaccin de parmetros

NOTA: Drain current (corriente de ganancia); drain saturation current (corriente de saturacin de drenaje); gate cutoff voltage (tensin de corte de drenaje); drain-source voltage (tensin drenaje-fuente).

Conductancia de salida frente a corriente de drenaje

Transconductancia frente a corriente de drenaje

NOTA: Output conductance (conductancia de salida); drain current (corriente de drenaje); transconductance (transconductancia).

2N5457 / 2N5458 / 2N5459 / MMBF5457 / MMBF5458 / MMBF5459

Amplificador de canal N de propsito general

(continuacin)

Caractersticas tpicas

(continuacin)

Resistencia de canal frente a temperatura

Tensin de ruido frente a frecuencia

NOTA: Drain on resistance (resistencia de conexin de drenaje); ambient temperature (temperatura ambiente); noise voltage (tensin de ruido); frequency (frecuencia).

Corriente de fuga frente a tensin

Capacitancia frente a tensin

NOTA: Gate leackage current (corriente de fuga de compuerta); drain-gate voltage (tensin drenaje-compuerta); capacitance (capacitancia); gate-source voltage (tensin compuerta-fuente).