Enlaces Qumicos

INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE VALLADOLID

Qumica Gabriela Guadalupe Huitz Chan. Nombre del alumno: Jairo Israel Medina Cervera Grupo: 1B Tema-. Enlaces Qumicos. 3.3.1.- Formacin y Propiedades de los compuestos inicos. 3.3.2.-Redes cristalinas. 3.3.2.1.-Estructura. 3.3.2.2.-Energia reticular.

Fecha de entrega: 08 de Noviembre 2012

Enlaces Qumicos

INDICE

Unidad 3.- ENLACES QUIMICOS

3.3.2.-Redes cristalinas.. pag. 4 3.3.2.1.-Estructura... pag.6 3.3.2.2.-Energia reticular pag.10

INDICE DE FIGURAS

Figura 1 pag. 4

Figura 2.. pag.6

Figura 3.. pag. 6

Figura 4

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Tabla 1 pag. 5

Enlaces Qumicos INTRODUCCIN Hablaremos de tres temas impoetantes en la quimica, encontraremos informacin de las redes cristalinas, la estructura y sombre la energia retucilar. Las redes cristalinas nos hablan sobre los tipos de formacin de los ines de signo o puestos, que al pasar esto los ines crean su propio campo electrico, veremos que los solidos cristalinos logran mantener sus ines en contacto mutuo ya que son ines incomprencibles, de manera que estos ines no pueden moverse de manera libremente si no que tienen una posicin fija que en su espacio estan desordenados formando redes espaciales. Encontraremos en este tema los cristalgrafos que nos quiere decir la clacifiacin de los de los reticulos cristalinos, en cada uno de los ines pueden ocupar los vrtices, los centros de la cara o el centro del cuerpo. La estructura de estos ines encontraremos varios tipos de estructura cada una de ellas la diferencia su forma de configuracin, cada una de ellas los lo cambia el tipo de vertice que tienen y sus tipos de cara. La energia reticular o conosida como energia de red, es la que nos sirve para separar de manera completa un mol de un compuesto tipo inico en su forma correcta de ines gaseosos. Este tipod de redes nso ensea la estabilidad que se puede tener, la energia reticular puede ser medida de manera directa sin embargo, conosiendo la estructura y el compuesto inico que tenga aquella. La energia reticular puede conoserce de manera indirecta a traves de la ley de Hass Hess (caso particular del primer principio de la termodinmica). Tambin existe la posibilidad de calcular la energa reticular de manera indirecta mediante los ciclos termodinmicos.

Enlaces Qumicos REDES CRISTALINAS La red cristalina est formada por iones de signo o puesto, de manera que cada uno crea a su alrededor un campo elctrico que posibilita que estn rodeados de iodes contrarios. Los slidos cristalinos mantienen sus iones prcticamente en contacto mutuo, lo que nos demuestra que sean prcticamente incompresibles. Adems, estos iones no pueden moverse libremente, sino que se hallan dispuestos en posiciones fijas distribudas desordenadamente en el espacio formando retculos cristalinos o redes espaciales. Los cristalgrafos clasifican los retculos cristalinos en siete tipos de poliedros llamada sistemas cristalogrficos. En cada uno de ellos, los iones pueden ocupar los vrtices, los centros de las caras o el centro del cuerpo de dichos poliedros. El ms sencillo de stos recibe el nombre de celdilla de unidad. Uno de los parmetros bsicos de todo cristal es el llamado ndice de coordinacin que podemos definir como el nmero de iones de un signo que rodean a un ion de signo opuesto. Podrn existir, segn los casos, ndices diferentes para el catin y para el anin. El ndice de coordinacin, as como el tipo de estructura geomtrica en que cristalice un compuesto inico dependen de dos factores: Tamao de los iones. El valor del radio de los iones marcar las distancias de equilibrio a que stos se situarn entre s por simple cuestin de cabida eni espacio de la red. Carga de los iones. Se agruparn los iones en la red de forma que se mantenga la electroneutralidad del cristal. Un ejemplo podra ser la red del cloruro de cesio. Su relacin de cargas es tambin 1:1 y su ndice de coordinacin es 8, puesto que estos iones son de tamao ms parecido y, por tanto, cada uno permite ser rodeado por ocho iones de signo opuesto, con lo que se formar una red cbica centrada en el cuerpo cuya frmula proporcional sera CsnCln, que este quiomtricamente formularemos como CsCl. Figura 1
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El nmero de iones existentes en la red cristalina es indefinido, de manera que la frmula con que caracterizamos una sustancia inica slo indica la cantidad relativa (proporcin) de iones de uno u otro signo que deben existir en el cristal para mantener la neutralidad elctrica. Podemos agrupar la mayor parte de los compuestos inicos en una serie de estructuras: Red ndice de coordinacin Compuesto CsCl, CsBr, Csl

Cbica centrada en el 8 cuerpo Cbica centrada en las 6 caras Tetradrica 4 Catin Anin = 4 Catin Anin = 3 = 8

NaCl, NaBr, Nal, MgO, CaO

ZnS, BeO, BeS

CaF2, SrF2, BaCl2

Tipo fluorita

Tipo rutilo Tabla 1

TiO2, SnO2, PbO2

Enlaces Qumicos TIPOS DE ESTRUCTURAS Son comunes tres estructuras de redes cristalinas en los metales: Estructura cbica centrada Formada por un tomo del metal en cada uno de los vrtices de un cubo y un tomo en el centro. Los metalesque cristalizan en esta estructura son: hierro alfa, titanio, tungsteno, molibdeno, niobio, vanadio, cromo, circonio, talio, sodio y potasio.

Figura 2 Estructura cbica centrada en el cuerpo

Cada tomo de la estructura, est rodeado por ocho tomos adyacentes y los tomos de los vrtices estn en contacto segn las diagonales del cubo Estructura cbica centrada en las caras Est constituida por un tomo en cada vrtice y un tomo en cada cara del cubo. Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro gama, cobre, plata, platino, oro, plomo y nquel.

Figura 3

Enlaces Qumicos Estructura cbica centrada en las caras

Cada tomo est rodeado por doce tomos adyacentes y los tomos de las caras estn en contacto.

Estructura hexagonal compacta Esta estructura est determinada por un tomo en cada uno de los vrtices de un prisma hexagonal, un tomo en las bases del prisma y tres tomos dentro de la celda unitaria.

Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos estn en contacto segn los lados de los hexgonos bases del prisma hexagonal. Los metales que cristalizan en esta forma de estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio, cobalto, circonio y cadmio.

Figura 4

Estructura hexagonal compacta Algunos metales sufren cambio de estructura a diferentes temperaturas como el hierro que se presenta como cbico centrado a temperatura normal pero cambia a centrado en las caras a 912C y vuelve a ser cbico centrado a 1400C; cuando un metal cambia su estructura de esta manera se dice que es alotrpico. Las estructuras cristalinas de slidos cristalinos pueden determinarse mediante anlisis de difraccin de rayos X utilizando difractmetros por el mtodo de
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Enlaces Qumicos muestra en polvo. Los rayos X son difractados por los cristales cuando se cumplen las condiciones de la ley de Bragg.

Y = Longitud de onda de los rayos X difractados

a = parmetro de red de la celda unitaria

d = distancia interplanar

= ngulo de difraccin de los rayos X difractados

h + k + l = indices de Miller del plano de difraccin Las imperfecciones, es decir, los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de lnea o dislocaciones y defectos de superficie. Las dislocaciones son defectos de lnea que se mueven al aplicar una fuerza al material haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crtico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislocacin. La dislocacin se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de deslizamiento y una direccin de deslizamiento. La direccin de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tpicamente es una direccin compacta. El plano de deslizamiento normalmente tambin es compacto o casi compacto. En los cristales metlicos, el nmero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propiedades del metal. En los metales fcc,
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Enlaces Qumicos el esfuerzo cortante resultante crtico es bajo y existe un nmero ptimo de planos de deslizamiento; en consecuencia, los metales fcc tienden a ser dctiles. En el caso de los metales bc, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante crtico es alto; por lo que los metales bc tienden a ser resistentes. El nmero de sistemas de deslizamiento en los metales hcp es limitado, haciendo que estos metales se comporten de manera frgil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, tomos intersticiales y tomos sustitucionales, introducen campos de esfuerzos de compresin o de tensin que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanas de defectos puntuales, incrementndose la resistencia del material. El nmero de vacancias, o de puntos de red vacos, depende de la temperatura del material; los tomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre tomos normales) y los tomos sustitucionales (que remplazan al tomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su nmero no se altera por los cambios de temperatura del material.

Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano. Al producir un tamao de grano pequeo se incrementa la cantidad de rea de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a travs de un borde de grano, el material se hace ms resistente y se incrementa el nmero de dislocaciones (fuente de Frank Read).

El nmero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones y, por tanto, influyen de manera directa sobre las propiedades mecnicas del material. El endurecimiento por solucin slida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimiento por tamao de grano se obtiene al producir un material con granos ms pequeos.

Enlaces Qumicos ENERGIA RETICULAR La energa reticular, tambin conocida como energa de red, es la energa que se necesita para poder separar de manera completa un mol de un compuesto de tipo inico en sus respectivos iones gaseosos. Tambin se puede decir que la energa reticular es la energa que se consigue a travs de la formacin de un compuesto de tipo inico partiendo siempre de sus iones gaseosos. Este tipo de energa muestra la estabilidad que tiene las redes cristalinas, y viene medida como energa/mol, teniendo las mismas unidades de medida que tiene la entalpa estndar (H), es decir KJ/mol, aunque de signo opuesto. La energa reticular es imposible de medir de forma directa, sin embargo, conociendo la estructura y la composicin que tenga el compuesto inico que queramos estudiar, podemos calcular o al menos aproximarnos a ella mediante una ecuacin que da el modelo inico, basado en la Ley de Coulomb, entre otras. Tambin existe la posibilidad de calcular la energa reticular de manera indirecta mediante los ciclos termodinmicos.

El modelo inico es aquel que se encuentra formado por cationes y aniones a travs de fuerzas electrostticas, siempre que estemos hablando del estado slido. Este caso concreto es vlido solamente si existe bastante diferencia de electronegatividad entre los elementos que forman el compuesto. En un slido inico, los electrones se encuentran localizados en los correspondientes iones, estando bajo la influencia solamente de sus respectivos ncleos. No hay deslocalizacin de los electrones como podra ocurrir en el caso de los slidos de tipo metlicos, ni siquiera hay comparticin de electrones como en el caso de los slidos de tipo covalente. La localizacin de los electrones tiene como consecuencia la no conduccin de la corriente elctrica para los slidos inicos, pero si son aislantes. La ecuacin que viene tras aplicar dicho modelo es: Uo = -( Na . A . Z^+ . Z^- .q^2 ) / 4o . do . ( 1-1/n) De donde Na es el nmero de Avogadro y A es la constante de Madelung, la cual vara segn la estructura que tenga el compuesto inico en estudio, Z^+ es decir la carga del catin y en el caso negativo la carga del anin.
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Enlaces Qumicos La carga del electrn viene representada con la letra q, o es la permisividad del vaco, do la distancia que existe entre el anin y el catin, y por ltimo n, hace referencia a los exponentes de Born. La energa reticular se puede conocer de manera experimental indirectamente a travs de la aplicacin de la ley de Hess (caso particular del primer principio de la termodinmica). Cuando se usa este caso se conoce como ciclo de Born-Haber, el cual consiste en examinar un ciclo termodinmico que es resultado de considerar la energa que participa en la formacin del compuesto inico de tipo slido, as como tambin se puede explicar como la energa a partir de los elementos que forman el compuesto estndar, o aquella que se transfiere en la formacin de los compuestos partiendo siempre de los elemento que se encuentran en estado estndar pero siguiendo un camino distinto que est formado por diferentes etapas: 1. En primer lugar el proceso de formacin de los tomos que se encuentran en estado gaseoso partiendo de los elementos siempre en su estado estndar. En este paso por regla general se tiene en cuenta las energas que se encuentran asociadas a la sublimacin, y vaporizacin de los distintos elementos que forman el compuesto, y por lo tanto depender del estado de agregacin en el que se encuentren cada uno de ellos. 2. En la segunda etapa tiene lugar la formacin de iones estables, los cuales se encuentran en el retculo inico del cual parten los elementos que se encuentran en estado gaseoso. En este paso se encuentran implicadas la energa de ionizacin, as como la afinidad electrnica de los elementos implicados. 3. En el tercer paso tiene lugar la formacin de la red cristalina partiendo de los iones gaseosos y estables. La energa que se desprende cuando se forma un compuesto partiendo de un metal y de un no metal.

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Enlaces Qumicos REFERENCIAS

Libros: -QUMICA GENERAL Un nuevo enfoque en la enseanza de la Qumica Rasma Medina Santillanes y Enrique Gutirrez Moreno. -Di Risio Cecilia - Quimica Basica.

Internet http://www.slideshare.net/pacheco/compuestos-ionicos http://www.montenegroripoll.com/Quimica2/Tema3/Propiedades.htm

http://www.montenegroripoll.com/Quimica2/Tema3/red.htm

http://concurso.cnice.mec.es/cnice2005/93_iniciacion_interactiva_materia/c urso/materiales/enlaces/ionico.htm

http://quimica.laguia2000.com/quimica-inorganica/energia-reticular

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