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Le Transistor à Effet de Champ (FET)

Le Transistor à Effet de Champ (FET)

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Page 1Le transistor à effet de champ (FET)12/05/2008 19:44 Orkas Ultimatehttp://licencer.free.fr/FET.html
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Le transistor à effet de champ (FET).
I.
INTRODUCTION.
Nousavons vu au chapitre précédent que le transistor à jonction était une source de courantcommandée par un courant.Cette caractéristique permet à ce type de composants d'amplifierdes signaux alternatifs.Du point de vue théorique,on peut imaginerd'autres dispositifs similaires,mais caractérisés parun mode d'attaque différent :par exemple,une source de courant commandée par une tension.Le principe reste le même (une source commandée),seule la nature du signal de commandechange.Cet objet théorique existe :la famille des transistors à effet de champ (Field EffectTransistor enanglais,FET) répond à la définition précédente :ce sontdes sources de courant commandéesen tension.De ce point de vue,on conçoit aisément que l'étude des FET va être en touspoints similaires àcelle des transistors à jonction,et ce,malgré un fonctionnement microscopique complètementdifférent.Il ne faudra donc surtout pas se polarisersur lesdifférences de structure et de fonctionnementprises du point de vue cristallographique,mais voir au contraire toutes lessimilitudes existantavec le transistor à jonction :polarisation,conversion courant /tension,amplification en régimedes petitssignauxCessimilitudes sontdues aussien grande partie au fait qu'on utilise lesmêmes outilsdemodélisation pour lesdeux composants.II.
LE TRANSISTOR FET À JONCTION.
A.
PRINCIPE DEFONCTIONNEMENT.
1.
Constitution d'un FET.
De même qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN etPNP),le FET à jonction (ou JFET) estdécliné en deux versions :le
canalN
et le
canalP
.Le FET à jonction canalN estconstitué d'une mince plaquette de silicium N qui vaformer le canal conducteur principal.Cette plaquette estrecouverte partiellement d'unecouche de silicium P de manière à former une jonction PN latérale par rapport au canal(Fig.1.).
 
Page 2Le transistor à effet de champ (FET)12/05/2008 19:44 Orkas Ultimatehttp://licencer.free.fr/FET.html
Fig.1.FET à jonction à canalN (principe).Le courant circulera dans le canal,rentrant par une première électrode,le
drain
etsortant par une deuxième,la
source
.L'électrode connectée à la couche de silicium Psert à commander la conduction du courant dans le canal ;on l'appelle la
grille
,paranalogie avec l'électrode du même nom présente sur lestubes à vides.Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canalpolarisée eninverse.2.
Phénomène de pincement.Tension drain-source nulle.
Pour simplifier le raisonnement,nous allons considérer dans un premiertemps unmontage (Fig.2.) où le canal estcourt-circuité (V
DS
= 0) et où la grille està unpotentiel négatif par rapport au canal (jonction polarisée en inverse).Nousavons vu dans le chapitre consacré à la diode que le fait depolariserla jonction en inversecréait une zone vide de porteurs,appelée zone de déplétion :lestrous de la zone P se recombinentavec lesélectrons de la zone N,créant ainsiune zone neutre (il n'y a plusde porteurs pour assurerla conduction électrique)d'épaisseur w = k|V
GS
|.Fig.2.Modulation de conductivité à V
DS
= 0.Il reste dans le canalN une zone conductrice d'épaisseur (h-w).La résistance entredrain etsource sera alors égale à :où b estla largeur du canalet sa résistivité.La résistance R
DS
varie donc avec latension (inverse) appliquée sur la jonction grille-canal.A la limite,pour V
GS
= V
P
,appelée tension de pincement,la zone de déplétion ferme le canal :il n'y a plus deporteurs,etla résistance entre source et drain tend vers l'infini (Fig.3.) :c'estlephénomène de pincement.
 
Page 3Le transistor à effet de champ (FET)12/05/2008 19:44 Orkas Ultimatehttp://licencer.free.fr/FET.html
Fig.3.Phénomène de pincement.
Tension drain-source non nulle.
Si on reprend le montage précédent,et qu'en plus on applique une tension positiveentre le drain etla source,le gradient de potentiel présent tout le long du barreau desilicium constituant le canal va modifier le profil de la zone de déplétion.Vers ledrain,la tension grille-canalsera supérieure (en valeur absolue) à ce qu'elle estvers la source.En effet,on a la relation (attention,tous lestermes sontnégatifs) :En conséquence,la zone isolante présente une forme similaire à celle donnée surla figure 4.Fig.4.Modulation de conductivité pour V
DS
non nul.Sur cette figure,le canaln'est pas complètement bouché.Si on augmente latension V
DS
,à V
GS
donnée,l'épaisseur isolante w
2
va augmenter ;à partird'unecertaine tension V
DS
,correspondant à une largeur du canal très faible,le courantva tendre vers une valeur constante,car deux phénomènes contradictoires vonts'équilibrer :- une augmentation de V
DS
devrait entraîner un accroissement du courant dans lecanal(loi d'ohm),- mais cette augmentation de V
DS
va accroître la tension VDG,qui aura pour effetd'agrandir la zone de déplétion etentraîner une diminution de la largeur du canal,donc,de sa résistivité.Un accroissement de la tension V
DS
ne va donc pas entraîner une augmentation ducourant dans le canal (le courant de drain),mais une augmentation de la résistivitéde ce canal.Le courant de drain va tendre vers une valeur constante.

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