Professional Documents
Culture Documents
cu formula complet (&.33) Interpretarea datelor de catalog Datele de catalog ale unei fotodiode cu avalan difer de datele de catalog ale unei fotodiode p-i-n doar n legtur cu dou caracteristici: factorul de multiplicare, M, i tensiunea de strpungere, V BR . Parametrul M a fost discutat anterior, prin urmare ne vom concentra atenia asupra tensiunii de strpungere. Caracteristica Curent versus Tensiune este prezentat n fig.&.18.
Fig.&.18. Exist o tensiune inversa pe fotodioda la care regiunea activ se ntinde pe toat lungimea dispozitivului, acesta devenind un simplu conductor. Aceasta este V BR . Mrind tensiunea invers peste aceast valoare, curentul crete ca la un conductor, prin urmare poate conduce la o distrugere a dispozitivului. Pentru o fotodiod cu avalan, tensiunea de strpungere poate avea valori ntre 70 V i 200 V, n functie de material. De exemplu, la o fotodioda pe InGaAs, V BR este tipic 70 V. Un alt motiv pentru care acest parametru este important este acela c o fotodiod cu avalan de regul se polarizeaza la o tensiune invers care este o fractie din V BR . Valorile tipice sunt ntre 0.8 i 0.9 din V BR . Caracteristica din fig.&.18 ne ofer i o alt informaie util. Panta graficului la V = 0 este rezistena jonciunii: dV dI = R j . [1]Govind Agrawal, "Fiber-Optic Communication Systems", New York, John Wiley and Sons, 1997. [2] Chin-Len Chen, Elements of Optoelectronics and Fiber Optics, Chicago: Irwin, 1996. [3] S.E.Miller, I.P. Kaminow, Optical Fiber Telecommunications II, Academic press, 1988, pag. 589-722.
26
FOTODIODE S considerm acum dou limite: (1) zgomotul de alice este mult mai mare dect zgomotul termic i (2) zgomotul termic este mult mai mare dect zgomotul de alice. n
2 primul caz, i s >> i 2 , iar formula (&.56) devine: t
(&.57)
[(4k B T
R L )BWPD ]
(&.58)
Este evident avantajul folosirii fotodiodei cu avalan n cazul in care zgomotul termic este limita: raportul semnal-zgomot crete cu ptratul factorului de multiplicare.
Exemplu S se calculeze SNRs , SNRt i raportul semnal-zgomot global pentru fotodiode cu avalan pe Si i InGaAs, dac M = 20, P = 0.1W, R = 0.9 A/W, RL = 50 k, BWPD = 2.5 GHz i T = 300K. Soluie Utiliznd formula (&.57), calculm SNRs = 45.2 pentru fotodioda cu avalan pe Si i SNRs = 8.8 pentru fotodioda cu avalan pe InGaAs. Utiliznd formula (&.58), calculm SNRt = 3912.3 , care nu depinde de materialul semiconductor. Se poate observa cit de mult s-a redus impactul zgomotului termic n dioda cu avalam. Utilizind formula (&.56) calculm SNR global al diodei:
Se observ c SNR pentru o diod cu avalan este determinat n principal de SNR limitat de zgomotul de alice. Acest lucru se datorete faptului ca cele doua zgomote eu fost tratate la fel. n realitate influena zgomotului termic este mai mare i prin urmare SNR este undeva ntre SNRs i SNRt . Privind mai cu atentie in formula (&.56) observm ca se poate calcula un factor de multiplicare optim, M opt , din punctul de vedere al raportului semnal-zgomot, [1]: M opt = [(4k B T ) (k A R L eRP )]1 3 (&.59)
Dac aplicm cifrele din exemplul precedent, M opt este 8.56 pentru Si i 3.15 pentru InGaAs. Performanele unui diode cu avalan sunt mai bune cu ct k A este mai mic.
25
FOTODIODE poate depi 1 Ghz, n timp ce la o fotodioda pe InGaAs la care ctigul este de cca. 40, banda poate atinge 3 GHz. Prin urmare, fotodiodele cu avalan pe Si sunt utile pentru reele de viteze medii, care funcioneaza de obicei la 850 nm, n timp ce fotodiodele cu avalan pe InGaAs pot fi folosite n reelele de mare vitez (pn la 3 GHz), reele care funcioneaz de obicei pe 1300 nm i 1550 nm. Dac comparm o fotodiod p-i-n cu o band de 5 GHz i ctigul 1 cu o fotodiod cu avalan cu banda de 15 GHz i ctigul 10, observm c fotodioda cu avalan este de cel puin 10 ori mai sensibil dect fotodioda p-i-n, la benzi comparabile, ceea ce implica o legtur de 10 ori mai lung. Acest avantaj poate ns s dispar dac ne reamintim c fotodioda cu avalan necesit tensiuni mari de polarizare invers.
Zgomotul i raportul semnal-zgomot pentru o fotodioda cu avalan.
Pentru o fotodioda cu avalan, situaia este urmtoare: Procesul de ionizare prin impact aplific fotocurentul, ceea ce nseamn o cretere a numrtorului n formula pentru SNR. Pe de alt parte, acelai proces mrete zgomotul de alice, deoarece acesta depinde de fotocurent. Fizica fenomenului este aceea c perechile secundare electron-gol sunt generate aleator, ceea ce intensific zgomotul de alice. Prin urmare, factorul de multiplicare M devine aleator. Pentru a manipula procesul de ionizare cu M un factor de multiplicare mediu, se introduce un nou coeficient numit factor de zgomot n exces, Fs . Trecnd peste toate detaliile de calcul, formula pentru zgomotul de alice al unei fotodiode cu avalan este, [1]:
2 i s (APD) = M 2 [2eFs (RP )BWPD ]
(&.53)
n cazul siliciului, k A = 0.03 , iar n cazul InGaAs, k A = 0.6 . Zgomotul termic nu depinde de procesul de ionizare, deoarece el nu depinde de fotocurent ci de rezistoare. Prin urmare, valoarea efectiv a curentului de zgomot termic va fi data de formula:
it =
(4k B T
R L )BWPD
(&.55)
n concluzie, raportul semnal-zgomot, SNR, al unei fotodiode cu avalan poate fi scris sub forma:
2 2 SNR (APD) = I 2 I 2 is + i 2 = t P zgomot = (MRP )
= (MRP )2
(&.56)
24
FOTODIODE
R APD = MR p i n = M( 1248)
(&.48)
Nu trebuie uitat c n relaia de mai sus lungimea de und este n nm. Factorul de multiplicare M depinde de tensiunea de accelerare, de grosimea regiunii de avalan i de raportul electroni-goluri care particip la procesul de ionizare. Deci putem controla factorul de multiplicare M prin tensiunea invers aplicat. M are valori n intervalul 10..500. Trebuie s reinem c procesul de multiplicare n avalan este esenialmente aleator, prin urmare tot aa este i M. Prin urmare cnd facem consideraii asupra acestui parametru, nu trebuie sa uitm c lucrm cu o valoare medie. Tot din fizica procesului rezulta ca acesta este zgomotos. Totui, acest fapt nu anuleaza avantajul principal al fotodiodei cu avalan, acela de a amplifica intern fotocurentul fr a aduga zgomot asociat cu circuitul electronic extern
Banda fotodiodei cu avalan.
Consideraiile asupra benzii fotodiodei cu avalan necesi o alt abordare dect n cazul fotodiodei p-i-n. Deoarece fotodioda cu avalan introduce aplificare, caracteristica universal a unui asemenea dispozitiv este produsul ctig-band: M x BW. Pentru o fotodiod cu avalan tipic, acest produs este, [1]: M BW = 1 (2 e ) (&.49)
unde M este factorul de multiplicare la frecven zero i e este timpul efectiv de tranzit care se poate calcula cu relaia: e = k A tr tr este timpul de trnzit definit de formula: tr = w v sat (&.51) (&.50)
unde w este lungimea regiunii active, iar v sat este viteza de saturaie a purttorilor. n relaia (&.50), k A este raportul goluri-electroni implicai in procesul de ionizare. Acest raport depinde de material, avnd valoarea 0.03 pentru Si, 0.8 pentru Ge i 0.6 pentru InGaAs. Ctigul fotodiodei cu avalan depinde de frecven, [1]:
M () = M
(1 + (e M )2 )
(&.52)
unde M este M(0). Produsul ctig-band este cca. 500 GHz pentru o fotodiod pe Si i 120 GHz pentru o fotodiod pe InGaAs. Deoarece fotodioda pe Si are un ctig maxim de 500, banda sa nu
23
FOTODIODE
Fotodioda cu avalan
Ceea ce ne intereseaz n primul rnd la o fotodiod este sensibilitatea ei: puterea luminoas minim pe care o poate detecta fotodioda. Acest parametru determin lungimea legturii. Pentru a crete acest parametru, trebuie s "amplificm fotocurentul. Dac acest lucru l-am realiza cu un amplificator extern, s-ar adga suplimentar i zgomot, ceea ce ar putea duce la neatingerea obiectivului. Din fericire soluia exist i ea se numete fotodioda cu avalan.
Consideraii de putere
Mecanismul de baz a unei diode cu avalan este urmtorul. Se folosete o structur special de fotodiod p-i-n. Fotonii incideni genereaza electronii i golurile primare, asa cum se ntmpl ntr-o fotodiod p-i-n obinuit. Pe diod se aplica o tensiune invers relativ mare (n jur de 20 V). Aceast tensiune accelereaz electronii care capta suficient energie pentru ca la ciocnirea cu atomii neutri s smulg ali electroni, producnd astfel perechi electron-gol noi. Acest proces se numete ionizare de impact. Electronii astfel produi capta i ei suficient energie pentru a ioniza ali atomi i produce noi perechi; acest proces se numete proces de avalan. Ca rezultat, un foton genereaza n final mai muli electroni, ceea ce nseamn ca aceast fotodiod amplific intern fotocurentul. Acest lucru este echivalent cu a spune c eficiena cuantic a fotodiodei cu avalan este mai mare dect 1 (tipic ntre 10 i 100). Structura unei fotodiode cu avalan este prezentat n fig. &.17. Fotonii trec prin regiunea puternic dopat p + i intr n stratul intrinsec, unde produc perechi electron-gol. Tensiunea invers aplicat din exterior separ electronii fotogenerai de goluri i i deplaseaz spre jonciunea pn+, unde exist un cmp electric foarte puternic (de ordinul a 10 5 V/cm). Acest cmp electric accelereaz electronii producnd ionizarea de impact.
Fig.&.17 Avantajul major al unei fotodiode cu avalan fa de o fotodiod p-i-n rezult tocmai din fizica funcionrii ei: eficiena cuantic a unei fotodiode cu avalan este de M ori mai mare dect a unei fotodiode p-i-n (M este numit factor de multiplicare sau ctig). Deci, putem scrie:
22
FOTODIODE
Pmin = (Q R ) eQ(BW PD ) +
[(4k BT
Vedem din nou ca pentru o dioda p-i-n, zgomotul termic este zgomotul dominant, prin urmare formula (&.45) poate fi simplificata i mai mult:
Pmin ( p i n ) = (Q R )it = Q
[(4k BT
R L )BW PD ] R
(&.46)
n exemplul nostru, n limitele date de zgomotul termic, Pmin ( p i n ) = 5.45nW = 32.6dBm Atit formula (&.44) ct i formula (&.46) ne dau raspunsul cutat: puterea optica minim recepionat depinde de urmatorii parametri ai fotodiodei: responzivitatea (R), rezistena de sarcin ( R L ) i band ( BW PD ). Dar, n practic, proiectantul unei sistem de comunicaii pe fibra optic are nevoie de relaia dintre Pmin i BER. Aceast relatie poate fi obinut dac nlocuim parametrul Q exprimat in funcie de Pmin (formula (&.43)) n formula (&.35) pentru BER. Obinem:
BERmin = 1 2 erfc 2 RPmin
[ (
{ [(4eRPmin BW ) + ((4k BT
R L )BW )] +
[(4k BT
R L )BW ]
})]
(&.47)
Pentru calculele practice putem folosi aproximarea exponeniala pentru funcia erfc. Formula (&.47) i fig.&.16 dau rspunsul la problema senzitivitii unei fotodiode : aceasta este puterea optica minim receptionat care ofer un BER dat.
Fig. &.16.
21
FOTODIODE Privind atent cifrele observm ca pentru a obtine un BER < 1012 , ceea ce reprezint o cerin obinuit pentru sistemele moderne de comunicaii pe fibr optic, avem nevoie s obinem Q<7. Pentru o valoare modest a BER-ului de 109 , avem nevoie de Q 6 . Pn acum am stabilit c: BER depinde de parametrul Q prin relaia (&.35); parametrul Q depinde de curentul mediu pentru bitul 1 i de curenii de zgomot, dup formulele (&.36) i (&.37); curentii medii i de zgomot, pe de alt parte, depind de puterea optica de intrare. n acest punct trebuie introdus conceptul de putere receionat minim ( Pmin ), ca fiind puterea optic medie recepionat n ambii bii 1 i 0, [1] :
Pmin = (P + P0 ) 2 1
(&.39)
Pentru simplitate, presupunem P0 = 0 i neglijm id ; aceasta nseamn c formulele (&.28) i (&.29) sunt adevrate i:
I1 = RP = 2 RPmin 1
(&.40)
(&.41) (&.42)
Dac aplicm formula (&.37), putem lega parametrul Q de puterea optic minim recepionat [1]:
Q = (2 RPmin )
R L )BW PD )] +
[(4k BT
R L )BW PD ]
(&.43)
R L )BW PD ]
(&.44)
Pentru a face aceast formul mai uor de utilizat, o putem rescrie sub forma:
Pmin = (Q R ){eQ(BW PD ) + it } Exemplu
(&.45)
20
FOTODIODE Semnificaia parametrului Q poate fi clarificat dac deducem urmtoarea relaie din (&.32) i (&.33):
Q = (I1 I 0 ) (i1 + i0 )
(&.36)
Diferena ( I1 I 0 ) este excesul de curent mediu necesar pentru a distinge ntre bitul 1 i bitul 0. iar suma (i1 + i0 ) este valoarea efectiv a curentului de zgomot indus la ambele nivele. Dac acceptm faptul ca curentul mediu pentru bitul 0 este zero, parametrul Q capt o form i mai clar:
Q = (I1 ) (i1 + i0 )
(&.37)
Q este pur i simplu raportul dintre curentul de semnal si curentul de zgomot, ceea ce este o alta form de a reprezenta relaia semnal-zgomot. Din acest motiv Q se mai numete SNR digital. Dac nlocuim (&.36) n (&.35), putem explica mai bine semnificaia relaiei (&.35):
BERmin = 1 2 erfc Q
[ (
)]
{ [
]}
(&.38)
unde (I1 I 0 ) este curentul de semnal mediu, iar (i1 + i0 ) este suma valorilor efective a curenilor de zgomot pentru bit 1 si bit 0.
Puterea optic minim sensitivitatea fotodiodei.
Cu tot ceea ce am stabilit pn acum, putem deduce puterea optica minim necesar pentru a asigura o eroare de bit dat ceea ce reprezint senzitivitatea real a unei fotodiode utilizat ntr-un sistem de comunicaii pe fibr optic. Dependena erorii de bit de parametrul Q este prezentat n fig.&.15. Acest grafic este calculat pe baza relaiei (&.35).
Fig.&.15.
19
FOTODIODE
i2 = i2 0 t0
(&.27)
)]
(&.28)
i
P(0 / 1) = 0.5erfc (I th I 0 ) i0 2
)]
(&.29)
unde:
erfc( x) = 2
exp y 2 dy
x
(&.30)
{ [
]}
(&.31)
Pentru a scdea BER singura cale este s folosim curentul de prag. BER este minim cnd curentul de prag satisface urmtoarea relatie [1]:
(I1 I th ) i1 = (I th I 0 ) i0 Q
(&.32)
unde Q este un parametru a carei semnificatie va fi discutat putin mai ncolo. Prin urmare valoarea optima a curentului de prag este:
I thopt = (I1i0 + I 0 i1 ) (i1 + i0 )
(&.33)
Pentru o fotodiod p-i-n, zgomotul termic este factorul dominant; prin urmare putem neglija toate celelalte componente:
I thopt ( p i n ) = (I1 + I 0 ) 2
(&.34)
ceea ce este aproape evident avnd n vedere c primul lucru pe care ne-am gndi s-l facem este s lum media celor doi cureni ca valoare de prag. Dac condiia din (&.32) este satisfcut, expresia pentru valoarea minim a BER este:
BERmin = 1 2 erfc Q
[ (
2 exp Q 2 2 Q 2
)]
(&.35)
18
FOTODIODE la altul, zgomotul modificnd valoarea curentului de ieire, fig.&.14. Prin urmare probabilitatea de a exista decizii greite exist.
Fig.&.14 Pentru a include zgomotul, s reamintim c toate tipurile de zgomot pot fi aproximate cu buna precizie folosind statistica Gauss, ceea ce nseamn ca varianele componentelor pot fi n mod simplu adunate pentru a da variata total. Pe de alt parte, vom considera doar aplicaiile de mare vitez, ceea ce ne permite sa neglijm zgomotul n 1/f. Prin urmare, zgomotul asociat cu bitul 1 este reprezentat prin:
i2 = i2 + i2 + i2 1 s1 t1 d1
(&.26)
2 unde i1 este variana curentului reprezentnd bit 1, iar indicele 1 n fiecare termen arat 2 c i s1 , it2 i i 2 sunt calculate la valoarea I1 a curentului de ieire. Zgomotul asociat cu 1 d1 bitul 0 este diferit de zgomotul asociat cu bitul 1 deoarece valoarea medie a curentului pentru bitul 0 ( I 0 ) este diferit de valoarea medie a curentului pentru bitul 1 ( I1 ). Teoretic, I 0 ar trebui s fie 0 dar, n realitate, nu este aa. Astfel:
i2 = i2 + i2 + i2 s0 t 0 d 0 0
(&.27)
Zgomotul termic, dac ne amintim, nu depinde de curent; prin urmare, it2 = it2 . 1 0 Dac neglijm zgomotul curentului de ntuneric i presupunem i s 0 = 0 , putem deduce expresii simplificate pentru varianele fotocurentului :
i2 = i2 + i2 1 s1 t1
(&.26)
17
FOTODIODE
Soluie
] [
[ (
Hz 10MHz
]2 + [30(pW
Hz 115MHz
]2 = 321.9nW
Pentru a calcula NEP(), folosim formula (&.24) luind n consideraie cea mai mare valoare a NEP, 30 pW Hz , i ntreaga band de 125 MHz:
NEP ( ) = NEPN [Rmax R( )] BW = 409.9nW
Prin urmare avem nevoie de cel puin 400 nW pentru a obine SNR = 1. Deoarece n realitate trebuie sa avem un SNR de cel puin 6, este evident c avem nevoie de o soluie de a nbunti performanele fotodiodei. O analiza a formulei (&.23) ne arata c singura cale pe care o avem la dispoziie este controlul benzii. Astfel, deoarece zgomotul fotodiodei este de tip zgomot alb, el contribuie egal la toate frecvenele din band. Dac vom insera un filtru trece-jos, vom elimina o parte importanta din zgomot (mpreun cu semnalul, evident). n exemplul nostru, utiliznd la ieire un filtru trece-jos de 10 kHz, obinem:
NEP ( ) = NEPN [Rmax R ( )] BW = 3.67 nW
Comparnd 3.67 nW cu 409.9 nW putem trace o concluzie important: exista ntotdeauna un compromis de fcut ntre band i NEP cu ct e mai mare banda, cu att e mai mare NEP (deci mai ru).
Sensitivitatea fotodiodei p-i-n
Senzitivitatea, principalul criteriu de performan al fotodiodei, este puterea optic minim pe care o poate detecta fotodioda pentru un BER dat.
Calculul BER
BER-ul este raportul dintre numrul de bii eronai i numrul total de bii transmii. S notm cu P(1/0) probabilitatea de a decide 1 cnd bitul este n realitate 0 i cu P(0/1) probabilitatea de a decide 0 cnd bitul este n realitate este 1. Presupunnd c probabilitatea de a recepiona 0 sau 1 este aceeai, formula de calcul a BER este:
BER = 0.5[P(1 0 ) + P (0 1)]
(&.25)
n circuitele digitale, circuitul de decizie determin ce bit a sosit comparnd nivelul fotocurentului ( I p ) cu un nivel de prag I th . Fotocurentul fluctuiaz aleator de la un bit
16
FOTODIODE Concluzie : pentru a nbunti raportul semnal-zgomot al unei fotodiode p-i-n, trebuie crescut rezistena de sarcin.
Puterea echivalent de zgomot
Un alt parametru important al unei fotodiode este puterea echivalent de zgomot, NEP. Prin definiie, NEP este puterea minim de semnal pentru care SNR = 1. Adic, aceasta este puterea de intrare care produce aceeai ieire ca i zgomotul. Formula de calcul pentru NEP se poate obine din relaia (&.18):
NEP (W ) = i zg R
(&.21)
n datele de catalog, fabricanii prefera sa utilizeze termenul NEP per unitatea de band. Acesta este definit prin relaia:
NEPN W
Hz = NEP
BWPD = i zgN R
(&.22)
Privind cu atenie la formula (&.21) vedem c NEP este puterea optica minim pe care o poate detecta o fotodioda zgomotoas. Dei nu se observa in formula (&.21), NEP crete cu frecvena. Reprezentarea grafica a NEP n funcie de frecvena se numete palier de zgomot. Prin urmare, NEP este diferit pentru diverse benzi de frecven. Observnd c NEP este tot o valoare efectiva (valoarea efectiv a puterii optice care produce un raport semnal-zgomot unitar), regula de calcul pentru mai multe benzi va fi:
2 2 2 NEP = NEPBW 1 BW 1 + NEPBW 2 BW 2 + + NEPBWn BWn
] [
(&.23)
Unde NEPBWk este NEPN pentru banda de frecven k. Deoarece n definiia NEP intervine responzivitate, care depinde de lungimea de und, i NEP depinde de lungimea de und:
NEP ( ) = NEPN [Rmax R( )] BW
(&.24)
Unde Rmax este valoarea maxima a responzivitii i R() este responzivitatea la o lungime de und dat.
Exemplu Calculai NEP i NEP() pentru o fotodiod p-i-n pe InGaAs, care are urmtorii parametri : NEPN = 3.3 pW Hz de la cc la 10 MHz i NEPN = 30 pW Hz de la 10 la 125 MHz. Rmax = 1.1 A W la 1550 nm i R( ) = 0.9 A W la 1300 nm. Fotodioda functioneaza la 1300 nm.
15
FOTODIODE
Prin definiie, raportul semnal-zgomot, SNR, este raportul dintre puterea de semnal i puterea de zgomot. n cazul nostru, puterea de semnal este proportional cu ptratul valorii medii a fotocurentului I * , in timp ce puterea de zgomot este proportionala cu p ptratul valorii efective a curentului de zgomot indus i zg . Deoarece atit puterea de
( )
semnal ct i puterea de zgomot se disipa in aceeai rezisten de sarcin, putem scrie, [1]:
2 SNR = puterea de semnal / puterea de zgomot = I *2 i zg p Deoarece I * = RP* , formula (&.17) devine; p 2 SNR = R 2 P*2 i zg Curentul de zgomot indus, se calculeaz cu relaia: 2 i zg = i s + it2 + i 2 + i 2 d 1 f
(&.17)
(&.18)
(&.19)
Zgomotul dominant ntr-o fotodioda p-i-n este zgomotul termic. Prin urmare, neglijnd toi ceilali termeni, raportul semnal-zgomot (dat de limita termic) se scrie: SNRt = R 2 P *2 it2 = R 2 P*2 R L
[(4k BT )BWPD ]
(&.20)
14
FOTODIODE de sarcina suficient de redusa este de a utiliza un amplificator operational, ca in figura &.12.
Fig. &.12. Circuitul din figura de mai sus are un raspuns liniar si un zgomot redus prin eliminarea aproape completa a curentului invers prin dioda.
Regimul fotoconductiv dreapta de sarcina
In regimul fotoconductiv, fotocurentul generat produce o tensiune la bornele rezistentei de sarcina in paralel cu rezistenta paralel a fotodiodei. Deoarece la polarizare inversa rezistenta R d este constanta, pot fi folosite rezistente de sarcina de valori mari , pastrind liniaritatea dintre tensiunea de iesire si intensitatea radiatiei aplicate. Aceasta regim este folosit pentru raspunsuri de mare viteza. Principalul dezavantaj al acestui circuit este existenta unui curent invers mare, ceea ce determina un zgomot mai mare. Circuitele care realizeaza acest regim fotoconductiv sunt prezentate in figura &.13.
(a)
13
FOTODIODE unde tr este timpul de tranzit al fotopurttorilor pn la terminale i RC este constanta de timp impusa de capacitatea regiunii active, Cd , i de rezistena de sarcin. Efectul rezistentei de sarcina asupra caracteristicilor curent/tensiune este prezentat in figura &.10.
Fig. &.10.
Regimul fotovoltaic - R l R d , dreapta de sarcina (a)
Fotocurentul generat curge prin R d , determinind aparitia unei tensiuni pe dioda care se opune potentialului intern a jonctiunii fotodiodei, determinind o polarizare directa a acesteia. Valoarea lui R d scade exponential cu cresterea iluminerii. Prin urmare tensiunea foto-generata va fi o functie logaritmica de intensitatea luminii incidente. Circuitul care asigura acest regim de functionare este prezentat in figura &.11.
Fig. &.11
Regimul cu polarizare zero - R l R d , dreapta de sarcina (b)
Fotocurentul generat curge prin rezistenta R l de valoare fixa. Prin urmare, tensiunea rezultanta va depinde liniar de nivelul radiatiei incidente. O cale de a obtine o rezistenta
12
FOTODIODE
idN A
Hz = id
* BW PD = 2e I d = 0.31 10 4 nA
Hz
(4) curentul de zgomot n 1/f Deoarece folosim fotodioda n aplicaii de mare vitez, acest curent poate fi neglijat. (5) Curentul total de zgomot valoarea efectiv a curentului total de zgomot este egal cu cea a curentului de zgomot termic, adic 910 nA. (R L = 50k ) : valoarea efectiv a curentului total de zgomot este compus din :
(RL = 50 ) :
2 i zg = i s + it2 + i 2 = (80 + 828 + 2.4) 10 18 A 2 = 30.2 nA d Iar valoarea efectiv per unitatea de band va fi :
2 2 i zgN = i sN + itN + i 2 = 6.04 10 4 nA dN
Modelul de circuit a unei fotodiode
Hz
Modelul de circuit a unei fotodiode este prezentat in figura 1.9. La baza, o fotodioda este un generator de curent. Capacitatea jonctiunii din fotodioda depinde de grosimea stratului saracit si de tensiunea inversa aplicata. Valoarea rezistentei paralel este de ordinul M, iar rezistenta serie este mica.
Fig. &.9 I S = curentul de semnal I l = curentul invers de saturatie I n = curentul de zgomot C d = capacitatea jonctiunii diodei R d = rezistenta paralel a fotodiodei R S = rezistenta serie a fotodiodei R l = rezistenta de sarcina
e 0 = (I S + I l + I n )
R lR d Rd + Rl + RS BWPD = 1 [2 ( tr + RC )]
11
Hz = i s
BW PD = 2e I * = 1.78 10 4 nA p
Hz
(2) Curentul de zgomot termic Pentru o temperatur i band date, acest curent depinde de rezistena de sarcin. Pentru a evidenia efectul acestei rezistene, vom face calculele pentru dou valori ale lui R L : 50 i 50k. Aplicnd formula (&.12) pentru T = 300K, obinem :
(RL = 50 ) (R L = 50k )
(R L = 50 ) (R L = 50k )
it = 910 nA it = 28.8 nA
Dac rezistena de sarcin este 50, sigur putem neglija toate celelalte surse de curent de zgomot. Chiar i cu rezisten de sarcina de 50k, curentul de zgomot termic este mult mai mare dect curentul de zgomot de alice. Totui, dac cretem rezistena de sarcin (sau considerm doar rezistena regiunii active a fotodiodei), valoarea lui it scade dramatic. De exemplu, pentru R L = 2 M (valoarea minim a rezistenei jonciunii), valoarea lui it devine 4.5nA. De reinut urmtorul fapt foarte important : cresterea rezistenei de sarcin va reduce curentul de zgomot termic. Valoarea normalizat la band a curentului de zgomot termic este dat de formula (&.13) :
itN A
Hz = it
BW PD =
(4k BT
R L ) = 5.76 10 4 nA
Hz
(3) curentul zgomotului de ntuneric Pentru a folosi formula (&.14) trebuie a facem referire la datele de catalog ale fotodiodei MF-432: la temperatura camerei, curentul de ntuneric este 3 nA. Deci, avem: * i 2 = 2e I d BW PD = 2.4 10 18 A 2 d Si : id = 1.5 nA Din formula (&.15) obinem:
10
FOTODIODE Constantele K1 f , , , trebuie deduse empiric. O valoare aproximativ pentru este 2, iar pentru ntre 1 i 1.5. Natura acestui zgomot nu este bine cunoscut. Din fericire el este important doar la joasa frecven, putnd fi neglijat dac frecvena de modulatie este peste 100 Hz.
Exemplu Calculai valoarea efectiv i normalizat la band a curentului total de zgomot pentru fotodioda p-i-n MF-432, dac puterea medie la intrare este 0.1W, =1550 nm i dioda funcioneaz la temperatura camerei.
Soluie Trebuie sa calculm toi termenii de zgomot. (1) Curentul de zgomot de alice Astfel, pentru a calcula i s = 2e I * BW PD , trebuie s cunoatem cantitile : I * i p p BW PD . Fotocurentul mediu este egal cu :
I * = RP * = 0.1A p
Deoarece responzivitatea fotodiodei MF-432 este 1.0 A/W la 1550 nm, aa cum se vede din datele de catalog din fig.&.8.
Fig.&.8. Banda fotodiodei MF-432 este specificat de 2.5 GHz. Deci valoarea efectiv a curentului de zgomot de alice este: 2 i s = 2e I * BW PD = 80 10 18 A 2 i i s = 8.9 nA p 9
FOTODIODE S t ( f ) = 2k B T R L (&.11)
Unde T este temperatura n grade kelvin, iar R L este rezistenta de sarcina (fig.&.8). Relaia (&.11) ar trebuie sa includ R j // R L , dar rezistena jonciunii ( de ordinul M) este mult mai mare dect cea de sarcin (de ordinul k). Pe de alta parte, daca investigm zgomotul termic propriu al fotodiodei, atunci n formul trebuie utilizat rezistena jonctiunii. Din nou, deoarece densitatea spectrala este constanta, zgomotul termic este un zgomot alb, cel puin aa stau lucrurile pna la frecvene de aproximativ 1 THz. Aplicnd formula (&.9), valoarea efectiv a zgomotului termic este:
it =
[(4k BT
R L )BW PD ]
(&.12)
Hz = it
BW PD =
(4k BT
RL )
(&.13)
Valoarea efectiv a zgomotului curentului de ntuneric este dat de formula: * id = 2e I d BW PD Iar valoarea efectiva pe unitatea de band este: idN A (&.14)
Hz = id
* BW PD = 2e I d
(&.15)
n literatur, [3], se arata c zgomotul curentului de ntuneric este esenial la viteze mici (pn n 100 Mbit/s), in timp ce la viteze mari (peste 1 Gbit/s) nici chiar un curent de ntuneric de 100 na nu aduce o contribuie esenial la zgomotul total.
Zgomotul n 1/f
O fotodioda genereaz zgomot n ntuneric complet, altul dect zgomotul curentului de ntuneric. Valoarea efectiv per unitatea de band a acestui zgomot este invers proporional cu frecvena, de unde i numele zgomotului. O expresie aproximativ de calcul este dat n [2]: i1 f N A
Hz = i1 f
BW PD = K1 f I f
(&.16)
FOTODIODE
I (t ) I 2 = n n e t 2 = n e 2
(t )2 = I e (t )
(&.6)
Densitatea spectral de putere, S s ( f ) , i valoarea efectiv a curentului de zgomot de alice, i s (t ) , sunt date de ([1], [2]) :
S s ( f ) = 2eI * p
(&.7) (&.8)
i s = 2e I * BW PD p
Unde fotocurentul mediu a fost notat cu I * , iar BW PD este banda fotodiodei. p Coeficientul 2 n formulele (&.7 i &.8) apare deoarece am considerat o singur parte a densitii spectrale de putere. Deoarece densitatea spectral de putere este constant, zgomotul de alice este un zgomot alb. De menionat c formula (&.8) poate fi dedus din (&.7) deoarece: 2 (t ) = S ( f )df is s 0
(&.9)
Valoarea efectiv a curentului de zgomot de alice, i s (A), se calculeaz ca rdcina ptrat a varianei zgomotului de alice, i reprezint caracteristica cea mai important a zgomotului de alice. n practic, zgomotul este reprezentat prin valoarea sa efectiv per unitatea de band, numit valoarea efectiva a zgomotului normalizat la band, i N . Pentru curentul de zgomot de alice, aceasta este: i sN A
Hz = i s
BW PD = 2e I * p
(&.10)
Zgomotul termic
Micarea electronilor datorit temperaturii (adic energiei termice exterioare) are loc ntro maniera aleatorie. Astfel, numrul de electroni care curg printr-un circuit dat, la un moment oarecare de timp, este o variabil aleatoare. Deviaia numrului instantaneu de electroni de la valoarea medie, datorat temperaturii, este numit zgomot termic. Acelai lucru putem repeta n termeni de curent. Rezult c singurul mod de a micora zgomotul termic este sa micorm temperatura. Modelul statistic pentru zgomotul termic este procesul aleator stationar de tip Gauss, pentru care densitatea spectral de putere, S t ( f ) , este dat de formula, [1]: 7
FOTODIODE
Sursele de zgomot ntr-o fotodiod p-i-n Zgomotul de alice
Presupunem ca puterea de intrare este ideal constant, ceea ce nseamn c numrul de fotoni pe unitatea de timp, n medie, este constant. n realitate, numrul real de fotoni care ajung n unitatea de timp este necunoscut, prin urmare este o variabil complet aleatorie. Drept consecin, numrul de electroni fotogenerai la un anumit moment particular de timp este tot o variabil aleatoare. n plus, numrul de electroni care produc fotocurentul va fi variabil din cauza recombinrilor i absorbtiilor aleatorii. In concluzie, chiar dac numrul mediu de electroni este constant, numrul real de electroni va varia. Deviaia numrului real de electroni de la numrul mediu este cunoscut ca zgomot de alice. Deoarece curentul electric este un ir de electroni, raionamentul poate fi repetat n termeni de curent. Statistica care descrie zgomotul de alice este de tip Poisson: dac n este numrul mediu de electroni generai, atunci probabilitatea de a genera n electroni n intervalul de timp t este dat de relatia:
P (n ) = e n n
n!
(&.2)
n =0
n 2 P(n ) = n
n=0
nP(n )
2 + n
(&.3)
(&.4)
Dac ne reamintim c, curentul este numrul de electroni (n) per intervalul de timp (t), putem converti direct formulele de mai sus n termeni de curent. De exemplu, curentul instantaneu, I(t), este egal cu ne t , unde e este sarcina electronului ( 1.6 10 19 C), iar curentul mediu, I , este ne t . Atunci, curentul de zgomot de alice, conform definiiei, va fi:
FOTODIODE
Influenta temperaturii
Crescind temperatura de functionare a fotodiodei, apar doua rezultate distincte asupra caracteristicilor acesteia. Primul este o modificare a eficientei cuantice datorita modificarilor de absorbtie a radiatiei in dispozitiv. Valorile eficientei cuantice se micsoreaza in regiunea ultraviolet si crete in regiunea infrarosu, ca in figura &.6.
Fig.&.6. Al doilea rezultat este determinat de cresterea exponentiala a numarului de perechi electron-gol , ceea ce determina cresterea curentului de intuneric. Acest curent se dubleaza la fiecare crestere a temperaturii cu 810 grade C, asa cum se arata in figura &.7.
Fig. &.7.
FOTODIODE
Liniaritatea
Iesirea unei fotodiode in cazul aplicarii unei polarizari inverse este foarte liniara in raport cu iluminarea aplicata jonctiunii fotodiodei , figura &.5.
Fig.&.5.
Eficienta cuantica
Capacitatea interna a unei fotodiode de a converti energia luminoasa in energie electrica, exprimata in procente, se numeste eficienta cuantica (). Responzivitatea fotodiodei este legata de eficienta cuantica prin relatia :
1.24 10 5 R [A W ] [%] = [nm ]
(&.1)
Funionnd n condiii ideale de reflectan, structur a cristalului si rezisten intern, o fotodiod pe siliciu de calitate foarte bun poate atinge o eficien cuantic de 80%. n tabelul 1 este prezentat responzivitatea unei fotodiode, in funcie de lungimea de und, pentru situaia ideal n care eficiena cuantic ar fi 100%. Tabelul 1 Lungimea de unda in nm Responzivitatea, la = 100% , in A/W
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 0.161 O.242 0.323 0.403 0.484 0.565 0.645 0.726 0.806 0.887
FOTODIODE
Fig. &.3.
Caracteristica spectrala
Asa cum se poate vedea din figura &.3, siliciu devine transparent la lungimi de unda peste 1100 nm, in timp ce ultravioletele sunt absorbite in primii 100 nm de grosime. Stratul antireflectorizant inbunatateste raspunsul la o anumita lungime de unda (cu cca. 25%), dar il poate deteliora la alte lungimi de unda datorita reflexiilor. Fereastra diodei poate modifica raspunsul fotodiodei. Fereastra clasica din sticla absoarbe lungimile de unda sub 300 nm. Pentru detectia ultravioletelor este necesara folosirea unei ferestre din siliciu sinterizat. Se folosesc si diverse filtre pentru a inbunatati raspunsul spectral a fotodiodei. Un asemenea filtru este cel ce modifica raspunsul normal al siliciului pentru a aproxima raspunsul spectral al ochiului uman, figura &.4.
Fig.&.4. 3
FOTODIODE saracita de purtatori . Aceasta regiune saracita este foarte importanta pentru functionarea fotodiodei deoarece sensibilitatea diodei la radiatii isi are originea aici. Capacitatea jonctiunii PN depinde de grosimea acestui strat saracit. Crescind tensiunea de polarizare se mareste adincimea regiunii saracite si se micsoreaza capacitatea jonctiunii pina cind se atinge situatia de saracire completa. Capacitatea jonctiunii depinde si de rezitivitatea siliciului si de aria activa a jonctiunii. Relatia dintre capacitatea jonctiunii, tensiunea de polarizare si aria jonctiunii este prezentata in figura &.2.
Fig. &.2. Cind lumina este absorbita in aria activa, se creeaza o pereche electron-gol. Aceasta pereche este separata de cimpil electric din regiunea saracita, electronii trecind in regiunea N, iar golurile in regiunea P. Aceasta separare de sarcini este numit efect fotovoltaic , iar curentul corespunzator este curentul generat de lumina (notat, de obicei, cu Isc). Fotodiodele pe siliciu se comporta ca o sursa de curent, motiv pentru care in catalog se indica curentul de scurtcircuit. Acesta este o functie liniara de iluminare pe un interval foarte larg de valori (de cel putin sapte ordine de marime). Isc este afectat putin de temperatura, variind cu mai putin de 0.2% pe grad C pentru lumina vizibila. Trebuie notat ca la aplicarea unei tensiuni inverse apare un curent prin fotodioda chiar si in lipsa iluminarii. Acest curent de intuneric este specificat pentru fiecare dispozitiv. In cazul in care o tensiune de polarizare mica este aplicata, se specifica si rezistenta paralel ; aceasta se determina masurind curentul de intuneric pentru o polarizare de +/- 0.01 V.
Responzivitate fotodiodei
Masura a sensibilitatii fotodiodei, responzivitatea este raportul dintre fotocurentul la iesirea din diode (in A) si puterea luminoasa (in W) incidenta la fotodioda. De notat ca puterea incidenta este exprimata, de obicei, in W/cm^2, iar fotocurentul in A/cm^2. In figura &.3 este prezentata responzivitatea unei fotodiode, in functie de lungimea de unda.
FOTODIODE
Fotodioda p-i-n Constructia fotodiodei
Fotodiodele pe siliciu sint construite pe un cristal de siliciu similar celui folosit in fabricarea circuitelor integrate. Diferenta principala este aceea ca siliciul folosit in fabricarea fotodiodelor este de puritate mult mai mare. Puritatea siliciului este direct legata de rezistivitatea sa, o rezisitvitate mai mare indicind un siliciu mai pur. De exemplu, se utilizeaza siliciu a carui rezistivitate variaza intre 10 cm si 10000 cm . In figura &.1 este prezentata o sectiune transversala printr-o fotodioda tipica.
Fig.&.1. Materialul de plecare este siliciu dopat N. Un strat subtire de tip P este creat la suprafata stratului N, prin difuzie termica sau implantare ionica a unui material adecvat (de regula bor). Interfata dintre stratul P si cel de tip N este cunoscuta ca jonctiune pn. Contacte metalice sunt aplicate pe suprafata superioara a dispozitivului , precum si pe intreaga suprafata posterioara. Contactul posterior este catodul diodei , iar contactul anterior este anodul. Suprafata activa a diodei este acoperita cu monoxid sau bioxid de siliciu pentru protectie si pentru a forma un strat antireflectorizant. Grosimea acestui strat este optimizata in functie de lungimea de unda a radiatiei. De exemplu, diodele din seria 5-T ale firmei Centro Vision au stratul de protectie optimizat pentru partea albastra a spectrului vizibil. Jonctiunele fotodiodelor au propietati deosebite datorita subtirimi stratului P. Grosimea acestuia este determinata de lungimea de unda a radiatiei ce trebuie detectata. Linga jonctiunea PN siliciul devine saracit de purtatori de sarcina liberi. Aceasta regiune este cunoscuta sub numele de regiune saracita de purtatori . Adincimea acestei regiuni poate fi modificata prin aplicarea unei tensiuni inverse in lungul jonctiunii. Cind regiune saracita ajunge la nivelul contactului de catod, se spune ca fotodioda este complet