Electrnica

Semiconductores Conductividad de una muestra semiconductora = n n q + p p q q = carga del electrn n, p = densidad de electrones y de huecos n , p = movilidades de electrones y huecos Semiconductor intrnseco n = p = ni densidad de electrones = densidad de huecos resistividad =1/ Neutralidad elctrica: n + NA- = p + ND+ NA (nmero de impurezas aceptadoras) ND (nmero de impurezas donadoras) n p = ni2 ND - NA >> ni q n n Semiconductor tipo n ND n p = ni2 / ND q p p Semiconductor tipo p NA p n = ni2 / NA

Semiconductor con impurezas aceptadoras y donadoras

Ley de accin de masas Nivel de dopado alto

Diodo de unin p - n
Io = A q [ Dn npo / Ln + Dp pno / Lp] donde A es la seccin de la unin, q la carga del electrn. Corriente inversa de saturacin (depende D y D son las constantes de difusin para electrones y n p de las caractersticas del diodo) huecos Ln = [Dn n]1/2 Corriente total del diodo I = Io [exp (V / VT) - 1] Lp es la distancia dentro del semiconductor a la que la

concentracin inyectable disminuye a 1/e de su valor mximo. p y n es la vida media de los portadores Potencial de contacto Vo = [K T / q] ln [ NA ND / ni2 ] l = [ (2 / q) Vo ( 1 / NA + 1 / ND)]1/2 l = x n + xp

Anchura de la zona de transicin

anchura de la zona tipo p de la regin de xp = l ND / ( NA + ND) transicin xn = l NA / ( NA + ND) Campo elctrico mximo E (0) = - [ (2 q / ) Vo (NA ND) / (NA + ND)]1/2 Vo = V (xn) - V (-xp) Pgina inicial (antes en http://es.geocities.com/fisicas): http://www.carrascal.net46.net/fisicas/ Esta seccin (desde la pgina inicial): FRMULAS / FSICA / ELECTRNICA Los autores: Mari Paz Hortelano Gmez e Iaki Carrascal Mozo Castrillo de Don Juan. Palencia. (Espaa) Correo electrnico: fisicas@yahoo.es En la red desde el 15/03/1998 - ltimas modificaciones: 28/01/2001 - 27/06/2003