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Thierry MEYNARD
LEEI / ENSEEIHT 2 rue Camichel - 31071 Toulouse Cedex 7 UMR du CNRS N5828
Rsum : Des convertisseurs aux performances exceptionnelles peuvent tre raliss en associant des semi-conducteurs de calibres rduits en srie ou en parallle. Cependant, les problmes de rpartition de contraintes ncessitent un traitement adapt. Plusieurs manires daborder la mise en srie (plus dlicate matriser que la mise en parallle), sont prsentes, et la solution que reprsentent les convertisseurs multicellulaires est dtaille. Enfin, diverses ralisations industrielles sont dcrites.
I. INTRODUCTION
I.1. Semi-conducteurs et structures de conversion
Les convertisseurs statiques d'nergie lectrique reprsentent le vritable c de tout systme ur lectrique ; partir d'une source d'nergie brute, ils doivent alimenter les diffrents circuits en nergie, avec un flux matris et adapt aux conditions de fonctionnement. Si lon sait aujourdhui remplir toutes les fonctions de conversion, les concepteurs sefforcent damliorer continuellement certaines performances. Si la rduction du cot dexploitation global est bien souvent le critre principal pour lutilisateur final, cet objectif ultime doit tre dcompos en plusieurs objectifs intermdiaires : augmentation du rendement, amlioration de la puissance massique et volumique, augmentation des performances dynamiques, rduction des perturbations,
passerait pas inaperu, mais il serait sans doute peu prs inutilisable ! Lvolution des performances des semiconducteurs doit ainsi tre accompagne dune refonte des circuits de l'lectronique de puissance pour apporter une amlioration notable des quipements. L'importance des travaux raliss sur la commutation douce depuis les annes 80 est un exemple qui illustre bien cette ncessit. Dans cet article, les auteurs dsirent montrer que les associations multicellulaires peuvent tre, elles aussi, un moyen de raliser ds aujourdhui de meilleurs compromis en augmentant simultanment diffrentes qualits habituellement antagonistes ; puissance, rendement, compacit, rapidit, furtivit, sret.
recherche dune meilleure sret de fonctionnement. Lvolution de ces qualits est largement due lamlioration des performances des semiconducteurs de puissance qui a t trs importante ces dernires annes. Cependant, mme si les performances des semi-conducteurs en tension, courant et rapidit peuvent tre encore amliores, nous approchons aussi la limite du tolrable ; en effet, si rendement et compacit demandent des composants extrmement rapides, il nen est pas de mme vis vis des critres de perturbation, et mme dans une certaine mesure de la sret de fonctionnement. De toute vidence, le composant miracle qui commuterait des kiloVolts et des kiloAmpres en quelques nanosecondes ne
en srie est infrieure la RDSon d'un seul MOS de tenue en tension double). Rpondre diverses spcifications en tension ou en courant avec un produit standardis. Modularit, effets de srie et rduction des cots industriels constituent alors des atouts dcisifs. Amliorer les formes d'ondes en entre et/ou sortie par multiplication (et exploitation) du nombre de degrs de libert. Cependant, y regarder de plus prs, on saperoit que la mise en srie et a mise en parallle ne l jouissent pas du tout du mme statut : La mise en parallle est couramment dcline sous forme dassociations de semi-conducteurs, de cellules de commutation ou de convertisseurs complets, le couplage pouvant tre ralis avec ou sans transformateurs. Sauf pour lassociation directe de composants, on bnficie alors facilement dune amlioration de performances par entrelacement des signaux de commande, ce qui constitue un avantage dterminant. La mise en srie de composants semiconducteurs ne jouit pas d'une aussi bonne rputation que leur mise en parallle ; hormis dans le cas des thyristors fonctionnant en blocage naturel, la littrature est moins bavarde, les expriences plus rares. La mise en srie semble souvent rserve la trs Haute Tension, dautant plus que lamlioration des formes dondes par entrelacement des commandes est rserve aux structures utilisant des transformateurs. Lindustrie du semiconducteur est galement rvlatrice du caractre naturel attribu la mise en parallle. A peu prs tous les semi-conducteurs de puissance sont maintenant constitus de centaines voire de milliers de composants lmentaires en parallle alors que, diodes mises part, il nexiste probablement aucun module ralis par mise en srie de composants lmentaires. Remarquons galement que laugmentation du calibre en courant dun semiconducteur peut se faire par simple augmentation de la surface de silicium, en maintenant la gomtrie des cellules lmentaires, lpaisseur des couches et les dopages. Il en est autrement lorsquil sagit daugmenter la tension, puisque toutes les caractristiques sont revoir, et les autres performances (pertes par conduction et par commutation, temps de commutation,...) ne vont pas en samliorant. Pour toutes ces raisons, le dveloppement de topologies et de techniques permettant dassocier des composants semi-conducteurs en srie serait donc profitable condition de rsoudre deux problmes principaux : lquilibrage des tensions, et la possibilit dentrelacement des commandes. Assurer une rpartition correcte des tensions : Il sagit dun problme nettement plus complexe
que la rpartition de courant entre composants en parallle. En effet, les courants dsquilibrs gnrent des pertes ingalement rparties pouvant entraner des problmes thermiques, mais on dispose au minimum de plusieurs priodes de dcoupage pour rquilibrer les contraintes. Dans le cas de la mise en srie, une surtension peut entraner la destruction immdiate du composant, et il sagit de contrler la forme dun front de commutation de plusieurs kV/ s. Permettre de tirer profit de tous les degrs de libert : Chaque commande damorage et chaque commande de blocage est un degr de libert. Les structures imposant des commutations synchronises sont donc peu satisfaisantes en termes de commande, et on portera une attention particulire la possibilit dentrelacement des commandes. Le but de cet article est de montrer dans quelles conditions ces objectifs peuvent tre atteints, en sintressant tout dabord la cellule de commutation, puis aux structures utilisant de telles cellules. Enfin, des ralisations industrielles modernes seront dcrites.
Lutilisation de condensateurs daide au blocage largement surdimensionns permet mme de rsoudre les deux problmes la fois (temp s de retard faible devant le temps de commutation), mais cela peut ncessiter une rduction de frquence de commutation dans un rapport 2 5. Cette solution est pourtant probablement encore la plus couramment utilise Supposant les problmes dquilibrage rsolus, on dispose donc d'une cellule de commutation dont les performances peuvent tre rsumes ainsi : tension commute, puissance convertie et prix multiplis par deux, mais une frquence de commutation rduite. Dans bien des cas, ceci est dj plus avantageux que le recours des semi-conducteurs de tenue en tension double. Notons cependant que les dV/dt gnrs par chaque commutation ont galement doubl, ce qui doit absolument tre pris en compte dans la conception de lquipement (immunit au mode commun des allumeurs, notamment).
A2 A2
Un autre intrt, et non le moindre, rside dans l'utilisation d'un troisime tat de cette cellule (Figure 3.c). Si les deux interrupteurs internes sont passants et les deux autres bloqus, la source de courant est connecte au point milieu de la source de tension via A 1 et D ou A 2 et D', selon le signe du courant. On dispose donc dun troisime niveau de tension dcoupe qui permet d'amliorer notablement le spectre de la tension dcoupe[1]. Ainsi, pour obtenir une valeur moyenne de tension dcoupe comprise entre 0 et V/2, il est prfrable dutiliser seulement les deux tats vdec=0 et vdec=V/2. De la mme manire, pour une valeur de modulante suprieure 50%, il est prfrable de ne plus utiliser ltat vdec =0 et de moduler la dure dutilisation des deux tats vdec =V/2 et vdec =V.
A2 A2
A1 V B1
I V
A1
B1 v d e c=0 vd e c =V B2
B2 A1 V B1 v d e c=0 B2 B2 I V B1 vd e c =V A1 I
a
A2
A1
Figure 1 : Cellule de commutation avec mise en srie de deux interrupteurs Le principe de base de la modulation intersective dune cellule de commutation classique peut directement tre utilis pour commander une cellule de commutation avec interrupteurs en srie (Figure 2).
Modulante + Porteuse A1 A2 B1 B2
V
D B1 v dec=V/2 B2
c Figure 3: Les trois tats de la cellule de commutation clampe par le neutre Le modulateur schmatis en Figure 4 permet dobtenir de telles formes dondes. Pour une valeur donne de la modulante, seule une des deux modulantes individuelles m1 et m2 peut donner une intersection avec la porteuse, et donc une seule des deux paires dinterrupteurs commute.
Modulante
Figure 2 : Schma simplifi du modulateur pour la mise en srie directe Onduleur trois niveaux "clamp" par le neutre (Neutral Point Clamped Inverter) Dans ces onduleurs, deux simples diodes connectes au point milieu de la source de tension protgent les interrupteurs externes contre des tensions excessives. Indirectement, si les signaux de commande sont tels qu'on est sr d'amorcer ces diodes, les interrupteurs du centre sont galement protgs (Figure 3, a et b). Grce cette topologie particulire, on peut dsynchroniser les instants de commutation des interrupteurs connects en srie, c'est dire viter de sommer les dV/dt, tout en respectant l'quilibrage des tensions aux bornes des interrupteurs.
m1
m2 + + -
A2 B1 A1 B2
Porteuse
Par exemple, lorsque la modulante est infrieure 50%, A2 est continment maintenu 0 et B1 1 alors que A1 est command avec un rapport cyclique 2 et que B2 est toujours complmentaire de A1 . La tension vdec prend la valeur 0 pendant (1-2 dec et )T V/2 pendant 2.Tdec et sa valeur moyenne vaut donc 2 .V/2= comme dans une cellule classique. .V Cette cellule peut tre vue comme un "commutateur trois positions" qui pose le problme de stabilit du neutre o sont connectes les diodes. Dans le cas trivial o la source de courant est continue, l'utilisation rpte du niveau intermdiaire conduira ncessairement une composante continue de courant ; le potentiel de ce point devrait donc tre impos et rgul par un convertisseur auxiliaire de puissance non ngligeable, ce qui est assez dissuasif et en pratique il n'y aura donc pas de "Hacheur Clamp". Dans le cas d'un bras d'onduleur, on peut compter sur la symtrie glissante sur une demi-priode du motif de commande et du courant pour que chaque utilisation du niveau intermdiaire avec un signe donn soit compense par une utilisation pendant la mme dure et avec un courant de signe contraire une demi-priode de modulation plus tard. A cette condition, le courant moyen prlev en ce point est nul, et il peut sagir dun point milieu capacitif dimensionn pour la frquence de modulation. Dans un onduleur en pont complet (monophas, triphas...), le mme point neutre peut tre utilis pour tous les bras et on peut bnficier dune compensation partielle des composantes de courant la frquence de modulation. On peut alors rduire la valeur des capacits utilises. En pratique, les symtries ne sont pas toujours exactement respectes ; le point milieu capacitif se comporte comme un trs bon intgrateur, et peut driver. Dans la plupart des applications, une rgulation de cette tension base sur l'utilisation adquate des tats redondants est prvoir. Cellule de commutation bicellulaire Une source de tension flottante d'amplitude moiti de la source d'entre permet galement dassurer l'quilibrage des tensions [2]. Dans les tats "normaux" de ce circuit (Figure 5, a et b), la tension aux bornes de tout interrupteur bloqu est impose de manire stricte, contrairement la structure prcdente qui n'imposait quune ingalit.
A2 A2
On remarquera que dans ce mode de fonctionnement, la source flottante est totalement passive ; tout instant son courant est nul. Si on se limite lutilisation de ces deux tats, le fonctionnement est celui de la mise en srie directe ; tension dcoupe sur deux niveaux, sommation des dV/dt de commutation gnrs par chacun des semi-conducteurs, Lapplication stricte des rgles dinterconnexion des sources nous conduit aux rgles suivantes : A1 et B1 ne doivent jamais tre ouverts en mme temps pour ne pas ouvrir la source de courant I, A1 et B1 ne doivent jamais conduire en mme temps pour ne pas court-circuiter la source flottante V/2, A2 et B2 ne doivent jamais tre ouverts en mme temps pour ne pas ouvrir la source de courant (I), A2 et B2 ne doivent jamais conduire en mme temps pour ne pas connecter deux sources de tension de valeurs diffrentes V et V/2. On montre ainsi que : A1 et B 1 forment une cellule de commutation et que A2 et B2 en forment une deuxime. A l'intrieur de chaque paire (A1 , B1 d'une part et A2 , B2 d'autre part), les interrupteurs doivent donc toujours tre dans des tats diffrents ce qui impose indirectement lexistence dune commutation commande et dune commutation spontane, la ncessit d'un temps mort entre les signaux de commande des interrupteurs commands, une implantation minimisant les inductances des mailles (V,A2 ,V/2,B2 ) dune part, et (V/2,A1 ,B1 ) dautre part. Mais ces deux cellules sont totalement indpendantes et peuvent en particulier tre dphases. Ce nouveau degr de libert utilise deux tats supplmentaires (Figure 6, c et d). On notera que dans ces deux tats aussi, la tension applique aux bornes des interrupteurs bloqus est bien matrise et elle vaut la moiti de la tension V.
A2 A2
A1 V V 2
I V V 2
A1
B1 vd e c =V /2 B2
B1 vd e c =V -V /2 B2
A1 V V 2
I V V 2
A1
c d Figure 6 : Etats supplmentaires de la cellule bicellulaire Cette nouvelle cellule de commutation peut donc tre considre comme l'imbrication de deux cellules de commutation lmentaires do le nom de cellule de commutation bicellulaire. Certaines stratgies de commande peuvent utiliser ces tats pendant des fractions trs faibles de la priode de dcoupage. On peut par exemple dcaler
B1 v d e c=0 B2
B1 vd e c =V B2
trs lgrement les commandes des deux cellules pour viter la sommation des dV/dt de commutation. On peut aussi synchroniser les ordres de commande et ne compter sur ces tats que pour rendre le systme tolrant vis vis d'invitables dcalages des commutations des deux cellules (retards gnrs par les allumeurs ou les semiconducteurs de puissance eux-mmes...). Influence du dphasage sur Vdc De manire plus gnrale, les signaux de commande de A1 et A2 (nots SC 1 et SC 2 ) dfinissant implicitement l'tat de B1 et B2 ( B1 = A1 ; B 2 = A2 ) et les tensions aux bornes des interrupteurs bloqus tant toujours V/2, on a, tout instant :
dcoupe est ici obtenue par sommation de deux fonctions de modulation alors que dans un pont, la tension de sortie s'exprime comme la diffrence de deux fonctions de modulation.
Dphasage
SC1
SC2
Vdec
Figure 7 : Rduction de londulation par entrelacement des commandes Influence du rapport cyclique Vdc Lorsque le dphasage est fix 180, ce qui correspond une ondulation minimum, la tension dcoupe prendra les valeurs (0,V/2) lorsque le rapport cyclique est compris entre 0 et 1/2, et les valeurs (V/2,V) si le rapport cyclique est compris entre 1/2 et 1. Cette discontinuit n'est qu'apparente ; en effet, si l'on raisonne en valeur moyenne sur la priode de dcoupage, on voit qu'avec des rapports cycliques gaux on retrouve la loi linaire d'une cellule traditionnelle : + 2 1 = 2 = (v dec ) moy = 1 .V = .V 2 (Eq. 6) Les formes d'onde obtenues avec un rapport cyclique variable et un dphasage fixe de 180 sont illustres en Figure 8.
Rapport cyclique
On se rappellera que la tension dcoupe est tout instant gale la somme des signaux de commande des interrupteurs A1 et A2 multiplie par la demi-tension. Si les tensions V et V/2 peuvent tre assimiles des tensions continues sur une priode de dcoupage, on peut raisonner en valeurs moyennes sur une priode de dcoupage et montrer que la valeur moyenne de la tension dcoupe ne dpend que des rapports cycliques :
(v dec ) moy = (1 + 2 ). V
(Eq. 5)
Il est donc possible, en jouant uniquement sur le dphasage entre SC 1 et SC 2 , de modifier la forme d'onde de la tension dcoupe, sans altrer sa valeur moyenne. L'introduction d'un dphasage entre SC 1 et SC 2 permet de moduler la tension dcoupe sur trois niveaux (0, V/2, V) au lieu des deux niveaux usuels (0, V). Une utilisation optimise de ce nouveau degr de libert permet de rduire notablement le contenu harmonique de la tension dcoupe. La Figure 7 montre par exemple quel point on peut rduire l'ondulation de courant dans un hacheur cellules imbriques en dphasant progressivement les signaux de commande de 0 180 degrs. On notera qu'avec un dphasage 180, la tension vdec prsente une ondulation une frquence double de la frquence de dcoupage, et une ondulation de tension gale la moiti de la tension V. Pour une inductance donne, l'ondulation de pire cas est ainsi rduite dans un facteur quatre par rapport une commande en phase. Cette proprit est rapprocher de celle, plus connue, des onduleurs en pont complet. La seule diffrence est que la tension
SC1
SC2
Vdec
Figure 8 : Variation du rapport cyclique avec commandes entrelaces On notera en particulier que l'ondulation de courant passe par un minimum local nul pour un rapport cyclique de 50%, alors que ce rapport cyclique
correspond un maximum de l'ondulation dans une structure classique (ou avec un dphasage nul). L aussi, on peut faire un parallle avec une structure utilisant deux cellules de commutation traditionnelles pour former un pont, en remarquant toutefois que dans le cas des cellules imbriques, la puissance transfre au point remarquable =50% n'est pas nulle... Nous avons vu qu'il est possible d'optimiser la forme donde de la tension dcoupe en commandant les deux cellules de commutation avec des rapports cycliques gaux et un dphasage de 180. Ceci peut tre ralis trs simplement en introduisant une deuxime porteuse dphase de 180. On aboutit donc ainsi au schma de principe donn en Figure 9.
Modulante A1 B1 + _ A2 B2 Porteuses
Nous nous bornerons dans un premier temps expliquer comment ceci peut-tre ralis dans le cas du rgime permanent d'un hacheur (V et I continus). Le courant vu par la source de tension flottante s'exprime comme la diffrence des courants traversant A1 et A2 . De plus, le courant dans un interrupteur bloqu tant nul et le courant dans un interrupteur passant tant gal I, le courant parcourant la source flottante est tout instant gal la diffrence des signaux de commande de A1 et A2 multiplie par le courant I. Si le courant I est rigoureusement continu, le courant moyen vu par la source flottante est proportionnel la diffrence des rapports cycliques de conduction de ces interrupteurs ; il suffit donc de maintenir ces rapports cycliques gaux pour annuler la puissance active vue par cette source qui mrite alors le nom de source "auxiliaire". Cette proprit est illustre en Figure 10 qui reprsente le courant qui circulerait dans la source flottante avec une source de courant idale et continue I=150A, les rapports cycliques des deux cellules tant maintenus gaux et leur dphasage variant progressivement de 0 180, comme en Figure 8.
+ _
Figure 9: Schma simplifi dun modulateur pour cellule de commutation bicellulaire Caractristiques de la source flottante Toutes les proprits intressantes de cette structure sont lies l'utilisation d'une source de tension auxiliaire qui semble trs pnalisante : situe au c de la cellule de commutation, ur son courant crte est gal au courant principal, son amplitude est une fraction (non ngligeable) de la tension principale, son amplitude doit tre proportionnelle la source de tension principale, elle est rfrence un potentiel flottant,
Figure 10: Courant circulant dans le condensateur flottant en fonction du rapport cyclique Rsum Les quatre interrupteurs doivent tre commands comme deux cellules de commutation : B1 = A1 B2 = A2 (Eq. 7)
elle doit dans bien des cas tre continue. Il ne manque plus grand chose pour que la ralisation de cette source "auxiliaire" ncessite un convertisseur "auxiliaire" de puissance comparable celle du convertisseur principal, ncessitant une rgulation propre, avec un isolement galvanique supportant une tension importante, de forts dV/dt... le tout devant de plus tre rversible en puissance ! Fort heureusement, on remarque que le courant parcourant cette source est nul dans les tats reprsents en Figure 5a et b et qu'il est gal au courant de la source de courant dans l'tat reprsent en Figure 6c et son inverse dans l'tat correspondant la Figure 6d. Le bilan nergtique de cette source peut donc tre matris et annul en jouant harmonieusement sur l'utilisation de ces deux dernires phases.
La tension applique une cellule est la diffrence des tensions imposes par les sources qui l'entourent : V V Vcel1 = 2 0 = 2 V V Vcel = V = 2 2 2
(Eq. 8)
La somme des fonctions de modulation dfinit la tension de sortie : V (Eq. 9) 2 La diffrence des fonctions de modulation dfinit le courant circulant dans la source flottante : iSF = (SC 2 SC1 ).I (Eq. 10) v dec = (SC1 + SC 2 ).
II.1.b. Extension un nombre quelconque d'interrupteurs Mise en srie directe La mise en srie de plus de deux interrupteurs ne pose pas de problme de principe supplmentaire. Elle ne fait que poser de manire plus contraignante les problmes de mise en srie voqus plus haut ; quilibrage statique : le rapport entre tension commute et tension interrupteur tant plus lev, l'quilibrage statique des tensions doit tre assur avec une plus grande prcision (un dsquilibre de V/10 peut-tre tolr pour deux interrupteurs en srie, il n'est certainement pas acceptable pour dix interrupteurs en srie!), synchronisation des commutations effectives : qu'il s'agisse des procdures de tri ou du dcalage des ordres de commandes, la complexit crot avec le nombre d'interrupteurs, dV/dt : la sommation des dV/dt dus aux commutations synchrones ne doit pas tre nglige lors de la conception des allumeurs et du traitement des problmes de compatibilit lectromagntique. Onduleur "clamp" L'extrapolation de cette topologie plus de trois niveaux est envisageable (cf. Figure 11).
V /3
aussi imaginer un modulateur qui permet de commander correctement une telle structure. Cependant, le problme principal est que les symtries naturelles des formes d'ondes du trois niveaux sont brises, et aucun motif de commande simple ne permet d'imposer des courants moyens nuls dans les ponts diviseurs capacitifs en boucle ouverte. Cellule de commutation multicellulaire La topologie cellules imbriques prsente l'avantage de pouvoir tre directement gnralise un nombre quelconque d'interrupteur, et ce aussi bien au niveau topologique qu'au niveau commande. L'extrapolation de la topologie avec p paires d'interrupteurs est reprsente en Figure 12.
Ap Ak A k-1 A1 I V=Vp Vk Vk -1 V1
Bp
Bk
B k-1
B1
Figure 12 : Cellule de commutation multicellulaire Chaque paire d'interrupteur ( k, Bk) est comprise A entre deux sources flottantes d'amplitudes diffrentes, les commandes de Ak et Bk doivent donc tre complmentaires. Par consquent, la loi des mailles donne : (VAk )off = (VBk )off = Vk - Vk -1(Eq. 11) k = 1,...,p avec V0 =0 En appliquant la loi des mailles aux sries Ak et Bk , et en remarquant qu' tout instant, la moiti des interrupteurs est passant, l'galit des tensions aux bornes des interrupteurs bloqus s'crit : (VAk )off = (VBk )off = V/p (Eq. 12) k=1,...,p A partir des deux relations prcdentes, on en dduit alors par rcurrence : Vk =k.V/p (Eq. 13) k = 0,...,p avec V0 =0 L'expression du courant instantan dans la source flottante de rang k est donne par : iSFk = (SC k +1 SC k ).I (Eq. 14) En se limitant au cas de sources V et I strictement continues (hacheur en rgime permanent avec charge d'impdance infinie), l'annulation de la puissance active dans toutes les sources flottantes ne peut tre obtenue qu'en imposant des rapports cycliques gaux. Comme dans le cas de deux cellules, les dphasages entre signaux de commande des diffrentes cellules constituent un degr de libert supplmentaire qui ne modifient pas la valeur moyenne de la tension dcoupe mais rduisent son contenu harmonique. On montre que des dphasages rguliers de 2/p
A3 A2 A1 I
V /3
V B1
V /3
B2 B3
Modulante
+ + + -
A3 B1 A2 B2 A1 B3
Porteuse
Figure 11 : Cellule de commutation 4-niveaux clamp et modulateur correspondant Notons que dans cette structure, les problmes d'implantation et de minimisation des inductances dans les mailles de commutation deviennent proccupants. De mme, la mise en srie de diodes commutant la frquence de dcoupage doit tre matrise. Cependant, sur le principe, on voit quon peut gnraliser le schma de puissance, on peut
permettent d'optimiser le spectre en annulant les raies aux frquences fdec, 2. fdec,...,(p-1).fdec. Le schma de principe de la Figure 13 reprsente un modulateur respectant les conditions dcrites cidessus.
Modulante
Rapport cyclique
SC1
SC2
SC3
An Bn Ak Bk A1 B1
I Vdec
Figure 13 : Modulateur pour cellule de commutation multicellulaire Au niveau des formes d'onde, ce dphasage des signaux de commande conduit une tension dcoupe de frquence fdec et d'amplitude V/p. Pour une inductance donne, l'ondulation de pire cas du courant de sortie est alors rduite dans un facteur p par rapport celle obtenue avec des commandes synchrones. Une illustration de ce phnomne dans le cas de trois cellules avec un dphasage entre cellules adjacentes variant progressivement de 0 120 est donne en Figure 14
Dphasage
SC1
SC2
SC3
Vdec
fdec Srie1
Srie2 2.fdec Srie3
Figure 14 : Rduction de londulation de courant par entrelacement des commandes Pour un dphasage de 2/p et des rapports cycliques gaux, la tension dcoupe sera priodique p.fdec. Pour tout entier n=1,...,p, elle prendra les valeurs (n-1).V/p et n.V/p pour un rapport cyclique compris entre (n-1)/p et n/p. Ceci est illustr en Figure 15 pour trois cellules dphases de 120 et un rapport cyclique variant de 0 1.
3.fdec Srie4
Srie5 4.fdec Srie6
Dans le cas dune cellule de commutation clampe par le neutre, tout se passe comme si on avait deux cellules chacune alimente sous une tension V/2 et commutant la frquence fdec. Pour une modulante comprise entre 0 et 50%, seule la cellule A1 B2 est active, et son rapport cyclique varie de 0 100%. On retrouve dans cette zone un spectre dallure identique ce quon avait avec une cellule traditionnelle, mais tous les harmoniques ont une amplitude rduite de moiti. Il en est de mme pour des valeurs de modulantes comprises entre 50 et 100% qui activent la cellule A2 B1 . Lallure gnrale est donne en Figure 17. Lharmonique de tension prpondrant est lharmonique fdec qui est toujours le plus important. Lorsquune telle cellule de commutation alimente une source inductive, lamplitude de londulation de courant varie essentiellement comme ce premier harmonique. Londulation maximum de courant est donc, comme le premier harmonique de tension, rduite de moiti par rapport une cellule traditionnelle.
DC
1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
Dans le cas dune cellule de commutation tricellulaire, cest lharmonique 3 qui devient prdominant. Sur charge inductive, londulation passe par un maximum 9 fois plus faible quavec une cellule traditionnelle. En effet, lharmonique de tension prdominant est rduit dans un rapport 3 et limpdance de la source inductive est 3 fois plus importante cette frquence.
DC
1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
4.fdec Srie6
Srie7 5.fdec
6.fdec
fdec Srie1
Srie2 2.fdec Srie3 Srie4 3.fdec Srie5
III.1. Introduction
La notion de cellule de commutation est particulirement intressante pour aborder llectronique de puissance de manire structure et tudier sparment le problme local de la commutation et le problme global du transfert et de la conversion dnergie. Par exemple, en associant les caractristiques spcifiques des cellules de commutation multicellulaires (premire partie de cet article), ltat de lart concernant la synthse des convertisseurs partir de cellules de commutation classiques [3], on peut faire la synthse de toute une famille de convertisseurs multicellulaires. Nous prsentons ci-dessous un rapide survol de ces diffrentes structures de convertisseurs multicellulaires obtenus directement par application de ces rgles classiques. Puis, nous montrerons quune optimisation du systme form par plusieurs cellules de commutation multicellulaires ne se rduit pas la juxtaposition de cellules optimises. En particulier, nous verrons quun ragencement des ordres de commandes permet de rduire la valeur des capacits flottantes et du courant efficace qui les traverse. Enfin, dans tout ce qui prcde, lobjectif implicite est loptimisation de la tension applique la charge, et mme si ce critre peut tre formul de diffrentes manires (gabarit spectral, ondulation de courant, taux de distorsion, ondulation de couple,), la commande optimise est toujours la mme. Par contre, si on choisit un critre doptimisation radicalement diffrent, comme la rduction de la tension de mode commun, on peut mettre jour des lois de commande rsolument diffrentes qui ont un rel intrt pratique. Un tel
Figure 17 : Harmoniques gnrs par une cellule de commutation Neutral Point Clamped Dans le cas dune cellule de commutation bicellulaire, le dphasage de 180 des ordres de commandes des deux cellules permet dannuler tous les harmoniques impairs. Lharmonique prpondrant devient ainsi lharmonique 2.fdec dont le maximum est rduit de moiti par rapport au cas prcdent. Londulation de courant sur charge inductive passera par un minimum nul pour un rapport cyclique 50% et atteint son maximum pour 25 et 75%. En ces points, lamplitude moiti et la frquence double conduisent, sur charge inductive, une ondulation quatre fois plus faible quavec une cellule de commutation traditionnelle.
DC
1 0,8 0,6 0,4 0,2 0
4.fdec Srie6
Srie7 5.fdec
6.fdec
exemple sera trait dans le cas des onduleurs monophass et triphass (et par transposition directe londuleur triphas 6 bras).
III.2.b. Onduleurs de tension Les interrupteurs doivent tre unidirectionnels en tension et bidirectionnels en courant. Le produit V.I changeant de signe, le rle des sries A et B s'inverse chaque alternance ; pendant une alternance, la srie A est commande l'amorage et au blocage, et la srie B est amorage et blocage spontans, puis c'est l'inverse. En pratique, chaque interrupteur est gnralement constitu d'un semiconducteur commutations commandes (symbolis dans les dessins par un transistor bipolaire) en parallle avec un semiconducteur commutations spontanes (diode). La Figure 21 donne un exemple donduleur tricellulaire.
V= V3
+ V2
+ V1
+ V2
+ V1
+ V2
+ V1
Figure 21 : Onduleurs multicellulaires Les onduleur sont par principe rversible en puissance et peuvent tre utiliss pour prlever de lnergie sur un rseau alternatif en matrisant la forme du courant(Erreur ! Source du renvoi introuvable.).
+ + + I + + + + I + + +
A p p l ic a ti o n on d ul e ur : m o nt a ge d v ol t eu r
A p pl i c at i o n re d ress eu r : m o n t ag e su rv ol t e ur
a :Onduleur mono b : redresseur Figure 22 : Montages diffrentiels classiques Les deux structures prcdentes utilisent deux cellules hacheurs dvolteurs rversibles en courant dont les tensions dcoupes sont unidirectionnelles mais susceptibles de faire apparatre, en diffrentiel, une tension alternative. Un tel principe peut galement tre utilis avec une association de hacheurs survolteurs rversibles en courant (Figure 23). Cette association est pnalisante en terme de dimensionnement des semi-conducteurs qui doivent supporter la tension continue additionne la tension crte alternative. Son intrt est particulirement vident dans lapplication redresseur lorsque la tension continue en rgime tabli doit tre infrieure la tension crte alternative (on vite un deuxime convertisseur dvolteur). Les contraintes en tension peuvent alors justifier une conception multicellulaire.
V3 V s t V3 V s t
V=V3
V=Vs
V1
V2
Hacheur dvolteur
Hacheur survolteur
V2
V1
+ + Ie> 0
V=Ve+Vs
V=Ve+Vs
I> 0
V1
V2
V2
V1
Is> 0 +
Ve
+ +
V s t
V s t
degr de libert. Lorsquon fait varier ce dphasage lannulation des harmoniques de la tension dcoupe trois fois la priode de dcoupage se produit pour =60, 180 et 300. Dautre part, le courant circulant dans la source de tension nest dtermin que par les cellules 3 et 3 (loi des n uds), et lannulation des harmoniques de courant la frquence de dcoupage dans la source de tension ne se produit que lorsque le dphasage entre 3 et 3 est de 180 Le cas reprsent en Figure 24-b constitue donc un optimum intressant.
2 2 1 1 3 3 3 2 180 2 3 1 1 1 180 2 1 3 3 2
a b c Figure 24 : Phases des signaux de commande Cependant, il est galement possible dutiliser le motif de commande de la Figure 24-c qui est caractris par des dphasages entre cellules du mme bras qui sont rduit de moiti. Comme en Figure 24-b, la rpartition rgulire des 6 vecteurs permet dannuler les harmoniques de fdec 5 fdec et le dphasage de 180 entre 3 et 3 permet dannuler lharmonique de courant fdec dans la source de tension. Mais de plus, la rduction du dphasage intercellules lintrieur de chaque bras permet de diviser par deux la valeur des capacits flottantes et de diviser par deux leurs pertes par effet Joule, ce qui constitue un avantage dterminant. Un tel fonctionnement est simul en Figure 25.
Zoom(haut) Formes dondes gnrales(bas) Figure 25 : Pont monophas avec rduction des dphasages intercellules Remarque : londuleur triphas en pont complet (6 bras donduleurs alimentant une machine triphase trois enroulements totalement indpendants) est
classer dans le prsent paragraphe. Fonctionnellement, il sagit de trois onduleurs monophass pouvant bnficier de la division par deux des condensateurs. III.3.b. Modulation triphases Dans de nombreuses applications, londuleur est connect une charge triphase sans connexion au neutre. Le fait de pouvoir rgler trois tensions simples pour imposer trois tensions composes dont la somme est nulle montre quil y a un degr de libert excdentaire. Diffrentes stratgies dveloppes pour les onduleurs 2-niveaux sont utilisables avec des onduleurs multiniveaux, mais nous voulons montrer ici que la stratgie flat-top procure aux multiniveaux dautres atouts. Cette stratgie consiste supprimer le dcoupage sur le bras dont la tension est la plus faible ou la plus forte. On peut par exemple dfinir six secteurs de 60 qui correspondent un enchanement du type : gel bas bras 1, gel haut bras 2, gel bas bras 3, gel haut bras 1, gel bas bras 2, gel haut bras3, etc. Le gel de chaque bras pendant 1/3 du temps permet de rduire les pertes par commutation et, dans le cas du multicellulaire, les courants efficaces dans les capacits flottantes. La Figure 26 montre lvolution de ces quantits en fonction du facteur de puissance dans le cas de pertes par commutation proportionnelles au courant.
1 1 Facteur de rduction de Pcom (hypothse linaire) 0.9 0.9 0.8 0.8
Figure 27 : Modulantes, tension dcoupe du bras A et courants des trois phases en modulation sinusodale (haut) et en flat-top (bas) De plus, lexamen de la tension phase-neutre et de son contenu spectral un point de fonctionnement intermdiaire (Figure 28) montre une rduction significative des harmoniques de tension aux frquences voisines de trois fois la frquence de dcoupage.
0.7
0.7
0.6
0.6
0.5
0.5
0.4
0.4
0.3
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
Dphasage
Dphasage
Pertes par commutation ICeff Figure 26 : Rduction des contraintes dans un onduleur avec commande flat-top en fonction de Pour un redresseur absorption sinus et un onduleur alimentant une machine avec cos()=0.8, on aurait: Cot rseau, la frquence de dcoupage peut tre double grce la rduction des pertes, le courant efficace dans les condensateurs flottants est rduit de 20% (les pertes par conduction dans le condensateur de 36%), et le courant maximum circulant dans les condensateurs vaut cos(60) ; il est rduit de 14%. La capacit des condensateurs flottants du redresseur peut donc tre rduite de 57%. Ct machine, la rduction des pertes avec un dphasage de 36 permet une augmentation de frquence de dcoupage de 66%, le courant efficace est rduit denviron 12%, et le courant maximum nest pas rduit. La capacit des condensateurs flottants de londuleur peut tre rduite de 40%.
Figure 28 : Tensions phase-neutre et spectre correspondant Une reprsentation tridimensionnelle de lvolution du spectre en fonction de la profondeur de modulation permet de vrifier les meilleures performances de la modulation flat-top sur
1.2
1.2
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4 2 0 0.2 1 0 0 0 1000 2000 3000 0 4000 5000 6000 7000 8000
0.4 2 0 0.2 1 0 0 0 1000 2000 3000 0 4000 5000 6000 7000 8000
Figure 29 : Evolution du spectre de la tension phase-neutre avec la profondeur de modulation : modulation sinus(gauche) et flat-top (droite) III.3.c. Tensions de mode commun Les tensions de mode commun gnrent des courants de mode commun dans les capacits parasites stator-rotor des machines tournantes et ces courants retournent la terre en passant par les roulements de la machine, entranant une usure prmature. Certaines tudes attribuent jusqu 60% des pannes ce phnomne. Pour tudier les tensions de mode commun gnrs par les onduleurs, on peut utiliser la transformation triphas/diphas et inscrire en chaque point accessible londuleur la tension de mode commun (Figure 30). Le point central est ddoubl et correspond une tension de mode commun de E/2, 3 sommets de lhexagone correspondent +E/6 et 3 autres E/6.
-17 +17
On voit aussi quil est possible de concevoir une stratgie optimisant la tension de mode commun. On peut par exemple identifier un triangle accessible avec une tension de mode commun continue de +E/6, et un autre triangle dcal de 60 correspondant une tension de E/6 (Figure 31 gauche). Le reste de lhexagone nest accessible quen gnrant une tension de mode commun la priode de dcoupage prsentant des chelons damplitude E/3. On peut alors en dduire trois zones de fonctionnement correspondant la gnration de tensions de mode commun trs diffrentes (Figure 31 droite). A faible profondeur de modulation, on peut maintenir une tension de mode commun continue sans courant de mode commun. A profondeur de modulation intermdiaire, la tension de mode commun pourra tre une tension carre damplitude E/3 et de frquence triple de la frquence de modulation et forte profondeur de modulation, aucune amlioration significative nest esprer.
-17 0 +17
-17
+17
-17
+17
-17
-17
-17
50
+17
+17
-17
Figure 32 : Tension de mode commun dans un onduleur 3 -niveaux Dans le cas dun onduleur trois niveaux, le nombre de points accessibles est plus important (19 correspondant 33 =27 combinaisons) et on a aussi beaucoup plus de degrs de libert pour rduire les variations de tension de mode commun. La tension de mode commun peut prendre 7 valeurs : -E/2 ,-E/3,-E/6, 0, E/6, E/3, E/2 (Figure 32).
-17
+17
Figure 30 : Tensions instantanne de mode commun gnre par un onduleurs deux niveaux. (tension en % de E) On voit ainsi que les stratgies utilisant les trois points les plus proches du vecteur moyen souhait sont trs perturbantes en terme de tension de mode commun; chaque priode de dcoupage, la tension de mode commun prendra trois valeurs +E/6, E/6, et E/2.
Figure 33 : Tensions de mode commun obtenues avec des stratgies optimises(onduleur 3-niveaux) Le plan correspondant une tension de mode commun nulle comprend sept points rpartis au centre et aux six sommets dun hexagone dcals de 60 par rapport lhexagone de londuleur deux
niveaux. Les lois de commande classiques dun onduleur 2-niveaux classique peuvent donc trs facilement tre transposes au cas du trois -niveaux sans application de tension de mode commun. Cependant, une telle stratgie ne permettra pas datteindre la profondeur de modulation maximale.
applications de 1 4.5MVA avec des onduleurs biet tricellulaires pour machines 2.4kV et 3.3kV (tensions efficaces entre phases). Des applications jusqu 8MVA peuvent tre couvertes par diverses associations de deux onduleurs [7]. Dans sa version 4.5MVA, londuleur est constitu de trois cellules de commutation tricellulaires aliment sous une tension continue de service de 4.7kVDC maximum. Les semi-conducteurs de puissance sont des IGBT 3.3kV 1.2kA commutant 1.2kHz. Le courant maximum dlivr la charge peut atteindre 800A eff sous une tension de 3.3kVeff. Chaque semiconducteur est mont sur une plaque eau et command par fibre optique.
Cellule
Commande et redresseur
Onduleur
Filtre et refroidissement
Les rgulations de couple, de flux et de vitesse de ce variateur rutilisent des systmes de commande dvelopps pour les onduleurs 2-niveaux de ce mme constructeur. Seul ltage de sortie est modifi pour gnrer les signaux de commande supplmentaires qui sont simplement dphass dun angle de 120. Lquilibrage de chaque phase est assur en boucle ouverte par un circuit passif, sans capteur additionnel ni correction des ordres de commande. Le circuit de puissance ne comporte ni circuit daide la commutation ni crteur ; seules des rsistances de trs fortes valeurs sont connectes en parallle avec les condensateurs flottants pour assurer la dcharge aprs mise hors tension. Cette simplicit de mise en uvre, est due trois principaux facteurs : les progrs raliss sur les composants, les proprits intrinsques de la structure de conversion, et enfin loptimisation de la gomtrie et du cblage des cellules de commutation ; chaque module lmentaire comporte les deux IGBT et diodes antiparallles dune mme cellule de commutation, une fraction des deux condensateurs qui encadrent cette cellule, et le cblage aselfique correspondant [8]. Les caractristiques lectriques de la cellule de commutation sont donc matrises au sein de chacun de ces modules, ce qui permet de disposer
dune plus grande libert pour raliser les connexions entre les diffrents modules. Lintgration de chaque cellule dans un chssis autoporteur permet ensuite de raliser une cellule tricellulaire par simple empilage de trois modules, et un onduleur triphas (resp. n-phas) par juxtaposition de trois (resp. n) empilements. IV.2.b. Utilisation dIGBT 4.5kV Une seconde gamme donduleurs a plus rcemment t dveloppe par Alstom Power Conversion Berlin. Cette gamme vise le march nord-amricain des variateurs de vitesse pour machines 4.15kV (tension efficace entre phases) ce qui correspond une tension de bus denviron 6kVDC. Afin datteindre une telle tension et en tenant compte des marges de scurit usuelles, la mise en srie de trois cellules IGBT de 4.5kV a t c hoisie. Une telle cellule est illustre en Figure 37 sur laquelle on peut distinguer, du centre vers lextrieur, le busbar aselfique, les IGBT, les radiateurs et enfin les drivers. Afin dobtenir une tension disolement et une immunit la tension de mode commun suffisante, ces drivers utilisent des fibres optiques et un transformateur air [9].
permet dalimenter directement des machines conues pour tre connectes au rseau, ce qui nest pas envisageable avec des onduleurs 2 -niveaux. Enfin, le rendement global de la section redresseuronduleur est suprieur 98% compatible avec un simple refroidissement air (convection force) qui reste conomiquement attractif.
IV.3. Conclusion
Le fractionnement de lnergie permet dutiliser des semi-conducteurs de calibres rduits qui ont des performances dynamiques optimises et sont conomiques car produits en grande srie. Lorsque la topologie permet de tirer effectivement parti de laugmentation des degrs de libert potentiels rsultant du nombre accru dlectrodes de commande, les filtres passifs peuvent tre rduits, et les bandes passantes des boucles de rgulation peuvent tre augmentes. Pour toutes ces raisons, le recours de telles structures est de plus en plus frquent en forte et trs forte puissance, et on peut mme sattendre les voir utilises en moyenne et petite puissance dans un futur proche. Rfrences 1. "Bridge converter Circuit " Richard H. BAKER US Patent 4,270,163 26/05/81 2. "Dispositif lectronique de conversion d'nergie lectrique" T. Meynard, H. Foch Brevet Franais 91.09582 25/07/91 Brevet Europen 92/916336.8 08/07/92 Dpt au Canada, Japon, U.S.A. 08/07/92 "Synths e des convertisseurs statiques" Techniques de lIngnieur "Structure et commande des convertisseurs multicellulaires" T. MEYNARD, M. FADEL Journes 3EI, Suplec 20-21/03/97 "Onduleurs de tension" Techniques de lIngnieur, D3 176, pp 1-18 "Dispositif de conversion de l'nergie lectrique avec circuit d'quilibrage passif" Meynard, P. Carrere, JP Lavieville, O. Bethoux Brevet Europen 95402962.5 28/12/95 J. Courault, O. Lapierre, J.L. Pouliquen, "Industrial interest of Multilevel converters" European Power Electronics Conference Lausanne, 7 9 septembre 99 "Structure pour une ralisation industrielle de convertisseur multiniveaux" J. COURAULT Brevet Franais 9803189 16/03/98 Brevet Europen 99400583.3 10/03/99 "Modulare Stromversorgung mit hoher Teilentladungsfestigkeit " R. Jakob, D. Rudniski, G. Junge Brevet allemand DE 100 39 707.7 14/08/00
Figure 37 : Cellule IGBT 4.5kV (dveloppement ALSTOM Power Conversion) En adaptant notamment le calibre en courant des interrupteurs, cette gamme peut tre dcline en diffrentes versions permettant de couvrir les applications de 280kW 3.5MW ; des associations parallles donduleurs complets ont galement permis dalimenter des machines jusqu 7MW.
3. 4.
5. 6.
7.
8.
Figure 38 : Onduleur tricellulaire 2.2MW (dveloppement ALSTOM Power Conversion) La puret spectrale de la tension dlivre par les onduleurs de la gamme Symphony (THD<3%)
9.