Electrnica Analgica

Unin PN (teora)

2. TEORA DE LA UNIN PN
En un semiconductor existe una unin PN cuando existe una regin denominada unin metalrgica que separa una regin de semiconductor extrnseca de tipo P de una de tipo N.

n
Unin metalrgica

Representacin circuital

Al extremo P, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona N, se le denomina ctodo, se representa por la letra K. Cuando no existe ninguna causa externa actuando sobre el diodo, se dice que el diodo est en equilibrio. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

2.1

UNIN PN EN EQUILIBRIO TERMODINMICO

En equilibrio termodinmico no existe ninguna causa externa actuando sobre el material, se crean pares e--h+ debido a la rotura de enlaces covalentes (generacin intrnseca) y todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados (generacin extrnseca).

+ -

+ -

+ -

+
-

+
-

+ + +

+
+

+
+

p + ND+ y NA-

+ n
-

+ - portadores provenientes de las impurezas + - portadores provenientes de la rotura de enlaces covalentes

En esta situacin, se manifiesta una difusin de portadores de zonas ms pobladas a zonas menos pobladas: los huecos de la zona P pasan a la zona N y los electrones hacen lo propio de la zona N a la zona P. Estos flujos por difusin pretenden anular el gradiente de concentracin de portadores que hay alrededor de la unin metalrgica. 1

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Cuando los portadores abandonan su regin correspondiente, dejan tras de s impurezas donadoras/aceptadoras ionizadas no compensadas: los iones negativos (NA-) de la zona P prximos a la unin, al ser desprovistos de los huecos que compensaban sus cargas, producen en esta regin un carga electrosttica negativa; a su vez, los iones positivos (ND+) de la zona N prximos a la unin, al ser desprovistos de los electrones que compensaban sus cargas, producen en esta regin una carga electrosttica positiva. La zona en la que se localizan estas impurezas ionizadas no compensadas recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de deplexin, de vaciamiento o de transicin, y en ella prcticamente no hay cargas mviles.
Zona de deplexin + +

+ d

- + - +
d

+
d + -

+ -

+ +

- +

p
Carga electrosttica negativa

n
Carga electrosttica positiva

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su anchura, profundizando en los semiconductores a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de carga electrosttica alrededor de la unin r metalrgica crea un dipolo causante de un campo elctrico E que se opone a los flujos por difusin y termina detenindolos. Solamente los portadores mayoritarios (huecos de la zona P y los electrones de la zona N) que poseen la energa cintica suficiente pueden atravesar por difusin la barrera de potencial existente en la zona de deplexin.

EP

+ d

- - ++ - - ++
d

+
d + -

+ -

+ +

- - ++ p
2

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El campo elctrico descrito provoca el paso de los portadores minoritarios (electrones en la zona P y huecos en la zona N) a travs de la zona de deplexin, lo que da lugar a sendos flujos de arrastre.
Fap (flujo de electrones por arrastre) Fan (flujo de huecos por arrastre)

EP

+ a

- - ++ - - ++ - - ++

+
a + -

+ -

+ +

En estas condiciones, las corrientes que se establecen a travs de la unin son: Idp huecos de la zona P con energa cintica suficiente para atravesar la unin. Idn electrones de la zona N con energa cintica suficiente para atravesar la unin. Iap huecos generados por la rotura de enlaces covalentes en la zona N. Ian electrones generados por la rotura de enlaces covalentes en la zona P.
Fdn (flujo de electrones por difusin) Fdp (flujo de huecos por difusin) Fap (flujo de electrones por arrastre) Fan (flujo de huecos por arrastre)

EP

+ ap

dp + -

- - ++ - - ++ - - ++

dn

+
+ dn -

an + -

+ +

dp +

p
3

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Los flujos de arrastre se oponen a los flujos por difusin, de manera que la corriente total es nula (existen corrientes, pero se compensan). Ir = IF = Id = Idn + Idp Is = IR = Ia = Ian + Iap Ir + I s = 0 Ir = - I s

I = Ir + Is = 0

2.2

UNIN PN EN POLARIZACIN DIRECTA

El campo elctrico aplicado ED es de sentido contrario al originado internamente (E P), siendo la nueva barrera de potencial VB=VD-VP. La disminucin de la barrera de potencial hace que la zona de deplexin se haga ms estrecha, ofreciendo menor resistencia al paso de corriente elctrica. Esto origina que un gran nmero de huecos penetren en la regin N y que un gran nmero de electrones penetren en la regin P a travs del mecanismo de difusin Inyeccin de portadores mayoritarios.

EP-ED

+ d d

- + - + - +

+
d

d + -

+ -+
+ -

+ n

+ -+

VD
4

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La inyeccin de portadores mayoritarios (Ir) hace que la componente de corriente debida a los portadores minoritarios (Is) sea despreciable. De este modo, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante, dependiente de la tensin aplicada.

I Ir

VD
2.3 UNIN PN EN POLARIZACIN INVERSA

El campo elctrico aplicado ED tiene el mismo sentido que el originado internamente (EP), siendo la nueva barrera de potencial VB=VD+VP. Por lo tanto, en las proximidades de la zona de deplexin existen cada vez menos electrones y huecos que puedan actuar como portadores de carga elctrica: la zona de deplexin se hace ms ancha, ofreciendo mayor resistencia al paso de corriente elctrica.

EP+ED

+ a

- - - - ++ ++
+

+ -

+
a + -

- - - - ++ ++ - - - - ++ ++ n p
VD

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Corriente inversa de saturacin (Is) Los portadores minoritarios ven favorecido su arrastre a travs de la zona de deplexin gracias al efecto del campo elctrico aplicado. Dado que la concentracin de portadores minoritarios (generacin intrnseca) es constante para una temperatura dada, al aumentar la tensin aplicada, aumenta tambin la corriente de arrastre, pero solamente hasta que todos los portadores minoritarios participen en la conduccin. En ese momento, la corriente de arrastre ya no crecer ms y permanecer constante. A dicha corriente se la denomina corriente inversa de saturacin, y se caracteriza por ser una corriente muy pequea (del orden de los A). Dado que la corriente inversa de saturacin depende de la generacin intrnseca, y sta a su vez depende de la temperatura, se deduce que al aumentar la temperatura tambin lo har la corriente. En este caso, la componente de corriente debida a los portadores mayoritarios (I r) es prcticamente despreciable, ya que al aumentar la barrera de potencial, ser menor el nmero de portadores mayoritarios que tengan la energa cintica suficiente para atravesarla por difusin.

I Is (A)

VD
Si la tensin inversa aplicada crece excesivamente, aumentar tambin el campo elctrico aplicado, lo que puede hacer que los portadores minoritarios se aceleren excesivamente, chocando y arrancando nuevos portadores de la estructura cristalina. Este fenmeno se denomina ruptura por avalancha y puede producir la destruccin de la unin PN.

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2.4

CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE DEL DIODO

Analizando las componentes de corriente de una unin PN, se llega a la siguiente relacin entre corriente y tensin: I = I s (e K T 1) V tensin de nodo a ctodo I corriente de nodo a catodo Is corriente inversa de saturacin q carga de un portador K cte de Boltzmann T temperatura
qV

Si el diodo se encuentra directamente polarizado: V > 0 I > 0 la corriente circula de nodo a ctodo. Por debajo de la tensin umbral (V) la corriente es muy pequea, prcticamente despreciable. Para valores superiores a V, la corriente comienza a crecer de manera exponencial: I = (e K T . No obstante, para valores muy grandes de V Is 1) llega un momento en que la barrera de potencial en la unin es casi nula, por lo que la caracterstica es prcticamente una lnea recta. A partir de dicho momento, la ecuacin deja de ser vlida y la corriente vendr determinada por la ley de Ohm (I = V / R D), donde la resistencia ser la debida al material y los contactos hmicos. Si el diodo se encuentra inversamente polarizado: V < 0 I < 0 la corriente circula de qV ctodo a nodo. Dado que la tensin V es negativa, el valor de la exponencial e K T tiende a cero, por lo tanto: I = Is . Si se alcanza un cierto valor de tensin inversa aplicada denominado tensin de ruptura (VBR), la ecuacin deja de tener validez, de forma que la corriente inversa aumenta, producindose la ruptura de la unin.
I (mA)
qV

I = V / RD

I = Is (e K T 1)
VBR I IS (A) V V(v)

qV

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De este anlisis se concluye que, cuando el diodo est directamente polarizado, circula por l una corriente elctrica constante dependiente de la tensin aplicada, mientras que cuando el diodo est inversamente polarizado, circula por l la corriente inversa de saturacin prcticamente despreciable e independiente de la tensin aplicada.

2.5

RESISTENCIA DE UN DIODO

Resistencia esttica (R) La resistencia esttica R es la relacin V/I para cualquier punto de trabajo del diodo. Se define como la inversa de la pendiente que une el origen de coordenadas con el punto de trabajo (punto Q).
I (mA)

IQ

R=

VQ V(v)

VQ IQ

= cot

Polarizacin Directa R = RF V = 0.7v , I = 10mA RF = 80 R pequea Polarizacin Inversa R = RR V = -50v , I = -0.1mA RR = 500M R grande Resistencia dinmica (rd) La resistencia dinmica rd es un parmetro muy importante cuando se trabaja en pequea seal (seales alternas de baja frecuencia). Se define como la inversa de la pendiente de la caracterstica del diodo en el punto de trabajo Q.
I (mA)

IQ Q

rd =
VQ V(v)

V I

= lim
Q

V dV = I 0 I dI

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I = s (e I

qV K T

qV dV K T 1 K T 1 dI q qV = Is e K T dI = q 1) q I K T dV K T Is e

2.6

CAPACIDAD DE UN DIODO

La unin PN se comporta como un condensador cuya capacidad es funcin de la tensin aplicada y en el que el dielctrico es la zona de deplexin, cuyo espesor es variable. Polarizacin directa: capacidad de difusin (CD) Esta capacidad es la responsable de la limitacin de la velocidad de conmutacin del diodo y es debida al mecanismo de difusin de cargas a travs de la unin. La expresin para calcular CD es: CD =

q I
K T

tiempo promedio que tarda un electrn en moverse entre dos huecos Como se observa, CD es directamente proporcional a la corriente, por lo que aumenta muy rpidamente con tensiones positivas. Polarizacin inversa: capacidad de transicin (CT) Esta es la capacidad a tener en cuenta cuando el diodo trabaja con seales alternas de alta frecuencia. La capacidad CT vara en funcin de la anchura de la zona de deplexin, la cual se modula a su vez en funcin de la tensin inversa aplicada. Los fabricantes proporcionan el valor de CT mediante curvas dependientes de la tensin inversa aplicada (VR) La expresin que relaciona CT con VR es: CT = CC + CC capacidad de la cpsula CO capacidad del diodo con VR = 0 n = 1/2 1/3, dependiendo del tipo de unin En resumen: Polarizacin directa CD >> CT 9 Co (1 + 2 VR ) n

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Polarizacin inversa CT >> CD

10

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2.7

CIRCUITOS EQUIVALENTES DE UN DIODO

Diodo ideal
I (mA)

V
I = I s (e K T 1)
qV

V(v)

I = - Is
CD CT

V RF

A
RR

D ON (P.D.)

D OFF (P.I.)

1 aproximacin
I (mA)

I I=0
/R
F

=1

tg

RF

A D OFF (P.I.)

D ON (P.D.)
V(v)

11

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2 aproximacin
I (mA)

I I=0 A
V
V(v)

A D OFF (P.I.)

D ON (P.D.)

3 aproximacin
I (mA)

I
1/ R
F

I=0 K A D OFF (P.I.) K

tg

RF

D ON (P.D.)
V(v)

V = 0

4 aproximacin (diodo ideal)

I (mA)

I A D ON (P.D.)
V = 0
V(v)

I=0 K A D OFF (P.I.) K

12