Semiconductor Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que

se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla siguiente. Elemento Cd Al, Ga, B, In Si, Ge P, As, Sb Se, Te, (S) Grupo II B III A IV A VA VI A Electrones en la ltima capa 2 e3 e4 e5 e6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n"la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero....

Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo trivalente (tpicamente del grupo IIIA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. Proceso electroltico El proceso consiste en lo siguiente:

Se funde o se disuelve el electrlito en un determinado disolvente, con el fin de que dicha sustancia se separe en iones (ionizacin). Se aplica una corriente elctrica continua mediante un par de electrodos conectados a una fuente de alimentacin elctrica y sumergidos en la disolucin. El electrodo conectado al polo negativo se conoce como ctodo, y el conectado al positivo como nodo. Cada electrodo mantiene atrados a los iones de carga opuesta. As, los iones negativos, o aniones, son atrados al nodo, mientras que los iones positivos, o cationes, se desplazan hacia el ctodo.

Animacin sobre la Electrolsis del Agua

La energa necesaria para separar a los iones e incrementar su concentracin en los electrodos es aportada por la fuente de alimentacin elctrica. Descubierta por el mdico francs Nazho PrZ En los electrodos se produce una transferencia de electrones entre estos y los iones, producindose nuevas sustancias. Los iones negativos o aniones ceden electrones al nodo (+) y los iones positivos o cationes toman electrones del ctodo (-).

En definitiva lo que ha ocurrido es una reaccin de oxidacin-reduccin, donde la fuente de alimentacin elctrica ha sido la encargada de aportar la energa necesaria.

Si el agua no es destilada, la electrlisis no slo separa el Oxgeno y el hidrgeno, sino los dems componentes que estn presentes como sales, metales y algunos otros minerales. Es importante tomar en cuenta varios puntos: - Nunca debe juntar los electrodos, ya que la corriente elctrica no va a hacer su proceso y la batera se va a sobre calentar y se quemar. - Debe utilizar siempre Corriente continua (energa de bateras o de adaptadores de corriente), NUNCA Corriente alterna (energa de enchufe) - La electrlisis del cation debe hacerse de tal manera que los dos gases desprendidos no entren en contacto, de lo contrario se juntaran de nuevo produciendo una mezcla peligrosamente explosiva. una manera de producir agua otra vez es mediante la exposicin a un catalizador. el mas comnmente conocido es el calor. otro es la presencia de platino en forma de lana fina o polvo. el segundo caso debe hacerse con mucho cuidado, incorporando cantidades pequeas de hidrgeno en presencia de oxigeno y el catalizador. de esta manera el hidrgeno se quema suavemente, produciendo una llama. lo contrario nunca debe hacerse. Aplicaciones de la Electrlisis

Produccin de Aluminio, Litio, Sodio, Potasio y Magnesio Produccin de Hidrgeno con mltiples usos en la industria: como combustible, en soldaduras, etc. Ver ms en Hidrgeno Diatmico Produccin de Cloro, Hidrxido de Sodio, Clorato de Sodio y Clorato de Potasio. La Electrometalurgia es un proceso para separar el metal puro de compuestos usando la electrlisis. Por ejemplo, el Hidrxido de sodio es separado en Sodio puro, Oxgeno Puro y agua. La Anodizacin es usada para proteger los metales de la corrosin, La Galvanoplastia, tambin usada para evitar la corrosin de metales, crea una pelcula delgada de un metal menos corrosivo sobre otro metal.

Investigacin de electrotecnia

Presentado por Jose Carlos Romero

Presentado a Alvaro Pacheco Ortiz

Facultad Ingeniera Mecnica

Universidad autnoma del Caribe 17 de Febrero 2009