Welcome to Scribd, the world's digital library. Read, publish, and share books and documents. See more
Download
Standard view
Full view
of .
Look up keyword
Like this
2Activity
0 of .
Results for:
No results containing your search query
P. 1
Diode electroluminiscente

Diode electroluminiscente

Ratings: (0)|Views: 10|Likes:
Published by Demjén Norbi
Principiul de funcţionare al unui LED
Configuraţia spatială a radiaţiei unui LED
Spectrul radiaţiei unui LED
Citirea datelor de catalog ale unui LED
Lungimea de undă a radiaţiei si lătimea spectrală
Principiul de funcţionare al unui LED
Configuraţia spatială a radiaţiei unui LED
Spectrul radiaţiei unui LED
Citirea datelor de catalog ale unui LED
Lungimea de undă a radiaţiei si lătimea spectrală

More info:

Categories:Types, School Work
Published by: Demjén Norbi on Feb 02, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

03/07/2015

pdf

text

original

 
FOTOEMI
ŢĂ
TOARE1
Diode electroluminiscente (LED)
Diagrama de benzi energetice
S
ă
ne amintim c
ă
materialele sunt formate din atomi, iar în interiorul acestora se afl
ă
 electroni care se invert pe orbite stationare în jurul unui nucleu. Fiecare orbit
ă
corespundeunei anumite valori pentru energia electronului, ceea ce înseamn
ă
c
ă
un atom posed
ă
doar nivele discrete de energie, ca în fig.&.1.Fig.&1Semiconductorii sunt materiale ce constau din atomi strîns lega
ţ
i între ei în cadrul uneire
ţ
ele cristaline. În fiecare atom exist
ă
mul
ţ
i electroni, dar propiet
ăţ
ile semiconductoruluisunt date doar de electronii care se afl
ă
în atomi pe cele mai exterioare orbite. Niveleenergetice posibile sunt tot discrete dar sunt atît de apropiate între ele încît suntreprezentate sub form
ă
de benzi de energie în loc de o mul
ţ
ime de nivele separate. Aceste benzi sunt private ca ni
ş
te regiuni continue de energie, dar dac
ă
am avea o lup
ă
special
ă
 ca s
ă
privim în interiorul lor, am putea vedea nivelele discrete care le compun, fig.&.2a.În semiconductori se disting dou
ă
benzi energetice: banda de valen
ţă
(de energii joase)
ş
i banda de conduc
ţ
ie (de energii mai mari). Ele sunt separate printr-o band
ă
interzis
ă
,
g
E,în care nu exist
ă
nici un nivel energetic permis (adic
ă
nu poate exista nici un electron).Prin urmare electronii pot fi ori în banda de valen
ţă
, ori în banda de conduc
ţ
ie, dar nu potfi între ele.Dac
ă
temperatura este zero absolut
ş
i nu este aplicat nici un cîmp electric exterior, to
ţ
ielectronii sunt concentra
ţ
i în banda de valen
ţă
 
ş
i nu se afl
ă
nici un electron în banda deconduc
ţ
ie. Aceasta deoarece nici un electron nu posed
ă
suficient
ă
energie suplimentar 
ă
cas
ă
sar 
ă
peste banda interzis
ă
. Dac
ă
este furnizat
ă
electronilor din banda de valen
ţă
energiedin exterior - fie prin temperatur 
ă
, fie printr-un cîmp electric extern - atunci unii dintre eivor primi suficient
ă
energie pentru a s
ă
ri peste banda interzis
ă
 
ş
i vor ocupa niveleenergetice în banda de conduc
ţ
ie. Spunem ca ace
ş
ti electroni sunt "excita
ţ
i". Ace
ş
tielectroni excita
ţ
i las
ă
goluri (echivalent cu sarcini electrice pozitive) în banda de valen
ţă
,ca în fig. &.2b.
 
FOTOEMI
ŢĂ
TOARE2 Fig.&.2
Radia
ţ
ia luminoas
ă
 
ş
i banzile de energie
Cînd un electron cade de pe un nivel energetic superior pe unul inferior, el elibereaz
ă
ocuant
ă
de energie numit
ă
foton. Rela
ţ
ia dintre varia
ţ
ia de energie,
E, energia fotonului,
 p
E
ş
i lungimea de und
ă
este:
λ==
hcEE
 p
 (&.1) Aceast
ă
idee se p
ă
straz
ă
 
ş
i pentru un semiconductor. Dac
ă
un electron excitat cade din banda de conduc
ţ
ie în banda de valen
ţă
, este eliberat un foton a c
ă
rui energie,
 p
E, estemai mare sau egal
ă
cu banda interzis
ă
,
g
E. Deoarece la procesul de radia
ţ
ie pot participamai multe nivele energetice din banda de conduc
ţ
ie
ş
i banda de valen
ţă
, lungimile deund
ă
radiate
i
λ
pot fi multiple. Prin urmare putem scrie
g p
EE
, sau sub o alt
ă
form
ă
 
gi
Ehc
λ
(dac
ă
 
g
E este m
ă
surat în eV
ş
i
λ
în nm, atunci
gi
E1248
λ
). Rezultatulacestei radia
ţ
ii multivalente este un spectru larg,
∆λ
, a luminii emise de unsemiconductor, fig.&.3.Fig.&.3.
 
FOTOEMI
ŢĂ
TOARE3
Radia
ţ
ia luminoas
ă
 
ş
i jonc
ţ
iune p-n
Cind un semiconductor de tip n este pus în contact cu unul de tip p, se formeaz
ă
o jonctiune p-n. La frontiera jonc
ţ
iunii, electronii difuzeaz
ă
din partea n în partea p
ş
i serecombin
ă
cu golurile de aici
ş
i, în acela
ş
i timp, golurile din partea p difuzeaz
ă
în partean
ş
i se recombin
ă
cu electronii de aici. În consecin
ţă
se formeaz
ă
 
o regiune s
ă
ă
cit 
ă
de purt 
ă
tori,
în care nu exist
ă
nici electroni liberi, nici goluri libere. Ionii pozitivi din partean
ş
i cei negativi din partea p a acestei regiuni, r 
ă
min necompensa
ţ
i ceea ce determin
ă
 apari
ţ
ia unui cîmp electric intern numit
 poten
 ţ 
ial de contact 
 
ş
i descris cantitativ prin
tensiunea de s
ă
ă
cire
 
D
V, fig.&.4.Fig.&.4.Lucrul cel mai important de re
ţ
inut este c
ă
:
recombinarea electron-gol elibereaz 
ă
ocuant 
ă
de energie - un foton.
Prin urmare, pentru a face un semiconductor s
ă
radieze estenecesar s
ă
sus
ţ
inem recombinarea electron-gol. Dar tensiunea de s
ă
ă
cire împiedic
ă
 electronii
ş
i golurile de a intra în regiunea s
ă
ă
cit
ă
. Prin urmare trebuie furnizat
ă
energiedin exterior pentru a învinge aceast
ă
barier 
ă
a tensiunii de s
ă
ă
cire. Aceast
ă
tensiuneaexterioar 
ă
, numit
ă
 
tensiune direct 
ă
de polarizare
, V, este ar 
ă
tat
ă
în fig.&.5; ea trebuie s
ă
 fie mai mare decît
D
V.Fig.&5.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->