PROTECCIN DE SISTEMAS ELCTRICOS INDUSTRIALES Principios de operacin de relevadores Tipos de relevadores

Clasificacin de los relevadores por su base constructiva: Electromecnicos Estticos Electrnicos analgicos Vlvulas de vaco Estado slido (transistores) Digitales Dr. Ernesto Vzquez Martnez UANL

Desarrollo histrico (1)

Relevadores electromecnicos

Desarrollo histrico (2)

Relevadores estticos 1a. Generacin: Vlvulas de vaco

1901: Relevador de sobrecorriente de induccin, 1908: Relevador diferencial, 1910: Relevador direccional, 1921: Relevador de distancia tipo impedancia, 1937: Relevador de distancia tipo mho. 1925: Proteccin piloto por comparacin direccional (onda portadora), 1930 40: Distintos tipos de relevadores, 1948: Relevador de distancia.

Desarrollo histrico (3)

Relevadores estticos 2a. Generacin: Transistores

Desarrollo histrico (4)

Relevadores estticos 3a. Generacin: Microprocesadores 1969: Proteccin de distancia,

1949: Esquema de comparacin de fase, 1954: Relevador de distancia, 1959: Relevador de sobrecorriente (versin comercial), Relevador de distancia (versin comercial).

1970: Proteccin diferencial de barras, 1972: Proteccin diferencial de transformadores, 1973: Proteccin diferencial de generadores, 1973: Integracin de funciones de proteccin y control, 1978: Relevador de frecuencia, 1980: Relevador de sobrecorriente de tiempo inverso,

Desarrollo histrico (5)

Relevadores estticos

Desarrollo histrico (6)

Electromecnicos

1980: Mediciones fasoriales para estimacin de estado, 1981: Proteccin de motores, 1982: Localizacin de fallas, 1983: Proteccin piloto de fibra ptica, 1984: Registro digital de fallas, 1987: Protecciones adaptivas, . . . . .

Produccin (%)

3a. Generacin: Microprocesadores

Estticos Digitales

100

1973

1980

1990

Esquema estructural de un relevador (1)

rganos de medicin
Clasificacin de los relevadores por su base constructiva: Electromecnicos, Estticos (electrnicos analgicos, digitales).

V 1 2

Clasificacin de los rganos de medicin: Una seal elctrica de entrada; su comportamiento depende del valor absoluto de la seal de entrada, Dos seales elctricas de entrada; su comportamiento depende de los valores de ambas seales, Tres o ms seales elctricas de entrada.

Principios de operacin de los esquemas de comparacin

Comparacin de amplitud (CA, CD), Comparacin de fase (CA), Comparacin de frecuencia, Comparacin compuesta o hbrida.

Comparacin de amplitud de dos seales elctricas

E1 > E2 (valores absolutos)

W = E1/E2

Las comparaciones de amplitud y de fase son las dos opciones ms difundidas para el diseo de relevadores de proteccin, utilizando rganos de medicin de dos seales elctricas de entrada (mtodo grfico).

Principios de funcionamiento de los esquemas de comparacin de amplitud

Utilizacin de pares electromecnicos (atraccin e induccin electromagntica), Utilizacin de elementos basados en el efecto Hall, Comparacin de seales rectificadas.

Comparacin de fase de dos seales elctricas

1 > 2
es el ngulo de defasaje entre E1 y E2, y es positivo cuando E1 se adelanta a E2; 1 y 2 son los lmites angulares del esquema de comparacin. Arg W = Arg(E1/E2) = 1 Arg W = Arg(E1/E2) = 2 W = E1/E2

1 2

Principios de funcionamiento de los esquemas de comparacin de fase

Utilizacin de pares electromecnicos (induccin electromagntica), Utilizacin de elementos basados en el efecto Hall, Utilizacin de puentes rectificadores sensibles al defasaje de las seales, Utilizacin de indicadores indirectos del defasaje entre las seales: Tiempo de coincidencia, Sucesin de intervalos de tiempo, Signo de una seal con respecto a otra, .. 0 0

rganos de medicin de una seal elctrica de entrada

P0

Zona de operacin

Zona de operacin

P0

Zona de operacin

Zona de operacin

Zona de operacin

Responden al valor absoluto o la frecuencia de la seal de entrada

Comparacin del valor absoluto de la seal de entrada con una constante

Condicin de operacin: f(S) > K, f(S) < K Se debe asegurar la estabilidad de K con respecto a la temperatura, el tiempo, y otros factores (par mecnico de una muelle, un voltaje, una corriente, un intervalo de tiempo, etc). F(S) 1 4 2 K 3

Generacin del par de atraccin en un relevador electromecnico (1)

Conceptos de circuitos magnticos

fmm = Ni

1 A = 0 C g f = mm N L= = i i N2 0 A C L= g 1 2 1 2 W= = Li 2 2L

Generacin del par de atraccin en un relevador electromecnico (3)

Conceptos de circuitos magnticos

Estructura bsica de un relevador de sobrecorriente de atraccin electromecnico

= L(x)i

dW = id + fdx W 1 2 = i L(x) x 2 x N2 0 A C 1 f = i2 2 g2 f= f = K i2

Esquemas estructurales de distintas variantes de relevadores estticos de sobrecorriente instantneos (1)

Vo

(a) Vo

(b) Vo

(c)

Comparacin de las magnitudes E1 y E2, con diferente relacional funcional que la seal de entrada

E1=f1(S) 1 E2=f2(S) 4 S

E2=f2(S)

Sa

Te = K 1 2 sen

F1 F2

E1=f1(S)

T(t) = KI2 (1 cos 2t )

2 Tef = T(t)dt = KImax 0 T

Esquemas estructurales de distintas variantes de relevadores estticos de sobrecorriente instantneos (2)

i t v Va Vr t v' v v t i t

Va Vr

Principio de operacin de un relevador de induccin electromecnico (1)

2

Principio de operacin de un relevador de induccin electromecnico (2)

Principio de operacin de un relevador de induccin electromecnico (3)

1max

(t) =

2 max

sen( t + )

d (t) i1 1 1max cos t dt d 2 (t) 2 max cos( t + ) i2 dt Me (t) F2 F1 2 (t)i1 1(t)i2

1max

Estructura bsica de un relevador de sobrecorriente de induccin electromecnico (1)

1 I r 2 3 4 5

Me (t) = k ir2

Estructura bsica de un relevador de sobrecorriente de induccin electromecnico (3)

Estructuras de copa de induccin

i = imsen( t + ) VH = k E1E 2 sen

Me (t)

2 max

sen

6b

5 6a

(t) =

sen t

Estructura bsica de un relevador de sobrecorriente de induccin electromecnico (2)

Estructuras de polo sombreado y watthorimetro

Descripcin del efecto Hall

Aplicacin como un esquema de comparacin de fase

VH = k HBi Si B = Bm sen t

rganos de medicin de dos seales elctricas de entrada

Zona de operacin compuesta por dos superficies independientes

X

Z = V / I = Z e j
(Valores absolutos suficientemente grandes) X Z Zona de operacin

Caractersticas de operacin

R Caracterstica de operacin

rganos de medicin de dos seales de entrada

Fase Amplitud

Esquema estructural de un rgano de medicin de dos seales elctricas de entrada

E1

E1 = K1 V + K2 I E2 = K3 V + K4 I W = E1 / E2 = (K1 Z + K2 ) / (K3 Z + K4 ) Z = ( K4 W K2 ) / (K1 K3 W )

Es posible utilizar un mismo esquema de comparacin para obtener distintas zonas de operacin en el plano Z. V I

2 E2

Comportamiento de los rganos de medicin para valores pequeos de las seales de entrada Z=V/I V, I 0 , Z
El rgano de medicin tiene una sensibilidad finita para valores muy pequeos de V e I, que depende de su diseo. No operacin con seales nulas, Operacin con seales nulas.

Condicin de operacin del esquema de comparacin y del rgano de medicin (incremento de los valores de E1 y E2)
Esquema de comparacin de amplitud

W = 1 + Ha/E2
W = E1/E2 =1

4 3 2 1

Condicin de operacin del esquema de comparacin y del rgano de medicin (incremento de los valores de E1 y E2)
Esquema de comparacin de fase

PROTECCIN DE SISTEMAS ELCTRICOS INDUSTRIALES Principios de operacin de relevadores

- [ c Ha (1/E1+1/E2) ] < < + [ c Ha (1/E1+1/E2) ]

Arg W = 1

W = E1/E2

Arg W = 2 = 1 +

Dr. Ernesto Vzquez Martnez UANL