Welcome to Scribd, the world's digital library. Read, publish, and share books and documents. See more
Download
Standard view
Full view
of .
Save to My Library
Look up keyword
Like this
2Activity
0 of .
Results for:
No results containing your search query
P. 1
Electronica Analogica

Electronica Analogica

Ratings: (0)|Views: 392|Likes:
Published by fasolăi
Electronica Analogica
Electronica Analogica

More info:

Published by: fasolăi on Feb 18, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/17/2013

pdf

text

original

 
 
Electronica AnalogicaNo
ţ
iuni de electronica corpului solid
Purt
ă
tori de sarcin
ă
în semiconductoare
- dup
ă
conductibilitatea electric
ă
corpurile solide sunt:
 
conductoare
-
σ
> 10
3
/
cm la t
amb
 
` -
n
e
~ 10
22
/cm
3
(electroni liberi)- conductibilitatea scade cu temperatura(în jurul ionilor pozitivi care nu particip
ă
la conduc
ţ
ie se mi
ş
c
ă
electronimobili)
 
semiconductoare
-
σ
~ 10
-10
÷10
3
/
cm (la temperatura ambiant
ă
)- pentru T<100
0
K rezult
ă
 
σ
< 10
-10
/
cm-
σ
depinde pronun
ţ
at de temperatur 
ă
 
 
izolante
- nici la temperaturi foarte mari nu prezint
ă
oconductibilitate electric
ă
important
ă
 Comportarea materialelor este determinat
ă
de tipul leg
ă
turii chimice dintreatomi:
 
la metale (conductoare) exist
ă
 
leg
ă
tura metalic
ă
, foarte slab
ă
în careelectronii formeaz
ă
un nor electronic
ş
i pot participa u
ş
or la conduc
ţ
ie;
 
la izolatoare (materiale izolante) este specific
ă
 
leg
ă
tura ionic
ă
, foartestabil
ă
pân
ă
la temperaturi foarte mari; poate s
ă
apar 
ă
, eventual, o
conduc
 ţ 
ie ionic
ă
;
 
semiconductoarele pot fi constituite:- dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (Ge sau Si)- din tipuri de atomi din grupe apropiate (de exemplu, din grupeleIII, V, exemplul tipic fiind semiconductorul GaAs);Între aceste tipuri de atomi se pot stabili
leg
ă
turi covalente
careconstau din punerea în comun a unuia dintre electronii de valen
ţă
.Pentru a se elibera un electron din leg
ă
tura covalent
ă
este necesar un
 surplus de energie.
 La temperaturi mai mari de 100
0
K, datorit
ă
agita
ţ
iei termice,electronii din stratul de valen
ţă
devin electroni liberi
ş
i formeaz
ă
o sarcin
ă
 electronic
ă
real
ă
mobil
ă
.În aceste condi
ţ
ii, la aplicarea unui câmp electric, electronii liberise deplaseaz
ă
ordonat
ş
i formeaz
ă
un
curent electric de natur 
ă
electronic
ă
;Dar, un electron de valen
ţă
vecin, de pe alt
ă
leg
ă
tur 
ă
covalent
ă
, poate efectua o tranzi
ţ
ie (tot datorit
ă
agita
ţ
iei termice)
ş
i ocup
ă
locul r 
ă
masliber; sub influen
ţ
a câmpului electric, se constat
ă
c
ă
are loc o deplasare desarcin
ă
pozitiv
ă
în sensul câmpului electric, adic
ă
un electron devenit liber determin
ă
efectuarea mai multor tranzi
ţ
ii ca
ş
i când locurile libere s-ar 
1
 
deplasa. Se asociaz
ă
acestei deplas
ă
ri a unei sarcini pozitive no
ţ
iunea de
 gol 
,adic
ă
un purt
ă
tor de sarcin
ă
pozitiv
ă
care determina o component
ă
acurentului electric. De remarcat c
ă
golul nu este o particul
ă
elementar 
ă
ci esteun concept care simuleaz
ă
deplasarea locurilor goale din structurasemiconductorului prin ocuparea lor de c
ă
tre electroni care se afl
ă
deja pealte nivele energetice.O alt
ă
explica
ţ
ie a celor dou
ă
componente ale curentului electric dintr-unsemiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintr-un corpsolid.
metale izolatoare-semiconductoare
conductoare
: la temperatura absolut
ă
0
0
Kelvin toate nivelele din BVsunt ocupate
ş
i cele din BC sunt libere; nivelul Fermi separ 
ă
cele dou
ă
benzi;dac
ă
T cre
ş
te, apar electroni de conduc
ţ
ie care pot participa la conduc
ţ
ie.
semiconductoare (izolatoare)
: la temperatura absolut
ă
0
0
Kelvin toatenivelele din BV sunt ocupate
ş
i cele din BC sunt libere; pozi
ţ
ia nivelului
2
 
Fermi nu este precizat
ă
; electronii nu pot ocupa nivele din BI; la energietermic
ă
suficient de mare (foarte mare) este posibil ca unii electroni s
ă
treac
ă
 din BV în BC. Num
ă
rul acestora depinde de
Δ
W:- la germaniu:
Δ
W = 0,67 eV- la siliciu:
Δ
W = 1,1 eV
 Prin impurificare
(
 procedee tehnologice), propriet
ăţ
ile electrice alesemiconductoarelor se modific
ă
foarte mult fiind dou
ă
posibilit
ăţ
i:
 
impurificare cu substan
ţ
e pentavalente (Bi, Sb, As) - donoare- al 5-lea electron trece u
ş
or în BC – apar electroni de conduc
ţ
ie- la temp. camerei – toate impurit
ăţ
ile sunt ionizate- procesul de generare de perechi nesemnificativ (înc
ă
)semiconductor extrinsec- purt
ă
torii majoritari – electronii – semic de tip N- purt
ă
torii minoritari golurile n >> pdonoare acceptoare
 
impurificare cu substan
ţ
e trivalente (Al, In, Ga) - acceptoare- apare u
ş
or un gol în BV – pot participa la conduc
ţ
ie- la temp. camerei – toate impurit
ăţ
ile sunt ionizate- procesul de generare de perechi nesemnificativ (înc
ă
)semiconductor extrinsec- purt
ă
torii majoritari –– golurile - semic de tip P- purt
ă
torii minoritari – electronii
n << p
 Observatie: f 
ă
ă
impurificare – semiconductor intrinsec- num
ă
rul golurilor egal cu al electronilor 
i
n pn
==
 În fizica corpului solid se calculeaz
ă
concentra
ţ
iile de electroni
ş
i de goluri înfunc
ţ
ie de pozi
ţ
ia nivelului Fermi:
kT  pkT n
v F  F c
e pen
==
ν ν 
00
 
232232
2222
 ⎠ ⎞⎝ ⎛ = ⎠ ⎞⎝ ⎛ =
hkT mhkT m
p pnn
π ν π ν 
 
3

You're Reading a Free Preview

Download
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->