Instituto Tecnolgico de Saltillo

Transistores JFET
Ing. Joaqun Antonio Alvarado Bustos
Alumno: Manuel Alejandro Garca Marroqun

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Transistores JFET
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Caractersticas de transistores JFET Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales: Por el terminal de control no se absorbe corriente. Una seal muy dbil puede controlar el componente La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto decampo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados .Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente(S, Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o decanal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N Smbolo de un FET de canal p. La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla. Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta est tienen polarizacin inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin depende de la tensin inversa (tensin de puerta). Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

Caractersticas de salida Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor. En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador-surtidor aumenta la intensidad de drenador. En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es mxima. Caractersticas de transferencia Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta. Hojas de caractersticas de los fet En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes parmetros (los ms importantes): VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN. IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD.potencia total disipable por el componente. IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0. IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA Aislador o separador Impedancia de entrada (buffer) alta y de salida baja Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Bajo ruido Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva USOS Uso general, equipo de medida, receptores Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Resistor variable por Se controla por voltaje voltaje Amplificador de baja Capacidad pequea de frecuencia acoplamiento Mnima variacin de Oscilador frecuencia Circuito MOS digital Pequeo tamao

Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de puerta. Parmetros del fet La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.