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Diseinu eta Simulazio Elektronikoa1
PRÁCTICA DE AULA (2009/02/16) Examen EA Junio 2007
Ondorengo zirkuituko transistore bakoitzaren lan puntua kalkulatu ezazu.SOLUCIÓNT1 es un BJT de tipo NPN
 
Diseinu eta Simulazio Elektronikoa2Suponemos que T1 en ACTIVAT2 es un JFET de canal nSuponemos T2 en saturación
 
Diseinu eta Simulazio Elektronikoa3Volvemos al transistor T1 para calcular su V
CE1
Volvemos al transistor T2 para calcular su V
DS2
 Comprobamos que T2 está en saturaciónT3 es un MOSFET de enriquicimiento de canal nSuponemos T3 en SATURACIÓN
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