Simulacion Analogica Basada en SPICE

Presentacin 7
Presentacin
El objetivo de esta publicacin es exponer los conceptos bsicos necesarios para la simulacin de
circuitos electrnicos con el programa SPICE. No se aspira a abarcar todas las posibilidades que
ofrece este conocido programa. Por ello, aspectos ciertamente interesantes como puedan ser los an-
lisis de ruido, los estadsticos, o bien la simulacin digital, no han sido tratados, en el convencimiento
de que, una vez aprendidos los rudimentos del programa, no implica excesiva dificultad completar los
conocimientos adquiridos acudiendo a la bibliografa especializada. Pero este carcter introductorio no
se ha entendido como una divulgacin de escaso rigor sino que, por el contrario, se ha procurado dar
una visin lo ms completa posible de todo lo que ha tenido cabida en este trabajo. Por otra parte, se
ha pretendido que sirva tambin como manual de consulta. Por ello en los apndices se recogen las
sentencias, los dispositivos y, en general, aquellos aspectos que se pueden necesitar en un uso normal
del programa, aunque algunos de ellos ni siquiera se hayan tratado previamente. Se presuponen co-
nocimientos bsicos de anlisis de circuitos y de electrnica por lo que no se entra en explicaciones
sobre estos temas, sino que se aborda exclusivamente el funcionamiento de SPICE.
La versin de SPICE que se ha utilizado es de la casa MicroSim, denominada comercialmente
PSpice,
1
en su modalidad de evaluacin tambin conocida como educacional. La versin de evalua-
cin es esencialmente igual que la profesional pero impone algunas restricciones, principalmente en
cuanto al nmero de dispositivos que se pueden analizar. Esto, con ser una seria limitacin en un en-
torno profesional, no ofrece problemas si el inters es acadmico. Adems al ser una versin de libre
distribucin se encuentra a disposicin de quien la desee.
Algunas de las caractersticas que se exponen son exclusivas de esta versin de SPICE pero son las
menos y se avisa de ello cuando se da esta circunstancia. Las diferencias entre las diversas versiones
no son determinantes a la hora de entender el funcionamiento del programa. Lo verdaderamente im-
portante para usar correctamente un programa de este tipo es comprender el modo en que se realiza la
simulacin y las limitaciones que implica toda emulacin de la realidad.
Se han seguido las siguientes convenciones al describir la sintaxis de las instrucciones:
"<...>": significa que las entradas delimitadas de este modo son obligatorias.
"[...]": denota que las entradas contenidas en los parntesis cuadrados son opcionales.
"{...|...}": indica que se ha de optar obligatoriamente por alguno de los elementos encerra-
dos por los corchetes.
"*": significa que el elemento precedente se puede repetir.

1
PSpice es marca registrada de MicroSim Corporation
los autores, 1998; Edicions UPC, 1998. Quedan rigurosamente prohibidas, sin la autorizacin escrita de los titulares del "copyright", bajo las sanciones
establecidas en las leyes, la reproduccin total o parcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendidos la reprografa y el tratamiento informtico,
y la distribucin de ejemplares de ella mediante alquiler o prstamo pblicos, as como la exportacin e importacin de ejemplares para su distribucin y venta fuera del
mbito de la Unin Europea.
Indice 9
Indice
1 Uso de SPICE (operacin)
1.1 Introduccin............................................................................................................................... 11
1.2 Estructura del fichero del circuito.............................................................................................. 12
1.3 Ejecucin del anlisis y resultados............................................................................................. 16
1.4 Parmetros y topologa .............................................................................................................. 22
1.4.1 Parmetros ....................................................................................................................... 22
1.4.2 Restricciones topolgicas................................................................................................. 23
1.5 Entorno de simulacin ............................................................................................................... 26
1.6 Entorno integrado (Control Shell) ............................................................................................. 27
2 Tipos de anlisis
2.1 DC (Barrido de continua) .......................................................................................................... 31
2.2 AC (Respuesta en frecuencia).................................................................................................... 38
2.3 TRAN (Transitorio) ................................................................................................................... 43
2.4 TF (Funcin de transferencia).................................................................................................... 53
2.5 SENS (Anlisis de sensibilidad) ................................................................................................ 56
2.6 FOUR (Anlisis de Fourier)....................................................................................................... 65
2.7 Otros anlisis ............................................................................................................................. 68
3 Dispositivos
3.1 Modelos ..................................................................................................................................... 69
3.2 Dispositivos lineales .................................................................................................................. 71
3.2.1 Resistencias...................................................................................................................... 71
3.2.2 Condensadores................................................................................................................. 72
3.2.3 Inductancias ..................................................................................................................... 73
3.2.4 Acoplo inductivo (Transformador) .................................................................................. 73
3.3 Generadores ............................................................................................................................... 77
3.3.1 Fuentes independientes .................................................................................................... 77
3.3.2 Fuentes dependientes ....................................................................................................... 78
3.4 Interruptores controlados ........................................................................................................... 84
3.4.1 Interruptor controlado por tensin ................................................................................... 85
3.4.2 Interruptor controlado por corriente ................................................................................ 88
3.5 Subcircuitos ............................................................................................................................... 89
los autores, 1998; Edicions UPC, 1998. los autores, 1998; Edicions UPC, 1998.
10 Simulacin analgica basada en SPICE
4 Dispositivos semiconductores
4.1 Modelos de funcionamiento....................................................................................................... 97
4.2 Diodos........................................................................................................................................ 98
4.3 Transistor bipolar..................................................................................................................... 104
4.4 Transistor MOSFET ................................................................................................................ 119
4.5 Transistor JFET ....................................................................................................................... 122
5 PROBE
5.1 Introduccin............................................................................................................................. 125
5.2 Trazas ...................................................................................................................................... 127
5.3 Cursores ................................................................................................................................... 132
5.4 Eje X........................................................................................................................................ 133
5.5 Eje Y........................................................................................................................................ 134
5.6 Plot .......................................................................................................................................... 136
5.7 Otros mens ............................................................................................................................. 137
Apndices
Apndice A: Comandos ...................................................................................................................... 141
Apndice B: Tipos de anlisis............................................................................................................. 147
Apndice C: Dispositivos ................................................................................................................... 151
Apndice D: Estmulos de entrada ...................................................................................................... 159
Apndice E: Funciones ....................................................................................................................... 165
Apndice F: Variables de salida.......................................................................................................... 167
Apndice G: Prefijos........................................................................................................................... 169
Apndice H: Convenciones sobre el Fichero de Circuito.................................................................... 171
Bibliografa...................................................................................................................................... 179
los autores, 1998; Edicions UPC, 1998. los autores, 1998; Edicions UPC, 1998.
Uso de Pspice 11
1 Uso de SPICE (operacin)
1.1 Introduccin
El programa PSpice, y en general cualquier programa SPICE, recibe la informacin del circuito que
tiene que simular y del tipo de anlisis que tiene que realizar a travs de un fichero fuente o fichero
de circuito. Este fichero contiene una descripcin del circuito, de los componentes que lo forman y de
la interconexin entre ellos llamada netlist. Adems de la netlist en el fichero de circuito se indican
las clases de anlisis que se han de efectuar y las directrices de dichos anlisis. La netlist sigue una
cierta sintaxis, adecuada para ser interpretada correctamente por el programa de anlisis SPICE (en
el apndice H se detallan las convenciones que ha de seguir el fichero de circuito).
La generacin de este fichero de circuito o fichero fuente ambas denominaciones se utilizarn in-
distintamente se puede hacer de diversas formas. Puede haberse generado como resultado de un
programa de captura de esquemticos, que es un programa grfico en el que se introduce un circuito
y que es capaz de generar un fichero con el netlist correspondiente al circuito dibujado, puede
provenir de un programa de diseo a nivel de componentes, etc.. Pero la forma ms sencilla, que ser
la que se tratar en este manual, es la generacin directa mediante un editor de textos adecuado.
1
Aunque puede tener cualquier nombre es conveniente que el fichero de circuito tenga la extensin
.CIR ya que sta es la extensin que reconoce por defecto el programa PSpice.
Una vez generado el fichero que contiene la netlist se inicia el anlisis ejecutando el programa
PSPICE1. Se puede llamar a este programa sin parmetros; en este caso se solicitar el nombre del
fichero fuente as como el nombre del fichero de salida. Otra opcin es pasar como parmetro el
nombre del fichero fuente y, si se desea, el nombre del fichero de salida. Tanto en un caso como en el
otro se realizar el anlisis y se guardarn los resultados en el fichero de salida. Si no se haba asig-
nado ningn nombre al fichero de salida se tomar por defecto el nombre del fichero fuente con la
extensin .OUT.

1
El editor utilizado ha de ser del tipo programacin, es decir, que no introduzca ningn caracter o
control extra. Son vlidos EDIT, EDLIN del MS-DOS, etc.
establecidas en las leyes, la reproduccin total o parcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendidos la reprografa y el tratamiento
informtico, y la distribucin de ejemplares de ella mediante alquiler o prstamo pblicos, as como la exportacin e importacin de ejemplares para su distribucin y
venta fuera del mbito de la Unin Europea.
Simulacin analgica basada en Spice 12
El fichero de salida .OUT contiene informacin de cmo se ha realizado el anlisis y los resultados
obtenidos. Incluye el netlist, el tiempo de ejecucin, y, segn el caso, informacin del punto de re-
poso, etc. Si el anlisis no se ha podido realizar con xito, en este fichero se indicar la causa. Es un
fichero tipo texto y se puede visualizar simplemente mediante la orden TYPE o usando cualquier
editor de textos.
1.2 Estructura del fichero del circuito
Como se ha mencionado anteriormente el fichero circuito o fuente contiene el netlist junto con una
serie de directrices orientadas a indicar tipo y entorno del anlisis. Por ello en el fichero de circuito
se encontrarn tres tipos de lneas: a) las que describen el circuito y que conforman la netlist; b) las
lneas de comandos: comienzan con un punto y se utilizan para definir los tipos de anlisis que se
deben efectuar y como sentencias de control ; c) las lneas de comentarios.
a) Lneas correspondientes al netlist:
Definen los elementos que componen el circuito tales como resistencias, condensadores, transistores,
etc., as como las fuentes de tensin, de corriente, etc. El tipo de dispositivo de que se trata queda
determinado por la primera letra. As, si el nombre del dispositivo empieza por R definir una resis-
tencia, si por una C se tratar de un condensador, etc.. El nombre siempre debe comenzar por una le-
tra permitida (que defina uno de los componentes existentes) y continuar con una secuencia de letras,
nmeros o los siguientes caracteres: "_", "/", "*", "%", "$". La extensin mxima es de 131 caracte-
res, pero se recomienda que no sobrepasen los 8 caracteres. Algunos de los elementos disponibles en
SPICE son:
R Resistencias
C Condensadores
L Inductancias
V Fuentes independientes de tensin
I Fuentes independientes de corriente
En los captulos 3 y 4 se tratan con ms detalle los dispositivos ms comunes y en el apndice C se
recoge un resumen.
Tras el nombre se ha de indicar los nodos entre los que est conectado el elemento, que como mni-
mo han de ser dos, y por ltimo el valor del componente.
2
Para ello, antes de introducir el circuito es

2
Esta es la estructura ms sencilla, pero las lneas pueden ser ms complicadas.
los autores, 1998; Edicions UPC, 1998.
Uso de Pspice 13
necesario nombrar los nodos del circuito. Por ejemplo, supngase que el circuito que se desea ana-
lizar es el divisor de tensin de la figura 1.1.
Fig. 1.1
El primer paso consiste en etiquetar los nodos. Los nodos se etiquetan mediante nmeros enteros
positivos. No es necesario que sean correlativos, pero es obligatorio etiquetar un nodo con el nmero
cero. Este nodo ser el que se tomar como referencia o masa.
3
A continuacin se puede introducir el circuito. El circuito propuesto se podra definir mediante las si-
guientes lneas:
R1 1 0 4000
Con esta lnea se indica que hay una resistencia, a la que se le asignar el nombre de R1, conectada
entre los nodos 1 y cero (masa) con un valor de 4000 ohmios. Esto es as porque el nombre del com-
ponente comienza con R e indica que se trata de una resistencia. A continuacin se han entrado los
nodos entre los que est conectada, separados por un espacio. Finalmente se ha especificado el valor
del componente. Las unidades dependen del componente y son siempre las fundamentales, en este
caso sern ohmios.
La siguiente resistencia se describe:
RSUPERIOR 2 1 2K
En este caso se ha preferido dar un nombre ms significativo al componente, aunque cualquier nom-
bre es vlido siempre que empiece con R ya que es una resistencia. Seguidamente se indica que est
conectada entre los nodos 2 y 1 y que posee un valor de 2000 ohmios.

3
PSpice, la versin de Microsim de SPICE, admite que se etiqueten los nodos, excepto el nodo cero,
con cualquier cadena de caracteres.
Como se puede observar se admiten prefijos para designar el valor de los componentes. Los prefijos
aceptados se indican en el apndice G. Deben estar situados inmediatamente despus del valor del
componente, sin ningn espacio de separacin.
La fuente de tensin independiente se define y conecta de la siguiente forma:
VBAT 2 0 6
La V inicial de la palabra VBAT indica que se trata de una fuente de tensin independiente. Est co-
nectada entre los nodos 2 y cero y posee un valor de 6 voltios.
Las expresiones que se han empleado corresponden a la formulacin ms sencilla. Tal como se ver
a lo largo de la presente publicacin, las sintaxis completas son ms complicadas. En el caso de una
fuente de tensin la sintaxis completa, siguiendo las convenciones explicadas en el prlogo, es:
V<nombre> <nodo+> <nodo-> [[DC] <valor>] [AC <magnitud> [fase]] [transitorio]
Cada uno de los corchetes se aplica a uno de los tipos de anlisis que se estudiarn posteriormente,
pero si no se especifica nada se considera que el valor proporcionado es un valor para el anlisis
".DC". Por ello la anterior definicin de VBAT es equivalente a:
VBAT 2 0 DC 6
Con objeto de hacer ms inteligible el circuito se puede aadir una letra para indicar las unidades,
pero sta ha de venir inmediatamente despus del valor ( o del prefijo en caso de que se utilice) por
lo que no puede haber ningn espacio entre el valor y la unidad. De haber usado esta posibilidad la
lnea anterior quedara:
VBAT 2 0 DC 6V
El programa lee los nmeros que indican el valor del componente, si el carcter que viene a conti-
nuacin corresponde a un prefijo lo interpreta como tal y todos los dems nmeros o caracteres hasta
el prximo espacio en blanco son ignorados.
Se ha de prestar especial cuidado en el uso de los faradios ya que la letra F se confundir con el
prefijo femto; por ello no se puede especificar las unidades en las capacidades. Por ejemplo, la lnea:
CEX 4 5 20 crea una capacidad entre los nodos 4 y 5 de 20 faradios.
y
CEX 4 5 20F se refiere a una capacidad de 20 femto-faradios.
Un aspecto importante es el convenio de signos, es decir, la polaridad. La polaridad queda de-
terminada mediante el siguiente convenio: el primer nodo (en el caso de VBAT el nodo 2) se con-
Uso de Pspice 15
sidera el nodo positivo y el segundo el negativo. El sentido positivo de corriente entra por el nodo
positivo. Segn este convenio la corriente a travs de la fuente de tensin del circuito que se est
analizando ser negativa. Este convenio se aplica a cualquier elemento de dos terminales, lo que
puede dar lugar a confusiones especialmente con las fuentes de corriente.
b) Tipos de anlisis:
Son lneas de comandos que indican los anlisis que se desean realizar sobre el circuito. Como todas
las lneas de comando comienzan con un punto. Se pueden hacer anlisis de respuesta en frecuencia
en rgimen permanente, anlisis de respuesta transitoria, etc. Siempre se hace un anlisis del punto
de reposo, aun en el caso que no se solicite ningn anlisis.
Los diversos anlisis que se pueden realizar sobre el circuito ya introducido se estudiarn en detalle
en el captulo 2, pero para poder realizar un ejemplo inicial completo se examinar la siguiente sen-
tencia que originar un anlisis de barrido en continua (DC Sweep):
.DC VBAT 1 5 0.5
Como esta lnea es un comando empieza por un punto. Con ella se indica que se desea analizar el
circuito para diversos valores de la fuente de tensin VBAT. El primer nmero es el valor inicial, el
segundo el valor final y el tercero el paso. As pues, como consecuencia de esta sentencia se analizar
el circuito para un valor de VBAT de 1V, seguidamente se har un segundo anlisis con VBAT de
1,5V y as sucesivamente hasta que VBAT alcance el valor de 5V.
Sobre un mismo circuito se pueden realizar ms de un tipo de los anlisis que se estudiarn poste-
riormente.
c) Sentencias de control:
Por ser lneas de comandos comienzan con un punto. Realizan diversas funciones como definir mo-
delos, especificar condiciones iniciales, guardar resultados, definir el entorno, etc. Algunas de ellas
irn apareciendo paulatinamente y otras se recogen en los apndices. Por ahora slo se utilizar la
sentencia ".END" utilizada para sealizar el final de un circuito ya que, puesto que en un fichero de
circuito se permite definir ms de un circuito, para separarlos se utiliza la sentencia ".END".
d) Comentarios:
Con objeto de clarificar el circuito se puede, y es altamente recomendable, hacer uso de las lneas de
comentarios. Las lneas de comentarios se indican mediante un asterisco "*" en la primera columna.
Tambin es posible introducir comentarios en mitad de una lnea normal mediante un ";". Todo lo
que venga a continuacin del punto y coma ser ignorado por el programa.
La primera lnea del fichero siempre se considera como lnea de comentario aunque no empiece con
asterisco y adems se utiliza como cabecera en la presentacin de los datos. Se ha de tener cuidado
con esta caracterstica de la primera lnea, pues se puede cometer el error de utilizar dicha lnea para
introducir algn elemento del circuito o alguna sentencia de control que seran ignorados.
1.3 Ejecucin del anlisis y resultados
Una vez que ya se dispone del fichero de circuito se puede realizar su anlisis y examinar los resulta-
dos. Si no se ha especificado ningn anlisis el programa se limita a calcular el punto de reposo, es
decir, calcula las tensiones en cada nodo del circuito y las corrientes en las ramas, utilizando los va-
lores especificados de las fuentes independientes. El resultado se guarda en el fichero de salida que
normalmente tiene el mismo nombre y est situado en el mismo directorio que el fichero fuente, pero
posee la extensin ".OUT". Se pueden obtener resultados ms completos mediante las rdenes
".PRINT" y ".PLOT" o bien ejecutando un programa auxiliar de representacin llamado PROBE.
El siguiente ejemplo mostrar el proceso que debe seguirse de inicio a fin. Si se desea analizar el
divisor de tensin propuesto en la figura 1.1 el circuito fuente sera:
EJERCICIO 1.1
* Elementos del circuito
R1 1 0 4000 ; resistencia de 4K
RSUPERIOR 2 1 2K ; resistencia de 2K
VBAT 2 0 6 ; fuente de tensin
.END
La primera lnea -EJERCICIO 1.1- es un comentario. Al ser la primera lnea no es preciso iniciarla
con un asterisco y adems se tomar como cabecera en la presentacin de resultados. A continuacin
viene la descripcin del circuito y finalmente se seala el final del mismo con el comando .END.
Para efectuar el anlisis se ha de ejecutar el siguiente programa desde la lnea de comandos del DOS:
PSPICE1
4
A continuacin el programa solicitar el fichero fuente y el fichero de salida (ste ltimo es
opcional). Tambin se puede especificar el fichero fuente como primer parmetro y el fichero de
salida como segundo parmetro, por ejemplo:
PSPICE1 EX1_1 SALIDA

4
Estos pasos se pueden realizar tambin haciendo uso del entorno integrado que se ver al final de
este captulo.
Uso de Pspice 17
donde se supone que el fichero fuente se llama EX1_1.CIR y se desea que el de salida se llame
SALIDA.OUT. Ntese que las extensiones vienen dadas por defecto y recurdese que si no se pro-
porciona el nombre del fichero de salida ste tomar el nombre del fichero fuente.
Mientras se ejecuta en la pantalla se indica el anlisis que se est realizando. En este caso como no se
ha solicitado ningn tipo de anlisis, se calcula exclusivamente el punto de reposo. Al acabar se
puede consultar el resultado en el fichero de salida. Su contenido ser el siguiente:
**** 07/28/94 20:05:38 ******** Evaluation PSpice (September 1991)
EJERCICIO 1.1
**** CIRCUIT DESCRIPTION
********************************************************************
* Elementos
.END
EJERCICIO 1.1
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
********************************************************************
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 4.0000 ( 2) 6.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VBAT -1.000E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 6.00E-03 WATTS
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME 1.04
Se observa cmo tras reproducir el fichero de entrada se muestra el valor del punto de reposo -
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION- con la tensin en cada nodo, la corriente a travs de las fuentes
independientes de tensin y, por ltimo, la potencia consumida.
Lo habitual ser especificar algn tipo de anlisis. En este caso inicialmente se realiza el anlisis del
punto de reposo como en el caso anterior y a continuacin el anlisis o anlisis especificados. Pero
para guardar los resultados de los anlisis es necesario indicar qu variables se desean mediante uno
de los siguientes comandos: ".PRINT", ".PLOT" o ".PROBE".
El comando .PRINT proporciona una tabla de valores en el fichero de salida. La sintaxis bsica es la
siguiente:
.PRINT <tipo de anlisis> <lista de variables>
En esta sentencia se indica, mediante <lista de variables>, cules son las variables con las que se
construir la tabla. Como ya se ha comentado es posible especificar ms de un anlisis sobre un
mismo circuito. Por ello se ha de especificar sobre qu tipo de anlisis se desean grabar los
resultados. Si se desean guardar los resultados de ms de un anlisis ser necesario incluir una
sentencia ".PRINT" por cada anlisis. El comando slo afecta a la obtencin de los resultados y no al
anlisis en s mismo. De esta forma, aunque se solicite slo el valor de una variable se calculan todas
las variables.
A modo de ejemplo supngase que se desea un estudio del comportamiento del circuito anterior para
diversos valores de la tensin VBAT y que, en concreto, interesa conocer el valor que toma la tensin
en el nodo 1. Para conseguirlo ser necesario realizar un anlisis tipo ".DC" e incluir una sentencia
".PRINT" que indique las variables que se desean consultar. El fichero fuente podra ser:
EJERCICIO 1.2
* Elementos
.DC VBAT 1 5 .5 ;anlisis variando el valor de VBAT
;entre 1 y 5 voltios con incremento de 0,5V
.PRINT DC V(1) I(R1) ;se hace una tabla con la tensin entre el
;nodo 1 y la masa y la corriente a travs de R1
;obtenidas en el anlisis DC
.END
La sentencia ".DC" indica qu anlisis se desea realizar y ya se explic en la pgina 15. La sentencia
".PRINT" establece que se ha de realizar una tabla con los valores que toma la tensin en el nodo 1 y
la corriente a travs de la resistencia R1 durante el anlisis en DC.
Uso de Pspice 19
Las variables pueden ser tensiones entre dos nodos o corrientes a travs de un dispositivo de dos
terminales. El tipo de variables de salida permitidos y la forma de especificarlas estn recogidas en el
apndice F. Para especificar una tensin entre dos nodos se ha de introducir: V(nodo #,nodo #). Es
posible indicar un nico nodo, en este caso el valor que se obtendr ser la tensin entre dicho nodo y
la masa (nodo cero). Otra posibilidad es poner dentro del parntesis el nombre de un dispositivo de
dos terminales, con lo que se imprimir la tensin sobre dicho dispositivo. Por ejemplo, en el circuito
introducido:
V(1) es equivalente a V(1,0) y a V(R1)
y
V(2) es equivalente a V(2,0) y a V(RSUPERIOR)
Una corriente se especifica mediante: I(dispositivo), donde dispositivo ha de ser un elemento de dos
terminales. Segn esta norma en el ejemplo se est solicitando la tensin en el nodo 1 con respecto a
la masa y la corriente sobre la resistencia R1 durante un anlisis tipo DC en que se dan valores a
VBAT entre 1 y 5 voltios. El resultado puede verse en el fichero de salida ".OUT", que en nuestro
caso sera:
**** 07/29/94 15:44:03 ******** Evaluation PSpice (September 1991) ***********
EJERCICIO 1.1
********************************************************************
* Elementos
.DC VBAT 1 5 .5 ;un anlisis variando el valor de VBAT
.PRINT DC V(1) I(R1) ;se hace una tabla con la tensin entre el
;nodo 1 y la masa y la corriente a travs de R1
;obtenidas en el anlisis DC
.END
EJERCICIO 1.1
**** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE = 27.000 DEG C
********************************************************************
VBAT V(1) I(R1)
1.000E+00 6.667E-01 1.667E-04
1.500E+00 1.000E+00 2.500E-04
2.000E+00 1.333E+00 3.333E-04
2.500E+00 1.667E+00 4.167E-04
3.000E+00 2.000E+00 5.000E-04
3.500E+00 2.333E+00 5.833E-04
4.000E+00 2.667E+00 6.667E-04
4.500E+00 3.000E+00 7.500E-04
5.000E+00 3.333E+00 8.333E-04
JOB CONCLUDED
TOTAL JOB TIME 1.87
NOTA: Es de destacar que en la tabla no aparece el valor de V(1) correspondiente a VBAT igual a 6
voltios. Esto es debido a que al hacer el anlisis DC y utilizar los valores especificados en
dicho anlisis es indiferente el valor que se haya dado a la fuente de tensin VBAT. El valor
de VBAT se utiliza slo para el clculo del punto de reposo.
Si adems de los resultados de los anlisis se precisa informacin detallada del punto de reposo se
puede incluir la sentencia ".OP".
El comando ".PLOT" es similar a ".PRINT" pero proporciona una representacin grfica en lugar de
una tabla. La representacin se hace mediante caracteres, lo que es adecuado para cualquier tipo de
impresora aunque sta no tenga capacidades grficas pero, por contra, los resultados son muy pobres.
El mtodo ms eficaz y cmodo de obtener una representacin grfica es mediante el comando
".PROBE" con lo que queda reservado el uso de ".PRINT" y ".PLOT" a situaciones en las que se
requiera una salida tabulada (caso de PRINT) o en las que no se disponga de una tarjeta grfica ade-
cuada (caso de PLOT).
Mediante el comando ".PROBE" se guardan los resultados de los anlisis ".DC", ".AC" y transitorio
(".TRAN") que se hayan especificado, en un fichero con extensin ".DAT". Por defecto el nombre de
este fichero es el mismo que el del fichero fuente.
Los datos que se almacenan son las tensiones de todos los nodos y las corrientes a travs de todos los
dispositivos. Por ello, a diferencia de los comandos ".PRINT" y ".PLOT", no es necesario indicar las
variables que se desea guardar. Pero si se prev que el fichero generado ser muy grande se pueden
limitar las variables que se almacenarn indicndolas despus del comando ".PROBE", aunque, en
circuitos normales con anlisis normales no suele ser necesario ya que el tamao del fichero suele ser
aceptable.
El siguiente fichero de circuito hace uso de PROBE:
Uso de Pspice 21
EJERCICIO 1.1
* Elementos
.DC VBAT 1 5 .5 ;anlisis variando el valor de VBAT
.PROBE
.END
El fichero generado como consecuencia de la instruccin ".PROBE" extensin ".DAT" es un fi-
chero binario (aunque se puede especificar que sea de tipo texto: opcin CSDF) lo que implica que no
se puede visualizar mediante un comando TYPE o un editor de textos. Para visualizar los datos se
tiene que ejecutar, a posteriori, un programa especfico que sea capaz de interpretarlos. Este pro-
grama es el PROBE (no confundir con el recin visto comando ".PROBE"). Al acabar la ejecucin
del PSPICE1 si se desea visualizar los resultados de los anlisis se ha de ejecutar el programa
PROBE pasando como parmetro el nombre del fichero ".DAT" que se desea procesar.
Habitualmente el fichero que interesa es el correspondiente al ltimo anlisis realizado. En este caso
se pueden realizar estos pasos automticamente ya que se dispone a este fin de un fichero ".BAT",
llamado PSPICE.BAT. Si se ejecuta este programa, primero se ejecutar el programa de anlisis
PSPICE1 y al acabar se llamar al programa PROBE, pasndole como parmetro el fichero ".DAT"
generado durante el anlisis.
5
De forma somera la utilizacin de PROBE es la siguiente:
Una vez se ha entrado en el programa hay que elegir el tipo de anlisis del que se quiere
consultar los resultados. Si slo se ha realizado un anlisis se salta este paso. A continuacin
se selecciona la variable que se desea visualizar. Esto se consigue mediante la orden
"Add_trace" (presionando F4 o el botn derecho del ratn aparece una lista con todas las
variables disponibles). Las sintaxis para las variables es similar a la utilizada en el comando

5
Cuando se ejecuta PROBE ste busca el nombre del fichero ".DAT" que se quiere procesar en el
fichero PROBE.NAM. Slo si el fichero no existe pedir el nombre del fichero que se quiere
procesar. El proceso lanzado por PSPICE.BAT se encarga, entre otras cosas, de que PROBE.NAM
contenga el nombre del ltimo anlisis realizado por lo que estos pasos se realizan
automticamente.
".PRINT" y se detallan en el apndice F. Se puede especificar ms de una variable en cada
orden "Add_trace". Cada variable se representar mediante una lnea llamada traza. Para
obtener informacin numrica de un punto de una traza pueden utilizarse los cursores.
1.0V 1.5V 2.0V 2.5V 3.0V 3.5V 4.0V 4.5V 5.0V
VBAT
VBAT V(1)
5.0V
4.0V
3.0V
2.0V
1.0V
0V
C1 =
C2 =
dif=
3.0000, 3.0000
3.0000, 2.0000
0.000, 1.0000
EJERCICIO 1.1
Date/Time run: 09/06/95 18:08:18 Temperature: 27.0
Fig. 1.2
Los pasos anteriores produciran la grfica mostrada en la figura 1.2, en la que se han visualizado las
tensiones VBAT y V(1).
Si se desea informacin ms completa se puede consultar el captulo 5 dedicado al programa
PROBE.
1.4 Parmetros y topologa
1.4.1 Parmetros
Es posible definir constantes que sern usadas posteriormente en diversos puntos del circuito para
dar el valor de los componentes. En SPICE estas constantes se llaman parmetros globales
6
y se de-
claran mediante la sentencia ".PARAM" segn la siguiente sintaxis:
.PARAM <nombre> = <valor>

6
Se llaman globales para distinguirlos de los parmetros de los modelos de los que se hablar ms
adelante.
Uso de Pspice 23
ejemplo:
.PARAM CONST = 2K
Ahora se puede utilizar el parmetro CONST como valor de un componente. Esta posibilidad es til
por diversos motivos. Si en un circuito existen varios componentes que poseen el mismo valor ste
puede ser asignado usando el parmetro. As la resistencia RSUPERIOR de un valor de 2 K se po-
dra haber definido de la forma siguiente:
RSUPERIOR 2 1 {CONST}
Cualquier otra resistencia del mismo valor se podra declarar de la misma forma. Si en un momento
determinado se decide que las resistencias han de tener un valor diferente bastar con modificar una
nica lnea, la lnea de definicin del parmetro.
Obsrvese la utilizacin de las llaves: stas son obligatorias para que se interprete correctamente el
valor del parmetro. De hecho las llaves designan una expresin o funcin matemtica. La forma
mostrada es la ms sencilla en que la funcin es simplemente una constante, pero se admiten expre-
siones mucho ms complejas. Las funciones disponibles se recogen en el apndice E.
7
El uso de expresiones muestra otra ventaja en el uso de parmetros ya que, mediante su uso, se sim-
plifica la asignacin y la posterior modificacin de valores de componentes con valores relacionados
entre s. As, en el ejemplo, la resistencia R1 se podra haber declarado:
R1 1 0 {2*CONST}
Pero la ventaja fundamental del uso de parmetros es que se puede ordenar un anlisis ".DC" to-
mando como variable un parmetro. Supngase que se desea analizar la respuesta del circuito ante-
rior para diversos valores de resistencias. Si no se usan parmetros ser necesario crear un fichero
fuente para cada valor de la resistencia y realizar un anlisis para cada circuito. Con el uso de los pa-
rmetros se podr realizar un anlisis ".DC" variando el parmetro. Al estudiar el anlisis ".DC" se
comentar este extremo.
1.4.2 Restricciones topolgicas
Se han de cumplir una serie de normas en la descripcin del circuito para que ste sea interpretado
correctamente. Estas normas son:

7
Estas mismas funciones se pueden usar, en su mayora, en el programa PROBE.
a) Todos los nodos deben tener como mnimo dos ramas. SPICE comprueba el circuito antes
de comenzar ningn anlisis y si detecta un error de este tipo genera el siguiente mensaje
en el fichero de salida:
ERROR -- Less than 2 connections at node 2
b) No deben existir nodos flotantes. Se entiende por nodo flotante todo aquel que no tenga un
camino en continua a la masa (nodo cero). Segn sto el circuito de la figura 1.3 pro-
ducira un error que SPICE indicara con el mensaje
ERROR -- Node ................ is floating
Fig. 1.3
c) Se han de evitar los bucles de tensin. Se produce un bucle de tensin cuando existe un
lazo o una malla compuesta exclusivamente de fuentes de tensin. SPICE avisa de esta si-
tuacin con:
ERROR -- Voltage source and/or inductor loop involving ...
You may break the loop by adding a series resistance
Si bien estas normas, a primera vista, son fciles de seguir, se pueden violar inadvertidamente al uti-
lizar determinados dispositivos. Por ejemplo, el circuito de la figura 1.4 es incorrecto ya que el
nodo 2 es un nodo flotante. Efectivamente, en continua los condensadores se comportan como cir-
cuitos abiertos por lo que no existe un camino de continua desde el nodo 2 al nodo cero.
Este problema se puede resolver aadiendo una resistencia de valor muy alto, en paralelo con el con-
densador. En el circuito de la figura 1.5 se ha utilizado esta solucin y de esta manera se proporciona
un camino a la masa. La resistencia ha de ser de un valor tal que no afecte al comportamiento del
circuito (resistencias del orden de 10
9
pueden ser adecuadas).
Uso de Pspice 25
Fig. 1.4
Fig. 1.5
La otra regla prevencin de bucles de tensin puede violarse inadvertidamente al usar inductan-
cias. El programa modela las inductancias como fuentes de tensin controladas. Esto significa que
dos inductancias pueden provocar bucles de tensin all donde, en principio, no pareca existir tal
problema.
En el circuito de la figura 1.6 se presenta un caso de bucle de tensin provocado por la existencia de
dos inductancias (dos fuentes de tensin) conectadas en paralelo. El mismo error se producira si se
conectase una inductancia con otro tipo de fuente de tensin.
Fig. 1.6
En estas circunstancias se puede conectar una resistencia en serie con la inductancia, y romper as el
mencionado bucle. La resistencia aadida sustituye a un cortocircuito, por tanto, para que no tenga
influencia sobre el comportamiento del circuito, ha de ser de un valor muy bajo. Valores del orden
0,001 pueden ser adecuados. Esta solucin se ha aplicado en el circuito de la figura 1.7.
Fig. 1.7
1.5 Entorno de simulacin
Hay un tipo de rdenes que estn destinadas a definir el modo en que se realizar la simulacin
(precisin de los clculos, temperatura, valores por defecto de algunos parmetros, etc.), la cantidad
de informacin que se proporcionar, la situacin de las libreras de los modelos y los subcircuitos,
etc. Algunas de estas rdenes son:
.OP : proporciona informacin completa sobre el punto de reposo. Se detalla la potencia disipada y
las corrientes sobre todas las fuentes de tensin as como el valor de los parmetros de los modelos
linealizados de los dispositivos semiconductores y de las fuentes controladas no lineales.
.LIB <"nombre de fichero">*: ficheros donde se debern buscar los modelos y los subcircuitos.
.INC <"nombre de fichero"> : inserta el fichero especificado en el fichero actual. No puede contener
la instruccin ".END".
.TEXT <<nombre>="<cadena de caracteres>">*: reemplaza nombre por la cadena de caracteres.
<nombre> no puede ser el nombre de un ".PARAM".
.WATCH [DC] [AC] [TRAN] [<variable> [<lmite inferior>,<lmite superior>]]*: visualizar el
valor de la variable al realizarse el anlisis indicado. Si se indican lmites el anlisis se parar en el
caso de que la variable traspase alguno de los lmites; a partir de aqu se puede abortar el anlisis o
bien continuar.
.WIDTH OUT=<valor> : igual que WIDTH de ".OPTIONS".
Uso de Pspice 27
.OPTIONS [nombre de la opcin]* [<nombre de la opcin>=<valor>]: mediante esta instruccin
se fijan diversas opciones de simulacin. Existen dos tipos de opciones:
1) opciones tipo flag (activadas/desactivadas):
En estas opciones basta poner el nombre de la opcin para que se activen. Las opciones ms
significativas de este tipo son:
NOBIAS: suprime el listado de las tensiones del punto de reposo
NODE: proporciona un listado completo de las conexiones
NOREUSE: no salva ni recupera automticamente la informacin del punto de reposo en
anlisis multi-ejecucin (STEP, TEMP), Motecarlo y "caso peor" (worts case)
OPTS: proporciona un listado con todas las opciones
WIDTH: fija el nmero de columnas de la salida. Pueden ser 80 (por defecto) 132
Ejemplo:
.OPTIONS NODE
2) opciones que necesitan un valor
su sintaxis es:
".OPTIONS <nombre de la opcin>=<value>"
Las opciones ms significativas de este tipo son:
DEFAD=, DEFAS=: fijan el rea por defecto de los drenadores y surtidores de los
MOSFET (por defecto: 0)
DEFL=, DEFW=: indican la longitud y la anchura por defecto de los MOSFET (por
defecto: 100)
TNOM=: temperatura por defecto (por defecto: 27 C)
GMIN=: conductancia mnima para cualquier rama (por defecto: 1E-12
-1
)
ABSTOL=: error permitido en el clculo de corrientes (por defecto: 1pA)
VNTOL=: error permitido en el clculo de tensiones (por defecto: 1V)
CHGTOL=: error permitido en el clculo de cargas (por defecto: 0,1pC)
RETOL=: error relativo para corrientes y tensiones (por defecto: 0,001)
1.6 Entorno integrado (Control Shell)
El entorno integrado (o Shell de control) es un programa que se encarga de ejecutar los diversos pro-
gramas que componen PSpice y que cuenta adems con la capacidad de modificar el fichero fuente a
requerimiento del usuario. Todo ello se realiza sobre un entorno de mens que facilita de esta forma
el manejo del programa. No se har aqu una descripcin exhaustiva de este entorno ya que, por un
lado, an no se dispone de suficientes conocimientos para comprender el significado de todas las
posibilidades y, por otro lado, los propios mens ilustran sobre las posibilidades del entorno. As
pues, por ahora se explicar tan slo la manera de activarlo y las ideas bsicas. Otras posibilidades se
comentarn cuando se estudien los conceptos con los que est relacionados, y quedarn el resto de
opciones para que el lector las experimente.
Al entorno integrado se accede con la orden PS. Al ejecutar este programa aparecer una pantalla de
mens pero en el que slo tres de ellos estn realzados: Files, Probe, Quit. Probe se estudiar ms
adelante (captulo 5) y Quit se utilizar para terminar la sesin o para ejecutar un comando del DOS.
El men Files dispone de las siguientes opciones:
Edit
Browse Output
Current File
Save File
X-External Editor
R-External Browser
Display/Prn Setup
La opcin "Current File" selecciona el fichero de circuito con el que se va a trabajar. Si el fichero ya
exista se cargar y en la lnea inferior aparecer el nombre del fichero con la palabra "Loaded". Si,
por el contrario, se trata de un fichero nuevo se generar, hecho que se indica con la palabra "New".
Todas las acciones del entorno integrado se realizarn usando el nombre de este fichero.
A continuacin se puede editar el fichero con la opcin "Edit". La opcin "Browse Output" sirve para
examinar el fichero de salida ".OUT".
"Save File" guarda el fichero fuente en disco. Mientras no se ejecute esta opcin el fichero estar slo
en memoria.
"X-External Editor" y "R-Externar Browser" permiten utilizar un editor diferente del que incorpora
el entorno integrado. El editor al cual se llama se define a travs de la variable de sistema PSEDIT.
Si adems se desea que a este editor se le pase como argumento el nombre del fichero fuente que se
est utilizando se debe aadir: "%%f". Por ejemplo para utilizar el editor del MS-DOS pasando au-
tomticamente el nombre del fichero fuente se ejecutar la siguiente orden del DOS para definir la
variable PSEDIT:
SET PSEDIT = c:\DOS\EDIT %%f
Si se desea disponer de este editor en sucesivas sesiones esta orden se deber aadir en el fichero
"autoexec.bat" .
Por ltimo la opcin "Display/Prn Setup" configura la pantalla y el dispositivo de impresin. Es
equivalente, pero ms fcil de usar, a ejecutar el programa SETUPDEV que se describe en el captu-
lo 5.
Una vez que se ha seleccionado el fichero de circuito "Current File" las opciones que no estaban
realzadas pasan a estarlo, indicando de esta forma que se puede acceder a ellas.
Uso de Pspice 29
Algunas opciones son capaces de aadir lneas al fichero de circuito. Una de ellas es "Change Op-
tions" del men "Analysis" que permite ver el estado de las opciones que se comentaron en la seccin
anterior y modificarlas. Por ejemplo para cambiar la opcin "Library", que por defecto es "N", a "Y"
hay que situarse sobre la opcin y cambiar a "Y". Para que el cambio tenga efecto se han de pulsar
simultneamente las teclas "Control" + "Return". Si despus de hacer esto se vuelve a editar el fi-
chero fuente se observar que se ha aadido la siguiente lnea:
.options library ;*ipsp*
Esta lnea ha sido aadida por el Shell de Control. Cuando una accin del entorno integrado aade
alguna lnea lo indica poniendo *ipsp* al final de la lnea.
Tipos de anlisis 31
2 Tipos de anlisis
En SPICE se pueden realizar diversos tipos de anlisis sobre el circuito descrito. Cada uno de ellos se
especifica mediante la correspondiente lnea de comandos, que se compondr de una identificacin del
tipo de anlisis que se debe realizar y del entorno en que ste se efectuar. El entorno difiere de un
tipo de anlisis a otro ya que es propio de cada uno. Se explicar la sintaxis de cada anlisis tal como
se introducira "a mano", pero tngase en cuenta que se puede usar el entorno integrado para
introducir los anlisis. Esto se hace a travs del men Analysis.
Los anlisis que se estudiarn son:
a) Barrido en continua: ".DC"
b) Respuesta en frecuencia: ".AC"
c) Transitorio o temporal: ".TRAN"
d) Funcin de transferencia: ".TF"
e) Anlisis de Sensibilidad: ".SENS"
f) Anlisis de Fourier: ".FOUR"
2.1 DC (Barrido de continua)
Este anlisis ya es conocido dado que se us en el captulo anterior. Como se recordar un anlisis de
este tipo asigna un valor a una variable, calcula la respuesta en continua, a continuacin incrementa la
variable en un valor especificado y vuelve a calcular la respuesta. El proceso contina hasta alcanzar
el valor final.
Se llama anlisis en DC pues lo que se hace es un clculo del punto de reposo con cada uno de los
valores de la variable especificada sin tener en cuenta el tiempo. Esto significa que un condensador
ser tratado como un circuito abierto, las inductancias como cortocircuitos y se utilizaran los valores
de continua de las fuentes independientes
1
a no ser que la variable de barrido sea precisamente el valor

1
El valor de continua (valor del parmetro DC) de una fuente de tensin se coment en el captulo
anterior. Lo mismo es aplicable a una fuente de corriente. El estudio de estas fuentes se cubre en el
captulo 3
de una fuente independiente en cuyo caso el valor ordenado en el anlisis toma preferencia sobre el
fijado al definir el componente.
La sintaxis ms sencilla de la instruccin que inicia un anlisis DC es la siguiente:
.DC <variable> <valor inicial> <valor final> <paso>
<variable>: es la magnitud que se variar. No tiene por qu ser un valor de continua (DC) de una
fuente independiente sino que puede ser cualquiera de los siguientes tipos de variables:
a) Valor DC de una fuente independiente: <variable> debe ser el nombre de una fuente inde-
pendiente.
b) Parmetros globales: se trat de ellos en el captulo 1. En este caso <variable> se compondr
de la palabra clave PARAM seguida del parmetro global que se desea barrer. Ex: .DC
PARAM CONST . . .
c) Parmetros de modelos de dispositivos: son otros parmetros, diferentes a los globales y que se
utilizan para particularizar un determinado dispositivo. Se estudiarn en el captulo 3. En este
caso <variable> contiene el nombre del modelo y el parmetro que se debe modificar.
d) Temperatura: permite analizar el circuito a diferentes temperaturas. Los dispositivos disponen
de unos parmetros que marcan su dependencia con la temperatura por lo que se puede estudiar
el comportamiento del circuito en funcin de la temperatura. Para ello <variable> debe ser la
palabra "TEMP".
<valor inicial> <valor final>: indican el rango de valores que tomar la variable de barrido. <valor
inicial> puede ser mayor o menor que el <valor final>.
<paso>: con este parmetro se determina el incremento que se aplicar a la variable de barrido. El
sentido del barrido depende de si <valor inicial> es mayor que <valor final> o a la inversa y no del
signo de <paso> que debe ser siempre una cantidad positiva.
Con la sentencia anterior se efectuar un barrido lineal ste es el tipo de barrido que se toma por de-
fecto pero pueden realizarse tambin barridos logartmicos o incluso se puede proporcionar una lista
de valores. Debido a estas posibilidades la sintaxis es ms compleja que la mostrada anteriormente. Se
dispone de las siguientes posibilidades:
Barrido lineal
.DC [LIN] <variable> <valor inicial> <valor final> <paso>
Barrido logartmico
.DC {DEC|OCT} <variable> <valor inicial> <valor final> <puntos>
Tipos de anlisis 33
Lista de valores
.DC <variable> LIST <lista de valores>
El tipo de barrido por defecto, el que se realizar si no se especifica ningn tipo de barrido, es el lineal
"LIN". Pero tambin se puede hacer un barrido logartmico, por dcadas o por octavas, con las
opciones "DEC" o "OCT". En estos casos <puntos> ser la cantidad de valores por dcada (si se indi-
c "DEC") o por octava (si se indic "OCT").
En el barrido de lista de valores se ha de proporcionar la lista de valores separados entre s por un
espacio en blanco.
Fig. 2.1
Por ejemplo, si sobre el circuito de la figura 2.1 se desea un barrido logartmico, por dcadas, de la
fuente de corriente "IP" entre 1A y 10mA, con seis puntos de anlisis por cada dcada, el fichero de
entrada sera:
EX2_1 (Barrido en continua logartmico)
VT 1 0 2V
R1 1 22 2K
IP 2 22 1M
R2 1 3 4K
R3 2 0 2K
R4 3 0 4K
.DC DEC IP 1U 10M 6
.PRINT DC V(1,2)
.PROBE
.END
La visualizacin de los resultados mediante PROBE es la mostrada en la figura 2.2. Se obtiene una
curva en el que el valor de X es la variable que se vara y en el eje Y se visualiza la traza seleccionada.
0A 2mA 4mA 6mA 8mA 10mA
IP
v(1,2)
24V
20V
16V
12V
8V
4V
0V
EX2_1 (Barrido en continua logartmico)
Fig. 2.2
El resultado de la instruccin .PRINT se guarda en el fichero ".OUT" en forma de una tabla de valo-
res. El fragmento de ".OUT" que refleja este anlisis es:
**** DC TRANSFER CURVES TEMPERATURE = 27.000 DEG C
***************************************************************************
IP V(1,2)
1.000E-06 2.002E+00
1.468E-06 2.003E+00
2.154E-06 2.004E+00
3.162E-06 2.006E+00
4.642E-06 2.009E+00
6.813E-06 2.014E+00
1.000E-05 2.020E+00
1.468E-05 2.029E+00
2.154E-05 2.043E+00
3.162E-05 2.063E+00
4.642E-05 2.093E+00
Tipos de anlisis 35
6.813E-05 2.136E+00
1.000E-04 2.200E+00
1.468E-04 2.294E+00
2.154E-04 2.431E+00
3.162E-04 2.632E+00
4.642E-04 2.928E+00
6.813E-04 3.363E+00
1.000E-03 4.000E+00
1.468E-03 4.936E+00
2.154E-03 6.309E+00
3.162E-03 8.325E+00
4.642E-03 1.128E+01
6.813E-03 1.563E+01
1.000E-02 2.200E+01
En fondo sombreado se ha marcado una dcada completa. Como puede observarse se han dado seis
valores por dcada a la corriente IP, tal como se indic en la instruccin .DC.
Un ltimo aspecto que debe considerarse es la posibilidad de realizar barridos anidados. Con un
barrido anidado se puede establecer un barrido adicional sobre una segunda variable de forma tal que,
para cada valor de la segunda variable, se hace un barrido de la primera variable. La segunda variable
y el tipo de barrido sobre esta segunda variable se indican en la misma sentencia .DC a continuacin
de la especificacin del primer barrido. Ambos barridos no tienen por qu ser iguales, uno puede ser
logartmico y el otro lineal, etc. Una posible sintaxis es :
.DC [DEC|OCT] <variable> <valor inicial> <valor final> <puntos>
+ [especificacin del barrido anidado]
La visualizacin de los resultados mediante PROBE proporciona una familia de curvas y cada una de
ellas corresponde a un valor de la primera variable.
Por ejemplo, se puede utilizar el barrido anidado para obtener las curvas de salida de un transistor bi-
polar. Para ello se utilizar el circuito de la figura 2.3. En este circuito se introduce un nuevo ele-
mento, el transistor bipolar. La forma de definir un transistor bipolar, y en general todo semiconductor,
difiere de las definiciones de los componentes vistos hasta ahora. Esto es as porque para caracterizar
un transistor se necesitan muchos ms parmetros que para, por ejemplo, una resistencia. Esta hecho
hara muy tediosa la introduccin de un dispositivo de este tipo. Para simplificar esta tarea se agrupan
todos los parmetros de un tipo de transistor determinado bajo lo que se llama un MODELO. La
definicin de los modelos se realiza mediante la instruccin .MODEL.
2

2
Aunque no se han utilizado las resistencias, los condensadores, etc. tambin admiten modelos pero
habitualmente no se utilizan. Al estudiar estos componentes se vern sus modelos.
Fig. 2.3
Por ejemplo, el transistor bipolar BC-108B queda descrito de la siguiente forma:
.MODEL BC108B NPN(Is=7.049f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=59.59 Bf=381.7 Ise=59.74f
+ Ne=1.522 Ikf=3.289 Nk=.5 Xtb=1.5 Br=2.359 Isc=192.9p Nc=1.954
+ Ikr=7.807 Rc=1.427 Cjc=5.38p Mjc=.329 Vjc=.6218 Fc=.5 Cje=11.5p
+ Mje=.2718 Vje=.5 Tr=10n Tf=438p Itf=5.716 Xtf=14.51 Vtf=10)
Con estas lneas se ha definido el modelo de nombre "BC108B" que corresponde a las caractersticas
de un transistor bipolar NPN (indicado por la palabra NPN).
3
Al utilizar un transistor bipolar en un circuito lo primero que se ha de indicar es que se trata de este
tipo de componente. Para ello el nombre del componente debe comenzar con una "Q". Despus se
proporcionan los nodos de conexin (colector, base, emisor) y por ltimo el tipo de transistor (nombre
del modelo).
Por ejemplo, si el transistor que se va a simular es un BC-108B con el nombre de "TEST" y tiene el
colector conectado al nodo 2, la base al nodo 1 y el emisor al nodo 0, la lnea de declaracin ser:
QTEST 2 1 0 BC108B
Volviendo al anlisis ".DC" anidado si se desean obtener las curvas caractersticas de salida se pro-
porcionar un corriente constante a la base del transistor y se har un barrido de la tensin V
CE
. Esto
se consigue utilizando un anlisis DC con anidamiento. La primera variable debe ser la tensin V
CE
y
la segunda variable ser la corriente I
B
. El circuito ser:
EX2_2 (Curvas del transistor BC-108B)
.MODEL BC108B NPN(Is=7.049f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=59.59 Bf=381.7 Ise=59.74f
+ Ne=1.522 Ikf=3.289 Xtb=1.5 Br=2.359 Isc=192.9p Nc=1.954

3
La forma de definir modelos y los parmetros de cada modelo se ver en los captulos 3 y 4
Tipos de anlisis 37
Q1 2 1 0 BC108B
VCE 2 0 5V
IB 0 1 1UA
.DC DEC VCE .05 5 10 LIN IB .01M .1M .01M
.PROBE
.END
Se efecta un barrido logartmico de la tensin V
CE
entre 0.05V y 5V con 10 valores en cada dcada
para cada valor de la corriente I
B
comprendido entre 0.01mA y 0.1mA con incrementos lineales de
0.01mA. Como puede verse se han combinado dos tipos de barrido diferentes, uno logartmico y uno
lineal.
0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V
VCE
IC(Q1)
40mA
30mA
20mA
10mA
0A
EX2_2 (Curvas del transistor BC-108B)
Fig. 2.4
El resultado utilizando PROBE proporciona la grfica de la figura 2.2 que, como se observa corres-
ponde a la corriente de colector en relacin a la tensin V
CE
y I
B
. Las referencias de corriente se to-
man entrantes en todos los terminales del transistor. Ntese que aunque se ha realizado un barrido
logartmico de la tensin V
CE
en la representacin el eje es lineal. Realmente los puntos calculados
estn repartidos logartmicamente, pero el tipo de eje sobre el que se representar se define en el pro-
grama grfico tal como se ver en el captulo dedicado a PROBE.
2.2 AC (Respuesta en frecuencia)
Con este anlisis se puede obtener la respuesta del circuito a seales senoidales de diversas frecuen-
cias. La sintaxis es la siguiente:
.AC {LIN|DEC|OCT} <puntos> <frecuencia inicial> <frecuencia final>
donde:
{LIN|DEC|OCT}: se ha de especificar una de las tres opciones. Indica el modo en que se realizar el
barrido. Este podr ser lineal "LIN", logartmico por dcadas "DEC" o por octavas "OCT".
<Puntos>: fija el nmero total de frecuencias en el caso de variacin lineal,
4
o el nmero de fre-
cuencias por dcada si el barrido es logartmico.
<frecuencia inicial> <frecuencia final>: rango de frecuencias entre los que se efectuar el anlisis.
Las seales a las frecuencias indicadas se aplican simultneamente a todos aquellos generadores in-
dependientes que tienen una especificacin AC. En el captulo anterior se introdujo la sintaxis de una
fuente independiente de tensin, en ella aparece la palabra AC entre corchetes. Si en la declaracin

Fig. 2.5

4
Ntese que difiere del significado que tena en el anlisis DC lineal.
Tipos de anlisis 39
de la fuente aparece esta palabra se establece que el generador se comportar como un generador se-
noidal con la amplitud y, opcionalmente, con la fase indicada. La frecuencia de la seal la establece el
anlisis ".AC". Consltese el captulo siguiente para una descripcin completa de los generadores
independientes.
A modo de ejemplo se analizar la respuesta en frecuencia del circuito de la figura 2.2.
El fichero de circuito ser:
EX2_3 (Respuesta en frecuencia)
.model BC108B NPN(Is=7.049f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=59.59 Bf=381.7 Ise=59.74f
VIN 1 0 AC 1E-3 ; generador de seal
VCC 4 0 6V ; alimentacin
RB 1 5 50
CIN 5 2 10U
R1 4 2 390K
R2 2 0 195K
RC 4 3 1K
Q1 3 2 0 BC108B
.AC DEC 10 10 5MEG
.PROBE
.END
Con esto se analizar la respuesta del circuito para frecuencias del generador VIN entre 10Hz y 5MHz
tal como se estipula en las lneas que aparecen sombreadas. El resultado es el mostrado en la
figura 2.6.
Un aspecto importante que se debe remarcar es que el anlisis ".AC" se realiza usando el modelo
linealizado en pequea seal. Los dispositivos no lineales como diodos, BJT, FET, etc., disponen de
diversos modelos de funcionamiento que se obtienen a partir de los datos suministrados con el modelo
SPICE (el definido con .MODEL). Uno de ellos es el modelo en pequea seal que describe un
funcionamiento lineal alrededor del punto de reposo y que slo es vlido para pequeas variaciones de
dicho punto. Esta es la misma tcnica que se utiliza en un anlisis "manual".
10h 100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
VC(Q1)
108mV
104mV
100mV
96mV
92mV
88mV
84mV
Fig. 2.6
Los valores del modelo en pequea seal dependen del transistor y del punto de reposo. El uso del
modelo en pequea seal permite realizar un clculo rpido por lo que se puede estudiar el circuito a
muchas frecuencias, lo que resultara imposible en el caso de utilizar el modelo no lineal. El punto de
reposo se calcula considerando los valores DC de las fuentes independientes.
Hay que tener siempre en cuenta este hecho ya que en caso contrario se puede llegar a resultados
errneos. Por ejemplo, si supusiramos que la excitacin es de 1V en lugar de 1mV los resultados
seran los mostrados en la figura 2.7. Segn estos resultados la tensin de colector a 1KHz sera de
unos 100V, lo cual es a todas luces absurdo considerando las tensiones de alimentacin del circuito.
En realidad el transistor entrar en saturacin, pero esto no se puede detectar en este anlisis ya que se
asume un modelo lineal para describir el funcionamiento del transistor.
Puesto que se supone que se est trabajando con un circuito lineal la magnitud de la excitacin no
tiene importancia. En muchas ocasiones lo que interesa son ganancias, esto es, relaciones entre dos
magnitudes, por lo que es til dar a la excitacin un valor que facilite los clculos, por ejemplo 1V.
Las figuras 2.8 y 2.9 ilustran este hecho. La primera corresponde al Bode de la ganancia entre la
tensin de salida (colector) y la tensin de entrada (V(1)) cuando la seal de entrada es de 1mV. La
segunda corresponde al mismo Bode pero para una seal de entrada de 1V. Se observa que los resul-
tados son iguales.
Tipos de anlisis 41
10h 100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
VC(Q1)
108V
104V
100V
96V
92V
88V
84V
EX2_3 (Respuesta en frecuencia, resultado falso)
Fig. 2.7
10h 100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
20*LOG10(VC(Q1)/ V(1))
40.8
40.4
40.0
39.6
39.2
38.8
38.4
Fig. 2.8
10h 100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
DB(VC(Q1)/ V(1))
40.8
40.4
40.0
39.6
39.2
38.8
38.4
EX2_3 (Respuesta en frecuencia, resultado falso)
Fig. 2.9
Nota: Obsrvese que, en cada caso, se ha definido la traza de un modo diferente. La expresin de la
traza que se est visualizando figura al pie de la grfica precedida por un cuadrado. En el
primer caso la traza es una expresin entre variables del circuito que proporciona la ganancia
en dB. El mismo resultado se puede obtener, de forma ms directa, usando funciones especfi-
cas disponibles en el programa PROBE (en el captulo dedicado a este programa se recogen las
funciones permitidas). Una de ellas es "DB(x)" que proporciona el valor de 'x' en dB. Esta es la
funcin que se ha empleado en la segunda grfica, equivalente a la expresin de la grfica de la
figura 2.8.
En el anlisis ".AC" las variables son cantidades complejas y por ello se necesita especificar si se de-
sea visualizar la magnitud que se toma por defecto, la fase, o bien la parte real o la parte imaginaria.
Ello se indica a travs de un prefijo tal como puede verse en la definicin de la traza de la figura 2.10,
en la que se ha usado el prefijo "P" para especificar que se desea visualizar la fase. Para la parte real se
utiliza el prefijo "R" y para la imaginaria el prefijo "IMG".
Pero para conocer el comportamiento real de este circuito se necesita observar los mrgenes de cada
una de las zonas de funcionamiento lo que obliga a considerar la caracterstica no lineal del transistor.
Tipos de anlisis 43
Para estudiar este tema, as como el funcionamiento fuera del rgimen permanente, se dispone del an-
lisis transitorio.
10h 100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
P(VC(Q1)/ V(1))
-140d
-160d
-180d
-200d
-220d
Fig. 2.10
2.3 TRAN (Transitorio)
El objetivo del anlisis ".TRAN" es analizar el comportamiento del circuito al transcurrir el tiempo,
sea en rgimen transitorio o permanente, por lo que se le puede considerar como un anlisis temporal.
Con el anlisis transitorio se estudia la respuesta del circuito a una determinada excitacin o estmulo a
lo largo del tiempo. El formato ms simple de la instruccin es:
.TRAN[/OP] <intervalos de representacin> <tiempo final>
Donde:
[/OP]: es opcional. Proporcionar informacin detallada de los valores iniciales, tal como se explica
en el apartado punto de reposo de esta seccin.
<intervalos de representacin>: determina los instantes de tiempo para los que se representarn los
resultados. Estos tiempos no coinciden con los tiempos para los que se ha hecho el anlisis, por ello se
realiza una interpolacin para obtener los valores de representacin.
<tiempo final>: tiempo en el que se terminar el anlisis.
Se efectuar un anlisis desde el tiempo igual a cero hasta que se alcance el tiempo final. Los inter-
valos de tiempo entre los que se realiza el anlisis vienen determinados internamente. Si la variacin
es muy grande los incrementos de tiempo se hacen pequeos; por el contrario, si la variacin es
pequea los incrementos son ms grandes. Hay un lmite para el mximo incremento que es: <tiempo
final>/50.
La excitacin o estmulo es la proporcionada por aquellas fuentes independientes en las que se us la
opcin [transitorio].
5
El estmulo es una de las siguientes formas de onda recogidas en el apndice D:
Senoidal: define una senoide. Se puede especificar offset, amplitud, fase, frecuencia, etc.
Para declarar un estmulo de este tipo [transitorio] toma la forma: SIN(<parmetros>).
Exponencial: proporciona una exponencial creciente y a continuacin una decreciente. Se
puede fijar una constante de tiempo creciente y otra decreciente. Es una seal no peridica.
Palabra clave: EXP(<parmetros>).
Pulso: define un pulso, es decir, una seal que toma dos valores cada uno de ellos durante
un tiempo determinado y se repite (por tanto es peridica). Palabra clave:
PULSE(<parmetros>).
Sintetizada: permite "dibujar" cualquier forma de onda si se suministran los puntos de la se-
al. Palabra clave: PWL(<parmetros>).
Senoide modulada en frecuencia: genera una portadora modulada en frecuencia por un tono
de frecuencia fija. Palabra clave: SFFM(<parmetros>).
Estos estmulos se pueden incluir haciendo uso del entorno de usuario (Control Shell). El men StmEd
llama al programa Estimulus Editor que permite incluir generadores independientes con estmulos de
transitorios. Al arrancar este programa aparece una pantalla y una serie de opciones y se puede definir
un nuevo estmulo o editar uno de los ya existentes. No obstante la versin educacional slo permite
definir seales de tipo senoidal desde el Estimulus Editor.
En el anlisis se utiliza el llamado modelo en gran seal de los dispositivos no lineales. Este modelo
no est restringido a pequeas variaciones alrededor del punto de reposo, por tanto da una idea precisa
del comportamiento del circuito.

5
Vanse las sentencias de declaracin de fuentes independientes en el apndice C.
Tipos de anlisis 45
Con el siguiente fichero de circuito se hace un anlisis transitorio sobre el mismo circuito que se
utiliz en el anlisis ".AC":
EX2_4A ANALISIS TRANSITORIO DE UN EMISOR COMUN
VIN 1 0 AC 1E-3 SIN(0 0.5E-3 1K); generador de seal
RB 1 5 50
CIN 5 2 10U
R1 4 2 390K
R2 2 0 195K
RC 4 3 1K
Q1 3 2 0 BC108B;Transistor
.TRAN 1U 4M
.PROBE
.END
En el generador de seal se ha especificado el tipo de estmulo como una seal senoidal con 0V de
offset, amplitud de 0,5mV y frecuencia de 1KHz. En la sentencia del anlisis transitorio se ha solici-
tado un paso de visualizacin de 1s (1U) y un tiempo final de 4ms (4M). El resultado es el mostrado
en la grfica de la figura 2.11.
Segn estas grficas la seal de salida, VC(Q1), tiene una amplitud pico a pico aproximada de 107mV
(obsrvense los valores de los cursores "C1" y "C2" y la diferencia "dif" que aparecen en el recuadro
la primera columna indica el tiempo y la segunda el valor de la variable, mientras que la amplitud de
la seal de entrada, V(1) es de 1mV pico a pico. En consecuencia, la ganancia es de 107. Este
resultado es acorde con el obtenido en el anlisis ".AC" de este mismo circuito a 1KHz.
Si se aumenta la excitacin de forma que pase a valer 1V el resultado ser el de la figura 2.12. En este
caso se tiene en cuenta el hecho de que el transistor no estar siempre en la zona activa, al contrario
que en el anlisis ".AC", donde se consideraba siempre el transistor en la zona lineal y se obtenan por
tanto resultados falsos.
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms
Time
VC(Q1)
3.08V
3.04V
3.00V
2.96V
V(1)
500uV
0V
-500uV
C1 =
C2 =
dif=
760.413u, 3.0710
3.2406m, 2.9633
-2.4802m, 107.691m
PRUEBA DE TRANSITORIO
Fig. 2.11
Time
VC(Q1)
4.0V
0V
6.5V
V1(VIN)
500mV
0V
-500mV
EX2_4A TRANSISTOR EN SATURACION
Fig. 2.12
Tipos de anlisis 47
Punto de reposo
El punto de reposo y las condiciones iniciales son dos temas relacionados. Se calculan dos puntos de
reposo diferentes. Uno el tratado hasta ahora se aplica a todos los anlisis excepto al ".TRAN". Es
el que se muestra bajo la seccin "SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION" del fichero ".OUT". En el
clculo de este punto de reposo se usa las especificaciones DC de las fuentes independientes y las
condiciones iniciales fijadas mediante la sentencia ".IC" que se ver seguidamente. Se calculan las
tensiones de cada nodo, las corrientes a travs de las fuentes independientes y los valores de los
modelos linealizados.
6
Esta es la informacin que se suministra al incluir la sentencia ".OP".
Adems, si se ha indicado un anlisis ".TRAN" se calcular otro punto de reposo llamado valor ini-
cial que se mostrar en la seccin "INITIAL TRANSIENT SOLUTION". En este caso se trata del
valor correspondiente al tiempo cero, es decir, al inicio del anlisis transitorio. Para calcularlo se uti-
liza, bien el valor DC de las fuentes independientes bien, si ste no existe, el valor inicial del es-
tmulo. Se utilizan las condiciones iniciales indicadas con ".IC" a no ser que se utilice la opcin
"UIC", como se comentar posteriormente. Igual que en el caso anterior se calculan las tensiones y las
corrientes y de nuevo los valores de los modelos linealizados, aunque estos modelos no se utilizan en
el anlisis transitorio. Para obtener informacin detallada se ha de incluir la palabra "/OP" en la es-
pecificacin del anlisis transitorio.
Un ejemplo puede ayudar a comprender las diferencias entre ambos puntos de reposo. El siguiente fi-
chero de circuito describe el circuito de la figura 2.5 pero sin la resistencia R2 ni el condensador CIN.
Se ha especificado un anlisis transitorio y un anlisis ".AC". Adems el generador VIN contiene
especificacin DC y estmulo de transitorio. Obsrvese que el valor inicial del estmulo "2" no
coincide con el valor de DC que es cero. Debido a esto ltimo el punto de reposo para el anlisis
."AC" diferir del punto de reposo o valor inicial del transitorio. SPICE considerar que el generador
VIN tiene un valor de 0V para el clculo del punto de reposo del anlisis ".AC" y de 2V para el cl-
culo del punto de reposo del transitorio.
Estado inicial
+ Ne=1.522 Ikf=3.289 Nk=.5 Xtb=1.5 Br=2.359 Isc=192.9p Nc=1.954
* PHILIPS pid=bc107b case=TO18
* 91-08-02 dsq
VIN 1 0 DC 0 AC 1E-3 SIN(2 0.5E-3 1K)
VCC 4 0 6V

6
Vanse en el captulo 4 los dispositivos que disponen de modelo linealizado.
RB 1 2 195K
R1 4 2 390K
RC 4 3 1K
Q1 3 2 0 BC108B
.TRAN/OP 1U 4M
.AC DEC 10 10 1.000k
.OP
.END
Como se ha incluido la sentencia ":OP" y la opcin "/OP" se obtiene la siguiente informacin en el
fichero ".OUT":
**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
*************************************************************************
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) .6914 ( 3) 3.0174 ( 4) 6.0000
NAME CURRENT
VIN 3.546E-06
VCC -2.996E-03
**** OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
************************************************************************
**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Q1
MODEL BC108B
IB 1.01E-05
IC 2.98E-03
VBE 6.91E-01
VBC -2.33E+00
VCE 3.02E+00
Tipos de anlisis 49
BETADC 2.96E+02
GM 1.15E-01
RPI 2.81E+03
RX 0.00E+00
RO 2.08E+04
CBE 7.10E-11
CBC 3.23E-12
CBX 0.00E+00
CJS 0.00E+00
BETAAC 3.24E+02
FT 2.47E+08
**** INITIAL TRANSIENT SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

************************************************************************
( 1) 2.0000 ( 2) .7095 ( 3) .2851 ( 4) 6.0000
NAME CURRENT
VIN -6.618E-06
VCC -5.728E-03
************************************************************************
NAME Q1
MODEL BC108B
IB 2.02E-05
IC 5.71E-03
VBE 7.09E-01
VBC 4.24E-01
VCE 2.85E-01
BETADC 2.83E+02
GM 2.21E-01
RPI 1.46E+03
RX 0.00E+00
RO 9.84E+03
CBE 1.17E-10
CBC 7.68E-12
CBX 0.00E+00
CJS 0.00E+00
BETAAC 3.21E+02
FT 2.80E+08
Se puede comprobar que las secciones "node voltage ", "voltage source currents" y "operating point
information" estn duplicadas. La primera vez se corresponden con el punto de reposo del anlisis AC:
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION y la segunda con el anlisis transitorio: INITIAL TRANSIENT
SOLUTION.
En este ejemplo se ve que los valores son diferentes. Adems, mirando la tensin colector-emisor,
V(3), se ve que en el primer caso el transistor est en activa y en el segundo en saturacin. Esta dife-
rencia tambin se aprecia en los valores asignados para el modelo linealizado, que son diferentes en
uno y otro caso.
Las condiciones iniciales se pueden fijar de las siguientes maneras:
a) Comando ".IC"
Mediante este comando se puede fijar la tensin en uno o ms nodos del circuito. Por
ejemplo:
.IC V(2)=5 V(3,4)=2.8
pone inicialmente el nodo 2 a 5V y fija una tensin entre los nodos 3 y 4 de 2,8V. Esta
instruccin afecta al clculo del punto de reposo de todos los anlisis. El efecto de esta ins-
truccin es el siguiente: para el clculo del punto de reposo se conecta en cada nodo espe-
cificado una fuente de tensin con una resistencia en serie de valor 0,002.
7
Una vez
completado el clculo del punto de reposo se desactivan las fuentes de tensin y comienza
el anlisis.
b) En la definicin de componentes "IC="
Las condiciones iniciales de los condensadores (tensin inicial) y de las inductancias
(corriente inicial) se pueden fijar utilizando la opcin "IC=" en la definicin de estos
componentes. Pero a diferencia del caso anterior esta informacin slo se usa para el cl-

7
La inclusin de la resistencia en serie se realiza para prevenir bucles de tensin. Normalmente no
produce ningn otro efecto, pero pueden existir situaciones (por ejemplo en un circuito integrador)
en que esta resistencia afecte significativamente al resultado y no se obtenga la tensin deseada en el
nodo.
Tipos de anlisis 51
culo del punto de reposo del anlisis transitorio y no para los de pequea seal, siempre y
cuando en la especificacin del anlisis transitorio se haya incluido la opcin "UIC" (Use
Initial Conditions). De hecho al usar UIC se omite el clculo del punto de reposo y el anli-
sis comienza inmediatamente haciendo uso de los valores fijados mediante "IC=", por lo
que las sentencias ".IC" no surten efecto en este caso. Tanto es as que si se usa UIC no
aparecer la seccin INITIAL TRANSIENT SOLUTION.
Por ejemplo, si se desea observar la carga del condensador del circuito de la figura 2.13, cuando la
tensin inicial en el condensador es de 2V se puede utilizar el siguiente fichero:
EX2_5 Carga y descarga de un condensador
VIP 1 0 PULSE( 0 6 0 1U 1U 10M 20M) ;pulso de 6 voltios de pico, periodo
;de 20ms y ciclo de trabajo 50%
R1 1 2 1K
C1 2 0 1U
.IC V(2)=2V ;Condicin inicial V condensador: 2V
.TRAN 1U 20M
.PROBE
.END
El resultado es el que se observa en la figura 2.14 (V(1) es el pulso de entrada y V(2) la tensin del
condensador).
Fig. 2.13
0ms 4ms 8ms 12ms 16ms 20ms
Time
V(1) V(2)
6.0V
4.0V
2.0V
0V
(18.005m,0.000)
(10.001m,5.9727)
EX2_5A Carga y descarga de un condensador
Fig. 2.14
Si se opta por el segundo mtodo de fijar las condiciones iniciales el circuito ser:
EX2_5B Carga y descarga de un condensador.
VIP 1 0 PULSE( 0 6 0 1U 1U 10M 20M) ;pulso de 6 voltios de pico, periodo
;de 20ms y ciclo de trabajo 50%
R1 1 2 1K
C1 2 0 1U IC=2
.TRAN 1U 20M UIC
.PROBE
.END
En ambos casos se obtienen los mismos resultados.
El tiempo inicial, a partir del cual se comienza el anlisis, siempre es cero. Pero se puede instruir al
programa para que slo "imprima" los resultados a partir de un instante determinado. Para ello se
utiliza el parmetro opcional [no print value].
Un ltimo parmetro opcional, disponible en este anlisis, es [step ceiling value] (lmite de incre-
mento de tiempo) que permite modificar el lmite del mximo incremento de tiempo que por defecto es
: <tiempo final>/50.
Tipos de anlisis 53
En resumen, la sintaxis completa del anlisis transitorio es:
+ [no print value] [step ceiling value]] [UIC]
2.4 TF (Funcin de transferencia)
Este anlisis proporciona informacin sobre la ganancia entre dos variables de circuito (o la trans-
conductancia o transresistencia), impedancia de entrada e impedancia de salida.. Su sintaxis es:
.TF <variable de salida> <fuente indep. de entrada>
La variable de entrada tiene que ser el nombre de una fuente independiente de tensin o corriente. La
variable de salida tiene el mismo formato y significado que en la sentencia ".PRINT", pero en caso de
ser una corriente debe ser la corriente a travs de una fuente de tensin.
La ganancia es el cociente entre la variable de salida y la variable de entrada:
ganancia
variable de salida)
(fuente de entrada)
=

(
Dependiendo de la naturaleza de estas variables se obtienen ganancias propiamente dichas, que pue-
den ser de tensin (ambas variables tensiones) o de corriente (ambas variables corrientes), o bien
transresistencias (salida tensin, entrada corriente) o transconductancias (salida corriente, entrada
tensin).
La impedancia de entrada es la impedancia que "ve" la fuente independiente de entrada. La impe-
dancia de salida es la que se obtendra aplicando un generador de prueba en el nodo de salida y mi-
diendo la corriente absorbida desconectando el resto de fuentes independientes.
Los resultados se guardan bajo la seccin "SMALL-SIGNAL CARACTERISTICS" del fichero
".OUT". En el siguiente ejemplo se usa este anlisis aplicado al circuito de la figura 2.15.
EX2_7A (Ejemplo de funcin de transferencia)
VA 1 0 1V
R1 1 0 2
R2 1 2 1
R3 2 0 1
.TF V(2) VA
.END
Fig. 2.15
Los resultados obtenidos en ".OUT" son:
**** SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(2)/IEN = 5.000E-01
INPUT RESISTANCE AT IEN = 1.000E+00
OUTPUT RESISTANCE AT V(2) = 7.500E-01
Si en lugar de una fuente de tensin se tuviera el circuito de la figura 2.16 el netlist sera:
EX2_7B (Funcin de transferencia, transresistencia)
IEN 0 1 1A
R1 1 0 2
R2 1 2 1
R3 2 0 1
.TF V(2) IEN
.END
Tipos de anlisis 55
Fig. 2.16
El resultado obtenido es:
V(2)/IEN = 5.000E-01
OUTPUT RESISTANCE AT V(2) = 7.500E-01
Obsrvese que en este caso la impedancia de salida es de 0,75 en lugar de los 0,5 del caso en que
haba una fuente de tensin, ya que una fuente de corriente "desactivada" es un circuito abierto mien-
tras que una fuente de tensin es un cortocircuito.
Si se desea medir la ganancia de corriente entre dos ramas y la rama de salida no es una fuente de
tensin se puede usar el siguiente "truco": aadir una fuente de tensin de valor cero voltios en la rama
de salida. sta ha sido la tcnica utilizada en el siguiente ejemplo, en el que se mide la ganancia de
corriente entre la corriente a travs del generador de entrada y la de la resistencia R3. Se ha aadido el
generador VX al circuito con lo que queda tal como se ve en la figura 2.17. El fichero de entrada y el
resultado son:
EX7_C (Funcin de transferencia, ganancia de corriente)
IEN 0 1 1A
R1 1 0 2
R2 1 2 1
R3 3 0 1
VX 2 3 0 ;generador aadido para medir la corriente
.TF I(VX) IEN
.END
Fig. 2.17
Resultado:
I(VX)/IEN = 5.000E-01
OUTPUT RESISTANCE AT I(VX) = 4.000E+00
Para llevar a cabo el anlisis se utiliza el modelo linealizado en pequea seal. Por ello habr que te-
ner en cuenta las limitaciones de este modelo, comentadas en el anlisis AC.
El mtodo que sigue el programa para realizar el anlisis consiste en calcular el valor de las variables
para el punto de reposo, a continuacin modificar ligeramente el valor de la fuente de entrada y
calcular el resto de variables. A partir de estos datos calcula los resultados. Esto es equivalente a rea-
lizar el anlisis a frecuencia cero.
2.5 SENS (Anlisis de sensibilidad)
Este anlisis est encaminado a obtener la sensibilidad de las variables del circuito con respecto a di-
versos parmetros. La sintaxis es:
.SENS <variables de salida>*
Las variables de salida pueden ser una o varias. Su sintaxis es la misma que la utilizada en la orden
".PRINT" tal como se recoge en el apndice F (variables de salida). Si se desea la sensibilidad de una
Tipos de anlisis 57
corriente sta debe ser la corriente a travs de un generador independiente de tensin por lo que, si es
preciso, se debe insertar un generador de valor cero en la rama que interese.
Los resultados que proporciona este anlisis son:
sensibilidad:
<
< >
variable de salida >

parmetro
(VOLTS/UNITY)
sensibilidad normalizada:

< variable de salida >

< parmetro >
< parmetro >
x100
(VOLTS/PERCENT)
Si se tratara de una corriente, en lugar de VOLTS figurara AMPS. Estos datos se guardan en el fichero
de salida ".OUT".
Para realizar este anlisis se usa el modelo linealizado por lo que, si existen elementos no lineales, los
resultados no se pueden extrapolar para grandes variaciones del punto de reposo. La sensibilidad se
calcula con respecto a los parmetros de los siguientes elementos:
a) resistencias
b) fuentes independientes de tensin y corriente
c) interruptores controlados de tensin y corriente
d) diodos
e) transistores bipolares.
En el siguiente ejemplo se analiza la sensibilidad de la salida de un puente de impedancias frente a las
impedancias que lo forman y la alimentacin. El circuito es el mostrado en la figura 2.18 y el fichero
fuente correspondiente es:
ANALISIS DE SENSIBILIDAD
VAL 1 0 5
R1 1 2 10K
R2 1 3 10K
R3 2 0 5K
R4 3 0 5K
.SENS V(3,2)
.END
Fig. 2.18
En el fichero de salida aparecer una nueva seccin, "DC SENSITIVITY ANALYSIS", con el
siguiente contenido:
**** DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C
**************************************************************************
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT V(3,2)
ELEMENT ELEMENT ELEMENT NORMALIZED
NAME VALUE SENSITIVITY SENSITIVITY
(VOLTS/UNIT) (VOLTS/PERCENT)
R1 1.000E+04 1.111E-04 1.111E-02
R2 1.000E+04 -1.111E-04 -1.111E-02
R3 5.000E+03 -2.222E-04 -1.111E-02
R4 5.000E+03 2.222E-04 1.111E-02
VAL 5.000E+00 4.174E-18 2.087E-19
JOB CONCLUDED
Esto significa que si la resistencia R1 vara su valor en 1k la tensin de salida V(3)-V(2) variar en:
V = 1,11110
-4
x 1000 = 0,1111 V (comprubese)
o bien, si la resistencia R4 tienen una tolerancia del 5% (lo que implica un incremento de 250) la
mxima variacin de la salida debido a la variacin de R4 ser:
Tipos de anlisis 59
V = 1,11110
-2
x 5 = 0,0555 V (comprubese)
Se observa tambin que la sensibilidad de las ramas opuestas del puente tienen el mismo signo, por lo
que si este puente se usa para medir variaciones de resistencia provocadas por determinadas mag-
nitudes fsicas (temperatura, desplazamientos, presiones, etc.) y se utiliza ms de un elemento sensor,
stos debern ocupar ramas opuestas.
Fig. 2.19
El anlisis de sensibilidad tiene especial inters en circuitos donde existen diodos o transistores bi-
polares debido a la gran dispersin de valores que presentan estos dispositivos. En el siguiente anlisis
se estudia la sensibilidad de la tensin colector-emisor y la corriente de colector del circuito de la
figura 2.19. El fichero fuente es:
Sensibilidad punto de reposo sin resistencia de emisor
R1 4 2 390K
R2 2 0 195K
RC 4 30 1K
VTEST 30 3 0
Q1 3 2 0 BC108B
.SENS VCE(Q1) I(VTEST)
.END
El generador VTEST tiene la funcin de medir la corriente de colector. Como resultado en el fichero
".OUT" se obtienen, entre otros, los siguientes datos:
( 2) .6914 ( 3) 3.0174 ( 4) 6.0000 ( 30) 3.0174
NAME CURRENT
VCC -2.996E-03
VTEST 2.983E-03

DC SENSITIVITIES OF OUTPUT VCE(Q1)
R1 3.900E+05 1.056E-05 4.117E-02
R2 1.950E+05 -5.500E-06 -1.073E-02
RC 1.000E+03 -2.846E-03 -2.846E-02
VCC 6.000E+00 1.784E-01 1.071E-02
VTEST 0.000E+00 -9.540E-01 0.000E+00
Q1
RB 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
RC 1.427E+00 1.371E-04 1.956E-06
RE 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
BF 3.817E+02 -5.966E-03 -2.277E-02
ISE 5.974E-14 1.285E+13 7.678E-03
BR 2.359E+00 3.844E-10 9.067E-12
Tipos de anlisis 61
ISC 1.929E-10 -3.034E+05 -5.853E-07
IS 7.049E-15 -8.027E+13 -5.659E-03
NE 1.522E+00 -8.861E+00 -1.349E-01
NC 1.954E+00 2.996E-05 5.853E-07
IKF 3.289E+00 -7.538E-04 -2.479E-05
IKR 7.807E+00 3.282E-16 2.562E-17
VAF 5.959E+01 1.791E-03 1.067E-03
VAR 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT I(VTEST)
(AMPS/UNIT) (AMPS/PERCENT)
R1 3.900E+05 -1.056E-08 -4.117E-05
R2 1.950E+05 5.500E-09 1.073E-05
RC 1.000E+03 -1.371E-07 -1.371E-06
VCC 6.000E+00 8.216E-04 4.929E-05
VTEST 0.000E+00 -4.596E-05 0.000E+00
Q1
RB 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
RC 1.427E+00 -1.371E-07 -1.956E-09
RE 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
BF 3.817E+02 5.966E-06 2.277E-05
ISE 5.974E-14 -1.285E+10 -7.678E-06
BR 2.359E+00 -3.844E-13 -9.067E-15
ISC 1.929E-10 3.034E+02 5.853E-10
IS 7.049E-15 8.027E+10 5.659E-06
NE 1.522E+00 8.861E-03 1.349E-04
NC 1.954E+00 -2.996E-08 -5.853E-10
IKF 3.289E+00 7.538E-07 2.479E-08
IKR 7.807E+00 -3.282E-19 -2.562E-20
VAF 5.959E+01 -1.791E-06 -1.067E-06
VAR 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
JOB CONCLUDED
Se observa que la V
CE
en reposo es de unos 3V y la corriente de colector de unos 3mA. La sensibili-
dad de la tensin V
CE
con respecto a la variacin porcentual de es de -2.210
-2
(la est estrecha-
mente relacionada con BF tal como se ver en el captulo 4), no muy diferente a la sensibilidad con
respecto a la resistencia RC. Pero los parmetros de los elementos semiconductores presentan varia-
ciones mucho ms importantes que las de los elementos pasivos. As, no es extrao que la presente
variaciones del 200%. Si esto sucediese la tensin V
CE
podra sufrir una desviacin de:
V
CE
= -2,27710
-2
x 200 = -4,55V.
Esta variacin llevara al transistor a saturacin. Para prevenir este efecto se suele aadir una resis-
tencia en el emisor tal como se muestra en la figura 2.20. Si se simula este nuevo circuito utilizando el
siguiente fichero de circuito:
Sensibilidad punto de reposo con resistencia de emisor
R1 4 2 5.8K
R2 2 0 10K
RC 4 30 0.5K
RE 5 0 1K
VTEST 30 3 0
Q1 3 2 5 BC108B
.SENS VCE(Q1) I(VTEST)
.END
Fig. 2.20
Tipos de anlisis 63
se obtienen los siguientes resultados:
( 2) 3.7588 ( 3) 4.4723 ( 4) 6.0000 ( 5) 3.0660
( 30) 4.4723
NAME CURRENT
VCC -3.442E-03
VTEST 3.055E-03

DC SENSITIVITIES OF OUTPUT VCE(Q1)
R1 5.800E+03 3.587E-04 2.081E-02
R2 1.000E+04 -2.024E-04 -2.024E-02
RC 5.000E+02 -3.051E-03 -1.525E-02
RE 1.000E+03 1.436E-03 1.436E-02
VCC 6.000E+00 7.013E-02 4.208E-03
VTEST 0.000E+00 -9.984E-01 0.000E+00
Q1
RB 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
RC 1.427E+00 4.788E-06 6.833E-08
RE 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
BF 3.817E+02 -1.214E-04 -4.634E-04
ISE 5.974E-14 2.571E+11 1.536E-04
BR 2.359E+00 7.452E-12 1.758E-13
ISC 1.929E-10 -5.883E+03 -1.135E-08
IS 7.049E-15 -6.819E+12 -4.807E-04
NE 1.522E+00 -1.776E-01 -2.703E-03
NC 1.954E+00 5.808E-07 1.135E-08
IKF 3.289E+00 -2.633E-05 -8.659E-07
IKR 7.807E+00 1.090E-17 8.508E-19
VAF 5.959E+01 0.000E+00 0.000E+00
DC SENSITIVITIES OF OUTPUT I(VTEST)
(AMPS/UNIT) (AMPS/PERCENT)
R1 5.800E+03 -2.386E-07 -1.384E-05
R2 1.000E+04 1.346E-07 1.346E-05
RC 5.000E+02 -3.510E-09 -1.755E-08
RE 1.000E+03 -2.995E-06 -2.995E-05
VCC 6.000E+00 6.186E-04 3.712E-05
VTEST 0.000E+00 -1.149E-06 0.000E+00
Q1
RB 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
RC 1.427E+00 -3.510E-09 -5.009E-11
RE 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
BF 3.817E+02 9.455E-08 3.609E-07
ISE 5.974E-14 -2.002E+08 -1.196E-07
BR 2.359E+00 -5.802E-15 -1.369E-16
ISC 1.929E-10 4.581E+00 8.836E-12
IS 7.049E-15 4.699E+09 3.312E-07
NE 1.522E+00 1.383E-04 2.105E-06
NC 1.954E+00 -4.522E-10 -8.836E-12
IKF 3.289E+00 1.930E-08 6.348E-10
IKR 7.807E+00 -7.990E-21 -6.238E-22
VAF 5.959E+01 -1.367E-08 -8.147E-09
VAR 0.000E+00 0.000E+00 0.000E+00
JOB CONCLUDED
En este caso la corriente de colector es de unos 3mA, como en el caso anterior, y la tensin V
CE
es de
1,41V, o sea, que el transistor est mucho ms cerca de saturacin que antes. Pero ahora la sensibili-
dad con respecto a es de -4,6310
-4
por lo que una variacin de del 200% producir una variacin
de V
CE
de:
V
CE
= -4,6310
-4
x 200 = -0,093V.
As pues la tensin V
CE
disminuir hasta 1,31V debido a una variacin de del 200%, pero esto no
har que el transistor entre en saturacin.
Tipos de anlisis 65
En realidad estos clculos no son del todo correctos porque, tal como se ha dicho, se usan los modelos
linealizados y, en consecuencia, estos anlisis no son vlidos para grandes desplazamientos del punto
de reposo. De todas formas se deduce que el segundo circuito es mucho ms insensible a los
parmetros del transistor que el primero.
2.6 FOUR (Anlisis de Fourier)
Con este anlisis se obtienen las componentes de Fourier de la variable o variables especificadas. Un
anlisis de este tipo debe ir precedido de un anlisis transitorio ya que lo que en realidad realiza el
programa es una Transformada Discreta de Fourier (DFT) y para ello debe muestrear la seal en el
tiempo, lo que se corresponde con los resultados de un anlisis transitorio.
La sintaxis de este anlisis es la siguiente:
.FOUR <frecuencia de la fundamental> [nmero de armnicos] <variable>*
Para el clculo se toman los valores de la variable obtenidos al final del anlisis transitorio. Los
valores que se usan para el clculo son los correspondientes a los ltimos
"1/<frecuencia de la fundamental>" segundos. Esto significa que la seal que se considera es una seal
como la que existe al final del anlisis transitorio y peridica con frecuencia igual a la fundamental. Es
claro que el valor de la frecuencia de la fundamental es clave para obtener resultados coherentes.
Los datos que se obtienen son: a) la componente continua; b) la componente de la fundamental (1
er
armnico); c) la de los armnicos del 2 al 9 y d) la distorsin armnica total. Si se desean ms
componentes se han de obtener por medio del parmetro optativo [nmero de armnicos].
Los resultados se guardan en el fichero de salida ".OUT".
Por ejemplo, supngase que se desea conocer el desarrollo en serie de Fourier de una seal cuadrada
de 10V de amplitud y frecuencia 1kHz y se tiene pereza para calcularlo analticamente. Se puede ob-
tener una buena aproximacin numrica realizando el anlisis de Fourier del circuito mostrado en la
figura 2.21.
Fig. 2.21
El fichero fuente ser:
Anlisis de Fourier
*generador
VI 1 0 10 PULSE( 0 10 0 1E-6 1E-6 0.5E-3 1E-3)
R1 1 0 1OK
.TRAN 1U 1.5E-3
.FOUR 1E3 V(1)
.PROBE
.END
y en el fichero ".OUT" se obtendr la siguiente seccin con los resultados:
**** FOURIER ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(1)
DC COMPONENT = 5.009999E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.000E+03 6.366E+00 1.000E+00 1.796E+02 0.000E+00
2 2.000E+03 2.000E-02 3.141E-03 8.928E+01 -9.036E+01
3 3.000E+03 2.122E+00 3.333E-01 1.789E+02 -7.200E-01
4 4.000E+03 2.000E-02 3.141E-03 8.856E+01 -9.108E+01
5 5.000E+03 1.273E+00 2.000E-01 1.782E+02 -1.440E+00
6 6.000E+03 2.000E-02 3.141E-03 8.784E+01 -9.180E+01
7 7.000E+03 9.093E-01 1.428E-01 1.775E+02 -2.160E+00
8 8.000E+03 2.000E-02 3.141E-03 8.712E+01 -9.252E+01
9 9.000E+03 7.072E-01 1.111E-01 1.768E+02 -2.880E+00
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 4.288115E+01 PERCENT
JOB CONCLUDED
Otra posibilidad para obtener estos resultados es utilizar el programa PROBE. Mediante este programa
(del que se trata en el captulo 5) se puede calcular la FFT cuando se est visualizando el resultado de
un anlisis transitorio. A este anlisis se accede a travs del men eje X tal como se describe en el
Tipos de anlisis 67
apartado 5.5. Una ventaja que ofrece este segundo mtodo es que la fraccin de seal que se considera
se determina con la opcin Restric_data, por lo que la decisin de qu parte de seal es significativa
se puede realizar despus del anlisis transitorio y una vez que ya se conoce la respuesta y se dispone
de una representacin grfica de la misma. Por otra parte la informacin que se obtiene mediante
PROBE es grfica mientras que con ".FOUR" se obtiene una salida tabulada. Tambin se ha de
considerar que el programa PROBE es exclusivo de PSpice y no se encuentra en otras versiones de
SPICE (aunque se suele contar con otras herramientas similares).
2.7 Otros anlisis
En SPICE existen otros anlisis adems de los descritos hasta aqu. Pero se dar tan slo una des-
cripcin de ellos debido al carcter introductorio de estos libro. Para obtener mayor informacin se
puede acudir a la bibliografa especializada [GARIB95]. Los anlisis pendientes son:
Anlisis estandard:
.NOISE: anlisis de ruido. Precisa de un anlisis ".AC" previo. Muchos dispositivos poseen
un modelo de ruido que es el que se utilizar en este anlisis.
Anlisis multi-ejecucin (multi-run):
.TEMP:
Este anlisis realizar los anlisis normales descritos anteriormente pero a la temperatura o
temperaturas indicadas mediante la siguiente sentencia:
.TEMP <lista de temperaturas>*
Cuando no se especifica un anlisis de este tipo se considera que los valores de cada com-
ponente son los correspondientes a la temperatura TNOM, que es una variable que se fija
mediante ".OPTIONS" tal como se describe en el captulo 1. Por defecto TNOM vale 27
C. Al variar la temperatura los valores de los componentes varan segn unas leyes incluidas
en los modelos de cada componente y cuyas constantes se fijan por medio de parmetros de
los modelos (consltese el capitulo 3), o bien en la propia lnea de declaracin del
componente si el componente es una resistencia, .
.STEP: similar al anterior, pero en lugar de variar la temperatura se puede variar otro pa-
rmetro. Es similar por otro lado al anlisis ".DC".
Anlisis estadsticos:
.MC: anlisis de Montecarlo. Proporciona informacin estadstica. Se puede especificar la
funcin de variacin de los parmetros de los dispositivos
.WC: anlisis de caso ms desfavorable.
Estos dos ltimos anlisis hacen uso de la informacin sobre tolerancias proporcionada junto
con los valores de los dispositivos tal como se ver en siguiente el captulo.
Dispositivos 69
3 Dispositivos
3.1 Modelos
Los componentes son los elementos que conforman el circuito. En SPICE existe un nmero de
componentes limitado. A partir de estos componentes se deber modelar cualquier otro dispositivo.
Los dispositivos definidos en SPICE son de diversos tipos y su descripcin puede ser ms o menos
complicada. Algunos son los elementos clsicos de anlisis de circuitos, esto es: resistencias,
condensadores e inductancias. Son elementos lineales y su comportamiento en SPICE coincide con el
descrito en la teora de circuitos. Gracias a sus caractersticas simples su descripcin es muy sencilla y
en la mayora de los casos bastar con indicar el valor del componente. No obstante si se necesitan
tener en cuenta efectos secundarios, tales como la variacin del valor nominal con respecto a la
temperatura o las tolerancias, se puede completar la descripcin mediante el uso de modelos.
Los modelos consisten en una serie de caractersticas que convienen a una clase de un determinado
tipo de componente y que se agrupan bajo un nombre con objeto de no tener que reescribir todas las
caractersticas cada vez que se utiliza esta clase de componente. Por ejemplo, podemos suponer que
una resistencia de 1k y otra de 10k, ambas de carbn, variarn con respecto a la temperatura de
una forma similar, pero se comportarn de diferente forma a como lo haran resistencias de pelcula
metlica. Se pueden reunir los coeficientes que modelan el comportamiento en temperatura de las
resistencias de carbn dentro de un modelo y los de las resistencias de pelcula metlica dentro de otro
modelo, cada uno con un nombre diferente. Cuando se desee utilizar una u otra resistencia, en lugar de
proporcionar todos los coeficientes bastar con indicar el nombre del modelo junto con, claro est, el
valor de la resistencia.
Un modelo se define usando la palabra clave ".MODEL" segn la siguiente sintaxis:
.MODEL <nombre del modelo> [AKO: nombre del modelo de referencia]
+ <tipo de modelo> ([<nombre del parmetro>=<valor> [tolerancia]]*)
donde:
<nombre del modelo>: es el nombre con el que se referenciar el modelo. No existe ninguna restric-
cin, excepto que debe comenzar por una letra.
los autores, 1998; Edicions UPC, 1998. Quedan rigurosamente prohibidas, sin la autorizacin escrita de los titulares del "copyright", bajo las sanciones establecidas
en las leyes, la reproduccin total o parcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendidos la reprografa y el tratamiento informtico, y la
distribucin de ejemplares de ella mediante alquiler o prstamo pblicos, as como la exportacin e importacin de ejemplares para su distribucin y venta fuera del
mbito de la Unin Europea.
[AKO:nombre del modelo de referencia]: como se ve es optativo. Permite definir un nuevo modelo
basndose en otro ya existente cambiando slo alguno de los parmetros.
<tipo de modelo>: determina el tipo de componente de que se trata (resistencia, diodo, etc.). Es una
palabra clave que no coincide con la letra inicial del nombre que se usa al declarar el compo-
nente en la netlist. Por ejemplo, para una resistencia la palabra que define el tipo de modelo es
"RES" mientras que en la declaracin del componente es "R".
([<nombre del parmetro>=<valor> [tolerancia]]*): entre parntesis se proporciona el valor que
toma cada uno de los parmetros permitidos por el tipo de modelo. No es obligatorio dar un
valor a todos los parmetros ya que todos disponen de un valor por defecto. Siguiendo al valor
del parmetro se puede incluir la informacin sobre la tolerancia de ste. Estas tolerancias son
las que se utilizarn en los anlisis estadsticos.
La informacin particular sobre cada tipo de modelo se detalla al estudiar el componente correspon-
diente.
A ttulo de ejemplo se muestran los pasos que deben seguirse para hacer uso de los modelos de resis-
tencias. Supngase que se desea utilizar las clases de resistencias comentadas anteriormente (de
carbn y de pelcula metlica). El primer paso es definir un modelo para cada clase de resistencia:
.MODEL CARBON RES (TC= )
1
.MODEL METALICA RES (TC= )
Si hubiera en el circuito una resistencia de carbn llamada R4 de 10k entre los nodos 7 y 9 y otra
metlica, del mismo valor y con el nombre R6, entre los nodos 3 y 4 se declararan:
R4 7 9 CARBON 10K
R6 3 4 METALICA 10K
Como se observa la nica diferencia es que se aade el nombre del modelo antes del valor del com-
ponente.
En el caso de resistencias, condensadores y otros componentes lineales, la utilizacin de modelos es
opcional y se usa slo en las ocasiones en que se desea realizar algunos anlisis concretos. De hecho,
hasta ahora no han sido necesarios. Pero otros tipos de componentes, como son los dispositivos semi-
conductores, no se pueden describir con un nico valor; por ello la utilizacin de modelos se hace in-
dispensable para definir estos componentes. Estos modelos no indicarn tan slo comportamientos de
orden secundario sino que, por el contrario, definirn el comportamiento total del dispositivo.
Una ltima consideracin es que algunos parmetros de los modelos, pero no todos, se pueden pro-
porcionar al definir el componente y con ello particularizar un componente concreto dentro de una
clase.

1
Consultar el apartado de resistencias para ver los parmetros aplicables.
Dispositivos 71
En los prximos apartados y captulos se estudian los componentes principales existentes en SPICE.
Para estudiarlos se agruparn en tres clases:
Componentes lineales: son los elementos clsicos de teora de circuitos comentados ante-
riormente. Aqu se agruparn las resistencias, los condensadores y las inductancias. Su
comportamiento es el ideal. Admiten modelos pero habitualmente no se utilizan.
Generadores: son las fuentes de tensin o corriente dependientes o independientes. Se
considera un comportamiento ideal y no se consideran procesos de segundo orden
(tolerancias, etc.); por ello no existen modelos para estos dispositivos.
Dispositivos semiconductores: su comportamiento no es lineal y viene dado por el valor de
mltiples parmetros. La utilizacin de modelos es obligada. Se estudiarn en el captulo 4.
3.2 Dispositivos lineales
3.2.1 Resistencias
La forma general de una resistencia es:
R<nombre> <nodo+> <nodo-> [nombre del modelo] <valor> [TC=<TC1>[,<TC2>]]
Aunque no es obligatorio se pueden utilizar modelos o proporcionar un valor determinado a ciertos
parmetros (TC1 y TC2). El significado de TC1 y TC2 es el mismo que los parmetros con el mismo
nombre del modelo. Si no se da nombre del modelo ni se especifican TC1 ni TC2, el componente se
comportar como una resistencia del valor indicado en <valor> y no sufrir derivas en temperatura.
La definicin de un modelo para resistencias sigue la sintaxis:
.MODEL <nombre del modelo> RES ([parmetro=<valor>]*)
Los parmetros aceptados son:
R: factor multiplicativo del valor de la resistencia.
TC1: coeficiente de temperatura lineal.
TC2: coeficiente de temperatura cuadrtico.
TCE: coeficiente de temperatura exponencial.
La dependencia con la temperatura viene dada por la expresin:
R =< valor > (1 (T TNOM) (T TNOM) )
2
+ + R TC1 TC2
o bien por:
R valor
(T TNOM)
< >

R
TCE
1 01 , .
TNOM es la temperatura nominal que se puede establecer mediante la opcin TNOM. Por defecto es
de 27
o
C.
La segunda expresin se usa slo en el caso de que se utilice el modelo y en el mismo est especifi-
cado el valor de TCE. Los parmetros TC1 y TC2 (no as TCE) se pueden introducir al declarar la
resistencia pero slo tendrn efecto si no se ha especificado un modelo (es decir, que los valores del
modelo tienen preferencia).
3.2.2 Condensadores
La forma general para declarar un condensador es:
C<nombre> <nodo+> <nodo-> [nombre del modelo] <valor> [IC=voltaje inicial]
Al usar condensadores se ha de tener en cuenta que en continua se comportan como un circuito abierto
lo que puede provocar errores debido a que algn nodo quede flotante, esto es, que no exista un
camino de continua a la masa desde este nodo. Si se produce un error de este tipo se puede resolver
colocando una resistencia de valor muy alto en paralelo con el condensador.
El modelo para el condensador se define tal como se indica a continuacin:
.MODEL <nombre del modelo> CAP([parmetro=<valor>]*)
Los parmetros disponibles en este modelo son:
C: factor multiplicativo del valor del condensador.
VC1: coeficiente lineal de variacin con la tensin.
VC2: coeficiente cuadrtico de variacin con la tensin.
El valor de la capacidad, en el caso de especificar modelo, ser:
C =< valor > 1 V V (1 (T TNOM) (T TNOM) )
2 2
+ + + + C VC1 VC2 TC1 TC2 ( )
Se puede fijar la tensin inicial del condensador haciendo uso de la opcin: "IC=". Este ser el valor
usado para el clculo del punto de trabajo previo a un anlisis transitorio en el caso de haber ordenado
dicho anlisis con la opcin UIC tal como se explic en el captulo anterior.
3.2.3 Inductancias
Una inductancia se especifica a travs de la siguiente sentencia:
L<nombre> <nodo+> <nodo-> [nombre del modelo] <valor> [IC=corriente inicial]
Dispositivos 73
El aspecto circuital que debe considerarse con las inductancias es que en un anlisis transitorio o de
".AC" el programa SPICE trata el voltaje en bornes de la inductancia como una fuente de tensin. En
consecuencia se pueden producir bucles de tensin inesperados. Se puede prevenir este posible error
mediante una resistencia de muy pequeo valor en serie con el componente.
La condicin inicial es la corriente a travs de la inductancia. Como en el caso anterior slo se usar si
se especific en el anlisis ".TRAN" la opcin UIC.
La definicin de un modelo de inductancia se realiza mediante:
.MODEL <nombre del modelo> IND ([parmetro=<valor>]*)
Los parmetros disponibles en este modelo son:
L: factor multiplicativo.
IL1: coeficiente lineal de variacin con la corriente.
IL2: coeficiente cuadrtico de variacin con la corriente.
El valor de la inductancia si se ha especificado un modelo es:
L valor I I T TNOM T TNOM =< > L IL1 IL2 TC1 TC2 + + + + ( ) 1 1
2 2
( ( ) ( ) ) .
3.2.4 Acoplo inductivo (Transformador)
Mediante el acoplo inductivo se pueden acoplar magnticamente dos o ms inductancias previamente
definidas. Para declarar un acoplo se usa la siguiente sentencia:
K<nombre> L<inductancia> <L<inductancia>>* <valor del acoplo>
donde:
L<inductancia> : nombre de las inductancias que quedarn acopladas.
<valor de acoplo>: coeficiente de acoplamiento magntico "K".
Las ecuaciones que se cumplen en un acoplo inductivo como el mostrado en la figura 3.1 son:
v t L
d i
dt
M
d i
dt
1 1
1 2
( )
( ) ( )
t
y
v t L
d i
dt
M
d i
dt
2 2
2 1
( )
( ) ( )
t
donde M es el coeficiente de induccin mutua y se relaciona con el coeficiente de acoplamiento mag-
ntico K segn la expresin:
M K L L
1 2
.
Para determinar si el efecto de induccin mutua es reforzante o atenuante se sigue el conocido con-
venio del punto. Es reforzante si ambas corrientes entran por el punto y atenuante en caso contrario. Se
considera que el punto se halla situado en el primer nodo de la inductancia. Segn lo dicho el circuito
de la figura 3.1 quedara descrito por:
L1 1 2 1E-3
L2 3 4 10E-6
KTRF L1 L2 0.99
Fig. 3.1
Puede haber un acoplo inductivo entre ms de dos inductancias. Por ejemplo, si existe acoplo entre
tres inductancias L1, L2 y L3, si L3 fuera una inductancia de 10 H conectada entre los nodos 5 y 6 y
L1 y L2 las inductancias del ejemplo anterior, se especificara de la siguiente forma:
L1 1 2 1E-3
L2 3 4 10E-6
L3 5 6 10E-6
K12 L1 L2 0.99
K13 L1 L3 0.99
K23 L2 L3 0.99
Este es el formato estndar de SPICE, en el que hay que indicar todos los posibles acoplos, pero
PSpice admite otra forma ms sencilla que es:
L1 1 2 1E-3
L2 3 4 10E-6
L3 5 6 10E-6
KTRF L1 L2 L3 0.99
El siguiente ejemplo es un circuito simplificado de un amplificador clase B mostrado en la figura 3.2.
Dispositivos 75
Se han usado dos transistores BC108B que ya son conocidos pues se utilizaron en el captulo anterior,
si bien no seran stos los transistores ms indicados para un amplificador de este tipo.
2
Fig. 3.2
El fichero de circuito es:
AMPLIFICADOR CLASE B
* alimentaciones
V+ 4 0 20
V- 7 0 -20
VS 1 0 SIN (0 2 1E3 0 0 0)
* transformador
L1 2 0 100E-4
L2 3 5 100E-4
L3 7 6 100E-4
KAMPL L1 L2 L3 0.99
* componentes
Q1 4 3 5 BC108B
Q2 5 6 7 BC108B

2
El circuito tampoco es el ms adecuado, pero ello no afecta a la finalidad de este ejemplo que es
ilustrar el funcionamiento del transformador.
RS 1 2 75
RL 5 0 4
.TRAN 1U 4M
.PROBE
.END
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms
Time
1 2 1 I(L2) I(L3) 2 I(L1)
20mA
10mA
0A
-10mA
1
40mA
20mA
0A
-20mA
2
>>
1 2 1 V1(L2)-V2(L2) V1(L3)-V2(L3) V1(L1) 2 V(5)
1.0V
0V
-1.0V
1
10V
0V
-10V
2
>>
AMPLIFICADOR CLASE B
Fig. 3.3
Mediante PROBE se obtienen las grficas de la figura 3.3 en la que se han representado las tensiones
en las tres inductancias, que tal como se esperaba prcticamente coinciden, as como la tensin sobre
la resistencia de carga. En la grfica inferior se han representado las corrientes a travs de las induc-
tancias. Las corrientes de las bases de los transistores son las de las bobinas L2 y L3 por lo que un
transistor conduce en el semiciclo positivo y el otro en el otro semiciclo negativo tal como corres-
ponde a un amplificador clase B.
Existe la posibilidad de modelar una inductancia con un ncleo que no sea el aire y contemplar as-
pectos tales como la saturacin del ncleo, el gap, etc.. Para ello se dispone del siguiente modelo:
.MODEL <nombre del modelo> CORE ([parmetro=<valor>]*)
Dispositivos 77
La descripcin de los parmetros queda fuera del alcance de estos apuntes.
3
Si se utilizan modelos
cambia la sintaxis y pasa a ser:
K<nombre> <L<inductancia>>* <valor del acoplo> <nombre del modelo> [factor de escala]
Si se usa el modelo el valor asignado a las inductancias no se considerar como el valor de la induc-
tancia sino como el nmero de espiras de cada inductancia. El programa se encargar de calcular el
valor de las inductancias en funcin del nmero de espiras y de los valores del modelo. Otra diferencia
con respecto al caso en el que no se utiliza modelo es que la lista de inductancias acopladas se puede
reducir a una sola y de esta forma contemplar los efectos del ncleo en una bobina.
3.3 Generadores
Por generadores se entendern las fuentes de tensin y corriente. Estos elementos pueden ser inde-
pendientes o dependientes de una tensin o una corriente.
Desde el punto de vista energtico son, o pueden ser, dispositivos activos (es decir, que la potencia
absorbida por ellos puede ser negativa). Otra caracterstica diferenciadora con los elementos es-
tudiados hasta este momento radica en que no se corresponden con ningn componente fsico. Una
fuente de tensin puede simular tanto el comportamiento de un acumulador como el de una fuente de
alimentacin compleja. Este hecho impide la utilizacin de modelos ya que las caractersticas de los
elementos fsicos a los que emula son muy dispares. As pues, estas fuentes presentarn un compor-
tamiento ideal. Las no idealidades, en caso de ser necesario, se simularn aadiendo ms componen-
tes. Los diversos tipos de fuentes se estudian a continuacin.
3.3.1 Fuentes independientes
a) Tensin:
Ya se vio que las fuentes de tensin independientes tienen la expresin:
V<nombre> <nodo+> <nodo-> [[DC]<valor>] [AC <magnitud> [fase]] [transitorio]
Se puede proporcionar tres especificaciones diferentes. Se har uso de una u otra en funcin del an-
lisis que se est realizando.
DC: es el valor que se utilizar en el clculo del punto de reposo y en los anlisis ".DC", a
no ser que en dicho anlisis la variable de barrido sea precisamente la de esta fuente de ten-

3
Se usa el modelo Jiles-Atherton. Un resumen de este modelo se encuentra en [REF93] y la
descripcin completa en [JILAT86].
sin, en cuyo caso toman preferencia los valores indicados en el anlisis. La palabra DC es
opcional.
AC: proporciona la amplitud (magnitud) y opcionalmente la fase (en el caso de utilizar
[fase]) que tendr este generador durante un anlisis ".AC". La frecuencia viene
determinada por lo que se indique en la sentencia del anlisis ".AC".
Transitorio: es uno de los estmulos de entrada recogidos en el apndice D. Esta informa-
cin se usa en el anlisis ".TRAN".
Se pueden suministrar las tres magnitudes o ninguna. El valor por defecto de cada una de estas mag-
nitudes es cero.
Al ser un elemento de dos terminales la referencia de corriente es entrante por el terminal positivo.
Esto significa que una fuente que est proporcionando energa tendr una corriente negativa.
b) Corriente:
Lo dicho sobre fuentes de tensin es aplicable a las fuentes de corriente. La sintaxis de declaracin es
por tanto muy similar y es la descrita a continuacin:
I<nombre> <nodo+> <nodo-> [[DC]<valor>] [AC <magnitud> [fase]] [transitorio]
En este tipo de fuente es muy importante interpretar correctamente el convenio de signos que, como se
ha dicho en repetidas ocasiones, considera el signo positivo de la corriente como entrante por el
nodo+.
3.3.2 Fuentes dependientes
Son fuentes ideales de corriente o tensin cuyo valor est controlado por la tensin entre dos nodos del
circuito o por una corriente. En este ltimo caso la corriente de control tiene que ser la corriente a
travs de una fuente independiente de tensin. La dependencia entre el valor de salida y la variable de
control no tienen que ser necesariamente lineal sino que puede existir una dependencia polinmica, o
incluso, en determinado tipo de fuentes, se admiten relaciones ms complejas.
En funcin de la magnitud de salida y la variable de control existen cuatro tipos de fuentes controla-
das:
a) Fuente de tensin controlada por tensin (E).
b) Fuente de tensin controlada por corriente (H).
c) Fuente de corriente controlada por tensin (G).
d) Fuente de corriente controlada por corriente (F).
Entre parntesis se ha indicado la letra inicial del nombre que define a cada una de las fuentes.
Dispositivos 79
Dependiendo de la relacin con las variables de control la sintaxis de estas fuentes puede ser ms o
menos complicada. La forma ms sencilla es la que define una dependencia directamente proporcio-
nal. Para las fuentes de tensin controladas por tensin la sintaxis es:
E<nombre> <nodo+> <nodo-> <nodo de control+> <nodo de control-> <ganancia>
donde:
<nodo+> y <nodo->: nodos entre los que se conecta la fuente.
<nodo de control+> y <nodo de control->: nodos que definen la tensin de control.
<ganancia>: relacin entre el valor de salida y la tensin de control.
Por tanto, la tensin proporcionada por la fuente ser:
V(<nodo+>,<nodo->) = <ganancia>V(<nodo de control+>,<nodo de control->).
En el caso de una fuente de corriente controlada por tensin la sintaxis es:
G<nombre> <nodo+> <nodo-> <nodo de control+> <nodo de control-> <transconductancia>
En este caso la corriente de salida vendr dada por la expresin:
I(<nodo+>,<nodo->) = <transconductancia> V(<nodo de control+>,<nodo de control->).
A su vez una fuente de tensin controlada por corriente se define:
H<nombre> <nodo+> <nodo-> <fuente indep. de tensin > <transresistencia>
La corriente de control es la corriente que atraviesa la fuente independiente de tensin especificada.
Por tanto, no es vlida cualquier corriente sino slo las correspondientes a fuentes de tensin. Si la
corriente de referencia no corresponde a una fuente de tensin independiente se puede solventar esta
limitacin aadiendo en serie con la rama cuya corriente se desea que sea la de control, una fuente de
tensin de valor cero.
Por ejemplo, el modelo hbrido simplificado de un transistor bipolar consiste en el circuito mostrado
en la figura 3.3. Puesto que se necesita una fuente controlada por corriente y la corriente de control no
corresponde a una fuente independiente de tensin, se utilizar el circuito de la figura 3.4.
Si "hie" es de 2K, "roe" de 30K y "hfe" vale 300 el circuito quedar descrito tal como se muestra
a continuacin:
Fig. 3.3
Fig. 3.4
Modelo hbrido del BJT
RHIE 1 3 2K ;hie
VX1 3 0 0
FHFE 2 0 VX1 300 ;hfe: fuente de corriente controlada por la corriente de
; VX1 (ib) con una ganancia de 300
RROE 2 0 30K ;roe
.END
Como ejercicio hgase un anlisis de funcin de transferencia ".TF" con este modelo. El resultado
debe arrojar una impedancia de entrada de 2K, una impedancia de salida de 30K y una ganancia
"V(2)/V(1)" de 450.
Dispositivos 81
La dependencia con la variable de control no tiene por que ser lineal. Si la variable de control es una
corriente se admite una relacin polinmica y si la variable es una tensin, adems de polinmicas se
contemplan relaciones expresadas mediante una expresin aritmtica, una tabla de valores u otros
mtodos.
La dependencia polinmica es vlida para todas las fuentes controladas y la forma de indicar dicha
dependencia es:
{E|F|G|H}<nombre> <nodo+> <nodo-> POLY(dimensin) <variable(s) de control>* <coeficientes>*
donde:
dimensin: indica la cantidad de variables de control (lo habitual ser una).
variables de control: si es una fuente controlada por tensin se indicarn, entre parntesis, los nodos
que definen cada una de las tensiones de control, si es una fuente controlada por corriente sern los
nombres de las fuentes de tensin independientes cuya corriente son las variables de control. Eviden-
temente el nmero de parntesis o nombres de fuentes independientes debe coincidir con el valor de
"dimensin".
coeficientes: son los coeficientes que definen la relacin entre la variable de salida y cada una de las
variables de control. Van separados por espacios en blanco. En el caso de ser unidimensionales
(dimensin=1), es decir, que la dependencia es con respecto a una nica variable, los coeficientes son
los correspondientes a las sucesivas potencias de la variable de control, y el primer coeficiente es el
correspondiente a la potencia cero. Si la dimensin es superior a uno la asignacin de coeficientes es
ms complicada y no se tratar en estos apuntes.
Por ejemplo, si el valor de una fuente de tensin depende de una corriente "IM" segn la siguiente
relacin :
( ) VSALIDA 4 0,5 IM 0,3 IM
3
+
y se supone que "IM" es la corriente a travs de una fuente independiente de tensin llamada
"VTEST" que est conectada entre los nodos 4 y 5, la fuente controlada de tensin se definir en
SPICE de la siguiente forma:
HSALIDA 4 5 POLY(1) VTEST 4 -0.5 0 0.3
Si la fuente es del tipo controlada por tensin (tipo E o G) adems de las relaciones polinmicas se
pueden usar otras ms sofisticadas. Se puede especificar la dependencia mediante una funcin mate-
mtica, con una tabla de valores o incluso se pueden definir relaciones en funcin de la frecuencia.
Slo se explicaran las dos primeras posibilidadesy quedar el resto para cursos ms avanzados.
Para el caso en que el control venga dado por una funcin matemtica la sintaxis es:
{E|G}<nombre> <nodo+> <nodo-> VALUE={expresin}
donde expresin es cualquier expresin compuesta de las funciones recogidas en el apndice E. Como
se puede intuir este mtodo es mucho ms adecuado y fcil de usar que el polinmico, mxime cuando
nada impide que la expresin sea un polinomio. Adems como en la funcin de control pueden
aparecer variables de corriente (con la consabida restriccin de que la corriente ha de ser la corriente a
travs de una fuente de tensin independiente) desaparece la distincin entre fuente controlada por
tensin y fuente controlada por corriente.
4
Como ejemplo se puede modelar la dependencia de la corriente de un JFET con V
GS
mediante una
fuente de corriente controlada por tensin. En la zona de saturacin la corriente I
D
vale.
5
( )
I Go
Vp
3
V 1
2
3
V
Vp
K1 K2 V K3 V
D GS
GS
GS GS
3
2
+
_
,
'
+
Si el valor de las constantes es:
Go 0,32W
Vp 3,2V
K1 0,34
K2 0,32
K3 0,12
1
'
el JFET del circuito de la figura 3.5 quedar modelado por la fuente GID en el siguiente fichero de
circuito:
EX3_3 (Fuente dependiente de tensin: corriente del JFET)
VGS 1 0 0.8V
RGS 1 0 10E6
VDD 2 0 5V
GID 2 0 VALUE={0.34 + 0.32*V(1) + 0.12*PWR(V(1),1.5)}

4
Aunque a efectos prcticos desaparece la distincin entre fuente controlada por tensin y fuente
controlada por corriente, la definicin se ha de hacer como si de una fuente controlada por tensin se
tratara (fuentes tipo E o G). Por otro lado la posibilidad de utilizar VALUE es exclusiva de PSpice,
pues en SPICE estndar slo est definida la dependencia polinmica.
5
Muchos lectores estarn acostumbrados a una dependencia cuadrtica entre la corriente de drenador
y la tensin VGS, pero dicha dependencia es una aproximacin a la que aqu se expone.
Dispositivos 83
.DC VGS 0 -3.2 .1
.PROBE
.END
Fig. 3.5
Ntese el uso de la funcin "PWR" que proporciona el valor absoluto de la base (primer argumento)
elevada al exponente (segundo argumento) y la inclusin de la resistencia "RGS" con el fin de evitar
un nodo con una nica rama.
La caracterstica del transferencia de este pseudoFET mostrada en la figura 3.6 se corresponde
efectivamente con la esperada en un FET.
Otra posibilidad que brinda PSpice es el uso de una tabla de valores. Para ello se usa la siguiente sin-
taxis:
{E|G}<nombre> <nodo+> <nodo->
+ TABLE {<expresin>}=<<valor de entrada>,<valor de salida>>*
Nota: se ha de respetar el espacio en blanco entre TABLE y {expresin}.
Cada par de valores (<valor de entrada>,<valor de salida>) conforman una tabla. El valor de
<expresin> se utiliza para buscar en la tabla confrontndolo con los diversos <valor de entrada>. La
fuente tomar el valor indicado en el <valor de salida> correspondiente al <valor de entrada>
seleccionado. Si <expresin> es superior (inferior) a todos los valores de entrada de la tabla la salida
ser una constante con el valor de salida correspondiente al valor de entrada mayor (menor). Para los
valores intermedios entre dos entradas de la tabla se realiza una interpolacin lineal.
-3.2V -2.8V -2.4V -2.0V -1.6V -1.2V -0.8V -0.4V 0V
VGS
I(GID)
400mA
300mA
200mA
100mA
0A
EX3_3 (Fuente dependiente de tensin: corriente de JFET)
Fig. 3.6
3.4 Interruptores controlados
En SPICE se pueden utilizar interruptores cuyo estado dependa de alguna variable del circuito. Si la
variable de control es una tensin se usa un interruptor controlado por tensin
(Voltage-Controlled-Switch), cuya letra inicial es "S", y si la variable es una corriente se tiene un
interruptor controlado por corriente (Current-Contolled-Switch) indicado con la letra "W".
Los interruptores no son ideales en el sentido de que no presentan una resistencia nula cuando se en-
cuentran cerrados y una resistencia infinita en la posicin de abiertos. Los interruptores SPICE pre-
sentan una cierta resistencia RON cuando estn cerrados y otra ROFF cuando estn abiertos. El
valor de estas resistencias as como el criterio de conmutacin se definen a travs de un modelo.
3.4.1 Interruptor controlado por tensin
Un interruptor controlado por tensin se identifica mediante la letra inicial "S" con la siguiente sen-
tencia:
S<nombre> <nodo+> <nodo-> <nodo de control+> <nodo de control-> <nombre del modelo>
Dispositivos 85
El modelo consta de cuatro parmetros y se define:
.MODEL <nombre del modelo> VSWITCH ([parmetro=<valor>]*)
Los parmetros son:
RON: resistencia en estado "ON" . Valor por defecto: 1
ROFF: resistencia en estado "OFF" . Valor por defecto: 1E6
VON: tensin de control para estado "ON" . Valor por defecto: 1V
VOFF: tensin de control para estado "OFF" . Valor por defecto: 0V
Si la tensin de control supera el valor VON el interruptor ofrecer una resistencia RON y si la tensin
de control es inferior a VOFF tendr una resistencia de valor ROFF. Si la tensin de control se
encuentra entre VON y VOFF el interruptor tendr una ganancia, es decir, el valor de la resistencia
depender del valor de la tensin de control. La expresin de la ganancia no es lineal sino que por el
contrario tiene una dependencia compleja con respecto de la tensin de control, de los parmetros del
modelo y de la temperatura, pero normalmente esto no debe importar porque en situaciones normales
se pretende que el interruptor est en "ON" o en "OFF" (consltese [REF93]).
Los valores RON y ROFF deben ser ambos positivos, pero ROFF puede ser menor que RON si se
desea. Se recomienda que la relacin entre estos dos valores no sea superior a 1.10
12
ya que el rango
dinmico de SPICE es de 12 dcadas. Por otra parte, para prevenir problemas de convergencia es
aconsejable no hacer demasiado estrecha la regin de transicin, es decir que VON y VOFF no estn
demasiado prximos, ya que cuanto ms estrecho sea este margen mayor ser la ganancia en esta zona,
lo que dificulta la obtencin de la solucin.
Por otro lado el valor de VON puede ser menor que el de VOFF. En este caso se estar en estado ON
cuando la tensin de control sea menor que VON y se estar en estado OFF cuando sea superior a
VOFF.
Si Vc es la tensin de control y Rs la resistencia del interruptor, el funcionamiento del interruptor se
puede expresar:
Si VON > VOFF:
si Vc VON Rs = RON
si Vc VOFF Rs = ROFF
si VOFF < Vc < VON Rs = f(Vc,VON,VOFF,RON,ROFF,T)
Si VON < VOFF:
si Vc VON Rs = RON
si Vc VOFF Rs = ROFF
si VON < Vc < VOFF Rs = f(Vc,VON,VOFF,RON,ROFF,T)
En el circuito de la figura 3.8 se hace uso de este interruptor. Se trata de un conversor Buck con el que
se pretende obtener una tensin de 5V sobre una carga de 1 a partir de una tensin de entrada de
20V. Para ello se modela el interruptor S1 con un interruptor controlado por tensin. La tensin de
salida con respecto a la de entrada en un conversor Buck viene dada por:
V
V
D
o
i
donde "D" es el ciclo de trabajo del interruptor. Por tanto, el ciclo de trabajo para obtener la tensin de
salida deseada debe de ser del 25%. Este circuito se ha implementado mediante el fichero:
SWITCH
.MODEL INTERRUPTOR VSWITCH(RON=1E-2 ROFF=10E6 VON=1 VOFF=0.1)
.MODEL DIDEAL D
* conversor Buck
VI 1 0 20
S1 1 2 4 0 INTERRUPTOR
DIODO 0 2 DIDEAL
L1 2 3 600E-6
C1 3 0 5E-3
RL 3 0 2
*control del interruptor
VG 4 0 PULSE( 0 5 0 0.1E-6 0.1E-6 125.0E-6 500.0E-6 )
RG 4 0 10E6
.TRAN 1E-6 50E-3
.PROBE
.END
El interruptor "S1" est controlado por la tensin presente entre el nodo 4 y la masa y es del tipo
"INTERRUPTOR", definido con el modelo VSWITCH. En estado "ON" presentar una resistencia de
0,01 y en estado "OFF" una resistencia de 10M, es decir, a efectos prcticos se comportar como
un cortocircuito en estado "ON" y un circuito abierto en estado "OFF". Se estar en uno u otro estado
en funcin de si la tensin de control es superior a 1V o inferior a 0,1V. La tensin de control ser el
generador VG que se ha definido como un generador de una seal cuadrada de amplitud 5V,
frecuencia 2kHz y ciclo de trabajo 25%.
Dispositivos 87
Fig. 3.8
Tambin se hace uso de un diodo. Puesto que los diodos se vern en el prximo captulo, baste decir
por ahora que sus caractersticas vienen dadas por el modelo llamado DIDEAL. Al no proporcionar
ningn parmetro en este modelo se tomarn los parmetros por defecto, que como se ver en su
momento corresponden a un diodo ideal.
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
Time
V(3)
8.0V
6.0V
4.0V
2.0V
0V
SWITCH
Fig. 3.9
El resultado del anlisis es el que se observa en la figura 3.9 donde se comprueba que efectivamente se
alcanzan los 5V de salida despus de un transitorio. En la figura 3.10 se ha representado la tensin de
control y la tensin en bornes del interruptor.
46ms 47ms 48ms 49ms 50ms
Time
V(1)- V(2)
20V
10V
0V
ROFF
RON
tension sobre el interruptor
V(4)
10V
5V
0V
tension de control
SWITCH
Fig. 3.10
3.4.2 Interruptor controlado por corriente
En este caso la variable de control es una corriente. Se indica mediante la letra W y su sintaxis es:
W<nombre> <nodo+> <nodo-> <fuente independiente de tensin> <nombre del modelo>
El modelo, igual que en el caso anterior, tiene cuatro parmetros y se define:
.MODEL <nombre del modelo> ISWITCH ([parmetro=<valor>]*)
Los parmetros son:
RON: resistencia en estado "ON" . Valor por defecto: 1
ROFF: resistencia en estado "OFF" . Valor por defecto: 1E6
ION: corriente de control para estado "ON" . Valor por defecto: 1mA
IOFF: corriente de control para estado "OFF" . Valor por defecto: 0A
El funcionamiento es similar al descrito en el interruptor controlado por tensin, con la particularidad
de que la corriente de control debe ser la corriente a travs de una fuente independiente de tensin (la
Dispositivos 89
indicada en la sentencia de declaracin). Si es necesario se puede aadir una fuente de tensin de valor
cero en la rama cuya corriente debe controlar el interruptor.
3.5 Subcircuitos
En determinadas ocasiones una parte del circuito se repite a lo largo del fichero o bien una cierta es-
tructura circuital se encuentra a menudo en diversos circuitos. Para facilitar el manejo de estas situa-
ciones se dispone de los subcircuitos. Los subcircuitos son anlogos a las subrutinas de un lenguaje de
programacin, es decir, ejecutan un determinado cdigo pero con datos diferentes en funcin del valor
de los argumentos con los que se llama a la subrutina. En un subcircuito los argumentos que se pasan
son los nodos de conexin.
Desde otro punto de vista los subcircuitos recuerdan los modelos de los dispositivos por un doble
motivo: por un lado agrupan componentes de forma similar a como los modelos agrupan parmetros
de los dispositivos y por otro lado exigen una definicin previa.
La definicin de un subcircuito se realiza tal como se indica a continuacin:
.SUBCKT <nombre> <nodo> <nodo>*
descripcin del subcircuito
.ENDS
donde:
<nombre>: es el nombre que se utilizar para referenciar el subcircuito. No se aplica ninguna res-
triccin.
<nodo>: corresponde a nodos internos del subcircuito. Pueden ser dos o ms.
.ENDS: indica el final del subcircuito. Ntese la "S" final necesaria para no confundirlo con el ".END"
que indica el final del circuito.
Los nodos del subcircuito son internos, es decir, pueden compartir nmero con los nodos del circuito
general sin que esto implique que sea el mismo nodo. Esto no es aplicable al nodo cero que es global a
todo el circuito y, por lo tanto, slo puede existir un nodo con este nmero en todo el circuito.
La correspondencia entre los nodos del circuito general y los nodos internos del subcircuito se esta-
blece en la llamada al subcircuito. Esto se realiza de la siguiente forma:
X<nombre> <nodo> <nodo>* <nombre del subcircuito>
La sintaxis de los subcircuitos es similar a la de los componentes normales. La "X" inicial identifica al
componente como un subcircuito y el resto de entradas tienen el significado que se detalla a conti-
nuacin:
<nombre>: es el nombre del subcircuito que se va a utilizar. Se debe corresponder con el nombre de
algn subcircuito definido mediante ".SUBCKT".
<nodo> <nodo>*: son los nombres de los nodos del circuito general a los que se conectarn los no-
dos del subcircuito indicados en la definicin ".SUBCKT". Obviamente la cantidad de nodos
de la declaracin debe coincidir con la cantidad de nodos de la definicin.
Como en el caso de los modelos la definicin de un subcircuito no tiene por qu preceder al uso del
mismo, sino que dicha definicin puede encontrarse en cualquier lugar entre la primera lnea y la
instruccin ".END", si bien por motivos de claridad es aconsejable que la definicin se encuentre al
inicio o al final. De la misma forma que con los modelos se pueden agrupar los subcircuitos en libre-
ras y en una misma librera pueden coexistir modelos y subcircuitos.
En el siguiente ejemplo, para analizar el circuito de la figura 3.11 se ha usado el modelo hbrido en
pequea seal modelado con el subcircuito mostrado en la figura 3.12. Se supone que los parmetros
del modelo hbrido son conocidos y que se definen mediante los parmetros "HIE", "HOE" y "HFE".
El fichero SPICE ser:
EX3_4 (Modelo hbrido del BJT)
* parmetros del transistor utilizado (para un punto de reposo dado)
.PARAM HIE=2K
.PARAM HFE=300
.PARAM HOE=2.5E-05 ; roe=40K
* definicin del subcircuito del modelo hbrido
.SUBCKT BJTSENAL 1 2 3
* TERMINALES: 1 colector, 2 base, 3 emisor
* PARAMETROS: HIE = hie; HOE = hoe = 1/roe; HFE =hfe
RHIE 2 22 {HIE}
VX1 22 3 0
GHFE 1 3 VALUE={I(VX1)*HFE}
ROE 1 3 {1/HOE}
.ENDS
* Circuito Emisor Comn
VCC 1 0 10V
VCHK 5 0 0
R1 1 5 860K
R2 5 0 860K
RC 1 6 10K
RL 6 0 10K
XT1 6 5 0 BJTSENAL
Dispositivos 91
.TF V(6) VCHK
.END
Fig. 3.11
Figura 3.12
El subcircuito que se ha utilizado recibe el nombre de BJTSENAL y se define mediante la instruccin
".SUBCKT". Entre esta instruccin y la lnea ".ENDS" se define el subcircuito, que est compuesto de
dos resistencias y una fuente controlada. Dentro del subcircuito se han utilizado los nodos 1, 2, 22 y 3 ,
pero slo los nodos 1,2 y 3 son accesibles desde el exterior. El subcircuito se invoca a travs de la
instruccin que declara el componente XT1. La llamada al subcircuito se realiza, en este caso, seguida
de los nodos 6, 5, 0. Esto significa que el nodo 1 del subcircuito quedar conectado al nodo 6 del
circuito general, el nodo 2 al 5 del general y el 3 del subcircuito quedar conectado a la masa.
Obsrvese cmo en el circuito general tambin existe un nodo 1 que ser diferente al nodo 1 del sub-
circuito.
Otro aspecto interesante en este subcircuito es la fuente controlada. En principio debera ser una fuente
de corriente controlada por corriente (tipo F) pero si se declara como tal no es posible utilizar la
opcin VALUE pues sta est restringida a las fuentes controladas por tensin (tipos E y G) y por lo
tanto no pueden utilizarse expresiones matemticas ni, en consecuencia, parmetros, ya que stos son
la forma ms simple de una expresin matemtica. Por ello se ha utilizado una fuente de corriente
controlada por tensin (tipo G). Pero como en la expresin de VALUE se puede utilizar cualquier tipo
de variable se ha utilizado una corriente como variable de control: la corriente a travs de la fuente
VXI, que es la corriente de base. La fuente VXI se ha incluido exclusivamente para poder utilizar la
corriente de base como control ya que en una fuente controlada por corriente la corriente de control ha
de ser la corriente a travs de una fuente independiente de tensin.
Se observa que se ha efectuado un anlisis ".TF". Pero para ello se necesita una variable de entrada
que sea una fuente de tensin. Como interesan la ganancia y las impedancias entre el nodo de base y el
de colector ha sido necesario aadir otra fuente de tensin, la fuente VCHK. Esta fuente no afectar a
la impedancia de entrada, ni a la de salida, ni a la ganancia, pero s que afecta al punto de reposo que
para el nodo 5 ser de cero voltios. En este circuito, con el anlisis que se ha efectuado y con el
modelo del transistor utilizado, no tiene importancia el punto de reposo, pero en otras circunstancias el
aadir la fuente VCHK podra originar un serio error.
Los subcircuitos dan lugar a los macromodelos. Macromodelo es la denominacin que recibe un sub-
circuito que modela el funcionamiento de un circuito funcional complejo por ejemplo, un circuito
integrado como puede ser un amplificador operacional, un multiplicador, un comparador, etc. Los
macromodelos se utilizan en lugar de una descripcin de estos circuitos componente a componente
porque, en tal caso, la simulacin sera extremadamente larga ya que el uso de un circuito integrado
conllevara, en muchos casos, el anlisis de varias decenas de transistores. En la mayora de las si-
tuaciones ser suficiente un modelo de funcionamiento, es decir, un subcircuito que se comporte, en l-
neas generales, como el circuito que modela.
6
Por ejemplo, en un operacional adems de la ganancia,
las impedancias de entrada y otras caractersticas se modelar el slew-rate, la respuesta en frecuencia,
etc., pero no se modelarn otros aspectos como el consumo, los rangos de funcionamiento, etc. El
anlisis de los integrados "transistor a transistor" lo realizar el fabricante como ayuda al diseo, pero
no ser habitual que un usuario normal necesite hacer un estudio tan detallado.
Los macromodelos los suelen facilitar los propios fabricantes con el fin de hacer factible la simulacin
de circuitos usando sus circuitos integrados. Por ejemplo, el macromodelo suministrado por TEXAS
INSTRUMENTS para el conocido amplificador operacional 741 es el siguiente:

6
Consltese la referencia [MACR91]
Dispositivos 93
* UA741 OPERATIONAL AMPLIFIER "MACROMODEL" SUBCIRCUIT
* CREATED USING PARTS RELEASE 4.01 ON 07/05/89 AT 09:09
* (REV N/A) SUPPLY VOLTAGE: +/-15V
* CONNECTIONS: NON-INVERTING INPUT
* | INVERTING INPUT
* | | POSITIVE POWER SUPPLY
* | | | NEGATIVE POWER SUPPLY
* | | | | OUTPUT
* | | | | |
.SUBCKT UA741/301/TI 1 2 3 4 5
C1 11 12 4.664E-12
C2 6 7 20.00E-12
DC 5 53 DX
DE 54 5 DX
DLP 90 91 DX
DLN 92 90 DX
DP 4 3 DX
EGND 99 0 POLY(2) (3,0) (4,0) 0 .5 .5
FB 7 99 POLY(5) VB VC VE VLP VLN 0 10.61E6 -10E6 10E6 10E6 -10E6
GA 6 0 11 12 137.7E-6
GCM 0 6 10 99 2.574E-9
IEE 10 4 DC 10.16E-6
HLIM 90 0 VLIM 1K
Q1 11 2 13 QX
Q2 12 1 14 QX
R2 6 9 100.0E3
RC1 3 11 7.957E3
RC2 3 12 7.957E3
RE1 13 10 2.740E3
RE2 14 10 2.740E3
REE 10 99 19.69E6
RO1 8 5 150
RO2 7 99 150
RP 3 4 18.11E3
VB 9 0 DC 0
VC 3 53 DC 2.600
VE 54 4 DC 2.600
VLIM 7 8 DC 0
VLP 91 0 DC 25
VLN 0 92 DC 25
.MODEL DX D(IS=800.0E-18)
.MODEL QX NPN(IS=800.0E-18 BF=62.50)
.ENDS
Como se puede observar, dentro el macromodelo se encuentran diodos, transistores, fuentes controla-
das, etc. . As mismo aparecen modelos de diodos y transistores (DX y QX). El nmero total de tran-
sistores utilizados es de dos, muy inferior a los que realmente componen un 741. Ntese que en las
fuentes controladas se utiliza la opcin POLY en lugar de VALUE porque este modelo ha de ser v-
lido para cualquier simulador SPICE y la opcin VALUE es exclusiva de PSpice.
El siguiente fichero es el correspondiente al circuito de la figura 3.13 en el que se utiliza un opera-
cional para realizar un circuito integrador. La seal de entrada es un pulso de 20ms de periodo y un ci-
clo de trabajo de aproximadamente 50%. Los nodos del circuito estn marcados, como es habitual, con
un crculo y los nodos internos del macromodelo se han sealado con un cuadrado. Se puede apreciar
que algunos nodos conservan el nombre (nodo 2) y otros tienen nombres diferentes para el circuito y
para el subcircuito. Este hecho, tal como se coment, es discrecional. El resultado se observa en la
figura 3.14 en la que se puede comprobar cmo el modelo contempla el efecto de saturacin del
operacional.
Fig. 3.13
EX3_5 (Macromodelo de amplificador operacional)
* UA741 OPERATIONAL AMPLIFIER "MACROMODEL" SUBCIRCUIT
* CREATED USING PARTS RELEASE 4.01 ON 07/05/89 AT 09:09
* (REV N/A) SUPPLY VOLTAGE: +/-15V
* CONNECTIONS: NON-INVERTING INPUT
* | INVERTING INPUT
* | | POSITIVE POWER SUPPLY
* | | | NEGATIVE POWER SUPPLY
* | | | | OUTPUT
* | | | | |
.SUBCKT UA741/301/TI 1 2 3 4 5
*
Dispositivos 95
C1 11 12 4.664E-12
C2 6 7 20.00E-12
DC 5 53 DX
DE 54 5 DX
DLP 90 91 DX
DLN 92 90 DX
DP 4 3 DX
EGND 99 0 POLY(2) (3,0) (4,0) 0 .5 .5
FB 7 99 POLY(5) VB VC VE VLP VLN 0 10.61E6 -10E6 10E6 10E6 -10E6
GA 6 0 11 12 137.7E-6
GCM 0 6 10 99 2.574E-9
IEE 10 4 DC 10.16E-6
HLIM 90 0 VLIM 1K
Q1 11 2 13 QX
Q2 12 1 14 QX
R2 6 9 100.0E3
RC1 3 11 7.957E3
RC2 3 12 7.957E3
RE1 13 10 2.740E3
RE2 14 10 2.740E3
REE 10 99 19.69E6
RO1 8 5 150
RO2 7 99 150
RP 3 4 18.11E3
VB 9 0 DC 0
VC 3 53 DC 2.600
VE 54 4 DC 2.600
VLIM 7 8 DC 0
VLP 91 0 DC 25
VLN 0 92 DC 25
.MODEL DX D(IS=800.0E-18)
.MODEL QX NPN(IS=800.0E-18 BF=62.50)
.ENDS
VCC 4 0 15V
VCC- 5 0 -15V
VI 1 0 PULSE(-5V 5V 0 1U 1U 10M 20M)
RI 1 2 1K
CI 2 3 1U
XOPAMP 0 2 4 5 3 UA741/301/TI
.TRAN 1ns 40M
.PROBE
.END
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
Time
V(3) V(1)
15V
10V
5V
0V
-5V
-10V
-15V
EX3_5 (Macromodelo de amplificador operacional)
Fig. 3.14
Dispositivos Semiconductores 97
4 Dispositivos semiconductores
4.1 Modelos de funcionamiento
Los semiconductores presentan un comportamiento complejo. Por un lado son dispositivos no lineales,
esto es, su relacin tensin-corriente no se puede describir mediante una ecuacin diferencial lineal y
adems las funciones que describen dicha relacin son ecuaciones transcendentes y por ello de difcil
solucin. Para complicar an ms el panorama las funciones que rigen el comportamiento no son
nicas sino que varan en funcin de la magnitud de las variables de corriente y tensin. Es decir, que
los semiconductores tienen diversos modos de comportamiento y cada uno de estos modos presentan
dificultades superiores a las normales en su resolucin.
Estos hechos originan que la simulacin con cierta aproximacin de los dispositivos semiconductores
exija un buen nmero de ecuaciones, cada una de ellas vlida para un cierta zona de funcionamiento, y
esto implica la utilizacin de un nmero an mayor de coeficientes. Por tanto, la descripcin de un
dispositivo semiconductor exige definir un gran nmero de parmetros, lo que hace obligatorio el uso
de modelos.
Cada tipo de semiconductor diodo, BJT, JFET, etc. dispondr de una clase de modelo, en el que se
especifican los parmetros del dispositivo. A partir de estos parmetros el programa obtendr, por un
lado, el valor de los coeficientes y de las constantes de las ecuaciones que rigen su funcionamiento y,
por otro lado, sabr qu tipo de ecuaciones (modelos de funcionamiento) ha de utilizar.
Por tanto, la cantidad de parmetros que se proporcionan influyen en el modelo de funcionamiento de
que har uso el programa. El modelo de funcionamiento es la aproximacin circuital o matemtica que
utiliza SPICE para simular el dispositivo en cuestin. No existe un nico modelo de funcionamiento
para cada dispositivo, sino que pueden existir varios, unos ms precisos que otros. El uso de uno u
otro modelo se determinar a partir del modelo de SPICE definido mediante la orden ".MODEL".
Cuantos ms parmetros se definan en el .MODEL ms perfecto ser el modelo de funcionamiento
usado en la simulacin.
Por ejemplo, si en el modelo SPICE de un BJT se introducen nicamente unos pocos parmetros b-
sicos se har uso del modelo de funcionamiento esttico de Ebers-Moll lo que implica que no se ten-
drn en cuenta efectos dinmicos (carga y descarga de capacidades, etc.) ni efectos secundarios tales
como la alta inyeccin, el efecto Early, etc.. Si, por el contrario, se proporciona el valor de todos los
parmetros el modelo utilizado ser el de Gummel-Poon, mucho ms completo (pero que exige mayor
tiempo de clculo).
Puesto que estos modelos de funcionamiento involucran la resolucin de ecuaciones transcendentes
cuya resolucin implica un gran tiempo de clculo, todos estos dispositivos disponen de un modelo de
funcionamiento linealizado de pequea seal. Este modelo ser el utilizado en diversos anlisis tales
como el anlisis de alterna ".AC", el de funcin de transferencia ".TF" y el de sensibilidad ".SENS".
El valor de los elementos del modelo linealizado se deriva del valor de los parmetros y, por supuesto,
del punto de reposo.
Existen tambin unos parmetros que se denominan on-line y que se introducen en la declaracin del
dispositivo. Esto permitir diferenciar entre s a dos dispositivos que compartan el mismo modelo
SPICE pero que presenten alguna diferencia, por ejemplo en la geometra de su construccin. Los
parmetros on-line dependen del dispositivo de que se trate. Ya se vieron este tipo de parmetros en la
descripcin de los modelos de resistencias pues de este tipo eran los parmetros TC1 y TC2.
Habitualmente el usuario no se ha de preocupar de definir los modelos, es decir, de dar valores a los
parmetros del modelo SPICE, ya que los suministran los fabricantes del programa de simulacin, o
bien los fabricantes de los dispositivos. Por este motivo este captulo no est orientado a explicar el
significado de cada uno de los parmetros ni el modo de extraerlos. Lo que se pretende es sealar la
influencia de los parmetros en el comportamiento de los modelos para, de esta forma, poder predecir
el grado de exactitud de los resultados en funcin de los parmetros definidos en el modelo que se est
utilizando. Adems el conocimiento de la influencia de cada parmetro permite eliminar alguno de
ellos (con lo que tomarn un valor por defecto) con la finalidad de simplificar un modelo dado, en
situaciones en las que no se precise una gran precisin, y ganar de esta forma en tiempo de clculo.
Para un estudio detallado de estos dispositivos consltese [ANT87].
4.2 Diodos
La conexin de un diodo se realiza mediante la siguiente sentencia:
D<nombre> <nodo+> <nodo-> <nombre del modelo> [rea]
donde:
<nombre del modelo> es el nombre de un modelo definido por una sentencia ".MODEL" del si-
guiente tipo:
.MODEL <nombre del modelo> D ([parmetro=<valor>]*)
Existen tres modelos de funcionamiento del diodo pero un nico ".MODEL" que son:
a) Modelo esttico
El modelo ms simple es el esttico (recurdese que se utiliza uno u otro modelo en funcin de la
cantidad de parmetros que se introducen). En este modelo se considera al diodo simplemente como
una fuente de corriente no lineal controlada por la tensin en bornes del dispositivo. Los parmetros
que se usan en este modelo son:
Parmetro
del modelo
Significado Valor por
defecto
Unidades
IS (I
S
) Corriente de saturacin 1E-14 A
RS Resistencia parsita 0
N () Coeficiente de emisin 1
BV Tensin de ruptura inversa V
IBV Corriente de ruptura inversa 1E-10 A
Si se toma el valor por defecto de los parmetros RS, N, BV y IBV se tiene un diodo ideal que cumple
la conocida ecuacin de Shockley (I I (e 1)
D S
qV / kT
D
) para todo el rango de valores de V
D
. Pero
la corriente de un diodo real diverge del predicho por esta ecuacin debido a:
1. Cadas de potencial en las zonas neutras.
2. Recombinacin de portadores en la zona de carga espacial.
3. Alta inyeccin.
4. Procesos de ruptura en polarizacin inversa.
Fig . 4.1.a Fig. 4.1.b
La cada de potencial en las zonas neutras se modela mediante el parmetro RS. La recombinacin en
las zonas neutras se tiene en cuenta al dar un valor al parmetro N y los procesos de ruptura en inversa
se modelan a travs de BV (tensin de ruptura) y IBV (corriente al inicio de la ruptura). La re-
presentacin circuital de este modelo es la de la figura 4.1.a.
b) Modelo dinmico en gran seal
El modelo anterior no tiene en cuenta los efectos capacitivos de las uniones y por lo tanto tiene un
tiempo de conmutacin cero y una respuesta en frecuencia infinita. En situaciones en las que se tengan
que contemplar estos efectos se debe usar el modelo dinmico. Este modelo es el representado en la
figura 4.1.b. Se trata del modelo anterior al que se le ha aadido el condensador C
D
.
La capacidad es debida al exceso de portadores en los bordes de la zona de carga espacial y a la va-
riacin de la anchura de la zona de carga espacial y, por tanto, su valor depende de la tensin aplicada.
El clculo de C
D
est basado en el modelo de control de carga utilizando los siguientes parmetros:
Parmetro
del modelo
defecto
Unidades
TT (
D
) Tiempo de trnsito 0 s
CJO Capacidad de la unin con polarizacin cero 0 Faradios
VJ (
o
) Potencial de contacto 1 V
FC Coeficiente para el clculo de la capacidad de
deplexin en directa
0,5
M Coeficiente de graduacin 0,5
Basta con que TT y CJO sean cero (valores por defecto) para que el diodo se comporte como un diodo
infinitamente rpido, es decir, para que no se tenga en cuenta el comportamiento dinmico.
En los siguientes ejemplos se simular el circuito de la figura 4.2 con modelos diferentes. El circuito
es un detector de envolvente, por lo que la respuesta esperada frente a una senoide de amplitud cons-
tante ser un nivel de continua. El siguiente fichero de circuito corresponde al detector de envolvente.
El modelo de diodo es el proporcionado por el fabricante del que se han eliminado los parmetros
relativos al comportamiento dinmico (Cjo, M, Vj, Tt, Fc). Los parmetros eliminados se muestran en
la lnea de comentarios que sigue al modelo.
Efectos de la frecuencia en el diodo
.model D1N4003 D(Is=14.11n N=1.984 Rs=33.89m Ikf=94.81 Xti=3 Eg=1.11
+ Bv=300 Ibv=10u)
;Cjo=25.89p M=.44 Vj=.3245 Tt=5.7u Fc=.5
* detector de envolvente
Ventrada 1 0 SIN( 0 3 20.00E6 0 0 0 )
DIODO 1 2 D1N4003
C1 2 0 10E-9
RL 2 0 100
.TRAN 1E-6 3E-6
.PROBE
.END
Fig 4.2.
0s 0.5us 1.0us 1.5us 2.0us 2.5us 3.0us
Time
I(DIODO) V(2)
4.0
3.0
2.0
1.0
-0.0
Fig. 4.3
La respuesta obtenida es la mostrada en la figura 4.3. Efectivamente se obtiene un nivel prcticamente
continuo y la corriente a travs del diodo es prcticamente nula una vez cargado el condensador.
0s 0.5us 1.0us 1.5us 2.0us 2.5us 3.0us
Time
v(2)
3.0V
2.0V
1.0V
-0.0V
-1.0V
Fig 4.4
0s 100ns 200ns 300ns 400ns 500ns
Time
v(2) i(diodo)
4.0
2.0
0
-2.0
-4.0
Fig 4.5
Repitiendo el anlisis, pero esta vez utilizando los parmetros dinmicos se obtienen los resultados de
la figura 4.4.
La respuesta es completamente diferente a la del caso anterior. El hecho de que el nivel de salida no
sea una continua no se puede imputar a la constante de tiempo del circuito porque es la misma que en
la simulacin anterior. Evidentemente el problema radica en el comportamiento del diodo tal como se
comprueba en las grficas de la figura 4.5 en las que se observa que la corriente en el diodo puede ser
negativa debida a los efectos capacitivos.
c) Modelo en pequea seal
Para los anlisis en los que se supone una pequea variacin del punto de reposo se usa el modelo en
pequea seal. Este modelo tiene la ventaja de ser un modelo lineal, lo que facilita el clculo, y con
ello disminuye el tiempo de anlisis. En el captulo 2 se vio que los anlisis ".AC", ".TF" y ".SENS"
utilizan estos modelos linealizados. El modelo es el representado en la figura 4.6
Fig. 4.6
Los valores de g
D
, C
D
y r
S
se obtienen a partir de los parmetros que se utilizan en los modelos estti-
co y dinmico en gran seal y, por supuesto, del punto de polarizacin. Las relaciones son: r
S
es igual
a RS; g
D
depende de IS y de N; y C
D
se obtiene de TT, CJO, VJ y M. Igual que en el caso de gran
seal si TT y CJO son cero C
D
ser cero y por tanto la respuesta en frecuencia del dispositivo ser
infinita. Recurdese que la instruccin ".OP" ofrecer informacin detallada de estos valores en el fi-
chero ".OUT".
El resto de parmetros se utilizan al considerar los efectos de temperatura y el ruido generado. Los
parmetros que afectan al comportamiento con la temperatura son: XTI (exponente de temperatura
para IS) y EG (gap de la zona prohibida). El ruido se modela con los parmetros: KF (coeficiente de
ruido Fliker) y AF (exponente de ruido Fliker).
El parmetro on-line [rea] es un factor multiplicativo para ciertos parmetros como IS, CJO, etc. Su
inters reside, fundamentalmente, en anlisis de circuitos que se estn diseando a nivel de circuito
integrado. En estos casos dos diodos fabricados sobre la misma oblea tendrn caractersticas o
parmetros semejantes y la diferencia provendr de sus dimensiones geomtricas. Con el parmetro
on-line ser posible utilizar el mismo modelo para ambos diodos y reflejar la diferencia mediante este
parmetro.
4.3 Transistor bipolar
La especificacin de un transistor bipolar se realiza a travs de la letra "Q" y la sintaxis es la siguiente:
Q<nombre> <colector> <base> <emisor> [substrato] <nombre del modelo> [rea]
<colector> <base> <emisor>: son los nodos a los que irn conectados los respectivos terminales. El
nodo substrato es opcional y por defecto se considerar conectado a la masa (nodo cero). En el caso
que el nodo substrato se especifique y tenga un nombre alfanumrico (opcin permitida en PSpice)
ste ha de ir rodeado de parntesis cuadrados con objeto de no confundirlo con el nombre de un mo-
delo.
Esta definicin es igual tanto para un transistor NPN como para uno PNP. La distincin entre ambos
tipos de transistor se realiza en el modelo. Existen tres modelos de transistores BJT, el NPN, el PNP y
el LPNP (transistor PNP lateral). La sintaxis para cada uno de ellos es:
.MODEL <nombre del modelo> NPN ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> PNP ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> LPNP ([parmetro=<valor>]*)
El primer modelo corresponde al transistor NPN, el segundo al PNP y el tercero al modelo del tran-
sistor PNP lateral. Este ltimo transistor se encuentra en circuitos integrados, es un transistor PNP
pero que por motivos de construccin presenta un comportamiento diferente del transistor PNP nor-
mal. As pues si en los circuitos que se van a analizar los componentes son exclusivamente discretos
no se necesitar este tipo de transistor LPNP.
Existen diversos modelos de funcionamiento, desde el ms simple que es el modelo esttico de
Ebers-Moll ligeramente modificado para facilitar el clculo numrico, hasta el ms sofisticado de
Gummel-Poon en gran seal. Como en el caso del diodo se explicar las caractersticas de cada uno de
los modelos de funcionamiento y la utilidad y la influencia de los diversos parmetros, sin entrar en las
ecuaciones matemticas que rigen su comportamiento.
a) Modelo esttico de Ebers-Moll
El modelo esttico de Ebers-Moll del que hace uso SPICE es el mostrado en la figura 4.7
Fig 4.7
Los parmetros que se usan en este modelo son:
Parmetro
del modelo
defecto
Unidades
IS Corriente de saturacin (I
S
) 10
-6
A
BF Mxima ideal directa (
F
) 100
BR Mxima ideal inversa (
R
) 1
Las variables I
EC
y I
CC
de la figura 4.7 se obtienen a partir de estos parmetros segn las ecuaciones
de Ebers-Moll.
A pesar de que este modelo es muy sencillo puede resultar de aplicacin en un gran nmero de casos.
En concreto puede ofrecer buenos resultados en aquellas situaciones en las que el BJT trabaje como
interruptor a bajas frecuencias o cuando se tengan pequeas variaciones del punto de reposo.
Las principales carencias de este primer modelo son:
1. Cadas de potencial en las zonas neutras.
2. No se contempla el efecto Early (dependencia de la corriente de colector con la tensin
base-colector).
3. No se tiene en cuenta la dependencia de
F
y
R
con la corriente.
4. No se tienen en cuenta efectos de segundo orden (se describirn posteriormente) en las regiones de
base y colector .
Con objeto de considerar los tres primeros efectos se utilizan los siguientes parmetros:
Parmetro
del modelo
defecto
Unidades
RC Resistencia de colector 0
RE Resistencia de emisor 0
RB Resistencia de base con polarizacin cero 0
VAF (VA) Tensin de Early directa V
Las cadas de potencial en las zonas neutras se modelan aadiendo tres resistencias (RC, RE y RB) al
modelo, por lo que circuitalmente el modelo queda tal como se muestra en la figura 4.8.
Fig. 4.8
El efecto Early y la variacin de
F
y
R
con la corriente, se tienen en cuenta a travs del parmetro
VAF con la cual cosa se modifican las expresiones originales. Como siempre las expresiones
modificadas son iguales a las originales cuando los parmetros tienen su valor por defecto.
b) Modelo esttico de Gummel-Poon
Para evaluar los efectos de segundo orden en las regiones de base y colector se usa el modelo de
Gummel-Poon. Los efectos extras que este modelo evaluar son:
1) Disminucin de con corrientes bajas
Este efecto es debido a que existen componentes extras de la corriente de base. Para tenerlas en cuenta
el modelo de Gummel-Poon incorpora dos nuevos diodos entre base y colector y entre base y emisor.
El funcionamiento de estos diodos viene afectado por los parmetros: C
2
,
EL
, C
4
,
CL
. Estos nuevos
diodos modifican el modelo de la forma en que se observa en la figura 4.9, que corresponde al modelo
esttico de Gummel-Poon.
Fig. 4.9
2) Modulacin de la anchura de la base
Este es el efecto Early que ya estaba contemplado en el modelo esttico de Ebers-Moll por lo que se
utiliza el mismo parmetro (VAF). No obstante se usa tambin un nuevo parmetro (VAR: tensin de
Early inversa) que completa el modelo.
3) Alta inyeccin en base
El efecto de la alta inyeccin en base provoca que la corriente I
C
realmente sea inferior a la predicha
tericamente. Esta disminucin se modela a travs del parmetro I
KF
para la zona activa directa y I
KR
que se usar en la zona activa inversa.
4) Variacin de la resistencia de base
La resistencia de base depende de la corriente, por lo que se aaden tres parmetros que contemplan
esta dependencia: RB, RBM y IRB.
En resumen, los parmetros adicionales del modelo de Gummel-Poon son:
Parmetro
del modelo
defecto
Unidades
ISE(=C2IS) Corriente de saturacin base-emisor (no ideal) 0 A
NE (
EL
) Coeficiente de emisin base-emisor (no ideal) 1,5
ISC(=C4IS) Corriente de saturacin base-colector (no ideal) 0 A
NC (
CL
) Coeficiente de emisin base-colector (no ideal) 2
VAR (VB) Tensin de Early inversa V
IKF Corriente de codo en alta corriente para directa A
IKR Corriente de codo en alta corriente para inversa A
RBM Mnima resistencia de base a altas corrientes RB
IRB Corriente a la cual la resistencia de base se reduce a:
(RB-RBM)/2
A
Cuando estos parmetros toman el valor por defecto el modelo de Gummel-Poon se reduce al de
Ebers-Moll.
El siguiente ejemplo pone de manifiesto la diferencia entre utilizar el modelo de Ebers-Moll o el de
Gummel-Poon. Se ha simulado el circuito de la figura 4.10 haciendo un barrido de la corriente de base
entre 100A y 10mA. El transistor utilizado ha sido el Q2N3015 obtenido de la librera bipolar de
Microsim. En este primer ejemplo se han eliminado los parmetros que no son exclusivos del modelo
de Ebers-Moll forzando de este modo a que sea ste el modelo utilizado. Como en el ejemplo del
diodo los parmetros desechados se incluyen en la lnea de comentario que sigue al modelo. El fichero
de circuito ser el siguiente:
Influencia de la corriente en beta
; modelo de Ebers-Moll
.model Q2N3015 NPN(Is=1.608p Vaf=100 Bf=118.4 Br=20.34m Rc=.6 Rb=10)
; Xti=3 Eg=1.11 Ne=1.279 Ise=2.094p Ikf=.9453 Xtb=1.5 Nc=2 Isc=0
; Ikr=0 Cjc=7.228p Mjc=.256 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=52.8p Mje=.4351 Vje=.75
; Tr=3.953u Tf=300.9p Itf=.45 Vtf=6 Xtf=1.5
Q1 2 1 0 Q2N3015
VCE 2 0 5
IB 0 1 1E-6
.DC DEC IB 100E-6 10E-3 100
.PROBE
.END
Fig. 4.10
El resultado se observa en la figura 4.11 en la que se ha representado el valor de (I
C
/I
B
) con respecto
a la corriente de colector.
1
El valor de es de algo ms de 123 y disminuye al aumentar la corriente.
10mA 30mA 100mA 300mA 1.0A 2.0A
IC(Q1)
IC(Q1)/ IB(Q1)
124.0
123.5
123.0
122.5
Fig 4.11
Si repetimos el ejemplo anterior pero aadimos los parmetros relativos al modelo de Gummel-Poon
el modelo ser:
.model Q2N3015 NPN(Is=1.608p Vaf=100 Bf=118.4 Br=20.34m Rc=.6 Rb=10
+ Ise=2.094p Ne=1.279 Ikf=.9453) ;parametros adicionales para Gummel-Poon

1
Consltese el captulo 5 para ver cmo asignar una variable al eje X.
y el resultado ser el representado en la figura 4.12. En l se puede ver como la alcanza su mximo
valor para corrientes medias y se reduce tanto al aumentar como al disminuir la corriente. Por otro
lado el valor mximo tambin ha disminuido en relacin al predicho por el modelo de Ebers-Moll.
3.0mA 10mA 30mA 100mA 300mA 1.0A
IC(Q1)
IC(Q1)/ IB(Q1)
68
64
60
56
52
Fig 4.12
c) Modelo en gran seal de Ebers-Moll
El modelo en gran seal o modelo dinmico de Ebers-Moll es el que se ve en la figura 4.13. En este
modelo los valores de las corrientes se calculan igual que en el modelo esttico y las capacidades C
BE
y C
BC
corresponden a la capacidad de difusin "C
D
" (debida al exceso de portadores en base) y la ca-
pacidad de unin o deplexin "C
J
" (debida a la zona de carga espacial). La capacidad entre base y
emisor es: C
BE
=C
DE
+C
JE
y la capacidad entre base y colector es: C
BC
=C
DC
+C
JC
. Como se sabe estas
capacidades no son lineales y dependen fuertemente del punto de polarizacin. Por ltimo la
capacidad C
CS
es la capacidad que existe entre el colector y el substrato.
Fig. 4.13
Para el clculo de estas capacidades se usan los siguientes parmetros:
Parmetro
del modelo
defecto
Unidades
CJE (C
JE
)
Capacidad de deplexin base-emisor con polarizacin
cero
0 F
CJC (C
JC
)
Capacidad de deplexin base-colector con
polarizacin cero
0 F
CJS (C
CS
)
Capacidad colector-substrato con polarizacin cero 0 F
VJE (
E
)
Potencial de contacto unin base-emisor 0,75 V
VJC (
C
)
Potencial de contacto unin base-colector 0,75 V
VJS (
S
)
Potencial de contacto de substrato 0,75 V
TF (
F
)
Tiempo de trnsito en directa ideal (se considera
constante)
0 s
TR (
R
)
Tiempo de trnsito en inversa ideal 0 s
FC
Coeficiente para el clculo de la capacidad de
deplexin en directa
0,5
En el clculo de las capacidades de difusin, C
DE
y C
DC
, se usan los parmetros TF y TR. Los par-
metros CJE, CJC, VJE, VJC y FC tienen efecto en las capacidades de deplexin C
JE
y C
JC
. CJS y VJS
se usan para calcular la capacidad C
CS
.
d) Modelo en gran seal de Gummel-Poon
El modelo de Ebers-Moll obvia los siguientes efectos:
1. Capacidad distribuida entre base y colector (C
JX
).
2. Dependencia de
F
con la corriente y la tensin base-colector.
3. Exceso de fase.
Para considerar estos efectos se utiliza el modelo en gran seal de Gummel-Poon que es el mostrado
en la figura 4.14.
Fig 4.14
Se observa que es muy similar al de Ebers-Moll. Circuitalmente se distingue del anterior por la capa-
cidad "C
JX
". Matemticamente se diferencia en el clculo de C
BE
y C
BC
ya que en este caso se hace
uso de tres nuevos parmetros MC, ME y MS que permiten distinguir entre diversos tipos de do-
pado. En el caso de Ebers-Moll se consideraban constantes con valor 0,33 (valor por defecto).
La variacin de
F
depende del punto de polarizacin y de la tensin base-colector. Aunque la depen-
dencia es compleja se puede resolver con los siguientes parmetros: XTF, VTF y ITF.
La capacidad C
JX
se calcula haciendo uso del nuevo parmetro XCJC. Por ltimo el exceso de fase se
calcula usando el parmetro PTF.
As pues, los nuevos parmetros, propios del modelo en gran seal de Gummel-Poon, son:
Parmetro
del modelo
defecto
Unidades
MJE (ME) Factor de graduacin unin base-emisor 0,33
MJC (MC) Factor de graduacin unin base-colector 0,33
MJS (MS) Factor de graduacin substrato 0
XTF Coeficiente de dependencia de
F
con la polarizacin 0
VTF Factor de dependencia de
F
con V
BC
V
ITF Factor de dependencia de
F
con altas corrientes I
C
0 A
XCJC Fraccin de la capacidad de deplexin base-colector
conectada a la base interna
1
PFC Exceso de fase a f=1/2
F
0 grados
El siguiente ejemplo ilustra las diferencias que surgen al tener en cuenta o no los efectos capacitivos.
Se trata del circuito mostrado en la figura 4.15 . Es un circuito en el que el transistor constituye un
inversor bsico. El interruptor controlado por tensin simula otro inversor pero idealizado y los nive-
les de control corresponden a los niveles de entrada de una puerta TTL estndar.
Fig. 4.15
El transistor utilizado es uno de aplicacin general, el BC547A. En una primera simulacin se han
descartado los parmetros referentes al comportamiento dinmico (si bien se han conservado comen-
tados en las lneas posteriores, primero los relativos al modelo de Ebers-Moll y a continuacin los
relativos al de Gummel-Poon). La excitacin es una seal cuadrada de 100 kHz. El fichero fuente es:
Modelo dinmico del transistor
.model BC547A NPN(Is=7.049f Vaf=127.9 Bf=253 Ise=96.26f Ne=1.556 Ikf=77.05m
+ Br=1 Isc=130.8f Nc=1.602 Ikr=3.321 Rc=.8766)
; Cjc=5.25p Vjc=.5697 Fc=.5 Cje=11.5p Vje=.5 Tr=10n Tf=409.5p
; Mje=.6715 Itf=1.994 Xtf=40.12 Vtf=10 Mjc=.3147
.model TTL VSWITCH (RON=1 ROFF=1E6 VON=2 VOFF=0.8)
VCC 5 0 5
QINV 3 2 0 BC547A
RC 5 3 10K
RB 1 2 100K
RINT 5 4 10K
SINV 4 0 3 0 TTL
VEX 1 0 DC 5 PULSE( 0 5 0 1E-12 1E-12 5E-6 10E-6 )
.TRAN 1U 3E-6
.PROBE
.END
0s 5us 10us 15us 20us
Time
V(3)
6.0V
4.0V
2.0V
0V
V(1) V(4)
5.0V
0V
Modelo dinamico del transistor
Fig. 4.16
En la figura 4.16 se ha representado en una grfica la tensin de entrada y la de salida y en la grfica
inferior la tensin en colector del transistor. Se observa un comportamiento ideal en el que la seal de
salida V(4) es igual a la de entrada, pues se ha invertido dos veces, y no presenta ningn retardo.
Si se repite el anlisis, pero ahora utilizando los siguientes parmetros:
+ Br=1 Isc=130.8f Nc=1.602 Ikr=3.321 Rc=.8766
+ Cjc=5.25p Vjc=.5697 Fc=.5 Cje=11.5p Vje=.5 Tr=10n Tf=409.5p)
lo que implica que se usa el modelo en gran seal de Ebers-Moll, se obtienen los resultados que se
recogen en la figura 4.17.
0s 5us 10us 15us 20us
Time
V(3)
6.0V
4.0V
2.0V
0V
V(1) V(4)
5.0V
0V
C1 =
C2 =
dif=
5.0175u, 82.700m
5.6140u, 1.0007
-596.491n, -917.967m
Fig. 4.17
Se ve claramente el retardo que sufre la seal debido a la lentitud de respuesta del transistor. Se ob-
serva tambin como el retardo ms importante se produce en el paso de saturacin a corte. Este retardo
puede invalidar completamente el circuito al aumentar la frecuencia. Si se repite el anlisis pero a una
frecuencia de 3 MHz el resultado es el de la figura 4.18. En la grfica superior se ha representado la
seal de entrada; en la inferior se observa la de tensin en el colector del transistor y la seal de salida.
Debido a los retardos del transistor la salida no puede seguir a la entrada y finalmente presenta
constantemente un uno lgico, con lo que este inversor no servira a estas frecuencias.
0s 0.5us 1.0us 1.5us 2.0us 2.5us 3.0us
Time
V(3) V(4)
6.0V
4.0V
2.0V
0V
V(1)
5.0V
0V
Fig. 4.18
e) Modelos linealizados (en pequea seal)
Los modelos vistos anteriormente son complejos y su clculo exige cierto tiempo. Para clculos lar-
gos, en los que se ha de analizar el mismo circuito mltiples veces cambiando la frecuencia o algn
otro parmetro, es preferible utilizar el modelo linealizado o en pequea seal, con todas las limita-
ciones que conlleva.
Fig. 4.19
El modelo en pequea seal de Gummel-Poon es el que se muestra en la figura 4.19, muy similar al
modelo hbrido-. El modelo en pequea seal de Ebers-Moll es similar al de Gummel-Poon pero sin
la capacidad C
JX
. Tambin difieren estos modelos en las expresiones analticas usadas en el clculo de
los valores en pequea seal. En ambos casos los valores en pequea seal se calculan a partir de los
parmetros introducidos para los modelos estticos y dinmicos en gran seal. Si se est utilizando un
modelo esttico (todos los parmetros referentes al comportamiento dinmico tienen su valor por
defecto) las capacidades del modelo linealizado en pequea seal sern cero, con lo que proporciona
una respuesta en frecuencia infinita.
Con el comando ".OP" se imprimen los valores de los parmetros en pequea seal en el fichero
".OUT". Si se aade esta sentencia en el ejemplo anterior en el fichero de salida se obtendrn las si-
guiente informacin:
Modelo dinmico del transistor
*************************************************************************
+ Br=1 Isc=130.8f Nc=1.602 Ikr=3.321 Rc=.8766
+ Cjc=5.25p Vjc=.5697 Fc=.5 Cje=11.5p Vje=.5 Tr=10n Tf=409.5p)

**** BJT MODEL PARAMETERS
*************************************************************************
BC547A
NPN
IS 7.049000E-15
BF 253
NF 1
VAF 127.9
IKF .07705
ISE 96.260000E-15
NE 1.556
BR 1
NR 1
IKR 3.321
ISC 130.800000E-15
NC 1.602
RC .8766
CJE 11.500000E-12
VJE .5
CJC 5.250000E-12
VJC .5697
TF 409.500000E-12
TR 10.000000E-09

*************************************************************************
NAME QINV
MODEL BC547A
IB 4.35E-05
IC 4.93E-04
VBE 6.50E-01
VBC 5.80E-01
VCE 6.96E-02
BETADC 1.13E+01
GM 2.05E-02
RPI 8.82E+03
RX 0.00E+00
RO 6.52E+02
CBE 3.11E-11
CBC 2.43E-11
CBX 0.00E+00
CJS 0.00E+00
BETAAC 1.81E+02
FT 5.87E+07
La ltima seccin es la originada por la sentencia ".OP". Se muestra el valor de g
m
(GM), la inversa
de g
o
(RO), r
(RPI), C
(CBE), etc.
Se ha de recordar que, tal como se coment en el anlisis ".AC", estos modelos son slo vlidos si el
dispositivo est trabajando en la zona lineal y los desplazamientos del punto de reposo son pequeos.
Recurdese igualmente que SPICE utiliza un modelo lineal o uno de los vistos anteriormente en fun-
cin del anlisis que se est realizando.
El resto de parmetros que pueden aparecer en el modelo de SPICE se usan para el clculo de la de-
pendencia con la temperatura (EG, XTB, XTI) o para modelar el ruido Flicker (KF, AF).
No siempre es mejor utilizar el modelo ms completo sino aqul que se adapte suficientemente a las
condiciones del anlisis. Se ha de tender a utilizar el modelo ms sencillo, que contemple los efectos
que se desean tener en cuenta, pues ello redundar en una mejora del tiempo de clculo. Por ello en los
casos en los que no se precise una gran precisin, o en las primeras fases del diseo, puede ser re-
comendable borrar algunos parmetros del modelo que se est utilizando, con lo que se simplificar el
modelo utilizado.
4.4 Transistor MOSFET
Dado que el proceso de fabricacin es comn a todos los transistores de un circuito integrado todos los
transistores que hayan sido sometidos a las mismas etapas de fabricacin coincidirn en un gran
nmero de parmetros. Por el contrario, otras caractersticas del transistor no dependern del proceso
de fabricacin sino de la geometra del dispositivo concreto. Las caractersticas de un transistor
MOSFET se pueden variar fcilmente modificando esta geometra. Para reflejar este hecho la sen-
tencia de declaracin de un MOSFET contempla la posibilidad de introducir mltiples parmetros
on-line que individualizarn el transistor en cuestin con respecto al resto de transistores que com-
partan el mismo modelo SPICE.
La sentencia de declaracin de un MOSFET presenta la siguiente forma:
M<nombre> <drenador> <puerta> <surtidor> <substrato> <nombre del modelo>
+ [L=<valor>] [W=<valor>]
+ [AD=<valor>] [AS=<valor>]
+ [PD=<valor>] [PS=<valor>]
+ [NRD=<valor>] [NRS=<valor>]
+ [NRG=<valor>] [NRB=<valor>]
+ [M=<valor>]
Los seis primeros parmetros (de L a PS) hacen referencia a la geometra del transistor, los cuatro si-
guientes se refieren a ciertas caractersticas elctricas y el ltimo es un factor multiplicativo. El signi-
ficado de cada uno de ellos es el siguiente:
L y W: especifican las dimensiones del canal. L es la longitud y W la anchura. Como se sabe L y W son
los factores fundamentales que determinan el comportamiento del transistor ya que influyen en
el valor de la constante y en la capacidad que presenta la puerta. A L y W se les puede asignar
tambin un valor en la definicin del modelo SPICE. En el caso de que los valores propor-
cionados en la definicin del modelo y los proporcionados en la sentencia de declaracin del
componente no coincidan prevalecen los valores de esta ltima.
AD, AS, PD y PS: suministran informacin de las dimensiones del drenador y del surtidor. AD y AS
son las reas de drenador y de surtidor y PD y PS los permetros. Estas dimensiones afectan
fundamentalmente a las capacidades ( y a las corrientes inversas de saturacin entre drenador,
surtidor y substrato).
NRD, NRS, NRG, NRB: son las resistividades relativas de cuadro del drenador, del surtidor, de la
puerta y del substrato. Las resistencias parsitas de estas zonas quedan determinadas por el
producto de estos parmetros por la resistencia de cuadro que se establece en la definicin del
modelo SPICE a travs de un parmetro denominado RSH.
M: es el factor multiplicativo que permite simular el efecto de varios dispositivos en paralelo.
El valor por defecto de AD y AS es cero y el de L y W es 100m pero se pueden modificar mediante
la sentencia ".OPTIONS". Los valores por defecto de PD, PS, NRG y NRB son cero y los de NRD y
NRS son uno.
Para definir un modelo de MOSFET se usa la siguiente sentencia:
.MODEL <nombre del modelo> NMOS ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> PMOS ([parmetro=<valor>]*)
La primera definicin corresponde a un transistor NMOS y la segunda es la correspondiente a un
PMOS.
Existen cuatro tipos de modelos. El tipo de modelo que se est definiendo se indica mediante el pa-
rmetro LEVEL. Los valores posibles y su significado son los siguientes:
LEVEL=1: Modelo de Schichman-Hodges. Es el modelo ms sencillo pero tambin el ms fcil de
calcular. Se usa para dispositivos discretos y para anlisis preliminares.
LEVEL=2: Como el anterior es un modelo analtico, pero es ms completo. Tiene en cuenta la geo-
metra del dispositivo para el clculo de efectos de segundo orden pero no funciona bien para
dispositivos de canal corto (L 2m).
LEVEL=3: Es un modelo semiemprico, es decir, que ciertos parmetros se obtendrn a raz de datos
experimentales. Es vlido para canal corto.
LEVEL=4: Modelo "BSIM" propuesto por la Universidad de California. Es un modelo emprico y sus
parmetros se obtienen por procesos de caracterizacin que se pueden realizar automtica-
mente.
Estos modelos comparten una serie de parmetros comunes (por ejemplo, el propio parmetro LEVEL,
los parmetros L, W, etc.) pero otros parmetros dependen del valor de LEVEL, es decir, del tipo de
modelo que se est definiendo.
La distincin entre un MOSFET de acumulacin y de deplexin se efecta mediante el parmetro VTO
(tensin umbral). Un MOSFET de canal N ser de acumulacin si VTO es positivo y de deplexin si
VTO es negativo, y viceversa si es un MOSFET de canal P.
Fig. 4.20
Fig. 4.21
El modelo de funcionamiento en gran seal se muestra en la figura 4.20 y el de pequea seal co-
rresponde a la figura 4.21. Debido a la gran variedad de modelos no es posible realizar un resumen
prctico, como en el caso del transistor bipolar, por lo que se recomienda al lector interesado que
acuda a la bibliografa especializada [ANT87].
4.5 Transistor JFET
La siguiente instruccin define la conexin de un JFET:
J<nombre> <drenador> <puerta> <surtidor> <nombre del modelo> [rea]
Slo existe un parmetro on-line que es [rea]. El parmetro rea es el rea relativa del dispositivo.
Afecta al valor de las resistencias RD y RS del modelo de funcionamiento representado en la
figura 4.22 que tomarn el valor RD/rea y RS/rea respectivamente. El valor por defecto de rea es 1.
La definicin del modelo es la siguiente:
.MODEL <nombre del modelo> NJF ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> PJF ([parmetro=<valor>]*)
El primer modelo corresponde a un JFET canal N y el segundo a un JFET canal P.
Fig. 4.22
El modelo de funcionamiento en gran seal es el mostrado en la figura 4.22 y el de pequea seal es el
de la figura 4.23.
Fig. 4.23
Otros dispositivos
Se dispone de otros dos dispositivos analgicos en SPICE: el FET de Arseniuro de Galio, identificado
con la letra B, y las lneas de transmisin, identificadas con la letra T. No se tratarn ninguno de los
dos en consideracin al carcter introductorio de este libro. No obstante, su sintaxis se incluye en el
apndice C dedicado a dispositivos.
Probe 125
5 PROBE
5.1 Introduccin
PROBE es un programa de representacin grfica capaz de representar los datos generados por una
sentencia ".PROBE"
1
contenida en el fichero del circuito que se haya simulado. Los datos que el
programa PROBE visualiza son los contenidos en los ficheros ".DAT". Un fichero ".DAT" se genera
como consecuencia de una sentencia ".PROBE" y toma el nombre del fichero del circuito que lo
gener. Adems el nombre del ltimo fichero creado se mantiene en otro fichero denominado
PROBE.NAM.
Configuracin
Debido al carcter grfico del programa es preciso, antes de su utilizacin, configurar el dispositivo de
representacin, ms concretamente el tipo de tarjeta grfica que se utilizar y el dispositivo de
impresin sobre el que se realizar el volcado de las pantallas representadas. Esta configuracin se
realiza ejecutando el programa SETUPDEV.
2
Al llamarlo se muestra la configuracin actual y se
presenta un men con diversas opciones que permiten modificar dicha configuracin. La tarjeta grfica
seleccionada deber estar de acuerdo con la utilizada, pero en el dispositivo de impresin (hard_copy)
se permite redirigir la salida a un fichero. En consecuencia el dispositivo no tiene por qu coincidir
con la impresora que se tenga conectada. En particular, si se piensa utilizar el fichero con el volcado
impreso para insertar la imagen en procesadores de texto, un dispositivo adecuado es el "HP" ya que
se producir un fichero en formato hpgl que es entendido por prcticamente todos los programas de
tratamiento de textos y adems ocupa poco espacio.
Llamada a PROBE
La ejecucin del programa se realiza mediante la orden PROBE. Si se introduce esta orden sin ningn
argumento se visualizarn los datos correspondientes al fichero indicado en el fichero "PROBE.NAM"
que ser con toda probabilidad el nombre del ltimo anlisis efectuado. Pero si la llamada al programa

1
Tanto la sentencia como el programa son propios de PSpice.
2
Lo mismo se puede hacer mediante la opcin "Display/Prn Setup" del Control Shell.
establecidas en las leyes, la reproduccin total o parcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento, comprendidos la reprografa y el tratamiento
informtico, y la distribucin de ejemplares de ella mediante alquiler o prstamo pblicos, as como la exportacin e importacin de ejemplares para su distribucin
y venta fuera del mbito de la Unin Europea.
se realiza seguida del nombre de un fichero con extensin ".DAT" ser ste el fichero de datos que se
procesar.
Tal como se coment al inicio, el uso del fichero de ejecucin por lotes PSPICE.BAT automatiza la
llamada a PROBE y el mantenimiento del nombre correcto en el fichero PROBE.NAM.
Para demostrar algunas caractersticas de programa se usar el siguiente fichero de circuito que no es
otro que el que se utiliz al estudiar el anlisis transitorio aadiendo un anlisis ".AC" y un anlisis
".DC".
EX5_1 CIRCUITO PARA DEMOSTRACION DE PROBE
.PARAM COLECTOR=1K
VIN 1 0 AC 1E-3 SIN(0 .5MV 1K)
VCC 4 0 6V
RB 1 5 50
CIN 5 2 100E-9
R1 4 2 390K
R2 2 0 195K
RC 4 3 {COLECTOR}
Q1 3 2 0 BC108B
.AC DEC 10 100 10E06
.TRAN 1U 4M
.DC PARAM COLECTOR 1 3K 100
.PROBE
.END
Este fichero corresponde al circuito de la figura 5.1
Probe 127
Fig. 5.1
Men de inicio
Al iniciarse PROBE lo primero que aparece es una pantalla en la que se muestran los anlisis
disponibles. stos dependern de los que se hallan ejecutado y que pueden ser Dc_sweep, Ac_sweep y
Transient_analysis. Si se efectu un slo tipo de anlisis esta pantalla no aparecer y se entrar
directamente en el men de arranque.
En el men de arranque aparece un cuadro, inicialmente vaco, que acoger las grficas que se
soliciten y, debajo, las opciones disponibles a este nivel. Las opciones se seleccionan mediante los
cursores, por medio del ratn o bien pulsando la letra que aparece en maysculas en cada una de las
opciones.
La magnitud representada en el eje X es en funcin del tipo de anlisis que se est visualizando. Ser
frecuencia si es un anlisis ".AC", tiempo si es un anlisis transitorio o la variable que se ha barrido en
el caso de un anlisis ".DC". Pero, como se ver ms adelante, esta magnitud se puede cambiar a
conveniencia en la opcin "X_axis".
5.2 Trazas
El primer paso consiste en indicar la variable o variables que se desean visualizar. Cada variable se
visualiza a travs de una curva que se denomina "traza". La orden de visualizar una nueva traza se
ejecuta mediante la opcin "Add_trace".
Al seleccionar Add_trace se solicita la variable que se desea visualizar. Las variables permitidas son
las tensiones de los nodos y las corrientes a travs de los dispositivos. La sintaxis para especificar la
variable que se desea es similar a la usada en el comando ".PRINT" (consltese el apndice E:
Variables de Salida) si bien existen ciertas diferencias. Las expresiones aceptadas son las siguientes:
V(<nodo>): tensin del nodo indicado con respecto a la masa . Ex: V(5)
V(<nodo+>,<nodo->): tensin entre el <nodo+> y el <nodo->. Ex: V(4,3)
Vx(<nombre>): tensin con respecto a masa del terminal "x" del dispositivo indicado con "nombre".
"x" puede tomar los siguientes valores:
1: terminal positivo de un dispositivo de 2 terminales.
2: terminal negativo de un dispositivo de 2 terminales.
C: colector de un transistor bipolar. Ex: VC(Q1).
B: base de un transistor bipolar. Ex: VB(Q1).
E: emisor de un transistor bipolar. Ex: VE(Q1).
D: drenador de un transistor FET, MOSFET o MESFET. Ex: VD(M1).
G: puerta de un transistor FET, MOSFET o MESFET. Ex: VG(M1).
S: surtidor de un transistor FET, MOSFET o MESFET. Ex: VS(M1)
o substrato de un transistor bipolar.
B: substrato de un transistor FET, MOSFET o MESFET.
I(<nombre>): corriente a travs de un dispositivo de dos terminales; <nombre> debe corresponder a
un dispositivo de dos terminales. Ex: I(CIN).
Ix(<nombre>): corriente entrante por el terminal "x" del dispositivo de ms de 2 terminales
<nombre>. El significado de "x" es el indicado anteriormente con la excepcin de que no estn
permitidos los valores 1 o 2 ya que hacen referencia a dispositivos de dos terminales. Ex: IB(Q1).
Si se desea se puede obtener una lista con las variables disponibles presionando la tecla F4 o el botn
derecho del ratn. Si se repite esta operacin aparece una ventana en la que se puede pedir que la lista
incluya las diversas formas de especificar las variables siguiendo las convenciones que se han
explicado Show_alias_names o que se muestren los nodos internos de los subcircuitos
Show_internal_subcircuit_nodes.
Una caracterstica importante es que no slo se puede pedir la traza de las variables, sino tambin de
expresiones formadas por funciones. Las funciones disponibles (adems de la suma, la resta, la
multiplicacin y la divisin) se muestran en la siguiente tabla, donde se considera que "x" es una
variable que se especifica siguiendo las convenciones anteriores:
Probe 129
FUNCION DESCRIPCION
ABS(x) |x|
SGN(x)
+1 (si x > 0)
0 (si x = 0)
-1 (si x < 0)
SQRT(x)
x
EXP(x) e
x
LOG(x) ln|x|
LOG10(x) log|x|
M(x) Magnitud (mdulo) de x
P(x) Fase de x
R(x) Parte real de x
IMG(x) Parte imaginaria de x
G(x) Retraso de grupo de x
PWR(x,y) |x|
y
SIN(x) sen(x) {x en radianes}
COS(x) cos(x) {x en radianes}
TAN(x) tg(x) {x en radianes}
ATAN(x) arctg(x) {resultado en radianes}
ARCTAN(x) mismo resultado que ATAN(x)
d(x) Derivada de x con respecto
a la variable del eje X
s(x) Integral de la variable x sobre el rango activo del eje X
*
AVG(x)
Valor medio de la variable x sobre el rango activo del eje
X*
AVG(x)
Valor medio de la variable x (desde x-d hasta x) sobre el
rango activo del eje X*
RMS(x) Valor eficaz de la variable x sobre el rango activo del
eje X*
DB(x) Magnitud de x en decibelios
MIN(x) Mnimo de la parte real de x
MAX(x) Mximo de la parte real de x
*
El rango activo se establece mediante Restric_data tal como se ver ms adelante.
Algunas funciones como M, P, G, R e IMG hacen referencia a magnitudes complejas y slo tienen
sentido en el anlisis ".AC" o en la FFT, puesto que en el resto de situaciones las magnitudes son
reales.
En las variables y en las expresiones no se distingue entre maysculas o minsculas, pero s en los
prefijos. Para el prefijo "mili" se usa m y para el "mega" M. sta es una diferencia con respecto a la
sintaxis utilizada en SPICE.
100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
DB( VC(Q1)/ V(1))
45
40
35
30
25
Fig. 5.2
En las figuras 5.2 y 5.3 se muestran diversas trazas del anlisis ".AC". La primera corresponde a la
magnitud de la ganancia entre la tensin de colector y la tensin de entrada VIN en dB . La segunda
corresponde a la fase de la misma ganancia. La variable que se est representando se indica al pie de la
grfica.
Para el anlisis ".AC" se utiliza aritmtica compleja y por defecto se visualiza la magnitud. Por ello
DB(VC(Q1)/V(1)) es equivalente a DB(M(VC(Q1)/V(1)), pues ambas proporcionan la magnitud de
VC(Q1)/V(1) en dB.
Probe 131
100h 1.0Kh 10Kh 100Kh 1.0Mh 10Mh
Frequency
p(VC(Q1)/V(1))
-100d
-150d
-200d
-250d
Fig.5.3
Se puede superponer ms de una traza tal como se observa en la figura 5.4. Cada vez que se aade una
traza debajo del el recuadro aparece la expresin de la traza precedida de un smbolo, que ser el que
marcar la traza si se usan smbolos para distinguir entre las diversas trazas. El uso o no de smbolos
en las trazas se regula en el men Plot_control tal como se ver ms adelante.
Time
IC(Q1) V(1)
4.0m
3.0m
2.0m
1.0m
0
-1.0m
Fig. 5.4
El borrado de una o ms trazas se realiza mediante Remove_trace.
5.3 Cursores
Activando el men "Cursor" del men de inicio aparece un nuevo men y dos cursores en forma de
cruz (si bien al estar inicialmente superpuestos parece que slo existe uno). Simultneamente aparece
un recuadro en la esquina inferior derecha que muestra el valor de ambos cursores C1, C2 y la
diferencia entra ellos dif.
El cursor C1 se puede desplazar mediante las teclas <> y <> y el cursor C2 mediante la combi-
nacin de las teclas <Mayscula , > y <Mayscula , >. Alternativamente se puede usar el ratn, el
botn izquierdo posiciona el cursor C1 y el derecho el C2.
Si existe ms de una traza se puede asignar un cursor a cada traza o ambos a la misma traza. Mediante
las teclas <Control , > y <Control , > el cursor C1 pasar de una a otra traza y se indicar en qu
traza est situando un recuadro sobre el smbolo de la traza. El cursor C2 cambia de traza mediante
<Control,Mayscula, > y <Control,Mayscula, >. El mismo resultado se obtiene por medio del
ratn: el cursor C1 se asigna a una traza presionando el botn izquierdo cuando el cursor del ratn se
halla sobre el smbolo de la traza mientras que el cursor C2 se cambia con el botn derecho.
En la parte inferior de la pantalla existen una serie de opciones, llamadas condiciones, que facilitan el
movimiento automtico de los cursores. Son:
Min: mueve el cursor al punto de la traza con el mnimo valor de Y.
maX: mueve el cursor al punto de la traza con el mximo valor de Y.
Peak: posiciona el cursor en el prximo pico. Un pico es un punto con un valor de Y superior
al punto inmediatamente anterior y al inmediatamente posterior.
Trough: al contrario que Peak, mueve el cursor al prximo valle.
slOpe: el cursor se sita en el prximo punto con pendiente mxima (positiva o negativa).
Search_commands: permite especificar una serie de condiciones que ha de cumplir el punto
donde se posiciona el cursor. No se tratar el manejo de esta opcin en estos apuntes, el
lector interesado puede acudir a la bibliografa especfica.
Estas rdenes actan sobre el ltimo cursor que se haya movido. En el caso de que todava no se haya
movido ningn cursor actuarn sobre el cursor C1. En las rdenes que implican una direccin de
movimiento peak, trough y slope la direccin por defecto es la ltima en que se movi el cursor. En
caso de que no haya habido un movimiento previo la direccin por defecto ser hacia la derecha. Si no
Probe 133
se cumple la condicin especificada (no existe un valle, un pico, etc. en la direccin indicada) el
cursor no se mover.
Las otras dos opciones que quedan son:
Hard_copy: realiza un volcado de la pantalla, con informacin de los cursores, sobre el dis-
positivo definido al ejecutar SETUPDEV.
Label_point: coloca una etiqueta en el punto donde se encuentra el cursor con los valores X e
Y del punto. Estas etiquetas se pueden editar posteriormente con la opcin Label del men
de inicio.
En la figura 5.5 se muestra un volcado mediante la orden hardcopy en la que se han posicionado los
cursores con "max" y "min" y se han colocado etiquetas en dichos puntos
Time
VC(Q1)
3.10V
3.05V
3.00V
2.95V
(662.439u,3.0663)
(2.1515m,2.9705)
C1 =
C2 =
dif=
662.439u, 3.0663
2.1515m, 2.9705
-1.4891m, 95.764m
Fig.5.5
5.4 Eje X
La configuracin del eje X se realiza con la opcin X_axis del men de inicio. Aparece el siguiente
submen:
X_variable: por defecto la variable "x" es la frecuencia en el caso de estar visualizando un
anlisis ".AC", tiempo en el caso de un anlisis transitorio, o la variable de barrido en el
caso de un anlisis ".DC". Esta opcin permite cambiar la variable por defecto y pasarla a
cualquier variable permitida.
Lineal (Log): cambia el eje X a lineal si el eje es logartmico y a la inversa si es lineal. En
este ltimo caso aparecer la opcin Log. Inicialmente el eje es logartmico en la
visualizacin de los anlisis ".AC" y lineal en el resto de los casos.
Restric_data (Unrestric_data): determina el rango de valores del eje X que se utilizarn para
realizar determinadas funciones tales como RMS(x), MIN(x), etc. y para el clculo de la
FFT. Unrestric_data anula la seleccin anterior.
Set_range: permite fijar el rango de visualizacin. Su efecto se limita a la visualizacin, a di-
ferencia de restric_data. Las tres posibles formas de indicar el rango son:
<valor inicial> <valor final>
<valor inicial> ,<valor final>
(<valor inicial>, <valor final>)
El valor final puede ser inferior al valor inicial, con lo que se puede invertir el eje.
Fourier: calcula la FFT. Si la variable del eje X es tiempo se obtiene la transformada de
Fourier, si es frecuencia se obtiene la transformada inversa de Fourier.
Performance_analysis: slo tiene aplicacin cuando existen diversas secciones, tema sobre el
que no se ha tratado por caer fuera del objetivo de este texto.
5.5 Eje Y
A las acciones relativas al eje Y se accede con la opcin Y_axis y son las siguientes:
add_aXis: aade un nuevo eje Y (hasta un mximo de 3). De esta forma se pueden represen-
tar sobre el mismo grfico variables de magnitudes diferentes. Los ejes se numeran corre-
lativamente.
selecT_axis: permite seleccionar uno de los ejes existentes usando las teclas de cursor. Todas
las acciones se realizan sobre el eje seleccionado. As al aadir una nueva traza sta se
escalar segn el eje activo. El eje correspondiente a una traza, sobre el que est escalada la
traza, se indica a la izquierda del smbolo de la traza mediante el nmero del eje re-
cuadrado.
Change_title: se usa para cambiar el ttulo del eje.
color_Option: controla la asignacin de colores a las trazas. Las opciones son:
Normal: asigna un color diferente a cada traza independientemente del eje al que perte-
nezca.
Probe 135
Match_axis: asigna el mismo color a todas las trazas del mismo eje.
Sequential_per_axis: asigna un color a la primera traza de todos los ejes, otro color a las
segundas trazas de todos los ejes, y as sucesivamente.
Log (Lineal): cambia el eje Y a logartmico si el eje era lineal y a la inversa.
Set_range: permite fijar el rango de visualizacin. Las tres posibles formas de indicar el
rango son:
<valor inicial> <valor final>
<valor inicial> ,<valor final>
(<valor inicial>, <valor final>)
El valor final puede ser inferior al valor inicial con lo que se puede invertir el eje.
Las figuras 5.6 y 5.7 ilustran la ventaja de usar dos ejes en lugar de uno solo para visualizar dos trazas
de diferentes magnitudes. En ambas grficas se han representado la tensin de colector y la corriente
de base. En la primera figura, al tener un solo eje, la corriente de colector no se distingue porque
queda sobre el eje X al tener valores del orden de 10
-3
A. Por el contrario, en la segunda grfica se ha
aadido un nuevo eje y de esta forma cada magnitud est escalada segn sus dimensiones. Ntese
sobre la segunda figura la numeracin de los ejes y la indicacin del eje activo mediante el signo ">>".
Time
VC(Q1) IC(Q1)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
Fig. 5.6
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms
Time
1 2 1 VC(Q1) 2 IC(Q1)
3.08V
3.06V
3.04V
3.02V
3.00V
2.98V
2.96V
1
>>
3.04mA
3.02mA
3.00mA
2.98mA
2.96mA
2.94mA
2.92mA
2
Fig. 5.7
5.6 Plot
Con la opcin Plot_control se determina la cantidad de grficos que se visualizarn y el aspecto de las
trazas. Las posibilidades que se ofrecen al entrar en este men son:
Add_plot: aade un nuevo marco (una nueva grfica) en la que se podrn representar las
trazas.
Select_plot: esta opcin aparecer siempre que exista ms de un plot. La seleccin del plot
activo se realiza a travs de las teclas de cursor. La mayora de las acciones se efectuarn
sobre el plot seleccionado (cambiar de eje Y, aadir y borrar trazas, cursores, etc.). Otras,
sin embargo, afectan a todos los plots estn o no seleccionados (cambiar la variable del eje
X, utilizar o no smbolos, etc.).
Mark_data_points (Do_not_mark_data_points): al activar esta opcin mostrar(no mostrar)
sobre la traza los puntos calculados realmente en el anlisis. La traza se dibuja haciendo una
interpolacin entre estos puntos.
always_Use_symbols (Never_use_symbols): siempre(nunca) superpondr el smbolo de la
traza sobre la traza. Sirve para distinguir las diversas trazas entre s.
Probe 137
auTo_symbols: slo superpondr los smbolos si existen dos trazas con el mismo color sobre
un mismo plot.
En la figura 5.8 se muestra una sesin con varios plots y dos ejes en uno de los plots
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms
Time
VC(Q1)
3.08V
3.04V
3.00V
2.96V
1 2 1 IC(Q1) 2 IB(Q1)
3.04mA
3.00mA
2.96mA
2.92mA
1
10.4uA
10.2uA
10.0uA
9.8uA
2
>>
Fig. 5.8
5.7 Otros mens
DISPLAY_CONTROL
El men Display_control permite salvar el estado de una sesin (plots activos, trazas, ejes, etiquetas,
etc.). De esta manera se puede salir del programa y al volver recuperar, de forma fcil, la situacin que
se tena antes de salir. Las opciones de las que se dispone son:
Save: salva la sesin en curso. Se solicita un nombre para identificarla y aade al nombre el
tipo de anlisis.
List_displays: muestra una lista con todas las sesiones disponibles independientemente del
tipo de anlisis al que pertenezcan.
Restore: permite recuperar una sesin siempre y cuando sea del mismo tipo que la sesin en
curso. Por ello slo muestra las sesiones de anlisis del tipo de la sesin activa.
View_display_detail: proporciona datos detallados de la sesin seleccionada.
One_delete,All_delete: borra una o ms sesiones previamente salvadas.
ZOOM
Realiza un zoom sobre una zona determinada del grfico, o sobre uno de los ejes. Una de las opciones
es Pan, que no modifica el tamao sino la zona de grfico que se visualiza.
LABEL
Con esta opcin se pueden incluir en los plots textos o motivos grficos sencillos. Dispone de la
opcin tItle que posibilita cambiar el encabezado que aparecer en las copias generadas con
Hard_copy.
HARD_COPY
Produce un volcado de los plots visualizados sobre un dispositivo de impresin. El tipo dispositivo de
impresin se selecciona con el programa SETUPDEV.
CONFIG_COLORS
Con esta opcin se asignan los colores de las trazas, de los fondo, de los ejes, de los cursores y del
cursor del ratn. Tambin se puede fijar la cantidad de colores diferentes que se usarn para visualizar
las trazas. Para que las selecciones sean permanentes se ha de usar la opcin Save.
MACROS
Sirve para definir macros. Las macros permiten asignar una funcin a una secuencia de letras.
Apndices 139
Apndices
Apndica A: Comandos 141
Apndice A: C
Comandos
(excepto los comandos de anlisis)
.DISTRIBUTION
Descripcin:
Permite definir una distribucin para las tolerancias que sern usadas en los anlisis estadsticos.
Sintaxis:
.DISTRIBUTION <nombre> (<desviacin><probabilidad>)*
.END
Descripcin:
Seala el final del circuito.
Sintaxis:
.END
.ENDS
Descripcin:
Indica el final de un subcircuito
Sintaxis:
.ENDS
Simulacin analgica basada en SPICE 142
.FUNC
Descripcin:
Define una funcin que puede ser usada en las expresiones. La definicin debe preceder a su uso
Sintaxis:
.FUNC <nombre> ([arg]*) <funcin>
<nombre>: nombre de la funcin
[arg]*: argumentos
<funcin>: expresin matemtica
.IC
Descripcin:
Fija condiciones iniciales
Sintaxis:
.IC <V(<nodo>[,<nodo>]) = <valor>*
.INC
Descripcin:
Inserta el contenido de otro fichero
Sintaxis:
.INC <"nombre de fichero">
.LIB
Descripcin:
Permite hacer refierencia a un modelo o a un subcircuito definidos en otro fichero
Sintaxis:
.LIB ["nombre de fichero"]
.LOADBIAS
Descripcin:
Carga el punto de reposo contenido desde un fichero previamente generado con "SAVEBIAS"
Sintaxis:
.LOADBIAS <"nombre de fichero">
.MODEL
Descripcin:
Definicin de un modelo
Sintaxis:
.MODEL <nombre del modelo> [AKO:<nombre del modelo de referencia>]
+ <tipo de modelo>
+ ([<parmetro>=<valor>[especificacin de tolerancia]]*
+ [T_MEASURED=<valor>][[T_ABS=<valor>]
+[T_REL_GLOBAL=<valor>] [T_REL_LOCAL=<valor>]])
<tipo de modelo>: puede ser uno de los siguientes:
TIPO COMPONENTE TIPO COMPONENTE
CAP Capacidad NMOS N-MOSFET
IND Inductancia PMOS P-MOSFET
RES Resistencia GASFET N-MESFET GaAs
D Diodo CORE Ncleo magntico
NPN BJT NPN VSWITCH
Interruptor controlado por
tensin
PNP BJT PNP ISWITCH
Interruptor controlado por
corriente
LPNP BJT PNP lateral DINPUT
Dispositivo de entrada
digital
NJF N-JFET DOUTPUT Dispositivo de salida digital
PJF P-JFET UXXX Dispositivos digitales
.NODESET
Descripcin:
Propone, sin fijar, un punto de reposo en los nodos indicados
Sintaxis:
.NODESET <V(<nodo>[,<nodo>])=<valor>
.OPTIONS
Descripcin:
Establece el valor de las opciones
Sintaxis:
.OPTIONS [nombre de la opcin]* [<nombre de la opcin>=<valor>]
1) opciones tipo flag (activadas/desactivadas):
ACCT: presenta informacin al final de todos los anlisis
EXPAND: produce un listado de los dispositivos de los subcircuitos y del contenido del
fichero del punto de reposo
LIBRARY: listado de las lneas provinientes de las libreras
LIST: sumario de los dispositivos
NOBIAS: suprime el listado de las tensiones del punto de reposo
NODE: proporciona un listado completo de las conexiones
NOECHO: suprime el listado del fichero fuente
NOMOD: suprime el listado de los parmetros de los modelos
NOPAGE: suprime la paginacin y los encabezados de cada seccin
NOREUSE: no salva ni recupera automticamente la informacin del punto de reposo en
anlisis multi-ejecucin (STEP, TEMP), Motecarlo y "caso peor" (worts case)
NOOUTMSG: suprime los mensajes de error en el fichero de salida
NOPRBMSG: suprime los mensajes de error en el fichero de datos de PROBE
OPTS: proporciona un listado con todas las opciones
2) opciones que necesitan un valor
ABSTOL=: error permitido en el clculo de corrientes (por defecto: 1pA)
CHGTOL=: error permitido en el clculo de cargas (por defecto: 0,1pC)
CPTIME=: mximo tiempo de ejecucin permitido (por defecto: 1E6)
DEFAD=, DEFAS=: fijan el rea por defecto de los drenadores y surtidores de los
MOSFET (por defecto: 0)
DEFL=, DEFW=: indican la longitud y la anchura por defecto de los MOSFET (por
defecto: 100)
GMIN=: conductancia mnima para cualquier rama (por defecto: 1E-12
-1
)
ITL1=: mximo nmero de iteraciones en DC y punto de reposo (por defecto: 40)
ITL2=: mximo nmero de iteraciones "sugeridas" en DC y punto de reposo (por
defecto: 20)
ITL4=: mximo nmero de iteraciones cualquier punto en anlisis transitorio (por
defecto: 10)
ITL5=: mximo nmero de iteraciones para todos los puntos en anlisis transitorio (por
defecto: infinito)
LIMPTS=: mximo nmero de puntos en la tablas de salida (por defecto: infinito)
NUMDGT=: cantidad de dgitos de los datos en las tablas de salida (por defecto: 4,
mximo: 8)
PIVREL=: magnitud relativa del pivote en la resolucin de las matrices (por defecto: 1E-
3)
PIVTOL=: magnitud absoluta del pivote en la resolucin de las matrices (por
defecto: 1E-13)
RETOL=: error relativo para corrientes y tensiones (por defecto: 0,001)
TNOM=: temperatura por defecto (por defecto: 27 C)
VNTOL=: error permitido en el clculo de tensiones (por defecto: 1V)
WIDTH: fija el nmero de columnas de la salida. Pueden ser 80 (por defecto) 132
.PARAM
Descripcin:
Define un parmetro global
Sintaxis:
.PARAM <<nombre>=<valor>>*
.PARAM <<nombre>={<expresin>}>*
.PLOT
Descripcin:
Proporciona una salida grfica para impresoras en modo carcter
Sintaxis:
.PLOT <tipo de anlisis> [variable de salida]*
+ ([<limite inferior>,<lmite superior>])*
.PRINT
Descripcin:
Proporciona una tabla de valores
Sintaxis:
.PRINT <tipo de anlisis> [variable de salida]*
.PROBE
Descripcin:
Genera un fichero de datos para el programa Probe
Sintaxis:
.PROBE[/CSDF] [variable de salida]*
[/CSDF]: utiliza el formato texto "Common Simulation Data Format"
.SAVEBIAS
Descripcin:
Salva las tensiones del punto de reposo de algunos nodos en un fichero
Sintaxis:
.SAVEBIAS <"nombre de fichero"> <[OP] [TRAN] [DC]> [NOSUBCKT]
+ [TIME=<valor> [REPEAT]] [TEMP=<valor>]
+ [STEP=<valor>] [MCRUN=<valor>] [DC=<valor>]
+ [DC1=<valor>] [DC2=<valor>]
.SUBCKT
Descripcin:
Definicin de subcircuito
Sintaxis:
.SUBCKT <nombre> [nodo]*
+ [OPTIONAL:<<nodo interfaz>=<valor por defecto>>*]
+ [PARAMS:<<nombre>=<valor>>*]
+ [TEXT:<<nombre>=<texto>>*]
.TEXT
Descripcin:
Substituye cadenas de caracteres por un nombre
Sintaxis:
.TEXT <<nombre>="<texto>" >*
.WATCH
Descripcin:
Muestra el resultado de los anlisis conforme se ejecutan
Sintaxis:
.WATCH [DC] [AC] [TRAN]
+ [<variable de salida> [<lmite inferior>,<lmite superior>]]*
.WIDTH
Descripcin:
Determina el n de columnas de la salida
Sintaxis:
.WIDTH OUT=<valor>
Apndice B: Tipos de anlisis 149
Apndice B: Tipos de anlisis
*
.AC (Respuesta en frecuencia)
Sintaxis:
.AC {LIN|DEC|OCT} <puntos> <frecuencia inicial> <frecuencia final>
{LIN|DEC|OCT}: tipo de barrido:
LIN: barrido lineal. <puntos>: nmero total de frecuencias
DEC: barrido logartmico por dcadas. <puntos>: nmero total de frecuencias en cada dcada
OCT: barrido logartmico por octavas. <puntos>: nmero total de frecuencias en cada octava
<frecuencia inicial>: frecuencia de inicio del barrido
<frecuencia final>: frecuencia final del barrido, que debe ser mayor que <frecuencia inicial>
.DC (Barrido de continua)
Sintaxis:
Barrido lineal:
.DC [LIN] <variable> <valor inicial> <valor final> <paso>
Barrido logartmico:
.DC {DEC|OCT} <variable> <valor inicial> <valor final> <puntos>
Lista de valores:
.DC <variable> LIST <lista de valores>
<variable>: magnitud que se vara. Puede ser de los siguientes tipos:
Valor DC de una fuente independiente
Parmetros globales

*
Los anlisis marcados con "" no se han explicado. Se proporcionan su sintaxis a modo de referencia
Parmetros de modelos de dispositivos
Temperatura
<paso>: incremento de la variable de barrido en barrido lineal
<puntos>: nmero de puntos de clculo por dcada u octava en barridos logartmicos
[especificacin del barrido anidado]: barrido adicional
.MC (Anlisis de Montecarlo)
Sintaxis:
.MC <n de ejecuciones> <anlisis> <variable de salida>
+ <funcin> [opcin]* [SEED=valor]
<n de ejecuciones>: nmero total de ejecuciones que se realizar del anlisis especificado
<anlisis>: tipo de anlisis (DC, AC o TRAN)
<variable de salida>: mismo formato que en la sentencia ".PRINT"
<funcin>: operacin que se realizar con los valores de la variable de salida
.FOUR (anlisis de Fourier)
Sintaxis:
.FOUR <frecuencia de la fundamental> [nmero de armnicos] <variable de salida>*
<frecuencia de la fundamental>: valores que se considerarn en el clculo sern los corresondientes a
1/<frecuencia de la fundamental>
[nmero de armnicos]: cantidad de armnicos que se calcularn
.NOISE (anlisis de ruido)
Sintaxis:
.NOISE V(nodo[,nodo]) <nombre> [intervalo de representacin]
V(nodo[,nodo]): tensin de salida
<nombre> :nombre de lafuente independiente para la que se calcular el ruido equivalente
[intervalo de representacin]: proporciona informacin detallada cada intervalo de frecuencia

Consltese bibliografa especializada

Apndice B: Tipos de anlisis 151
.SENS (anlisis de sensibilidad)
Sintaxis:
.SENS <variables de salida>*
<variables de salida>: mismo formato que en la sentencia ".PRINT"
.STEP (anlisis de sensibilidad)
Sintaxis:
Barrido lineal:
.STEP [LIN] <variable> <valor inicial> <valor final> <paso>
Barrido logartmico:
.STEP {DEC|OCT} <variable> <valor inicial> <valor final> <puntos>
Lista de valores:
.STEP <variable> LIST <lista de valores>
<variable>: magnitud que se vara. Puede ser de los siguientes tipos:
Valor DC de una fuente independiente
Parmetros globales
Parmetros de modelos de dispositivos
Temperatura
<paso>: incremento de la variable de barrido en barrido lineal
<puntos>: nmero de puntos de clculo por dcada u octava en barridos logartmicos
.TEMP (Anlisis en temperatura)
Sintaxis:
.TEMP <lista de temperaturas>*
<lista de temperaturas>*: temperaturas en grados centgrados a las que se realizar el anlisis


.TF (Funcin de transferencia)
Sintaxis:
.TF <variable de salida> <fuente indep. de entrada>
<fuente indep. de entrada>: variable de entrada. Ser una tensin si la fuente es una fuente
independiente de tensin o corriente si la fuente es de corriente
<variable de salida>: mismo formato que en la sentencia ".PRINT". En caso de ser una corriente sta
ha de ser la corriente a travs de una fuente de tensin
.TRAN (Anlisis transitorio)
Sintaxis:
+ [no print value] [step ceiling value]] [UIC]
[/OP]: proporciona informacin detallada del punto de reposo
<intervalos de representacin>: intervalos de tiempo usado para guardar los resultados para las
sentencias ".PRINT" y ".PLOT"
<tiempo final>: el anlisis se realiza entre el instante cero y este valor
[no print value]: instante en el que se comienza a guardar los resultados para ".PRINT" ".PLOT" o
".PROBE"
[step ceiling value]: mximo incremento de tiempo permitido
[UIC]: usa las especificaciones "IC=" suministradas en la definicin de condensadores e
inductancias
.WC (Caso ms desfarorable)
Sintaxis:
.WC <anlisis> <variable de salida> <funcin> [opcin]*
<anlisis>: tipo de anlisis (DC, AC o TRAN)
<funcin>: operacin que se realizar con los valores de la variable de salida


Apndice C: Dispositivos 153
Apndice C: Dispositivos
C (Condensadores)
Sintaxis:
C<nombre> <nodo+> <nodo-> [nombre del modelo] <valor> [IC=voltaje inicial]
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> CAP([parmetro=<valor>]*)
Parmetros Significado Unidades Valor por
defecto
C factor multiplicativo del valor del condensador 1
TC1 coeficiente de temperatura lineal voltios
-1
0
TC2 coeficiente de temperatura cuadrtico voltios
-2
0
VC1 coeficiente lineal de variacin con la tensin
o
C
-1
0
VC2 coeficiente cuadrtico de variacin con la tensin
o
C
-2
0
Valor del condensador:
- Si no se indica nombre de modelo el valor de la capacidad ser: C = <valor>
- Si se especifica modelo:
C valor V V T TNOM T TNOM =< > C VC1 VC2 TC1 TC2 + + + + ( ) 1 1
2 2
( ( ) ( ) )
Parmetros on-line:
- <valor inicial> : voltaje inicial en el condensador durante el clculo de punto de reposo
D (Diodo)
Sintaxis:
D<nombre> <nodo+> <nodo-> <nombre del modelo> [rea]
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> D ([parmetro=<valor>]*)
Parmetros:
Vase bibliografa especializada
E (Fuente de tensin controlada por tensin)
Sintaxis:
E<nombre> <nodo+> <nodo-> <nodo de control+> <nodo de control-> <ganancia>
E<nombre> <nodo+> <nodo-> POLY(dimensin) <<nodo de control+> <nodo de control->>* +
<coeficientes>*
E<nombre> <nodo+> <nodo-> VALUE={expresin}
E<nombre> <nodo+> <nodo-> TABLE {expresin}=
+ <<valor de entrada>,<valor de salida>>*
E<nombre> <nodo+> <nodo-> LAPLACE {expresin}={<transformada>}
E<nombre> <nodo+> <nodo-> FREQ {expresin}=<<frecuencia>,<magnitud>,<fase>>
*
E<nombre> <nodo+> <nodo-> CHEBYSHEV {expresin}=
+ <tipo>,<frecuencias de corte>*,<atenuacin>
<nodo+> y <nodo->: nodos de conexin.
<ganancia>: razn entre la tensin de salida y la tensin de control
POLY : consultar el captulo "fuentes dependientes"
VALUE: consultar el captulo "fuentes dependientes"
TABLE: consultar el captulo "fuentes dependientes"
LAPLACE, FREQ, CHEBYSHEV: consultar bibliografa especializada
F (Fuente de corriente controlada por corriente)
Sintaxis:
F<nombre> <nodo+> <nodo-> <fuente indep. de tensin > <ganancia>
F<nombre> <nodo+> <nodo-> POLY(dimensin) <fuente indep. de tensin>*
+ <<coeficientes>>*
<nodo+> y <nodo->: nodos de conexin
<fuente indep. de tensin >: la corriente de control es la corriente de la fuente indepen-
diente de tensin
<ganancia>: razn entre la corriente de salida y la corriente de control
G (Fuente de corriente controlada por tensin)
Sintaxis:
G<nombre> <nodo+> <nodo-> <nodo de control+> <nodo de control-> <transconductancia>
G<nombre> <nodo+> <nodo-> POLY(dimensin)
+ <<nodo de control+> <nodo de control->>*
+ <coeficientes>*
G<nombre> <nodo+> <nodo-> VALUE={expresin}
G<nombre> <nodo+> <nodo-> TABLE {expresin}=
+ <<valor de entrada>,<valor de salida>>*
G<nombre> <nodo+> <nodo-> LAPLACE {expresin}={<transformada>}
G<nombre> <nodo+> <nodo-> FREQ {expresin}=<<frecuencia>,<magnitud>,<fase>>
*
G<nombre> <nodo+> <nodo-> CHEBYSHEV {expresin}=
+ <tipo>,<frecuencias de corte>*,<atenuacin>
<nodo de control+> y <nodo de control->: nodos de la tensin de control
<transconductancia>: razn entre la corriente de salida y la tensin de control
VALUE: consultar el captulo "fuentes dependientes"
TABLE: consultar el captulo "fuentes dependientes"
LAPLACE, FREQ, CHEBYSHEV: consultar bibliografa especializada
H (Fuente de tensin controlada por corriente)
Sintaxis:
H<nombre> <nodo+> <nodo-> <fuente indep. de tensin > <transresistencia>
H<nombre> <nodo+> <nodo-> POLY(dimensin) <fuente indep. de tensin>*
+ <<coeficientes>>*
<fuente indep. de tensin >: la corriente de control es la corriente de la fuente indepen-
diente de tensin
<transresistencia>: razn entre la tensin de salida y la corriente de control
I (Fuente de corriente independiente )
Sintaxis:
I<nombre> <nodo+> <nodo-> [[DC]<valor>] [AC <magnitud> [fase]] [transitorio]
DC: valor para el clculo del punto de reposo y en los anlisis ".DC". Valor por defecto: 0
AC: amplitud (magnitud) y opcionalmente la fase para un anlisis ".AC". Valor por de-
fecto: 0
Transitorio: estmulos de entrada para el anlisis ".TRAN" . Vase el apndice D. Valor
por defecto: 0
J (Transistor JFET )
Sintaxis:
J<nombre> <drenador> <puerta> <surtidor> <nombre del modelo> [rea]
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> NJF ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> PJF ([parmetro=<valor>]*)
Parmetros:
K (Transformador )
Sintaxis:
a) sin ncleo:
K<nombre> L<nombre de inductor> <L<nombre de inductor> >* <valor de acoplo>
b) con ncleo:
K<nombre> <<L<nombre de inductor> >* <valor de acoplo>
+ <nombre del modelo> [tamao]
L<nombre de inductor>: lista de los inductores acoplados.
<valor de acoplo>: coeficiente de acoplo mutuo. Convencin del punto: punto = <nodo+>
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> CORE ([parmetro=<valor>]*)
Parmetros:
L (Inductores)
Sintaxis:
L<nombre> <nodo+> <nodo-> [nombre del modelo] <valor> [IC=corriente inicial]
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> IND ([parmetro=<valor>]*)
defecto
L factor multiplicativo del valor del inductor 1
TC1 coeficiente de temperatura lineal amp
-1
0
TC2 coeficiente de temperatura cuadrtico amp
-2
0
IL1 coeficiente lineal de variacin con la corriente
o
C
-1
0
IL2 coeficiente cuadrtico de variacin con la corriente
o
C
-2
0
Valor del inductor:
- Si no se indica nombre de modelo: Inductancia = <valor>
- Si se especifica modelo:
L valor I I T TNOM T TNOM =< > L IL1 IL2 TC1 TC2 + + + + ( ) 1 1
2 2
( ( ) ( ) )
Parmetros on-line:
- <valor inicial> : corriente inicial en el inductor durante el clculo de punto de reposo
M (MOSFET)
Sintaxis:
M<nombre> <drenador> <puerta> <surtidor> <substrato> <nombre del modelo>
+ [L=<valor>] [W=<valor>]
+ [AD=<valor>] [AS=<valor>]
+ [PD=<valor>] [PS=<valor>]
+ [NRD=<valor>] [NRS=<valor>]
+ [NRG=<valor>] [NRB=<valor>]
+ [M=<valor>]
L: longitud del canal
W: anchura del canal
AD y AS: rea de drenador y de surtidor
PD y PS: permetro de drenador y de surtidor
NRD, NRS, NRG y NRB: resistividades de drenador, surtidor, puerta y substrato
M: factor multiplicativo
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> NMOS ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> PMOS ([parmetro=<valor>]*)
Parmetros:
Q (Transistor Bipolar)
Sintaxis:
Q<nombre> <colector> <base> <emisor> [substrato] <nombre del modelo> [rea]
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> NPN ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> PNP ([parmetro=<valor>]*)
.MODEL <nombre del modelo> LPNP ([parmetro=<valor>]*)
Parmetros:
R (Resistencias)
Sintaxis:
R<nombre> <nodo+> <nodo-> [nombre del modelo] <valor> [TC=<TC1>[,<TC2>]]
Modelo:
.MODEL <nombre del modelo> RES ([parmetro=<valor>]*)
defecto
R factor multiplicativo del valor de la resistencia 1
TC1 coeficiente de temperatura lineal
o
C
-1
0
TC2 coeficiente de temperatura cuadrtico
o
C
-2
0
TCE coeficiente de temperatura exponencial %/
o
C 0
Valor de la resistencia:
- Si no se indica nombre de modelo: Resistencia = <valor>
- Si se especifica modelo y no se incluye TCE:
R valor T TNOM T TNOM =< > R TC1 TC2 + + ( ( ) ( ) ) 1
2
- Si se especifica modelo y se incluye TCE:
R valor
T TNOM
=< >

R
TCE
1 01 ,
( )
Parmetros on-line:
- TC1: coeficiente de temperatura lineal
- TC2: coeficiente de temperatura cuadrtico
Slo tienen efecto si no se ha especificado modelo.
V (Fuente de tensin independiente )
Sintaxis:
V<nombre> <nodo+> <nodo-> [[DC]<valor>] [AC <magnitud> [fase]] [transitorio]
DC: valor para el clculo del punto de reposo y en los anlisis ".DC". Valor por defecto: 0
AC: amplitud (magnitud) y opcionalmente la fase para un anlisis ".AC". Valor por de-
fecto: 0
Transitorio: estmulos de entrada para el anlisis ".TRAN" . Vase el apndice D. Valor
por defecto: 0
X (Subcircuito )
Sintaxis:
X<nombre> <nodo> <nodo>* <nombre del subcircuito> <nombre>: nombre del
subcircuito que se utilizar definido mediante .SUBCKT
<nodo> <nodo>*: nombres de los nodos del circuito general a los que se conectarn los
nodos del subcircuito indicados en la definicin .SUBCKT.
Definicin del subcircuito:
.SUBCKT <nombre> <nodo> <nodo>*
descripcin del subcircuito
.ENDS
Apndice D: Estmulos de entrada 161
Apndice D: Estmulos de Entrada
Forma de Onda Arbitraria (PWL)
Sintaxis:
PWL (<t1> <v1> <t2> <v2> <n> <vn>)
Parmetro Significado Unidades Valor por defecto
<tn> instante de cambio segundos ninguno
<v2> voltaje en el cambio voltios ninguno
Ejemplo: V<nombre> <nodo+> <nodo-> PWL(0 0.5 1 0.5 1.1 3 2 3 2.1 0 3 0 3.5 2 4 0 )
Exponencial
Sintaxis:
EXP (<v1> <v2> <td1> <tc1> <td2> <tc2>)
Parmetro Significado Unidades valor por defecto
<v1> voltaje inicial voltios ninguno
<v2> voltaje de pico voltios ninguno
<td1> delay de subida segundos 0
<tc1> constante de tiempo de subida segundos TSTEP
<td2> delay de bajada segundos <td1>+TSTEP
<tc2> constante de tiempo de bajada segundos TSTEP
v t
v td
v v v e td td
v v v e e td
t td tc
t td tc t td tc
( ) ( )(
( )( (
( )/
( )/ ( )/
= +
+

1 1
1 2 1 1 1 2
1 2 1 1 1 2
1 1
1 1 2 2
(0 < t < )
) ( < t < )
) - ) ( < t)
Ejemplo: V<nombre> <nodo+> <nodo-> EXP(0.5 3 0.5 0.2 3 1)
0s 1.0s 2.0s 3.0s 4.0s 5.0s 6.0s 7.0s
Time
v
4.0V
3.0V
2.0V
1.0V
0V
C1 =
C2 =
dif=
493.827m, 500.000m
3.0000, 3.0000
-2.5062, -2.5000
v
Transient Spec Type: EXP
V1 : .5
V2 : 3
TD1: .5
TC1: .2
TD2: 3
TC2: 1
Pulso Rectangular
Sintaxis:
PULSE (<v1> <v2> <td> <tr> <tf> <pw> <per>)
<v1> voltaje inicial voltios ninguno
<v2> voltaje de pico voltios ninguno
<td> delay (tiempo en que
permanece al valor inicial)
segundos 0
<tr> tiempo de subida segundos TSTEP
<tf> tiempo de bajada segundos TSTEP
<pw> ancho del pulso
(tiempo en que la seal se
mantiene a <v2>)
segundos TSTOP
<per> periodo segundos TSTOP
Ejemplo: V<nombre> <nodo+> <nodo-> PULSE(0.5 3 2 0.1 0.2 0.9 3)
0s 2s 4s 6s 8s 10s 12s
Time
v
4.0V
3.0V
2.0V
1.0V
0V
C1 =
C2 =
dif=
2.1053, 3.0000
3.0947, 3.0000
-989.474m, 0.000
v
Transient Spec Type: PULSE
V1 : .5
V2 : 3
TD : 2
TR : .1
TF : .2
PW : 1
PER: 3
Seno
Sintaxis:
SIN (<voff> <vampl> <freq> <td> <df> <fase>)
<voff> voltaje de offset voltios ninguno
<vampl> amplitud de pico voltios ninguno
<freq> frecuencia Hertzios 1/TSTOP
<td> delay segundos 0
<df> factor de decaimiento segundos
-1
0
<fase> fase grados 0
v t
voff vampl fase td
voff vampl freq t td fase e td
t td df
( )
sen( / )
sen( ( ( ) / ))
( )
=
+
+ +

2 360
2 360
para0 < t <

para < t
Ejemplo: V<nombre> <nodo+> <nodo-> SIN(1 3 1K 0.5E-3 100 45)
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms
Time
v
4.0V
2.0V
0V
-2.0V
v
Transient Spec Type: SIN
VOFF : 1
VAMPL:3
FREQ : 1.000E3
TD : 500.0E-6
DF : 500
PHASE:45
Modulacion de FM por un tono (SFFM)
Sintaxis:
SFFM (<voff> <vampl> <fc> <mod> <fm>)
<voff> voltaje de offset voltios ninguno
<vampl> amplitud de pico voltios ninguno
<fc> frecuencia de la portadora Hertzios 1/TSTOP
<mod> ndice de modulacin - 0
<fm> frecuencia de la moduladora Hertzios 1/TSTOP
v t voff vampl sin fc t sin fm t ( ) ( mod ( )) = + + 2 2
Ejemplo: V<nombre> <nodo+> <nodo-> SFFM(1 0.5 10E3 5 1E3)
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
Time
v
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0V
v
Transient Spec Type: SFFM
VOFF : 1
VAMPL:.5
FC : 10.00E3
MOD : 5
FM : 1.000E3
Apndice E: Funciones 167
Apndice E: Funciones
Las siguientes funciones se pueden usar en PSpice, (en expresiones y con la opcin "VALUE" en las
fuentes controladas por tensin) y en el programa PROBE.
FUNCIN DESCRIPCIN PSPICE PROBE
ABS(x) |x| X X
SGN(x)
+1 (si x > 0)
0 (si x = 0)
-1 (si x < 0)
-- X
SQRT(x)
x
X X
EXP(x) e
x
X X
LOG(x) ln|x| X X
LOG10(x) log|x| X X
M(x) Magnitud (mdulo) de x -- X
P(x) Fase de x -- X
R(x) Parte real de x -- X
IMG(x) Parte imaginaria de x -- X
G(x) Retraso de grupo de x -- X
PWR(x,y) |x|
y
X X
PWRS(x,y) |x|
y
(si x > 0)
-|x|
y
(si x < 0)
X --
SIN(x) sen(x) {x en radianes} X X
COS(x) cos(x) {x en radianes} X X
TAN(x) tg(x) {x en radianes} X X
ATAN(x) arctg(x) {resultado en radianes} X X
ARCTAN(x) mismo resultado que ATAN(x) X X
LIMIT(x,min,max) min (si x < min)
x (si min < x < max)
max (si x > max)
X --
TABLE(x,x
1
,y
1
,
x
2
,y
2,
.
..x
n
,y
n
)
Proporciona el valor de "y" correspondiente a "x" al interpolar
los pares de valores "x
n
,y
n
". Y si "x" es mayor que el "max x
n
", "y" tomar el valor asociado al "max x
n
" o si "x" es menor
que el "min x
n
", "y" tomar el valor asociado al "min x
n
"
X --
d(x) Derivada de x con respecto
a la variable del eje X
-- X
s(x) Integral de la variable x sobre el rango activo del eje X -- X
AVG(x) Valor medio de la variable x sobre el rango activo del eje X -- X
AVG(x) Valor medio de la variable x (desde x-d hasta x) sobre el rango
activo del eje X
-- X
RMS(x) Valor eficaz de la variable x sobre el rango activo del eje X -- X
DB(x) Magnitud de x en decibelios -- X
MIN(x) Mnimo de la parte real de x -- X
MAX(x) Mximo de la parte real de x -- X
Apndice F: Variables de salida
169
Apndice F: Variables de Salida
Las convencines usada para denominar variables en ".PRINT", ".PLOT" y ".PROBE" son las si-
guientes:
<salida>[terminal][terminal][sufijo para .AC](<nombre|nodo>[,nodo])
<salida>[sufijo para .AC](<nodo+>[,nodo-])
<salida>: tipo de magnitud de salida (voltaje V o corriente I)
[terminal]: especifica el terminal . Si la magnitud es corriente esta opcin slo tiene sentido en
dispositivos con ms de dos terminales. Los valores posibles son:
1: terminal positivo de un dispositivo de 2 terminales.
2: terminal negativo de un dispositivo de 2 terminales.
C: colector de un transistor bipolar. Ex: VC(Q1).
B: base de un transistor bipolar. Ex: VB(Q1).
E: emisor de un transistor bipolar. Ex: VE(Q1).
D: drenador de un transistor FET, MOSFET o MESFET. Ex: VD(M1).
G: puerta de un transistor FET, MOSFET o MESFET. Ex: VG(M1).
S: surtidor de un transistor FET, MOSFET o MESFET. Ex: VS(M1)
o substrato de un transistor bipolar.
B: substrato de un transistor FET, MOSFET o MESFET.
[sufijo para .AC]: en el caso de un anlisis AC se puede especificar las siguientes caractersticas de
la magnitud:
M: magnitud
DB: magnitud en dB
P: fase
G: retraso de grupo
R: parte real
I: parte imaginaria
si no se especifica nada se entiende la magnitud.
(<nombre|nodo>[,nodo]): nombre de un nodo o de un dispositivo.
Las formas V(<nombre>) y Vxy(<nombre>) no se admiten en PROBE, pero s est permitida la
forma: Vx(<nombre>).
Segn esta convencin las formas permitidas, sin considerar los sufijos para AC, son:
V(<nodo>): tensin del nodo indicado con respecto a la masa . Ex: V(5)
V(<nombre>): tensin entre los terminales del dispositivo de dos terminales <nombre> (no
vlido en PROBE). Ex: V(R1)
V(<nodo+>,<nodo->): tensin entre el nodo+ y el nodo-. Ex: V(4,3)
Vx(<nombre>): tensin con respecto a la masa del terminal "x" del dispositivo indicado con
"nombre". Ex: VB(Q1)
Vxy(<nombre>): tensin entre el terminal "x" y el "y" del dispositivo indicado con "nombre"
(no vlido en PROBE). Ex: VGS(M1)
I(<nombre>): corriente a travs de un dispositivo de dos terminales. <nombre> debe co-
rresponder a un dispositivo de dos terminales. Ex: I(CIN).
Ix(<nombre>): corriente entrante por el terminal "x" del dispositivo de ms de 2 terminales
<nombre>. El significado de x es el indicado anteriormente con la excepcin de que no
estn permitidos los valores 1 o 2 ya que hacen referencia a dispositivos de dos terminales.
Ex: IB(Q1).
Apndice G: Prefijos 171
Apndice G: Prefijos
A continuacin se muestran los prefijos admitidos en PSpice. No se distingue entre maysculas y
minsculas.
SMBOLO FACTOR NOMBRE
F 10
-15
femto-
P 10
-12
pico-
N 10
-9
nano-
U 10
-6
micro-
MIL 25.410
-6
---
M (m*) 10
-3
mili-
K 10
3
kilo-
MEG (M*) 10
6
mega-
G 10
9
giga-
T 10
12
tera-
*NOTA: Las letras marcadas con "" son las vlidas para PROBE, es decir, en PROBE cambian los
prefijos "M" (10
-3
) por "m" y "MEG" (10
6
) por "M". En el resto de prefijos es indiferente el uso de
maysculas o minsculas.
Apndice H: Convenciones sobre el fichero de circuito 173
Apndice H: Convenciones sobre el fichero de circuito
La estructura del fichero de circuito ha de seguir las siguientes convenciones:
La primera lnea (y slo ella) es la lnea de ttulo y puede contener cualquier tipo de texto.
Esta lnea tiene un uso exclusivamente de documentacin
La ltima lnea debe ser una sentencia ".END"
Las lneas de comentario se marcan con un "" en la primera columna y pueden contener
cualquier texto
Una lnea se puede continuar poniendo un "+" en la primera columna de lnea en la que
contina
El orden en que se introduzcan los dispositivos no es significativo puesto que las conexio-
nes entre ellos se determinan por el nombre de los nodos
El orden entre las sentencias de control y la declaracin de los dispositivos es indiferente
excepto para:
- la lnea de ttulo (debe ser la primera)
- las definiciones de subcircuitos
- la sentencia ".OP" con el parmetro "NOECHO"
- la sentencia ".END"
Si un comando u opcin se especifica ms de una vez se usa la ltima declaracin. Esto no
se aplica con:
- ".LIB"
- ".PRINT"
- ".PLOT"
- ".PROBE"
En estos casos se usan todas las declaraciones.
Los nombres y las palabras reservadas (keywords) pueden estar en maysculas o minsculas
Las tabulaciones y las comas son equivalentes a los espacios en blanco. Excepto en la lnea
de ttulo la cantidad de ellos entre diversos elementos no son significativoS
Bibliografa 175
Bibliografia
[REF93] MICROSIM.; Circuit AnalysisRefence Manual. Irvine, MicroSim, 1993.
[USER93] MICROSIM.; Circuit AnalysisUser's Guide. Irvine, MicroSim, 1993.
[TUIN88] TUINENGA P.; SPICE: a guide to circuit simulation using PSpice. New Jersey,
Prentice-Hall, 1988.
[RASH94] RASHID P.; SPICE for Circuits and Electronics Using PSPICE. New Jersey,
Prentice-Hall, 1994.
[GARIB95] GARCIA E.; IBAEZ J.; GIL L.; PSpice. Simulacin y Anlisis de Circuitos asistida
por ordenador. Madrid, Paraninfo, 1995.
[ANT87] ANTOGNETTI P.; MASSOBRIO G.; Semiconductor device modeling with SPICE. New
York, McGraw-Hill, 1987.
[NILSS94] NILSSON J.; RIEDEL S.; Introduccin a PSpice. Delaware, Addison-Wesley, 1994.
[JILAT86] D.C. JILES; D.L. ATHERTON; "Theory of ferromagnetic hysteresis". Journal of
Magnetism and Magnetic Material, 1986
[MACR91] A.J. CONNELLY; P. CHOI; Macromodeling with SPICE. New Jersey, Prentice-Hall,
1991.

Simulacion Analogica Basada en SPICE

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Simulacion Analogica Basada en SPICE

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Presentacin 7

**** INITIAL TRANSIENT SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C

variable de salida >

< variable de salida >

**** DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C

**** DC SENSITIVITY ANALYSIS TEMPERATURE = 27.000 DEG C

Consltese bibliografa especializada

Consltese bibliografa especializada

Consltese bibliografa especializada

Consltese bibliografa especializada

Consltese bibliografa especializada

para0 < t <

You might also like