• Embed Doc
  • Copy Link
  • Readcast
  • Collections
  • CommentGo Back
Download
 
Diseinu eta Simulazio Elektronikoa1
SEMINARIO 2009-03-04 Amp. Monoetapa
ANÁLISIS EN CONTINUA
(calculamos el punto Q)
 
Q es un BJT de tipo NPN
C  B E 
I  I  I 
+=
 Suponemos Q en ACTIVA
( )
B B B E  BC  ON  BE  BE 
 I  I  I  I  I  I  vV V 
⋅+=⋅+=
⇒
⋅===
 β  β  β 
17.0
,
 
( )( )( )
mA I  I  A I   I  I  I V  I  I V  I entradadeMalla I  I 
 BC  B B B BON  BE  B  E ON  BE  B  BC 
101.010010 01010012.97.01.9 01012.91.9 0102.91.9 ??
,,
=⋅=⋅=
⇒
==+⋅+⋅−−− =+⋅+⋅−−− =−−−−−
⇒⇒
 β  µ  β 
 
( )( )( )
correctaSuposiciónV vvV  V  I  I V  I   I V  I  salidadeMallaV 
SAT CE CE CE C  BCE C   E CE C CE 
⇒
=>==++⋅−−⋅− =++⋅−−− =−−−−−
⇒
,
2.010 010101.02.9168.010 0102.968.010 0102.968.010 ? 
 
Diseinu eta Simulazio Elektronikoa2
ANÁLISIS EN ALTERNA
(calculamos
 sal ent 
R y Rv
,
∆
)
( )( )
( )( )
 K  I V h K  R R R  Rhh RhvV V vV V V V V V v
 BQT ie L E  L L feie L feCC S  I CC S  I  I  LS  L
6.201.0026.08.4102.9 102.9 995.08.411006.2 8.41100 11984.0989.0995.0
'''
====+⋅===⋅++⋅+=⋅++⋅+=∆=⋅=⋅∆=⋅==∆
 
( )
( )
Ω=+⋅==Ω=+⋅=+⋅=Ω=+⋅===⋅++=⋅++= =+⋅===+=+=⋅+=
991.91.0 1.91.0 251100099.06.2 125025.02.9 025.02.9 4.4878.411006.21 93.84.4871.9 4.4871.9 989.093.81.0 93.8
'''
 BS S  feS ieOO E  sal  L feie I   I  Bent ent S ent S ent ent S S S  I 
 R R Rh Rh R R R R K  Rhh R  K  R R R  R R RV  R R RV V V 
CC CC CC CC 
 
VsRs100
RentVo
 
Diseinu eta Simulazio Elektronikoa3
Vi1k
10v50k
C11k
Q1C320k
|I
DS
|=10mA|V
T
|=3v
R
ent
R
sal
V
L
 
ANÁLISIS EN CONTINUA
(calculamos el punto Q)
 
JFET de canal nV
GS
=0
SATURACIÓN
mA I V V  I  I 
 DT GS  DS  D
10301101
22
=
    
−−⋅=
    
−⋅=
 
vV V  salidadeMallaV 
 DS  DS  DS 
10010120 ?
==−⋅−
⇒
 Comprobamos que el transitor está en saturación
3100
>+>+
T  DS GS 
V V V 
 
1k
10v50k
Q1
V
GS
V
DS
I
D
of 00

Leave a Comment

You must be to leave a comment.
Submit
Characters: ...
You must be to leave a comment.
Submit
Characters: ...