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TP diode

TP diode

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République Algérienne Démocratique et PopulaireMINISTERE DE L'ENSIEGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHESCIENTIFIQUE
UNIVERSITE MOHAMED KHAIDER BISKRA
FACULTE DES SCIENCES ET SCIENCES DE L'INGENIEUR.
DEPARTEMENT D'ELECTRONIQUE.
RAPPORT DE TP
N°2:
Présenté par: Proposé et dirigé par :
Dahane Abderrahim
Gazzel Hichem
Djella Samir
1
 
INTRODUCTION
L
a diode est le semi-conducteur de base : on ne peut pas combiner dusilicium dopé plus simplement.Son fonctionnement macroscopique est assimilable à celui d'un interrupteur commandé qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique.C'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur et autoriser la fabrication d'alimentations stabilisées qui sont obligatoires dansla plupart des montages électroniques. On conçoit donc que si ce composantest basique, ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas moinsfondamental !
Dans la catégorie des diodes, on trouve aussi des diodes de régulation, ditesdiodes zéner, qui ont un comportement de source de tension. Cette propriétéva permettre d'élaborer autour de ce composant simple toute une série demontages délivrant une ou plusieurs tensions continues.
La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors desdiodes à vide (les lampes) dont le fonctionnement était basé sur l'effetthermoélectronique. Le silicium a apporté les avantages suivants : coût,fiabilité, encombrement, simplicité d'utilisation
2
 
Etude Théorique
1 – La diode : un dipôle non linéaire1.1 – Diode idéale
C
est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes sontl’anode
(A)
et la cathode
(K).
En polarisation directe c’est-à-dire si
UA > UK
la résistance deLa diode est nulle. Elle se comporte alors comme un interrupteur fermé.
En polarisation inverse
(UA < UK),
on a :
R = ∞
. La diode estéquivalente à un interrupteur ouvert. 
-
Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance
.
1.2 – Diode réelle à semi-conducteur
 
L
’anode est la zone
"P"
d’une jonction
"P-N".
La zone de type
"N"
est lacathode. En polarisation inverse, le courant inverse est très faiblemais il croît rapidement avec la température de la jonction.
P
 
En polarisation directe, au-delà de la tension de seuil
(VS ≈0,6 VU pour le silicium)
,
la diode est conductrice. On peut définir en chaque U seuilpoint P de la caractéristique une résistance statique (trait bleu) :nA
 RS = V/I
et une résistance dynamique (trait vert) :
D
= dV/dI
. 
Fig. 2
Au-delà de la tension de seuil, la résistance dynamique est sensiblement constante.
3

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