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lntensrdad de cornente AMPERiO de electricidad Cantidao CULOMBIO V o l t a 1 eF u e r z a e l e c t r o m o t r i z VOLTIO Re s i s t e n c r a OHMIO Capaodad FARADIO Conductancia SIEMENS magntrca F l u j od e i n d u c c i n WEBER magntica lnduccin TESLA Inductancia HENRIO Densidadde corriente A M P E R I OP O R M E T R O ' Intensidad d e c a m p oe l c t r i c o V O L T I OP O R M E T R O Intensrdade campomagntico A M P E R I OP O R M E T B O Cargavolmica C U L O M B I OP O R M E T R O 3 Desplazamiento elctrco C U L O M B I OP O R M E T R O ' Permitividad FARADIO POR METRO Permeabilidad H E N R I OP O R M E T R O Energa- Trabajo- Cantidadde calor JULIO Potencia VATIO Frecuencia HERCIO
A A=V/9;=W// \. C= s ' A V=WA,V=AQ f2 = V/A,g: WAr: O = V'A/'/ F F=CN,F=A.s& S S=A//;S=1/O Wb Wb=V.s T T = Wb/m' H ; =Q.s H = W B / AH ; =V.s/AH Nm' V/m Ailm
C/m3 C/m2
1 f r a n k l r n /= s 3 , 3 3 5 6. 1 0 ' A 1 o r o t= l 0 A = 1, 6 0 2 . 1 0 ' C 1 f n i d a do e c a r g ad e l e l e c t r n
Flm H/m = 1,2566.10" H/m 1 Gauss/Oersted = 107J l k i l o g r m e t= r9 o , 8 1J l ergio = 4,185J = 1,356 1 pie- libra fuerza J 1 calora -hora = 3,6. 1Cl6 = 106 J 1 kilovatio 1 terma cal = 1,6022.10-1s 1 electrovoltio J W W t hp = 745,70 1 CV = 735,75 = 0.293W 1 Btu/hora
W W=Jis Hz s-1
vale: Paraun conductor de longitudL y seccinS, su resistencia Laintensidaddeconientequecirculaentredospuntosdeuncircuitoesdirec(U)existente entreambos de potencial a ladiferencia tamenteproporcional (R) puntos. L proporcionala puntos laresistencia entredichos e inversamente ^ R=P'^ U J t = _ 6 g = l . R p = resistividad en Q . mm' /m (vertabla) del material del conductor R R se mideen Q, con L en metrosy S en mm2. I se mide en amperios, con U en voltiosy R en ohmios.
(Q . mm' /m) RESISTIVIDADES
Aluminio 0,028 Carbn 35,00 Constantn 0.50 Cobre 0.0172 Hierro 0,10 Latn 0,07 Manganina 0,46 Mercurio 0,94
5 ' 1020 102' 2 . 1gt:- 2 .1gzo 75 .1gzz - 10' 5 10'e - 1017 1014 - 1021 1017 - ' 1020 10'6
Conductanciade un conductor:
l ,f r e d o a t e r i ao , e d e t e r m i n a dm du e u n c o n d u c t o r M i d el af a c i l i d a q Es la^inversa de la resistencia. ce al pasode la corriente.
J
Ley de Joule:
I al cabode un tiempo t unaintensidad en unaresistencia R,porlaquepasa Determina el calor disipado O=l' .R.t y t en segundos R en ohmios con I en amperios, O en julios,
R,
---t
Potencia elctricaen una resistencia:
p o r c i nd e c i r c u i t oe n t r e c u y o s por cualquier La potencia absorbida p u n t o se x t r e m o s l y u n ar e s i s t e n c i a V e x i s t eu n a d i f e r e n c i a de potencra R y p o r e l q u e p a s au n a i n t e n s i d a d l, es. U' P= U.l=-=l:.R R P s e m i d e e n v a t i o s ,c o n U e n v o i t i o s ,I e n a m p e r i o s y F en ohmros
1 R,
R.
1 +
R2
1 1 +...+ R-
Le'de Coulomb:
Expresa l a f u e r z ad e s a r r o i i a de d unadtstancra ai r l r c d o s c a r q a se i e c i . . o s O I r O 2 , s e p a r a d a s
o .'J
F = 4.t.d
I 4 2,5a 3,5 2,9 2,5 2,1 2 3,6 3.5 1, 8 5 2,8 2,7 a 2,95
Mrca frno Vrdrro Vrdrro rdrnarro C r i s t ac l omn Cuarzo Agua Nylon Polietileno Baquelita P a r arfn a A l c o h o le t l i c o( O q C ) A l c o h o le t l i c o( - 1 2 O a C )
A , ' ; o b oe l i l r;o(cogelado) 2,1 Ssnceno 2,3 G tc e r r n a 56,0 Petrleo 2 Arqu'trn 1,8 Cermrca 5,5 lvladera 2,5 a B llrmol B Celuloide 4 A r h d r ' r dc oa r b n r c o 1, 0 0 0 9 8 5 V a p o rd e a g u a ( 4 a t m ) 1,00705 A,re 1,00059
Capacidadde un condensador:
Es el cociente entre la carga de sus placas(O) y la diferenciade potenciaiexistente entre ellas (U)
C= U
c,o nO e n c u l o m b i oy s U en voltios. C s e m i d ee n f a r a d i o s
IHHH:F
cl c2 c3 c4 1-+ 1 -= cr cl 1 c2 cn 1 1 1 +-+--.+c3 c4 cn
.{.,1..1..1 cil
TTTT I
Cn Cr = Cl + Cr+ C. + Co+--+
W - -
: z
1 o U 2 o C - -
;
L
. O . U
Flujo magntico:
(0)a travs es el nmero totalde Elflujomagntico de unasuperficie que la atraviesan. lneas de fuerza $ se mideen weber.
Induccin magntica:
de superficie. de flujo,es decir,es el flujopor unidad Es la densidad en webersy la Se mide en Teslas(T] cuandoel flujo se expresa seccin en m2. q B = S magntica: B ,= H
Permeabilidad
paraun determinado con material, sinoque vara F no es constante (curvas de Pistoye). la induccin En el vaco: Vo=4n. l0t henrios/m. relativa de un material es $, = p/Fo La permeabilidad
o
t
Densidadde corriente:
Es la intensidadde corrientepor unidadde seccin (A/m:) R
.\- _
S
t se mide en segundos,con R en ohmios y C en faradios
T e n s i n c i n t e n s i d a dc f i c a c e s :
I t t _ t -
Angulo de desfasevoltaje-intensidad:
1
, a
X _XR
m s x r m a s U . .e 1 . . e intensrdade sontenslones
Tensine intensidadmedias:
Se refieren a un semrciclo
2'U'.'
2.1
Reactancia capacitiva:
1 Xc= 2n.f.C X. en ohmios, con f (frecuencia) en herciosy C en faradios
Reactanciainductiva:
X.=2n'f'L X. en ohmios, con f en herciosy L en henrios.
u = U" sen2.f.t
U
Potenciaaparente monofsica:
=U l
S en VA.
%u: U:
/ru'
lJ.u
t: S: P.
o:
cos ?:
porfase Tensin Tensin entreconductores en la fase Corriente Corriente en el conductor Potencia aoarente Potencia activa reactva Potencia Factor de potencia
"str / -- /ao
U _.-_
fJ
s={T.u.l s=,rP'Toz
P= { T . U l - c o s q O={3. IJ'I' senq
lSl= VA tfl=w
[O] = VAr
r= {s tu s =r F . u . /
S = r-p4foz p={ l u .t . c o s p O=-rc.U.l.senq
lS] = VA
Pr: P,:
Circuitos trifsicosperturbados:
en estrella Circuito Fallo en Circuito Fallo oe un con- de dos faductor ex- S E S terior extenor de una fasey de un conductor
de un conductor de una exteriorde dos conductores o de unafase exteriores o de dos fases {^^^ conN
p-_
s i nN
1 P
D D
con N 1
D , D
sinN
2 3
2
P =
I
D D _ D D _
1
D
"
'
3
D -
1
D
p - _ P
3
P . P o t e n c ie an c a s od e f a l l o ; P .PoIerl,:a origrna slr n lc ; N . n e , : t r o
sAr,rD
' =
1 t . l (
o __\yrn
I e n h e r c r o sc , on L en henros y C en faradios
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F r e c u e n c i ad e c o r t e d e u n f i l f r o p a s a b a n d a :
P e r m i t ee l p a s o d e l a s f r e c u e ca s c o m o r e n d r d a e sn t r eu n a t r e c u e n . . . a4 a c o ' , e s u p ? ' o ' \ o ' . ' 1" ' o t ,
C
C l:rrraroa
| ! sLDA
' - - r [ ,t
d e l a b a n d ao La frecuencra ' a s a n t ee s . f =
- , ,
f en hercios, c o n L e n h e n r i o sy C e n f a r a d i o s .
)-. | ,I L . -
La frecuenciacentralde la bandaeliminadaes.
f
1
=---=:
'
2/LC
La anchurade bandaeliminada dependedel factor de calidad(O)del fildeterminaen la seleccin de una frecuencia tro, que mide su agudeza da (a mayor calidad,menor anchurade banda que acompaaa la frecuenciaseleccionada). fc anchurade banda = -
z.'fl.c
3acifra* 0 'I
z
Multiplicador
* Tolerancia*
+1o/o +2o/o x5V:o
100 10'
102 103 'r00 '105 106 10' 108 10e
4
6 o
4
6
8
o
I :
10{ 10'
y violeta, rojo, amarillo Ejemplos: concolores Unaresistencia vale: oro (en este orden), R=270000+57o marrn, verde,platay con colores amarillo, Una resistencia rojovale: R=4,5+2Vo
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Negro Marrn Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco
0 1 2
e
1
I ?
4 5
b
4
o tt
0,570
350
10 1,6 4 40 6,3
to
8 9
10%
1o/o
25 2,5
E verde;V azul B roja;D amarilla; A naranja; con fran.ia Condensador Ejemplo: = 630 V. = 5%;tensin = 320000 pF;tolerancia de trabaio Capacidad
B A_ B_ D-
T -
A B D
T
TC
C o n d e n s a d od r e mrca o lngls C d i g oA m e r r c a n o
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Diodos:
Esquema Diodo Valores caracterstrcos Diodos de silicio:
"ro
Aplicaciones Diodos de silicio: Diodosrectificadoreshastala gama de mxima potencia. Conmutadorpor diodos,por elemplo,proteccrn contrainversin de polaridad Diodo limitadorparapequeastensiones
A K ---> f'rl vl
lF
-----+
r'l
Diodo Z
en Efectoestabilizador al trabajar
^
td vvo
^^^^
uY
!^
^^.-^-^
vot I Yt o .
+#j t1uz
Diodo Schottky (esquema no normalizado)
Estabrlizacin o limitacin de tensionescontinuas Conexinen contrafase de diodosZ y diodos normales formandodiodosde referencia con una dependencra muy reducidarespectoa la temperatura DiodosTAZ (Transient AbsorptionZenerl,paraproteger contraountasde tensindemasiado elevadas
Conmutadorpor diodossumamenterpidoparatcnica de AF y microondasf>15 GHz Circuitosintegrados de la tcnicadigital Rectificadores en fuentes de alimentacin de circuitos
!#
lr
q,
Posicionador de corriente continua hastaunagamade potencias medias. < 1.200 V Tensin s 400 A Corriente
y contactores Controles de cortede fase.relselectrnicos y medianas potencias. en la gamade pequeas hasta1.200V. corrientes Tensiones hastaaprox. 300 A.
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bipolares: Transistores
NPN Transistor
'E
=l^+l^ l.
lB =Ucetla+Urr.l,
TransistorPNP
,+
I
I u^^ '"'u-.
lu^-
B+ -''-'
l-r.,
l-r
I'c
tot
-uce'lc
1,,,
ll.
1'.
Ucc
H
SALIDA 'c
p=I
- u., U..
R. , = tensrn c o l e c t o r - e m i s o r ( VR ); = reU . = t e n s i n d e s a l i d a NU ); (Q). s i s t e n c rd ae c o l e c t o r La corrente de base (A)es. lc
t _
-s
It l i = Q a n a n c rd ae l i r a n s s t o r
=20.tog
il
= 20.1o9
I i
l r !
14
'fcnsin
2V
t r a
Tiristor
Triac
entreC y E, siempremarcon un polmetro Un transistor comprobado o de polarizacin en un sentido caro. Entrebase y emisoro colector qu borna en la es la que colocamos y en el otro resistenca. Mirando de sta y por tanto si base podemos conocer la polaridad o NPN. el transstor es PNP
Transistor
(G) puerta y o al igual y T2.Entre queentrepuerta T2y T1 siempre Entre resistencia. T1 en losdossentidos.
Distribucin de patillas en circuitos integrados DOSEN lN LINE, losDIL(DUAL dostipos de encapsulados, Existen y loslL (lNLINE, que sonmetlicos. ENLINEA) L|NEA)
es oor lo tanto NPN. Estetransistor paraellose y el emisor, cules el colector Tambin se puededistinguir eligeel terminalsupuestocomo colectory se le aplicala bornadel polmetro acordea su polaridad(+ si es NPN y - si es PNP)y la otra @,perocolocando entre unaresistencia al emisor,darcomo resistencia la resistencia baiar. es correcta el colectorv la basesi la suposicin
{ o
d siempreo, quieredecir esta operacn En casode que realizando como que el colectorest mal supuesto, tomandoel otro termnal y repitiendo s debede darcorrectamente. la operacin colector
R.,
Yry/
o l l
LADO PATILLAS
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