Qué son los Transistores : Definición
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodosprincipales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentementeutilizados para la fabricación de los elementos semiconductores. Los transistores puedenefectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo laampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas.
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas dematerial tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primerose le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
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EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es laequivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
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BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente ala REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
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COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor esla equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
Ventajas de los transistores electrónicos
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El consumo de energía es sensiblemente bajo.
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El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
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Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
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Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
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No necesita tiempo de calentamiento.
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Resistencia mecánica elevada.
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Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad.
Tipos de Transistores
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Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )
- BJT,
de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el procesode inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.
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Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET,MOSFET )
-
JFET,
De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué elprimer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contactoóhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
- MESFET,
transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET,
transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estoscomponentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva,y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.
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Transistores HBT y HEMT.
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras
Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura)
y
Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad).
Sondispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, condistinto salto de banda prohibida.
Transistor IGBT
Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E)El
transistor bipolar de puerta aislada
(
IGBT
, delinglés
Insulated Gate Bipolar Transistor
) es undispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos deelectrónica de potencia.Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de lostransistores deefecto campocon la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación deltransistor bipolar , combinando una puerta aisladaFETpara la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación delIGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción soncomo las del BJT.Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en losVariadores de frecuenciaasí como en las aplicaciones enmaquinas eléctricasy
convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin queseamos particularmente conscientes de eso:automóvil,tren,metro,autobús,avión,
barco,ascensor,electrodoméstico,televisión,domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
Características
Sección de un IGBTEl IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20KHzy ha sustituidoal BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energíacomofuente conmutada,control de la tracción en motores ycocina de inducción.
Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos deamperioscon voltajes de bloqueo de 6.000voltios.Se puede concebir el IGBT como untransistor darlingtonhíbrido. Tiene la capacidad demanejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base paramantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electronica de potencia esintermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundossiendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.Circuito equivalentede un IGBTEste es un dispositivo para la conmutación en sistemas dealta tensión. La tensión decontrol de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
SIMBOLOGIA DE LOS TRANSISTORES
Transistor Bipolar de Unión (BJT)Transistor de Efecto de Campo, deUnión (JFET)
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