Tiristores

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

Caractersticas de los tiristores:

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J 1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.

Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn.

La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1v. En el estado activo, la corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH, se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debido al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. Esto significa que IL>IH. La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las unioneJ1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.

Modelo de tiristor de dos transistores:

La accin regenerativa o de enganche debido a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q 1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3.

Fig. 2. Modelo de tiristor de dos terminales. La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como: IC = IE + ICBO (1) La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1): IC1 =
1IA

+ ICBO1 (2)

donde 1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es: IC2 =
2IK

+ ICBO2 (3)

donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos: IA = IC1 + IC2 =
1 IA

+ ICBO1 +

2 IK

+ ICBO2 (4)

Pero para una corriente de compuerta igual a IG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin anterior en funcin de IA obtenemos: IA =
2IG

+ICBO1+ICBO2 / 1- (

2)

Activacin del tiristor:

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas: TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que 1 y 2 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita. LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio. ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar. dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores. CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, podiendo llegar a activarse.

Tipos de tiristores:
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en ocho categoras:

1. Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR). 2. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). 3. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). 4. Tiristores de conduccin inversa (RTC). 5. Tiristores de induccin esttica (SITH). 6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR). 7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH). 8. Tiristores controlados por MOS (MCT).

Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN. Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn.

Figura 3. Smbolo del SCR. Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A. Un SCR. 1. Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO 2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente iG, presente en el SCR 3. Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH 4. Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.

Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).

Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente i D excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.

Figura 4. Smbolo del GTO. Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.

Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.

Figura 5. Smbolo del TRIAC.

Tiristores de conduccin inversa (RTC).

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo. Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

Figura 6. Tiristor de conduccin inversa.

Tiristores de induccin esttica (SITH).

Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas. Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.

Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR).

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico s.

Tiristores controlados por FET (FET-CTH).

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto. Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

Figura 6. Estructura FET-CTH.

Tiristores controlados por MOS (MCT).

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q 1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2. Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q 1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2. Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VGA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2 de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desva la corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.

Figura 7. Estructura MCT.

Un MCT tiene: 1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin; 2. Un tiempo de activado rpido, s, y un tiempo de desactivado s, para un MCT de 300A, 500v; 3. Bajas perdidas de conmutacin; 4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso. 5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado.

Transistores:
Los transistores son utilizados como interruptores electrnicos de potencia. Los circuitos de excitacin de estos se disean para que stos estn completamente saturados (activados) o en corte (desactivados). Los transistores tienen la ventaja de que proporcionan un control de activacin y de desactivacin, mientras que el SCR slo dispone de control de activacin. Se utilizan los transistores de unin bipolar (BJT), los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los de unin bipolar de puerta aislada (IGBT). El BJT es un dispositivo controlado por corriente. El MOSFET es un dispositivo controlado por tensin, el circuito de excitacin es ms sencillo que el utilizado en un BJT. El IGBT es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin es como el de un MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Este dispositivo es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta aproximadamente 20 kHz.

Figura 8. Smbolo del transistor bipolar.

Diodos:

Es el interruptor electrnico ms simple. No se puede controlar, en el sentido de que son las tensiones y corrientes del circuito las que determinan el estado de conduccin y de corte del diodo. El diodo est polarizado en directa cuando la corriente que lo atraviesa es positiva, es decir cuando esta circula desde el nodo hacia el ctodo y est polarizado en inversa cuando la tensin entre el nodo y ctodo es negativa. Una caracterstica dinmica importante de un diodo real es la corriente de recuperacin inversa, esta es la corriente negativa que circula por el diodo al pasar de conduccin a corte antes de que alcance el valor cero. El tiempo de recuperacin es normalmente inferior a 1 s.

Figura 9. Smbolo del diodo.

Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, as como otros derivados de stos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunin o UJT, el transistor uniunin programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de caractersticas especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO). Lo ms importante a considerar de estos dispositivos, es la curva caracterstica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la cada de tensin entre los electrodos principales. El componente bsico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequea potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando est en estado de bloqueo, con pequeas cadas de tensin entre sus electrodos, cuando est en estado de conduccin. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El ltimo requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habr una mayor disipacin de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Ahora veremos los tres bloques bsicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales:

Semiconductores de alta potencia Dispositivo Intensidad mxima

Rectificadores estndar o rpidos 50 a 4800 Amperios Transistores de potencia Tiristores estndar o rpidos GTO 5 a 400 Amperios 40 a 2300 Amperios 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones:

Traccin elctrica: troceadores y convertidores. Industria: o Control de motores asncronos. o Inversores. o Caldeo inductivo. o Rectificadores. o Etc.

Mdulos de potencia Dispositivo Mdulos de transistores Intensidad mxima 5 a 600 A. 1600 V.

SCR / mdulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V. Mdulos GTO IGBT 100 a 200 A. 1200 V. 50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones:

Soldadura al arco. Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI). Control de motores. Traccin elctrica.

Semiconductores de baja potencia Dispositivo Intensidad mxima SCR Triac Mosfet Aplicaciones :

0'8 a 40 A. 1200 V. 0'8 a 40 A. 800 V 2 a 40 A. 900 V.

Control de motores. aplicaciones domsticas. Cargadores de bateras. Control de iluminacin. Control numrico. Ordenadores, etc.

Aplicaciones generales: evolucin prctica