1.

DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

1.1. SURSE DE LUMIN n optoelectronic sunt sunt folosite dou mari familii de surse luminoase: diodele electroluminiscente i diodele laser. A. Diode electroluminiscente LED = Light Emitting Diode generator semiconductor de fotoni n spectru vizibil IRED = Infrared Emitting Diode generator semiconductor de fotoni n spectru infrarou Procesul de generare a luminii n LED sau laser este determinat de procesul de recombinare a electronilor i golurilor ntr-o jonciune pn cu degajare de fotoni. Acest efect este numit electroluminiscen. Pentru a favoriza recombinarea radiant n jonciuni i heterojonciuni semiconductoare, deci i procesele de emisie a radiaiei electromagnetice, este necesar s se creeze acele stri de neechilibru n care concentraia purttorilor de sarcin minoritari s fie mult mai mare dect concentraia lor la echilibru. n cazul dispozitivelor electroluminiscente, care transform energia electric n energie a radiaiei luminoase, mecanismul prin care se creaz strile de neechilibru este injecia purttorilor de sarcin minoritari. Acesta este cazul concret al jonciunilor i heterojonciunilor p-n polarizate direct. Purttorii injectai n jonciunea p-n vor participa la dou mecanisme de recombinare concurente: recombinare radiant cu emisie de fotoni (doar cteva procente). n acest caz dominante sunt mecanismele de recombinare radiant band-band (fotonii emii au o energie de ordinul lrgimii benzii interzise) i mecanismele de recombinare radiant pe centre de recombinare (fotonii emii au o energie puin mai mic dect lrgimea benzii interzise) recombinare neradiant cu emisie de fononi (energia se disip sub form termic) Exemple de semiconductori care au o structur de benzi direct (punctele de extremum al benzilor energetice, adic minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen, se gsesc la aceeai valoare a vectorului de und) sunt: GaAs, InP, GaSb, AlGaAs, GaAsP. La acetia procesul de recombinare radiant band-band este predominant. Exemple de semiconductori care au o structur de benzi indirect (punctele de extremum al benzilor energetice, adic minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen, se gsesc
1

n puncte diferite ale spaiului vectorului de und k) sunt: GaP, GaAsxP1-x (pentru x>0.65). La acetia procesul de recombinare radiant pe centre de recombinare este predominant. Preponderena unuia sau altuia din mecanismele de recombinare poate fi condiionat de urmtorii factori: temperatura, concentraia purttorilor injectai, concentraia impuritilor din semiconductor, prezena diverselor imperfeciuni etc. Spectrul de emisie al diodelor electroluminiscente poate fi: n domeniul spectral infrarou (IR). Exemple: diode electroluminiscente pe baz de GaAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAsP1-y n domeniul vizibil: rou (diode electroluminiscente pe baz de GaP, GaAs 1-xPx, AlxGa1-xAs), portocaliu i galben (diode electroluminiscente pe baz de GaAs1-xPx), verde (diode electroluminiscente pe baz de GaP, Ga1-xAlxP), albastru (diode electroluminiscente pe baz de SiC). ntr-un LED, lumina are, teoretic, o caracteristic de radiaie sferic, omnidirecional. n practic, ea este limitat de construcia mecanic a diodei (reflexii pe baza metalic a diodei) i de absorbia n metal. Aria emisiv este mare comparativ cu a unui laser. n consecin, densitatea de putere emis este mic astfel nct se reduce drastic puterea care poate fi cuplat ntr-o fibr. Un alt dezavantaj al unui LED este banda sa redus (comparativ cu a laserului). Tipic, banda maxim este de 200 MHz. Spre deosebire de o diod laser, un LED are un spectru continuu. Avantajele unui LED sunt: dependena liniar a puterii optice de curentul aplicat i puterea consumat redus. Deoarece un LED este puin sensibil la suprasarcini, circuitul de comand poate fi construit simplu. B. Diode laser LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Procesul de generare a luminii n dioda laser este asemntor cu cel dintr-un LED, iar materialele utilizate sunt aceleai. Specific diodei laser este volumul foarte mic n care este generat lumina i densitatea mare a purttorilor injectai. Aceste particulariti determin un ctig optic ridicat, o coeren a luminii generate i un spectru ngust. Radiaia emis de un generator cuantic este o radiaie electromagnetic, care nu difer prin natura sa de cea a surselor clasice. Totui exist deosebiri n proprietile de monocromaticitate, coeren, direcionalitate, intensitate:

*) monocromaticitatea radiaiei laser. Lrgimea de band, respectiv puritatea spectral, a generatoarelor cuantice este cuprins ntre = (104109) Hz, respectiv = (10-610-1) m comparativ cu o radiaie termic cu un filtru obinuit la care = 10 m. *) coerena radiaiei laser. Coerena unui laser se refer la faptul c undele de lumin generate sunt toate cu aceeai faz. Pentru sursele de lumin obinuite, timpul de coeren este de ordinul milisecundelor, adic cu lungimea de coeren de ordinul centimetrilor. Pentru laseri, durata de coeren este de ordinul sutelor de picosecunde, ceea ce asigur o lungime de coeren de ordinul sutelor de kilometri. *) direcionalitatea radiaiei laser. Unghiul de divergen pentru laseri este de ordinul minutelor, zecilor de minute pe cnd a surselor de lumin obinuite este de ordinul zecilor de grade. *) intensitatea radiaiei laser este cu cteva ordine de mrime (3-8) mai mare dect cea a unui corp incadescent aflat la temperaturi de ordinul miilor de grade Celsius. Coerena luminii Emisia unui foton prin trecerea unui atom sau molecule de pe o stare energetic excitat pe o stare energetic inferioar are loc ntr-un interval de timp finit denumit timp de via n starea excitat a atomului. Astfel, fotonul poate fi reprezentat printr-o und de frecven finit =(E2-E1)/h, a crei amplitudine n intervalul de timp crete i descrete trecnd printr-un maxim, alctuind un tren de unde cunoscut sub denumirea de tren de unde gaussian. Dac n cazul mediilor elastice, dou sau mai multe unde pentru care exist o relaie de faz determinat, puteau conduce uor la obinerea fenomenului de interferen, existena trenurilor de und de durat finit asociate fotonilor s-a dovedit o dificultate foarte important la punerea n eviden a fenomenelor de interferen optic. Exist dou aspecte ale coerenei de interes practic: coerena temporal: coerena n acelai punct din spaiu a dou unde la momente diferite. Coerena temporal este biunivoc legat de monocromaticitatea undei. Unda monocromatic ideal are modulul gradului de coeren temporal unitar, durata de coeren i lungimea de coeren infinite. coerena spaial: coerena n acelai moment a dou unde aflate n puncte diferite. Coerena spaial este biunivoc legat de planeitatea undei. Unda plan ideal are modulul gradului de coeren spaial unitar. Ilustrarea coerenei temporale se poate face cu ajutorul unui interferometru Michelson. Deplasarea oglinzii M2 n lungul direciei pe care se propag fasciculul de lumin inident pe ea va modifica figura de inteferen. Aceast modificare va consta n scderea definiiei franjelor
3

pn la dispariia complet a acestora. Cum diferena de drum optic rezultat prin deplasare poate fi apreciat cunoscnd viteza de propagare a luminii prin mediu, ca o ntrziere ntre momentele n care cele dou fascicule de lumin ajung n punctul de observaie, existena franjelor de interferen va fi o manifestare a coerenei temporale dintre cele dou fascicule.

Ilustrarea coerenei spaiale se poate face cu ajutorul dispozitivului Young. Apariia franjelor de interferen este rezultatul manifestrii coerenei spaiale ce exist ntre fasciculele formate la trecerea luminii prin cele dou diafragme. Prin deprtarea simetric a celor dou fante se va obine o scdere a vizibilitii franjelor pn la dispariia total a acestora.

l a n S
1

AE

c r a n

S S
2

Dispariia franjelor va corespunde situaiei n care ntre cele dou puncte (corespunztoare poziiei fantelor) definite pe frontul de und provenit de la sursa luminoas nu va mai exista o dependen de faz determinat i deci cnd cele dou fascicule de lumin ce reprezint o dedublare a sursei de lumin, nu vor mai fi coerente spaial. Coerena spaial i temporal nu pot fi n general complet separate, ele existnd n realitate cuplate. B1. Laseri cu structuri mezoscopice ca medii active n caviti rezonante Fabry - Perot In principiu n optoelectronica integrat se poate folosi orice surs de lumin care permite stabilirea unui cuplaj optic avantajos. Pentru obinerea unui cuplaj optic ct mai mare, trebuie s se foloseasc surse de lumin de dimensiuni ct mai mici. In plus, concentraia direcional i monocromaticitatea pot fi caracteristici de importan vital. Aceste dou caracteristici sunt

satisfcute de laseri. O a treia caracteristic, de dimensiune, este cea care decide tipul de laser. Laserii cu semiconductori ndeplinesc toate cele trei condiii. In ultimul timp au aprut n domeniul optoelectronicii integrate dispozitive de generare coerent a luminii bazate pe structuri semiconductoare mezoscopice. O structur mezoscopic este format din unul sau mai multe strate de materiale semiconductoare cu grosimi cuprinse ntre 100 i 1 m. Fizica structurilor mezoscopice are caracteristici specifice care nu intr nici n sfera microscopic nici n sfera macroscopic. Acest fapt duce la noi tipuri de dispozitive electronice n care purttorii (electronii i/sau golurile) au simultan att comportament corpuscular ct i comportament ondulatoriu. Realizarea structurilor mezoscopice a fost posibil datorit dezvoltrii extraordinare a tehnicilor de depunere, cretere a semiconductorilor cum ar fi: epitaxie n fascicul molecular (MBE = molecular beam epitaxy), depunere n vapori chimici organici a metalelor (MOCVD = metal organic chemical vapor deposition), transport de vapori hibrizi (hybrid vapor transport), hot wall epitaxy ,etc. In dispozitivele mezoscopice una sau mai multe dimensiuni de dispozitiv sunt mai mici dect drum liber mediu al purttorilor, Lfp; deci aceste dispozitive au un comportament de nemprtiere de-a lungul acestor dimensiuni. In funcie de numrul acestor dimensiuni dispozitivele mezoscopice pot fi clasificate ca: gropi cuantice, fire cuantice i puncte cuantice.

Gropile cuantice (QWs) constau dintr-un layer de lime Lz << Lfp crescut pe un material care joac rolul de barier pentru purttorii de sarcin. Micarea purttorilor de sarcin este confinat astfel ntr-o groap cuantic, n planul xy. Una dintre consecinele confinrii este lipsa translaiei dup direcia z care implic c nivelele de energie a purttorilor n groapa cuantic sunt discrete. Prin urmare momentul lor kz de-a lungul direciei z este cuantificat i micarea lor are doar dou grade de libertate: de-a lungul direciilor x i y. Firul cuantic este o structur QW confinat dup dou dimensiuni (2D). L x, Lz << Lfp, prin urmare micarea este confinat de-a lungul direciilor x i z, purttorii au doar un grad de libertate, de-a lungul direciei y iar momentele de-a lungul direciilor x i y sunt cuantificate.
5

Punctul cuantic este o structur QW confinat dup trei dimensiuni (3D). Micarea este acum confinat de-a lungul tuturor direciilor posibile, toate dimensiunile punctului Lx, Ly, Lz << Lfp, iar momentele de-a lungul tuturor direciilor sunt cuantificate. Una din cele mai importante aplicaii ale structurilor mezoscopice este generarea luminii coerente. Pentru orice tip de laser sunt dou condiii de baz pentru obinerea radiaiei laser: (i) amplificarea radiaiei electromagnetice din interiorul aa numitului mediu activ i (ii) extragerea radiaiei coerente prin folosirea unei caviti rezonante. In semiconductori, cel mai comun mecanism care duce la emisie de fotoni n vizibil sau infrarou apropiat (IR) este tranziia unui electron din banda de conducie n banda de valen. O cavitate rezonant Fabry-Perot (FP) format din dou oglinzi paralele cu coeficieni de reflecie R1 i R2 creaz o reacie de feedback care favorizeaz emisia n direcia determinat de cele dou oglinzi n aa fel nct contribuia emisiei spontane n radiaia laser este neglijabil. In laserii cu structuri mezoscopice ca medii active tranziiile au loc ntre nivelele de energie discrete din benzile de conducie i de valen.

O comparaie a coeficientului de ctig, curentului de prag i a modulaiei lrgimii de band ntre laserii cu structuri mezoscopice i laserii cu structuri volumetrice, masive (bulk structures) este artat n tabelul de mai jos. De menionat c performanele unui semiconductor volumetric (bulk semiconductor) este luat ca referin i i este asignat valoarea 1. Parametru Ctig Densitatea Volumetric (bulk) 1 1 Groap cuantic 2 1/3 3 Fir cuantic 3 1/8 3 Punct cuantic 30 1/20 5

curentului de prag Modulaia lrgimii 1

de band Laserii cu gropi cuantice (QW lasers) pot avea una sau mai multe gropi cuantice (QWs) n regiunea activ. In primul caz ei se numesc laseri cu o groap cuantic (single quantum well SQW) iar n al doilea caz laseri cu gropi cuantice multiple (multiple quantum well MQW). In alte cazuri regiunea activ este separat printr-un un layer intermediar (o heterostructur cu confinare separat a separate confinement heterostructure SCH) de regiunile dopate p i n care sunt sursa purttorilor. Aceste regiuni intermediare, care pot avea
6

marginile benzilor drepte (verticale) sau gradate (GRIN SCH), au rolul de cretere a factorului de confinare n layer-ul activ, acionnd ca un ghid pentru radiaia optic.

a) Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSEL) Aceti laseri cu QWs ca layere active au devenit foarte atractivi n ultimul timp deoarece ei au curent de prag mic, capabilitate de modulare nalt, unghi de divergen mic a fasciculului emitent, costuri de producie mici, uurin de fabricare a matrici de laseri etc. Fasciculul de ieire n acest tip de laser este perpendicular pe planul substratului (wafer) i pe regiunile purttorilor de injecie, care joac simultan i rol de oglinzi, datorit structurii lor DBR (Distributed Bragg Reflectors). VCSELs au fost realizate cu diferite lungimi de und: VCSELs din GaAs/InGaAs emit la 964 m, VCSELs din AlInGaP emit n regiunea roie din spectrul vizibil, VCSELs din ZnSe emit n regiunea verde a spectrului vizibil (funcioneaz pn la 77 K, n impulsuri) iar mai recent laseri cu emisie n albastru cu semiconductori compui ca mediu activ sau generare de armonica a doua. Aceast idee poate fi folosit pentru generarea luminii cu lungime de und scurt acolo unde nu exist materiale disponibile. Yamato .a. au construit (n 1996) un VCSEL cu emisie n albastru crescut pe un substrat nclinat (311)B GaAs. Inclinarea substratului de la orientarea uzual (100) crete coeficientul neliniar (substratul (100) nu are neliniariti de ordin secund datorit simetriei cristalului). Laserul are o cavitate de lungime 6, o apertur de diametru de 20 m, o oglind n partea de jos cu R = 99.6 % att pentru armonica fundamental (964 m) ct i pentru armonica a doua (482 m). Ei au obinut o putere de 1 nW la o armonic de ordinul doi i o putere de 1.5 mW la fundamental. Puterea maxim a armonicii a doua a crescut la 10 nW n modul n impulsuri i la temperatura de 135 K. Au fost fabricate i VCSELs n IR: n IR apropiat (la 1.55 m) cu heterostructuri de InGaAsP/InP i n IR mediu (la aproximativ 3 m) cu aliaje de CdHgTe/HgTe. Hadji .a. (n
7

1996) au fabricat un VCSEL cu emisie la 3.06 m cu heterostructuri de CdHgTe/HgTe ca mediu activ i heterostructuri de CdHgTe pentru oglinzile de jos de tip DBR (Distributed Bragg Reflectors), pompat cu un Nd:YAG la 1.06 m. Aceast structur produce lumin laser doar pn la 30 K, dei LED-uri cu o geometrie VCSEL i bazate pe aceleai materiale au fost realizate la temperatura camerei.

Prin folosirea de QWs tensionate i prin mbuntirea reflectivitii oglinzilor pot fi realizai laseri cu structuri CdHgTe/HgTe pn la 100 K. VCSELs cu lungime de und acordabil pot fi realizate prin modularea indicelui de refracie, dar intervalul acordabil este foarte mic, peste civa nanometri. VCSELs acordabili continuu i pe un domeniu mai larg au fost realizai folosind o oglind membran deformabil. b) Laseri cu gropi cuantice tip DFB i DBR Amintim c DFB= Distributed Feedback Lasers, iar DBR = Distributed Bragg Reflectors. Laserii DFB cu multiple gropi cuantice ca mediu activ au o lime a liniei spectrale ngust, curent de prag mic etc. La fel ca n cazul laserilor DFB volumici, exist dou ci pentru a cupla modurile contrare de propagare: o cuplare a indicelui i un mecanism de cuplare a ctigului.

In laserii DFB cu indice cuplat cuplarea este realizat de o reea situat deasupra sau dedesubtul regiunii active care moduleaz indicele de refracie n timp ce n laserii cu ctig cuplat reeaua este activ n sensul c ea are o pierdere sau ctig net.

Alte avantaje ale laserilor DFB cu indice cuplat n comparaie cu corespondenii lor volumici: (i) pierderi mici, (ii) cureni de prag mici datorit volumului activ mic, (iii) creterea ctigului i a ngustimii liniei spectrale. d) Laseri cu fire cuantice (QWR) i laseri cu puncte cuantice (QD) Performanele laserilor cu structuri mezoscopice ca mediu activ se mbuntesc cu confinarea purttorilor, cu alte cuvinte sunt mai performani laserii cu fire cuantice dect cei cu gropi cuantice (QW) iar mai performani sunt laserii cu puncte cuantice. B2 Laseri cu gropi cuantice de tunelare In seciunea anterioar au fost descrise diferite tipuri de laseri cu gropi cuantice (QW) n care radiaia laser era emis datorit tranziiilor dintre banda de conducie i banda de valen (tranziii interband).

Laserii cu gropi cuantice de tunelare se bazeaz pe tranziii intraband (sau intersubband), cu alte cuvinte radiaia laser este emis ca o consecin a tranziiilor ntre diferite nivele discrete sau ntre diferite subbenzi din aceai band, care poate fi banda de conducie sau banda de valen.

APLICAIE Fie un laser pe gaz de putere P = 1 mW care emite ntr-un singur mod un numr n de fotoni pe secund cu lungimea de und = 632,8 nm. De asemenea, fie un corp negru cu suprafaa A = 10-6 m2, aflat la o temperatur T = 1000 K, care emite o radiaie electromagnetic n jurul frecvenei de = 5 * 1014 s-1, cu o abatere de = 1014 s-1. De cte ori este mai mare intensitatea (numrul de fotoni pe secund) fasciculului laser fa de intensitatea radiaiei electromagnetice emise de corpul negru aflat la temperatura de 1000 K? Se mai dau: c = viteza luminii n vid = 3 * 108 m/s, h = constanta lui Planck = 6,62 * 10-34 J * s, k = constanta lui Boltzman = 1,38 * 10-23 J/K.

Rezolvare: Numrul de fotoni pe secund emii de laser: n= P P 10 3 W 632,8 10 9 m fotoni = = 3 1015 34 8 h h c 6,62 10 J s 3 10 m sec unda

Conform legii lui Planck, un corp negru are o densitate volumico-spectral de energie dat de: wT ( ) = 8 h 3 c3 1 e
h K T

1 1 e
h K T

Deci corpul negru emite n unitatea de timp un numr de fotoni: wT c A 8 2 nT = = h c2 A 2 1011 1 fotoni sec unda

Prin urmare intensitatea (numrul de fotoni pe secund) fasciculului laser fa de intensitatea radiaiei electromagnetice emise de corpul negru aflat la temperatura de 1000 K este mai mare cu: n 3 1015 fotoni sec unda 1,5 10 4 11 nT 2 10 fotoni sec unda

10

SUBIECTE EXAMEN Subiect 1: Reprezentai un aranjament experimental pentru obinerea de unde coerente de la o surs de lumin incoerent.

TEME 26 Februarie 2013 Tema 1: Cum se pot modifica diversele spectre de emisie a diodelor electroluminiscente? Observai c o diod electroluminiscent pe baz de GaP poate emite i n rou i n verde. O diod electroluminiscent pe baz de GaAs1-xPx poate emite i n rou i n portocaliu i galben.

11