ROSARIO TIJERAS. Jorge Franco Ramos. Planeta. 198 pginas.

Es raro constatar cmo una novela sin mayores pretensiones puede devenir un ejercicio de estilo, una experiencia extraa e inolvidable. El autor, colombiano, ha sabido escribir una novela que debe tanto al gnero policial como a la novela rosa. Ms aun: se ha adentrado en un gnero que no es difcil descubrir que desconoce casi por completo, y aun as, o precisamente por eso, lo que consigui es un libro original, algo que est entre Chester Himes y Alicia en el pas de las maravillas. Antonio lleva a Rosario Tijeras malherida a un hospital. Durante esa noche, el narrador rememora su historia con ella, una sicaria de los narcotraficantes colombianos que recuerda un poco a Perdita Durango y a Betty Blue, que nunca sale sin su pistola en la cartera, que tiene modos ms bien raros de divertirse y que, como todo aquel que se mueve dentro de los cdigos de la mafia (sin importar de dnde sea) puede perdonar cualquier cosa, menos la traicin. El autor se ha documentado in situ, manteniendo largas charlas con sicarias que pasaban un perodo en prisin. Al parecer, pretenda que su Rosario fuera verosmil. Lo consigui, al punto de que sentimos la certeza de que lo ms irreal pudo haber ocurrido, o est ocurriendo ahora mismo en algn suburbio de Medelln. La novela fue muy bien recibida en su pas natal, probablemente porque consigue dotar de sentimientos a personajes que por lo general quedan resumidos a ciertos calificativos denigrantes en los diarios. Franco Ramos no se atreve (y hace bien) a juzgarlos. Slo los retrata tal cual son y, a lo sumo, explica cmo y por qu llegaron a elegir, como dira Lenin, vivir peligrosamente hasta el fin.

@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 1

Familias Lgicas RTL y DTL

Consideraciones previas
Vamos a resumir los conocimientos previos necesarios, antes de pasar al estudio de estas dos familias lgicas. a) Referentes a un transistor bipolar Un transistor empieza a conducir cuando se polariza directamente la unin BE (base-emisor) con una tensin entre 0,5 y 0,6v. Para asegurar que colocamos un transistor en saturacin vamos a proporcionarle una tensin entre base y emisor de 0,8v. (evidentemente tambin le proporcionaremos la corriente de base necesaria). Podemos asimilar un transistor en saturacin a un interruptor cerrado entre colector y emisor. La diferencia con el smil anterior ser la cada de tensin V CE(sat) = 0,2v. Podemos asimilar un transistor en corte a un interruptor abierto entre colector y emisor. La diferencia con el smil anterior ser que la resistencia que existe entre ambos terminales no es infinita. Un transistor tiene ms facilidad (lo hace de forma ms rpida) en pasar del estado de corte al de saturacin que a la inversa. Podemos decir que le cuesta ms parar que arrancar. b) Referentes a un diodo Un diodo bien polarizado ser un cortocircuito, con la salvedad de la cada de tensin entre anodo-ctodo es de aproximadamente 0,7v. Un diodo inversamente polarizado ser un circuito abierto (en algunos casos habr que considerar que su resistencia no es infinita, pequea intensidad de fugas, y que adems existe una capacidad reducida entre sus terminales). Sugerencia: Al principio, mientras se dominan los diferentes circuitos es conveniente tener a mano esta primera hoja del tema.
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000

Familia lgica RTL

RTL son las iniciales de las palabras inglesas Resistor, Transistor, Logic. Es decir es una familia cuyas puertas se construyen con resistencias y transistores (bipolares). El esquema bsico de una puerta NOR es el siguiente:
S E1 E2
3V 450 450 Q2 Q1 640

Empezamos por considerar las dos entradas a nivel alto (H-H), suponiendo que este nivel sea de 3v. Tanto Q1 como Q2 estn saturados. Por qu?, pues porque tienen sus uniones BE bien polarizadas (la base ms positiva que el emisor) y se les suministra suficiente intensidad de base: mA V I I SAT BE BB9 , 4 450 8.03 450 3 )( 21 = == mA V II
SAT CE

2,2 1280 2.03 2 640 3 )( 21 = == Como podemos observar la ganancia de los transistores (beta h FE) solo necesita ser superior a 0,45 (relacin entre la corriente de colector y la de base) y generalmente la beta de los transistores es muy superior. Asi pues ambos transistores estn en saturacin, por tanto la tensin de salida ser de 0,2v (VCE(SAT) de los transistores). La corriente por la resistencia de 640 ser la suma de las dos corrientes de colector, es decir de unos 4,4 mA.
CC

@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 3

En la siguiente figura se resume la situacin, al tiempo que se indica la conexin

de la salida de la puerta con otras tres entradas de la misma tecnologa. El condensador que aparece en la figura es debido a la de la unin B-E que todavia no ha llegado a vencer la barrera de potencial. (Al estar la salida de la puerta analizada a 0.2v los transistores de las entradas conectadas no pueden tener su unin B-E polarizada adecuadamente).
H H L
C C C 0.2v 3V 3V Q1 Q2 450 450 450 450 450 640

Qu sucede, si ahora una sola de las entradas la colocamos a nivel bajo, por ejemplo conectandola a la salida de una puerta que nos proporcione 0,2v. Pues en principio nada, el transistor que continue con su entrada a nivel alto seguir saturado y forzar la salida a nivel bajo (piensa en dos interruptores en paralelo, uno de ellos cerrado y otro abierto, predomina el efecto del interruptor cerrado). La nica variacin con respecto al caso anterior ser la corriente aportada por el transistor saturado, doble que en el caso anterior (ahora solo aporta intensidad el transistor que est en saturacin). Asi pues para las combinaciones de entrada H-L y L-H tambin obtendremos una salida a nivel lgico bajo (L).
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 4

Pasamos ahora a estudiar el ltimo caso, o sea cuando las entradas se colocan en la combinacin L-L. Ninguno de los transistores conduce, eso provoca que no circule apenas corriente por la resistencia de 640 (recordar que un transistor en corte no posee resistencia infinita entre C y E) y por tanto la tensin de salida ser de nivel alto (H). (En el caso ideal de 3v). El caso se resume en la siguiente figura:
L L H

Q1 Q2 Q3 450 450 450 +V 3V 3V Q4 Q5 450 450 640

Vamos a analizar este circuito un poco ms a fondo. Observando atentamente la figura vemos que los transistores Q3, Q2 y Q1 estan saturados (tienen la unin BE bien polarizada). Esto nos permite concluir que las bases de los tres transistores estan todos a aproximadamente 0,8v y el circuito anterior lo podemos simplificar de la siguiente forma:
L L H
+ 0.8V +V 3V 3V Q1 Q2 450 450

450 450 450 640

En esta situacin lo peligroso es que la tensin de salida de la puerta baje por debajo de la que una puerta de la misma familia veria como nivel alto. Vamos pues a constestar a dos preguntas. En el ejemplo de la figura con tres entradas conectadas Qu tensin de salida obtenemos? . Y suponiendo una beta en los transistores de 10 en
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 5

saturacin (es inferior a la beta en zona activa). Cuntas entradas podemos conectar como mximo a la salida de una puerta RTL?. Para contestar a la primera pregunta supondremos que el transistor Q1 no absorbe ninguna corriente de colector (no va a modificar significativamente los clculos). Observando el circuito podemos calcular VSAL de la siguiente forma: v V SAL 2 . 1 8 . 0 640 3 450 8.03 3 450 + + =
Una pequea ayuda para los que no esten muy puestos en formulas: El parentesis representa la intensidad, se calcula viendo que tensin les cae al conjunto de resistencias (640 en serie con el paralelo de tres resistencias de 450 , cuyo calculo es bien sencillo, se divide por tres) dividido por su valor. Eso lo multiplicamos por el conjunto paralelo para obtener la tensin que cae en dicho conjunto y le sumamos 0.8v. Tambien se podia haber calculado de otra forma:

v VSAL 2 . 1 640 3 450 8.03 640 3 + =

Como antes se calcula la intensidad, al multiplicarla por 640 obtenemos la tensin que cae en dicha resistencia y al restarla del total (3v) obtenemos la de la salida. !!! Esta es la forma en la que se calcula en el libro ELECTRONICA DIGITAL recomendado para INGENIERIA DE INFORMATICA de la UNED . Pero con un error, las resistencias en el denominador no se restan !!!. Esta familia ve los 1.2v como nivel alto bajo?. Los 1.2v son suficientes para proporcionar los 0.8v entre B-E de los

transistores para saturarlos y sobran 0.4v que nos proporcionan una intensidad de base de 0.4/450 = 889A, que multiplicada por la gananacia en corriente de los transistores (que hemos supuesto de 10) nos da 8,9 mA; ms que suficiente para saturarlos (recordar que, en el peor de los casos, cuando solo existe una entrada a nivel alto el transistor de dicha entrada debe aportar una corriente de colector de 4,4 mA aproximadamente).

Para contestar a la siguiente pregunta, debemos empezar por calcular que tensin minima debe poseer una entrada para ver el nivel como alto. Necesitamos 0.8v para saturar el transistor, ms una pequea para proporcionar la corriente de base necesaria: v V MIN H 1 450 10 10 4 . 4 8.0
3 )(

+=

Si sustituimos dicho valor en la frmula que obtuvimos anteriormente para la tensin de salida (pero ahora con un nmero, n, indeterminado de entradas conectadas a la salida) obtenemos, despejando n: 7 640 640 13 8.03 450 640 450 8.03 640 3 1 = + = n n
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 6

Como vemos la cargabilidad de salida (fan-out) es baja. El margen de ruido es bajo (hemos calculado que el estado a nivel bajo se puede considerar de 0.2v, mientras que la puerta ya ve un nivel alto con 1v). En cuanto a la velocidad de funcionamiento viene limitada fundamentalmente por el numero de puertas que conectemos a la salida. Si observamos las figuras anteriores veremos que el mayor problema se encuentra en el paso de nivel bajo a nivel alto en la salida (se requiere un

tiempo para cargar los condesadores de las uniones B-E de los transistores, eso despreciando las capacidades que se puedan introducir debidas al cableado). La constante de tiempo de esta carga ser aproximadamente de: Cn n + = 450 640 Siendo n el nmero de entradas conectadas a la salida y C el valor del condesador. (hay que tener en cuenta que los condensadores en paralelo se suman para calcular la capacidad equivalente). Suele ser del orden de algunas decenas de nanosegundos. Otro factor que limita la velocidad de la familia viene dado por el hecho de que la intensidad de base de los transistores es grande (como hemos visto en los calculos) y ello hace que la transicin de transistor saturado a cortado lleve su tiempo (hay que eliminar la carga de la base, cuando mayor sea la intensidad de esta, mayor tiempo llevar). En el paso de nivel alto a bajo el condesador se descargar rapidamente a traves del transistor que se pone en saturacin. La constante de tiempo es menor. Veamos un resumen de las caracteristicas de esta familia: - Puerta bsica. NOR - Frecuencia de utilizacin tpica 8MHz - Inmunidad al ruido BAJA - Potencia tpica disipada 12 mW - Nmero de funciones realizables ALTO - Intervalo de temperatura de funcionamiento -55C a 125C 0C a 75C - Tensin de alimentacin 3v - Cargabilidad de salida (fan-out) BAJA
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 7

Familia lgica DTL

Las siglas DTL vienen de las iniciales de las palabras inglesas Diode Transistor Logic. Es decir estamos tratando con una familia compuesta basicamente por diodos y transistores (sin olvidar a las resistencias). Los diodos se encargan de realizar la parte lgica y el transistor actua como amplificador inversor. Esta separacin de funciones nos permite empezar a estudiar esta familia viendo como se construye la lgica con los diodos. Empezamos por presentar una puerta AND con diodos:
S E1 E2
5V 5k D2 D1

Cuando una cualquiera de las entradas (o ambas) est a nivel lgico bajo (digamos 0.2v) el diodo conectado a dicha entrada estar bien polarizado colocando la salida a un nivel de tensin de 0.9v (esta tensin es la suma de la tension de entrada y los 0.7v que aparecen en el diodo en conduccin, la otra entrada no influye: si el diodo est conduciendo sigue habiendo 0.9v y si no lo est con ms razn ya que puede asimilarse a un circuito abierto), o sea, a nivel lgico bajo. Cuando las dos entradas estn a nivel lgico alto (suponemos 5v), ningn diodo puede conducir (no hay posibilidad de que el anodo de uno de los diodos se encuentre a 5.7v), no hay circulacin de corriente por la resistencia y de ello se deduce que la salida

est a 5v, o sea a nivel lgico alto. El problema de est puerta asi construida es el alto nivel de tensin que requiere para ver un nivel alto (4v lo interpretaria como nivel lgico bajo). La diferencia entre el nivel lgico bajo y alto es muy pequea (muy baja inmunidad al ruido).
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 8

Para obtener una puerta DTL bsica (tipo NAND) debemos incluir un par de diodos a la salida, mejorando de esta forma el aspecto comentado en el parrafo anterior y un transistor que va a restaurar el nivel de tensin perdido por dichos diodos y va a mejorar las caracteristicas de salida. El circuito completo puede verse en la siguiente figura:
S E1 E2 P
Q1 2.2k 5k D4 D3 5V D2 D1 5k

El circuito presentado es muy sencillo de analizar. Ya vimos que cuando una de las entradas est a nivel logico bajo, el diodo asociado conducia y por tanto colocaba en el punto P una tensin de 0,9v; esta tensin debido a los didos D3 y D4 hace imposible que el transistor Q1 conduzca, para hacerlo a saturacin deberia haber una tensin en P de: ( ) ( ) ( ) v V V V V ON D ON D SAT BE P 2 . 2 7 . 0 7 . 0 8 . 0 4 3 + + + + = El transistor est al corte y, por tanto, la salida a nivel lgico alto (aproximadamente 5v). Cuando ambas entradas estan a nivel lgico alto, los diodos D1 y D2 los podemos asimilar a un interruptor abierto y tanto las uniones A-K de los diodos D3 y D4, como la unin B-E del transistor Q1 estn bien polarizadas. La salida estar a nivel lgico bajo (VCE(SAT)=0.2v). En estas condiciones y con los valores presentados en la figura anterior, la intensidad de base y la de colector del transistor son: ( ) A I I I I SUP k INF k D D B 400 10 160 10 5 2.25 10 5 8.06 33)(5543 = ==

( ) mA

VV I SAT CE k C2 . 2 10 2 . 2 2.05 10 2 . 2 5 10 2 . 2 3 3 3 2.2

 = = = Como vemos la beta necesaria del transistor debe ser superior a 5.5 (no demasiado exigente).
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 9

Podemos ahora realizarnos la siguiente pregunta: Si la resistencia de 5K inferior desvia parte de la intensidad que circula por los diodos D3 y D4 a masa, restandosela a la que va hacia la base del transistor. Por qu la empleamos? (en un buen diseo electrnico no hay ningn componente superfluo). Esta resistencia hace que el transistor Q1 pase de saturacin a corte de forma ms rpida (es un camino hacia masa para eliminar la carga de la base), de no existir, la carga de la base no tendria un camino facil hacia masa (pensar que en el paso de saturacin a corte de Q1 los diodos D3 y D4 dejan de estar bien polarizados). Para calcular la cargabilidad de salida de esta familia observemos la siguiente figura:
L H H
5V D6 5k 5V D5 5k Q1 D4 D3 5V D2 D1 2.2k 5k 5k

Hemos conectado a la salida de la puerta en estudio las entradas de otras dos puertas de la misma familia (no se ha dibujado ms que una entrada por suponer el resto a nivel alto y tampoco se ha dibujado D3, D4 y Q1 de las puertas conectadas a la salida por ser asimilables a un circuito abierto). Calculemos la intensidad de colector de Q1 en estas condiciones: ( ) mA n V I SAT CE C 8 . 3 10 8 . 0 2 10 2 . 2 10 5 9.05 10 2 . 2 5 33 33= + + =

La intensidad de base sigue siendo la misma que calculamos anteriormente. Como vemos por la frmula, la intensidad de colector de Q1 crece con el nmero de entradas que conectemos a la salida, mientras que la intensidad de base es fija, eso significa que los requerimientos de beta para Q1 son mayores y llegar un momento en que no podr satifacerlos y sacaremos a Q1 de la saturacin, es decir, a la salida del nivel lgico bajo.
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 10

Si como hicimos con la tecnologia RTL fijamos una beta para saturacin de Q1 en 10. La intensidad mxima que podremos tener en colector es de 4mA y vemos que la cargabilidad de salida es muy reducida (apenas de 2 puertas). Para solucionar este problema o empleamos transistores con una beta en saturacin mayor recurrimos al siguiente circuito (DTL integrada):
L H H

Q2 R1 D2 D1 R2 Q1 D4 5V 2.2k 5k

El transistor Q2 funciona en la zona activa, la unin C-B est inversamente polarizada (+ en colector siendo N y en base siendo P) por la caida de tensin en R2. La intensidad que circule por esta resistencia ser la intensidad de base de Q2. La intensidad que circule por R1 igual a la de emisor de Q2 (solo hay que observar que por R1 circula una intensidad suma de la de colector de Q2 y base de Q2) y es la que va a proporcionar la corriente de la base de Q1. Por efecto de Q2 podemos reducir el valor de R1 (que antes era de 5k) a uno inferior (todo depender de la beta con la que hagamos trabajar a Q2) y de esta forma aumentar la corriente de base de Q1 (a igualdad de beta de este, disponemos de mayor corriente de colector y por lo tanto, de mayor cargabilidad de salida). Si deseamos una cargabilidad de 8 (esta es la normalmente utilizada en esta familia) deberemos disponer de una intensidad de base de: ()A I IC QB 860 10 10 6 . 8 10 10 8 . 0 8 10 2 . 2 3 3 3 1= = + ==

O sea una intensidad de emisor de Q2 de: ( ) ( ) mA I I Q B Q E 1 10 5 8.0 312

 += Si polarizamos a Q2 con una VCE=0.7v (la misma que teniamos en D3), ya podemos calcular R1:
()()() ()

k II VVV R
QER

8.2 10 1 18.07.07.055
SAT Q BE ON D Q CE 3 21 142 1

= = = =
@Agustn Borrego Colomer Febrero 2000 11

Si Q2 posee una beta para esta intensidad de emisor de 50 podemos calcular R2:
() () ()() ()

k I VV I V R
QE Q BE Q CE QB

5 51 10 1 6.07.0 1
Q CB 3 2 22 2 2 2

= + == Veamos un resumen de las caracteristicas de esta familia: - Puerta bsica. NAND - Frecuencia de utilizacin tpica Entre 12MHz y 30MHz

- Inmunidad al ruido BUENA - Potencia tpica disipada 8mW a 12mW - Nmero de funciones realizables ALTO - Intervalo de temperatura de funcionamiento -55C a 125C 0C a 75C - Tensin de alimentacin 5v - Cargabilidad de salida (fan-out) Limitada a 8 por el fabricante En la siguiente figura se proporciona la curva de transferencia Vin-Vout (considerando que las entradas no utilizadas se colocan a nivel alto, en realidad al ser una puerta NAND la curva de transferencia corresponder a un inversor).
0 833m 1.67 2.5 3.33 4.17 5 0 900m 1.8 2.7 3.6 4.5 5.4 El transistor Q1 empieza a conducir El diodo conectado a la entrada deja de hacerlo Esto ocurre para 1v en la entrada. Hasta entonces nivel de salida a nivel alto. El transistor Q1 se satura. Tensin de salida a nivel bajo .

En la grfica puede verse que VIL max (mximo valor que la entrada ve como nivel bajo) es de 1v aproximadamente. Que VIH min (minimo valor que la entrada ve como nivel alto) es de 1.3v aproximadamente. VOL (valor de la salida a nivel bajo) de 0.2v y VOH (valor de la salida a nivel alto) de 5v. (Puerta sin carga de salida). Inmunidad al ruido en esas condiciones: vVV vVV
IH OH OL IL

7.33.151 8.02.010 === ===