Jurnal Matematika dan Sains Vol. 10 No.

3, September 2005, hal 93-96

Penumbuhan Lapisan Tipis c-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya
Syamsu 1), Darsikin1,2), Iqbal1), Jusman1), T. Winata2), Sukirno2), dan M. Barmawi2) 1) Program Studi Fisika, FKIP Untad, Kampus Bumi Tadulako Tondo, Palu Sulawesi Tengah 94118 2) Laboratorium Fismatel, Departemen Fisika ITB, Bandung Email :syamsultan@yahoo.com1) Diterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasi Januari 2005
Abstrak Telah ditumbuhkan lapisan tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi (c-Si:H) di atas gelas Corning 7059 dengan sistem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD). Gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Pengaruh temperatur substrat terhadap laju deposisi, sifat optik, sifat listrik dan struktur lapisan masing-masing dianalisisi melalui ketebalan lapisan, celah pita optik, konduktivitas gelap dan strukturnya. Laju deposisi bervariasi dari 3,22 m/jam sampai 5,24 m/jam untuk temperatur substrat dari 175oC sampai 275oC pada laju aliran SiH4 70 sccm dan temperatur filamen ~ 1000oC. Celah pita optik yang diperoleh bervariasi dari 1,13 eV sampai 1,44 eV untuk temperatur substrat dari 175oC sampai 225oC.Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan pada temperatur substrat 275 oC menunjukkan kehadiran struktur c-Si:H yang ditandai dengan adanya puncak spektrum pada orientasi kristal <111>, <220>, dan <311>. Konduktivitas gelap yang diperoleh bervariasi dari orde 10-6 S/cm sampai 10-4 S/cm untuk temperatur substrat dari 200oC sampai 275oC pada temperatur filamen ~ 1000oC. Dibandingkan dengan konduktivitas gelap lapisan tipis aSi:H (dalam orde 10-9 S/cm), maka konduktivitas gelap yang diperoleh lebih tinggi. Tingginya konduktivitas gelap memungkinkan lapisan tipis c-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD dapat diaplikasikan pada divais sel surya p-i-n. Kata Kunci : HW-PECVD, Konduktivitas Gelap, c-Si:H, Sel Surya Abstract Microcrystalline hydrogenated silicon thin films have been grown on corning 7059 by using Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system. Silane gas dilute in hydrogen gas (SiH4: H2 = 1 : 10 ) used as gas source. The effect substrate temperatures on deposition rate, optical, electrical and structural properties were analyzed. The deposition rate was varied from 3.22-5.24 m/hour at temperature 175-275o C, SiH4 flow rate of 70 sccm, and filament temperature ~ 1000oC. The optical band gap varied from 1.13-1.44 eV at substrate temperature of 175-275. The Result XRD characterization of c-Si: H thin film was grown at 275o C shows <111>, <220>, and <311> orientation. Dark conductivities vary from 10-6-10-4 S/cm The Dark conductivity of c-Si: H is higher than a-Si: H thin film. This result shows that c-Si: H thin film is possible for p-i-n solar cells device application. Keywords: 1. Pendahuluan Perkembangan teknologi elektronika yang semakin cepat telah memicu perkembangan bidang informasi secara global. Kemajuan ini didukung oleh penemuan dan pengembangan material semikonduktor yang digunakan untuk pembuatan divais elektronik dan optoelektronik. Semikonduktor lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) merupakan material yang banyak digunakan dalam divais optoelektronik, yakni divais yang memanfaatkan proses pemancaran dan penyerapan foton. Material ini memiliki sifat listrik, optik dan struktur yang unik yang dapat memberikan solusi pada hampir semua persoalan elektronika. Celah pita optik yang dapat dikontrol dan penyerapan cahaya yang tinggi membuat material ini baik digunakan dalam divais, diantaranya sel surya, Thin Film Transistor dan sensor warna1). 93 Lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi (c-Si:H) juga menarik perhatian yang besar dalam divais elektronik, karena sifat pentingnya, seperti konduktivitas gelap yang tinggi dibanding dengan a-SI:H2). Dalam teknologi TFT dan sel surya, material ini digunakan sebagai lapisan kontak untuk meningkatkan efisiensi dan kualitas divais3). Dalam kaitannya sebagai komponen divais, maka efisiensi dan kualitas divais sangat ditentukan oleh kondisi deposisi lapisan tipis a-Si:H dan c-Si:H tersebut. Sistem deposisi yang umum digunakan untuk menghasilkan lapisan a-Si:H dan c-Si:H adalah sistem plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Namun dengan sistem PECVD dihasilkan kualitas lapisan a-Si:H dan c-Si:H yang kurang baik karena pengaruh metastabil yang tidak diinginkan dan laju deposisi yang masih relatif

94

JMS Vol. 10 No. 3, September 2005

rendah. Sistem deposisi lain yang telah dikembangkan untuk penumbuhan lapisan tipis cSi:H adalah sistem hot wire chemical vapor deposition (HWCVD)4,5). Beberapa keuntungan dari sistem HWCVD, diantaranya kestabilan lapisan meningkat, laju deposisi yang tinggi dan model deposisi yang sederhana. Ada beberapa parameter deposisi yang dapat mempengaruhi sifat struktur lapisan, diantaranya laju aliran silan dan temperatur substrat. Selain itu temperatur filamen juga mempengaruhi sifat optik, listrik dan struktur lapisan5). Dalam tulisan ini akan dibahas pengaruh temperatur substrat terhadap laju deposisi, sifat optik, sifat listrik dan struktur lapisan tipis c-Si:H yang ditumbuhkan dengan Sistem Hot Wire PECVD yang akan diaplikasikan pada divais sel surya p-i-n. 2. Eksperimen Lapisan tipis c-Si:H dalam studi ini ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan menggunakan sistem HW-PECVD yang ada di Laboratorium Fisika Material Elektronik, Jurusan Fisika, FMIPA ITB. Sistem HW-PECVD [6} terdiri dari chamber stainless stell (SS) berdiameter 8 inci dengan kevakuman sekitar 30 mTorr. Kawat tungsten berdiamater 1,8 mm dan panjangnya 23 cm ditempatkan diantara kedua elektroda di atas shutter. Temperatur filamen diukur dengan menggunakan infrared pyrometer. Parameter penumbuhan adalah seperti terlihat pada tabel 1. Celah pita optik dihitung dengan metoda tauc plot [hf vs (hf)1/2] dari data spektroskopi UV-Vis, Konduktivitas gelapnya diukur dengan metoda dua titik (coplanar) dengan menggunakan Ketheley 617, struktur lapisan ditentukan dari hasil XRD dan ketebalan lapisan diukur dengan menggunakan Dektak IIA. Tabel 1. Parameter penumbuhan lapisan tipis Substrat Temperatur Substrat Frekuensi RF Daya RF Tekanan Deposisi Jarak Elektroda Jarak Filamen-Substrat Sumber Gas Temperatur Filamen 3. Hasil dan Pembahasan Gambar 1 memperlihatkan grafik laju deposisi lapisan tipis c-Si:H sebagai fungsi dari temperatur substrat pada temperatur filamen sekitar 1000oC. Dari grafik ini terlihat bahwa laju deposisi lapisan tipis c-Si:H bervariasi dari 3,22 m/jam sampai 5,24 m/jam untuk variasi temperatur substrat dari 175oC sampai 275oC. Dari gambar 1 juga terlihat Gelas Corning 7059 175 - 275oC ~ 13,58 MHz ~ 35 watt ~120 - 150 mTorr 4,5 cm ~ 2,0 cm SiH4 10 % dalam H2 , 70 sccm ~ 1000 oC

bahwa laju deposisi lapisan tipis c-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD lebih tinggi dari lapisan tipis c-Si:H yang ditumbuhkan dengan dengan sistem VHF-PECVD pada temperatur substrat 225oC (~ 0,74 m/jam). Laju deposisi lapisan tipis c-Si:H optimal pada temperatur substrat 225oC yaitu sebesar 5,24 m/jam. Hal ini diduga disebabkan karena pada temperatur substrat 225 oC dan temperatur filamen sekitar 1000oC terjadi dekomposisi silan dan fluks radikal atom paling banyak yang sampai di substrat7). Namun di atas temperatur 225oC laju deposisinya menurun akibat pengurangan dekomposisi silan dan fluks radikal atom yang sampai di substrat.
HW -PECVD
VHF-PECVD

6 5 4 3 2 1 0 150

Laju Deposisi (um/jam)

200

250
o

300

Temperatur Substrat ( C)

Gambar1. Grafik laju deposisi lapisan tipis c-Si:H sebagai funsi temperatur substrat untuk sistem VHFPECVD dan HW-PECVD Grafik celah pita optik lapisan tipis cSi:H sebagai fungsi temperatur substrat pada temperatur filamen 1000 oC diperlihatkan pada gambar 2. Dari grafik ini terlihat bahwa celah pita optik lapisan tipis c-Si:H bervariasi dari 1,13 eV sampai 1,44 eV untuk variasi temperatur substrat dari 175 oC sampai 225 oC. Nilai celah pita optik ini lebih kecil dibandingkan dengan celah pita optik lapisan tipis a-Si:H (~ 1,68-2,0 eV). Hal ini diduga disebabkan oleh pengurangan jumlah ikatan Si-H dalam lapisan akibat penggunaan temperatur filamen yang relatif tinggi.
1 ,5

Celah Pita Optik (eV)

1 ,4

Tf = ~ 1000 oC

1 ,3

1 ,2

1 ,1

1 150 175 200 225 250

Te m pe ra tur S ubs tra t ( C)

Gambar 2. Grafik celah pita optik lapisan tipis a c-Si:H sebagai fungsi temperatur substrat.

JMS Vol. 10 No. 3, September 2005

95

Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis cSi:H yang ditumbuhkan pada temperatur substrat 275 o C diperlihatkan seperti pada gambar 3. Dari gambar 3 tersebut terlihat puncak difraksi pada orientasi kristal <111>, <220> dan <311>. Adanya struktur mikrokristalin juga ditunjukkan dari hasil karakterisasi SEM yang dengan jelas memperlihatkan adanya butir-butir mikrokristalin dalam orde sekitar 102 seperti yang ditunjukkan gambar 4.

1,00E-03

Konduktivitas G elap (S/ cm )

1,00E-04

1,00E-05

Tf = ~ 1000 oC
1,00E-06 150 200 250 300

Temperatur Substrat (oC)

1000
<111>

In te n s ita s ( c p s )

Ts = 275 oC

750 500 250 0

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
<220> <311>

Gambar 5. Grafik konduktivitas gelap lapisan tipis c-Si:H sebagai fungsi temperatur substrat. 4. Kesimpulan Dalam studi ini telah berhasil ditumbuhkan lapisan tipis c-Si:H di atas gelas Corning 7059 dengan sistem HW-PECVD menggunakan gas silan 10 % dalam gas hidrogen sebagai sumber gas. Hasil karakterisasi XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan pada temperatur substrat 275oC menunjukkan kehadiran struktur c-Si:H yang ditandai dengan adanya puncak spektrum pada orientasi kristal <111>, <220>, dan <311>. Konduktivitas gelap yang diperoleh bervariasi dari orde 10-6 S/cm sampai 10-4 S/cm. Dibandingkan dengan konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H (dalam orde 10-9 S/cm), maka konduktivitas gelap yang diperoleh lebih tinggi. Tingginya konduktivitas gelap memungkinkan lapisan tipis c-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD dapat diaplikasikan pada divais sel surya p-i-n. Ucapan Terimakasih Penelitian ini terealisasi atas bantuan dana melalui proyek DCRG URGE Lembaga Penelitian Universitas Tadulako Palu dengan Nomor Kontrak: 032/DCRG/URGE/2000. Ucapan terima kasih juga penulis sampaikan kepada Drs. Jasruddin DM.M.Si dan Amiruddin S. S.Pd. M.Si atas diskusi dan kerjasamannya. Daftar Pustaka 1. Street, RA., Hidrogenated Amorphous Silicon, Cambridge University Press (1991). 2. Kanicki,J, Ed, Amorphous and Microcrystalline Devices-Material and Device Physics, Artech House, Norwood, MA (1991). 3. Takahashi, K., & Konagai M., Amorphous Silicon Solar Cells, North Oxford Academic Publishers Ltd (1986). 4. Broguera, P., Conde, J.P., Arekat, S., & Chu, V., Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited by Hot Wire Chemical Vapor Deposition at Filament Temperatures between

Sudut 2 (theta)

Gambar 3. Hasil XRD lapisan tipis c-Si:H pada temperatur filamen ~ 1000 oC

Gambar 4. Hasil SEM lapisan tipis c-Si:H pada temperatur filamen ~1000oC dengan temperatur substrat 200oC Hubungan konduktivitas gelap lapisan tipis c-Si:H dengan temperatur substrat diperlihatkan pada gambar 5. Dari gambar 5 terlihat bahwa konduktivitas gelap lapisan tipis c-Si:H bervariasi dari orde 10-6 S/cm sampai 10-4 S/cm untuk variasi temperarur substrat dari 200 oC sampai 275 oC. Dibandingkan dengan konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H (dalam orde 10-9 S/cm) maka konduktivitas gelap lapisan yang diperoleh lebih besar. Tingginya konduktivitas gelap lapisan tipis c-Si:H diduga disebabkan karena berkurangnya ikatan Si-H dalam lapisan akibat penggunaan filamen panas. Nilai konduktivitas ini memungkinkan untuk dapat diaplikasikan pada divais sel surya p-i-n.

96

JMS Vol. 10 No. 3, September 2005

5.

6.

1500 and 1900oC, J. Appl. Phys. 79:11, 87488760 (1996). Broguera, P., Chu, V., & Conde, J.P., Amorphous to Microcrystalline Silicon Transition in Hot Wire Chemical Vapor Deposition, MRS Symposium Proceeding, Volume 377, Amorphous Silicon Tecnology(editor : Michael Hack, et al, 57-62) (1995). Syamsu, Jasruddin, DM, Amiruddin, S, Gulvarendi, Winata, T., & Barmawi, M., Studi

7.

Awal Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metoda Hot Wire PECVD, Simposium Fisika Nasional XVIII, Puspitek, Serpong, 25-27 April (2000). Syamsu, Darsikin, Iqbal, Jusman, Winata, T,, Sukirno & Barmawi, M,, Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon Terhidrogenasi Tanpa Doping dengan Sistem Hot Wire PECVD, SeminarMIPA 2000, FMIPA, ITB, Bandung, 1314 Nopember (2000).