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G. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------TIRISTORES Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan en los circuitos conversores de potencia elctrica controlada. Compiten en algunas aplicaciones, con los transistores de potencia. Actan como interruptores de corriente elctrica, con caracterstica biestable por un proceso interno regenerativo, que lo hace pasar de un estado no conductor, a un estado conductor. En comparacin con los transistores, desde el punto de vista de su actuacin como interruptor de corriente elctrica, los tiristores tienen menores perdidas por conduccin en estado encendido y tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia elctrica a convertir. Los transistores, en cambio, tienen en gral, mejor prestacin durante la conmutacin, por su mayor velocidad y menor perdida de conmutacin. Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados tiristores, con dos, tres y hasta cuatro terminales externos. Por ejemplo el tiristor convencional, denominado SCR (rectificador controlado de silicio), tiene tres terminales, dos de los cuales los emplea para conducir la corriente elctrica a convertir, y el tercer terminal se lo utiliza para encender el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operacin inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por accin natural (cruce por cero de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por accin forzada de circuitos de conmutacin auxiliares. El GTO es un tiristor que tiene implementada la funcin de encendido y apagado mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para encendido) y pulsos negativos (para apagado), respecto al terminal ctodo. Previo al anlisis del funcionamiento interno de estos dispositivos, veremos primero el circuito bsico y funcionamiento de rectificador controlado de media onda.

Circuito De disparo

En el dibujo se aprecia al SCR con sus tres terminales nodo, ctodo y compuerta (gate). La corriente principal circula entre nodo y ctodo. La tensin de disparo o control, se aplica entre la compuerta y el ctodo. Esta ltima tensin, como veremos, es generalmente de tipo pulsante, generada por un circuito electrnico especial, denominado circuito de disparo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para interpretacin del funcionamiento, resulta conveniente graficar las tensiones elctricas intervinientes en el circuito, en funcin del tiempo.

Vs t 0 t1 t2 t3 t4 t5

Vgc t

Vac t

SCR conduce VL

SCR no conduce

SCR conduce

En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensin positiva entre nodo y ctodo (directa), no conduciendo corriente, por lo que : vL= 0 y vac= vs. En t1, el circuito de disparo aplica un pulso de corriente a la compuerta, haciendo que el SCR pase al estado de conduccin. La tensin vac cae a una valor prximo a 1 volt y aparece un voltaje en la carga vL= vs- vac vs. Cuando la tensin de alimentacin pasa por cero (t2) y si la corriente de carga esta en fase, esta tambin cae a cero, lo que hace que el SCR se apague y deje de conducir. La tensin en sus extremos se eleva hacindose negativa y de valor vac = vs ; vl = 0. Posteriores disparos durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada (t3), no logran encender al SCR. En el prximo semiciclo positivo, en t4, al aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente el SCR comienza a conducir corriente hasta el cruce por cero (t5). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Caracteristicas de los tiristores Bsicamente estn formados por una estructura semiconductora de cuatro capas pnpn con tres junturas J1 , J2 , J3, como muestra el siguiente dibujo: nodo (A) A P Puerta (GP) N P N J1 J2 J3 G C

(C) ctodo Cuando al nodo se le aplica tensin positiva respecto al ctodo, las junturas J1 y J3 se polarizan directamente y la juntura J2 inversamente. Entre ambos terminales fluye una pequea corriente. Se dice que el tiristor esta en estado de bloqueo directo o desactivado. Si aumentamos la tensin nodo-ctodo (vac), la juntura J2 entra en ruptura por avalancha (vac = VBO), denominado voltaje de ruptura directo. Por el tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al circuito. Se dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o activado. En esta condicin, vac1 volt. La corriente se mantendr circulando, solo si esta supera un valor, denominado corriente de retencin o enganche. Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo respecto al ctodo, J1 y J3 se polarizan inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condicin, la junturas J1 y J3, se comportan como dos diodos conectados en serie, soportando una tensin inversa, por lo que circulara una pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo (corriente inversa). Se dice que en esta condicin, el tiristor esta en estado de bloqueo inverso, similar a un diodo polarizado inversamente. La activacin de un tiristor, haciendo vac > VBO, lo puede destruir. En la prctica vac < VBO y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta G, respecto al ctodo. Una vez activado, puede quedar en esta condicin (por un mecanismo de realimentacin interna positiva), siempre y cuando la corriente de nodo supere el valor de la corriente mnima de retencin o enganche (ia> iL). Dadas estas condiciones, la tensin de compuerta se puede retirar, sin afectar el ultimo estado conductor del tiristor . El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo polarizado directamente y ya no hay control sobre el dispositivo. El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutacin natural de la tensin de alimentacin a un valor negativo o mediante circuitos especiales de apagado del tiristor; todos ellos actuando sobre la corriente de nodo para que su valor se haga menor a la de mnima de mantenimiento (ia < iH). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Modelo del tiristor con dos transistores bipolares: La accin regenerativa, por realimentacin positiva, que hace que el tiristor pase del estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede demostrar utilizando un circuito equivalente con dos transistores bipolares como se muestra en la figura siguiente: nodo (A) P Puerta (G) N P J2

J1 N P N J2 J3

(C) ctodo A continuacin vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito bsico formado por los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una fuente de alimentacin. Con este circuito, vamos a calcular analticamente la corriente de nodo iA, en funcin de los parmetros elctricos de ambos transistores. Como caso general, consideraremos dos puertas, una en la base del transistor npn y la otra en la base del transistor pnp.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La corriente de colector IC,de un transistor bipolar, se relaciona en gral con la corriente de emisor IE y la corriente de fuga de la juntura colector-base, ICBO como: IC = IE + ICBO Donde IC/ IE representa la ganancia de corriente en base comn Para nuestro caso la corriente de colector IC1 del transistor Q1 resulta: IC1 = 1IA + ICBO1 (1) Donde 1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. De la misma manera para Q2: IC2 = 2IC + ICBO2 (2) Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos: IA = IC1 + IB1 (3) IB1 = IC2 + IGN (4) IC = IGP + IA - IGN (5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a las corrientes salientes. Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de nodo, resultando: IA =[ ICBO1 + ICBO2 + (1- 2)IGN + 2. IGP ] / [1- (1+2) ] 1) Si en la ecuacin anterior hacemos IGN = IGP = 0 , es decir no hay activacin por compuerta, la corriente de nodo vale: IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso 1 =2 0 dado que IE 0 2) Si hacemos IGN = 0 e IGP 0 o sea tenemos activacin por la compuerta del transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la realimentacin interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de Q2 que a su vez es corriente de base de Q1 y por efecto de amplificacin aumenta su corriente de emisor (corriente de nodo del tiristor); de la misma forma aumenta la corriente de colector de Q1 y esta corriente alimenta nuevamente la base de Q2 y as sucesivamente hasta que ambos transistores pasan a la saturacin. En la formula el crecimiento de la corriente de nodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del aumento de las corrientes de emisor de los transistores, segn la grafica: 1 0,8 0,6 0,4 0,2 10-3 10-2 101 IE[mA]

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando 1 + 2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la corriente del nodo del tiristor se hace infinita. En la prctica, queda limitada por el circuito externo 3) Si hacemos IGP = 0 e IGN 0 o sea tenemos activacin por la compuerta del transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el mismo efecto de realimentacin pero en este caso requerir mayor corriente de compuerta dado que en la expresin de la corriente de nodo el termino de IGN en el numerador, esta afectado por (1-2). Condiciones transitorias en el tiristor: Bajo condiciones transitorias de tensin en sus extremos principales, las capacitancias de las junturas J1, J2, J3, influyen en el comportamiento del tiristor.

Cj1 y Cj3 son capacidades de almacenamiento o difusin, para una juntura polarizada directamente. Cj2, es la capacidad de la carga espacial o de transicin, para una juntura polarizada inversamente. Si el tiristor esta en bloqueo directo, un rpido crecimiento del voltaje aplicado entre los extremos nodo-ctodo, provocar un flujo de corriente a travs de los capacitores de las junturas.. La corriente que pasa por el capacitor Cj2 vale: Ij2 = d(qj2) / dt = d(Cj2.Vj2) / dt = Vj2.dCj2/dt + Cj2.dVj2/dt Como vemos, si dVj2/dt es grande, tambin lo ser Ij2, dando lugar a un incremento de las corrientes de fuga ICBO1 y ICBO2 d la juntura J2 de los transistores, provocando un incremento de la corriente de nodo y, por realimentacin, 1 y 2 se incrementan, causando la conduccin del tiristor en forma indeseable. Adems, si esta corriente capacitiva es muy grande, puede destruirlo. Activacion del tiristor Los tiristores pueden activarse, o sea incrementar su corriente de nodo, por diversas formas: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------1) Accion termica: Si la temperatura del tiristor es alta, se incrementan las corrientes ICBO1 y ICBO2 por generacin de portadores minoritarios (electrn-huecos), aumentando los valores de 1 y 2. Cuando 1 +2 = 1, por accin regenerativa el tiristor se activa. En consecuencia es necesario limitar la temperatura mxima de funcionamiento para evitar esta condicin no deseada. Los fabricantes suministran los valores mximos de temperatura de funcionamiento. 2) Accion de la luz: Si se permite que la luz llegue a las junturas del tiristor (J2), aumentaran los portadores minoritarios electrn-huecos, aumentando las corrientes = ICBO1 y ICBO2 , hasta provocar la activacin. Este mecanismo se utiliza para activar tiristores que trabajan en convertidores para alta tensin, utilizando fibras pticas para su activacin y aislamiento elctrico del circuito generador de los pulsos de disparo. (Tiristores activados por luz LASCR). 3) Aumento de la tension aplicada: Si la tensin directa aplicada Vac (nodo-ctodo) resulta mayor que VBO, (tensin mxima de bloqueo directo), por efecto avalancha, aumenta ICBO1 y ICBO2 hasta la activacin por accin regenerativa, con probabilidad de destruccin. Esto limita la mxima tensin directa aplicada. 4) Variacin de la tension aplicada (dv/dt): Esta accin produce un aumento de las corrientes capacitivas de las junturas del tiristor, suficientes para activarlo. Un valor alto de estas corrientes, puede ser destructivo. Los fabricantes establecen los lmites de dv/dt que pueden soportar los tiristores. 5) Accion del transistor Q2 por corriente de compuerta: Es el mtodo normal para activarlo; se logra aplicando un voltaje positivo a la compuerta respecto al ctodo, que provocara la circulacin de la corriente IGP, dando lugar a la accin regenerativa interna en el tiristor . La activacin para el SCR se logra con voltajes de bloqueo directo (nodo positivo respecto al ctodo) Caracteristica tension-corriente entre anodo y catodo para el SCR ia Corriente mnima De enganche IL Corriente mnima De mantenimiento IH Voltaje de Ruptura inversa Corriente de fuga Inversa Caractersticas Con corriente de compuerta Ig1>Ig2>ig3

vac VBO Voltaje de Ruptura directo para Ig =0

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se observa que en el primer cuadrante, tenemos las caractersticas directas. Si aumentamos la tensin vac al principio la corriente directa es insignificante. Cuado llegamos a la zona limite de bloqueo directo (VBO) la corriente comienza a aumentar y la tensin a disminuir; en este momento comienza la realimentacin interna del tiristor, donde se manifiesta una caracterstica de resistencia negativa. Durante este periodo, el dispositivo transita por esta zona , hasta llegar a una zona con caracterstica de resistencia positiva, el tiristor podr quedar con determinados valores de corriente y tensin, dependiente de la tensin externa de alimentacin y la resistencia de carga. Esto se puede lograr, si la corriente andica supere el valor mnimo de enganche o retencin (IL). Cuando la corriente andica comienza a disminuir, a partir de un valor mnimo (iH), el dispositivo vuelve al estado de bloqueo directo. Las caractersticas directas, se modifican (lneas de trazos) de acuerdo con el valor de la corriente inyectada en la compuerta. En este caso vemos que aumentando la corriente en la compuerta, la tensin de bloqueo directo, disminuye. Caracterstica tensin- corriente en la compuerta del SCR Los tiristores tienen limitaciones en tensin, corriente y disipacin mxima de compuerta. Veamos por ejemplo la caracterstica tensin corriente de la compuerta del SCR: vg VGG Curvas lmites de una familia de SCR Recta de carga Punto de operacin Curva para un SCR especifico Disipacin mxima con pulsos de disparo Disipacin promedio o disparo con cc

Zona de disparo inseguro

VGG/Rs.

ig

Los fabricantes suministran una zona limitada por dos curvas donde se puede ubicar el punto de operacin. La recta de carga, del circuito de disparo, debe ubicarse por debajo de la hiprbola de mxima disipacin promedio, si se lo dispara con tensin continua; si se lo dispara con pulsos, la recta de carga se podra ubicar debajo de la mxima hiprbola de disipacin instantnea Por ejemplo si PGpromedio=0,5 vatios y PGmax= 10 vatios, entonces se podr disparar al SCR con pulsos con una potencia mxima de 10 watios con una duracin de tp=0, 5 mseg., con un periodo de 10 mseg., dado que la potencia promedio, no supera los 0,5 vatios. En la zona rayada, no es conveniente que cruce la recta de carga del circuito de disparo, dado que el encendido, depende de la temperatura lo que lo hace inseguro. PGpromedio= 1/T.0tp Pmax. dt = 1/T . Pmax.tp = (1/10) .10 .0,5 = 0,5 vatios. La relacin tp / T se le denomina relacin de ciclo de disparo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas de activacin del SCR Entre el momento de aplicacin del pulso de disparo en la compuerta del tiristor, hasta que la corriente de nodo llegue a su valor final, establecido por el circuito externo, se produce un retardo, denominado tiempo de encendido(ton). Este tiempo, esta definido como el intervalo de tiempo que transcurre entre el 10% de la corriente de compuerta en estado estable (0,1.IG) y el 90% de la corriente de nodo, en estado de encendido (0,9IA). iA IA 0,9.IA 0,1.IA 0 iG IG 0,1.IG 0 td ton tr t

td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.IG y 0,1.IA. tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.IA y 0,9.IA. ton = td + tr : tiempo de encendido. Cuando se disea el circuito de control, se deben tener en cuenta, los siguientes puntos: 1) Se debe eliminar la seal de compuerta una vez que el tiristor se activo; con esto se logra disminuir la perdida de potencia en la compuerta. 2) Cuando el tiristor esta con polarizacion inversa, no debe haber seal de compuerta, dado que puede daarlo por aumento de la corriente de fuga.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------3) El ancho del pulso de compuerta tp debe ser mayor que el tiempo requerido para que el tiristor se active o sea que la corriente de nodo llegue por encima de la corriente de enganche o retencin, tp > ton. Caractersticas de desactivacin del SCR Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de nodo por debajo de la de mantenimiento (IH). Esto se puede lograr en forma natural, por el cambio de polaridad de la tensin externa de alimentacin, o por mtodos de conmutacin forzosa, por medio de circuitos auxiliares. Una vez lograda que la corriente este por debajo de la mnima de mantenimiento, es necesario esperar un tiempo relativamente largo, de manera tal que todos los portadores de carga en exceso, en las cuatro capas se eliminen; caso contrario, el tiristor volver a activarse, cuando se le aplique una tensin directa, sin necesidad de aplicar una seal de compuerta. De ocurrir esto ultimo, por sobrepasarse la frecuencia de conmutacin mxima del dispositivo, se pierde el control de la potencia convertida. IA

trr Vac tq

trc

trr : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de las junturas J1 y J3. trc : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de la juntura J2. Qrr : Es la carga de recuperacin inversa durante el proceso de desactivacin ; representa el rea encerrada por la corriente (rea rayada). Su valor depende del tipo de tiristor, de la corriente previa a la conmutacin y de la velocidad de reduccin de la corriente. Los fenmenos de activacin y desactivacin, producen perdidas de potencia.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Proteccin contra la di/dt en los tiristores El inconveniente de la di/dt es similar al caso de los diodos semiconductores. Los tiristores requieren un tiempo para dispersar toda la corriente en forma uniforme a travs de las junturas. Si la di/dt, toma un valor muy alto, pueden producirse puntos calientes, debido a las altas densidades de corriente que pueden hacer fallar al tiristor. La solucin para este caso, es colocar una inductancia en serie con el dispositivo como se muestra en el siguiente circuito:

En este circuito practico con carga inductiva, Dm acta como diodo volante para recuperar energa magntica. Este diodo conduce cuando el tiristor T1 esta cortado o desactivado. Cuando T1 se activa, Dm sigue conduciendo inversamente (durante su proceso de conmutacin al estado de bloqueo) por lo que Vs Ls. Di/dt . Por lo tanto conociendo el valor mximo que puede soportar el semiconductor respecto a di/dt (el fabricante suministra su valor), podemos determinar el valor de la inductancia de proteccin como: Ls Vs / (di/dt). El capacitor C2 se coloca para absorber la energa almacenada en Ls, cuando Dm se bloquea despus de su conduccin y asi evitar una sobre tensin sobre el tiristor. La resistencia R2 cumple la misin de disipar la energa y amortiguar el transitorio del circuito Ls C2.

Proteccin contra la dv/dt Para que la tensin aplicada no supere la mxima variacin permitida del tiristor, suele conectarse en paralelo con el dispositivo, una red RC en serie. De esta manera, la carga del capacitor, limita la velocidad de crecimiento del voltaje en los extremos del dispositivo. Para su clculo, consideramos la carga del capacitor con la tensin externa de alimentacin

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vac 0,632.Vs

t==RsCs

Calculamos la variacin de la tensin de carga del capacitor para el tiempo igual a la constante de carga = Rs.Cs dv/dt = 0,632.Vs / = 0,632.Vs / Rs.Cs despejamos : Rs.Cs = 0,632.Vs / dv/dt(max) El valor de Hrs., se determina como Rs = Vs / IAD siendo IAD la corriente mxima de descarga del capacitor, que puede soportar el tiristor. TIPOS DE TIRISTORES Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por el proceso de difusin. Con tcnicas especiales y estructuras de compuerta, controlan los valores de di/dt, tiempo de encendido y tiempo de apagado. En gral se los activa con impulsos cortos de excitacin en la compuerta. Para apagarlos, se requieren condiciones especiales de la tensin o circuitos especiales de apagado. Con el fin e tener un control mas eficiente, tanto en las condiciones de activacin como en la desactivacin, se han desarrollado una serie de dispositivos nuevos que han mejorado notablemente al clsico tiristor SCR Daremos a continuacin una clasificacin de los diversos tiristores de potencia que tienen aplicaciones comerciales y una breve descripcin de ellos. 1) Tiristores controlados por fase (SCR) 2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT) 3) Tiristores de conmutacin rpida (SCR) 4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR) 5) Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC 6) Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT) 7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO) 8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH) ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------9) Tiristores de apagado por MOS (MTO) 10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO) 11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT) 12) Tiristores controlados por MOS (MCT) 13 Tiristores de induccin esttica (SITH) Tiristores controlados por fase (SCR) Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente. Se utilizan en los convertidores de de corriente alterna a corriente continua, a frecuencia industrial (50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores controlados por el mtodo de control por fase. Se usan en casi todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de velocidad de motores de CC. Tienen un tiempo de apagado tq del orden de los 50 a 100 seg. Tienen un voltaje en sus extremos en estado activado que varia desde 1,15 V para 600 V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de tensin de bloqueo directo e inverso. Por ejemplo un tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el voltaje de cada suele ser de 1,25 V. Los tiristores modernos, suelen tener una compuerta amplificadora como se muestra en el siguiente esquema.

El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la seal de compuerta para el tiristor principal. Con esto se logra una simplificacin para el circuito generador de los pulsos de disparo, unas caractersticas dinmicas altas con tasas de dv/dt tipicas de 1000V/seg. y tasas de di/dt de 500 A/seg., obtenindose con estos valores, una simplificacin del inductor limitante y circuito de proteccin contra la dv/dt.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT) Smbolo del BCT A A Equivalencia con dos SCR

Es un dispositivo nico, de reciente aparicin para el control de alta potencia, que combina dos tiristores en un mismo encapsulado. Tiene la ventaja de ser mas compacto simplificando el sistema de enfriamiento, mayor fiabilidad y menor costo final del convertidor. El comportamiento elctrico del BCT corresponde a dos tiristores fabricados en la misma oblea y conectados en antiparalelo. Tiene dos compuertas, una para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla en sentido inverso (tiristor B). La desactivacin se logra por disminucin de la corriente andica por debajo de la mnima de mantenimiento, similar a los SCR. Tiene aplicaciones en frecuencia industrial tales como compensadores estticos de voltamperes reactivos (VAR), arrancadores suaves y control de motores. Tienen especificaciones mximas de tensiones de bloqueo de 6500 V a 1800 A. La mxima especificacin de corriente es de 3000 A a 1800 V. Tiristores de conmutacin rpida (SCR) Son usados en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin forzada con el caso de los convertidores de cc a ca, denominados inversores. Tienen un tiempo corto de apagado, entre 5 y 50 seg, dependiendo del intervalo de voltaje. La cada de voltaje en sus extremos, cuando estn activados, es funcin inversa del tiempo de encendido (tq). Este tiristor, suele llamrsele SCR rpido o tiristor inversor. Estos tiristores, tienen valores altos de dv/dt, de unos 1000 V/seg y valores de di/dt de 1000 A/seg. Estos valores altos de dv/dt y di/dt, son importantes para reducir el tamao y peso de los componentes auxiliares del circuito de conmutacin. Se disponen de tiristores rpidos con valores de 1800 V de bloqueo directo e inverso y corriente de 2200 A, con una cada de tensin directa de 1,7 V. Existen tiristores rpidos con bloqueo inverso (no destructivo ) de unos 10 V, con un tiempo de apagado muy corto de alrededor de 3 a 5 seg; a estos ltimos, tiristores asimtricos(ASCRS). Tiristores foto activados (LASCR) Estos tiristores, se activan por radiacin de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona de la juntura J2. La radiacin de luz genera en esta zona (polarizada inversamente, con tensin de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares electrn-huecos que, por el proceso de realimentacin, activan al tiristor. La estructura de la compuerta se disea de tal forma que proporciona suficiente sensibilidad para ser activado con fuentes luminosas normales como por ejemplo radiacin luminosa provenientes de fibras pticas o diodos emisores de luz(LEDS). ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia industrial, como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento elctrico completo entre la fuente de radiacin de activacin y el circuito conversor que trabaja a alta tensin. Las especificaciones elctricas mximas de estos dispositivos, llegan a 4000 V a 1500 con una potencia de activacin, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt de hasta 2000 V/seg y di/dt de unos 250 A/mseg. Circuito equivalente simbolo

Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC) Es un dispositivo semiconductor de caracterstica biestable, con la particularidad que puede conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y negativas, aplicadas a sus terminales principales. La activacin, se realiza en forma similar a los SCR, aplicndoles una tensin elctrica, de determinada polaridad, al terminal de compuerta. Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se denominan T2 y T1, en reemplazo del ctodo y nodo de los dispositivos unidireccionales, como el SCR. Estructuralmente, esta constituido de la siguiente forma: T2

N P N

simbolo N T1 Circuito anlogo con dos SCR

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos tenemos en la oblea de silicio, un SCR desde el terminal 2 al terminal 1, y otro SCR en paralelo, pero conectado desde terminal 1 al terminal 2 (antiparalelo). Las compuertas de ambos SCR estn unidas a una compuerta (G) comn. La caracterstica tensin corriente del triac es la siguiente:

2 cuadrante bloqueado

Activado (con vG) 1 cuadrante

1 cuadrante Activado (con vG)

Bloqueado 4 cuadrante

Si tomamos al Terminal T1 como referencia, podemos decir que el triac se activa tanto con tensin positiva o negativa del Terminal T2 y adems el pulso aplicado a la compuerta respecto al Terminal de referencia (T1) puede ser positivo o negativo. De esta forma tendremos cuatro posibilidades de disparo a saber: 1) Terminal T2 positivo con pulso en G positivo (1 cuadrante con +VG) I+ 1) Terminal T2 positivo con pulso en G negativo (1 cuadrante con -VG) I1) Terminal T2 negativo con pulso en G negativo (3 cuadrante con -VG) III1) Terminal T2 negativo con pulso en G positivo (2 cuadrante con +VG) III+ En la prctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se logra activar al triac con menor corriente de compuerta, aplicndole un pulso de tensin positiva. Para el tercer cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensin negativa, en la compuerta. Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al SCR. Los regimenes mximos que garantiza el fabricante estn determinados por la temperatura mxima de funcionamiento. Los valores de tensin de bloqueo estn disponibles hasta 1200 V y corrientes mximas de 300 A. La frecuencia mxima de operacin es de 400Hz, con tiempos de conmutacin de 200 a 400 seg. Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor eficaz de la tensin alterna) por el mtodo de control por fase. Cuando trabajan con carga inductiva, debido a que la corriente circula mas all del cruce por cero de la tensin de alimentacin, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensin en sus extremos toman el valor de la tensin externa que en ese momento tiene un valor alto. Por ello es necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo hace, se pierde el control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT) Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una corriente en sentido inverso, por causa de una carga inductiva y para mejorar los requisitos de apagado del circuito de conmutacin. El RCT, esta compuesto en un mismo encapsulado por SCR y un diodo en antiparalelo, como muestra la figura:

El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en condiciones transitorias su valor es de unos 30 volt por las inductancias parsitas internas. Se disponen de RCT con tensiones de bloque directo de 400 a 2000 V con corrientes de hasta 500 A. A este dispositivo, tambin se le suele llamar ASCR o tiristor asimtrico, con aplicaciones en circuitos especficos. Tiristores de apagado por compuerta (GTO) EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una seal pulsante positiva en la compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una seal negativa aplicada en la misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensin y corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas: 1) No necesitan elementos auxiliares de conmutacin en convertidores que necesitan la conmutacin forzada, reduciendo el costo peso y volumen del convertidor. 2) Reduccin del ruido acstico y electromagntico por eliminacin de los reactores de conmutacin. 3) Desactivacin mas rpida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutacin mas elevada. 4) Mayor eficiencia de los convertidores. En aplicaciones de baja potencia, los GTO tambin tienen ventajas sobre los transistores bipolares: 1) Mayor especificacin de voltaje de bloqueo. 2) Alta relacin de corriente pico controlable a corriente promedio. 3) Alta relacin de corriente pico de sobrecarga y la corriente promedio. (10:1) 4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la corriente de compuerta necesaria para su activacin (1:600). 5) Seal pulsante de corta duracin en compuerta para su activacin y desactivacin a diferencia del transistor bipolar que requiere seal permanente en estado activo. A continuacin veremos el corte transversal del GTO, su smbolo y su circuito equivalente:

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nodo p n+ n p n+ Smbolo Circuito equivalente Ctodo (C) Compuerta (G)

A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n+ cerca del nodo, que forma un circuito de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de apagado interno. La activacin se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado entre la compuerta y el ctodo. Para lograr la realimentacin interna que lo lleve al estado activo o encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones, dadas por el fabricante, respecto al gradiente de elevacin, corriente mxima y duracin del impulso. El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el ctodo y la compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de carga del ctodo, que correspondera al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el circuito equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la accin regenerativa. Con esta accin, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO vuelve al estado desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente de apagado debe cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante. Respecto a la corriente de encendido del nodo, esta debe ser por lo menos del 1% del pulso de activacin, para asegurarse que la compuerta mantenga la retencin del estado activo. Durante el apagado, la corriente de nodo, tiene una larga cola residual de apagado por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado la carga residual del nodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la prxima figura se muestra las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como as tambin la forma tpica de la corriente de nodo en funcin del pulso negativo de apagado.

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diG/dt

0,8 IGM 0,5 IGM IGM

Pulso de corriente de activacin del GTO

0,1 IGM tGM

IG

I nodo

tGQ(1) tGQ(2)

Corriente de nodo, en funcin del pulso negativo de apagado de compuerta del GTO

IGQ(2) - IG IGQ(1)

En la prxima figura mostramos el circuito simplificado de apagado del GTO:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. IA), es comn usar un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta circulando por S1, R2, R1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al circuito de compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y R2 se minimizan. Durante el periodo de apagado, que comienza despus que la cola de corriente de nodo llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debera permanecer con polarizacion inversa, para asegurar la mxima especificacin de bloqueo. Esta polarizacion inversa se puede obtener ya sea manteniendo cerrado S1, durante el periodo de no conduccin, o usando un circuito de mayor impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje negativo mnimo. En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede permanecer en condicin de polarizacin inversa, y el GTO podr no bloquear la tensin. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe aplicar una resistencia mnima de compuerta RGC especificada por el fabricante. Para la condicin de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La cada de voltaje en sus extremos, es mayor que los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su cada de tensin es de 3,4 volt. En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rpido conectado en antiparalelo; en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con modificaciones en la capa interna n, se logran GTO asimtricos en un solo encapsulado. Tiristores controlados por FET (FET-CTH) Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor convencional del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este ltimo cuando se le aplica un voltaje en su compuerta, conduce la corriente de disparo o activacin del tiristor. La tensin necesaria aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt. Este dispositivo, tiene alta velocidad de conmutacin y altos valores de di/dt y dv/dt. La siguiente figura, muestra el circuito equivalente del FET-CTH:

El encendido es por tensin elctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutacin natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo ptico para dar aislamiento elctrico entre la seal de control y la del circuito convertidor.

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiristor de apagado por MOS (MTO) El MTO es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este ltimo, necesitamos una corriente inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta manera eliminar la realimentacin con el transistor pnp para as desactivar al GTO. En el caso del MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del transistor bipolar npn, hace caer la tensin base emisor por debajo del umbral y de esta manera ste transistor deja de conducir, eliminando la realimentacin. La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv) y elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO se apaga mas rpidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las cargas de almacenamiento. Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO, tienen una larga cola de corriente de apagado. nodo p n+ n p n+ Smbolo Circuitos equivalentes ctodo Compuerta de encendido Compuerta de apagado

Tiristores de apagado por emisor (ETO) El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se combinan las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal para activarlo y otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura y circuito equivalente, se muestra en la siguiente figura:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------nodo

p n activac. G1 p n desact. G2

Smbolo

Ctodo

Circuito equivalente

La activacin se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta manera el MOSFET de canal P se mantiene en condicin de bloqueado y el MOSFET de canal N conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta corriente inicia el proceso de realimentacin interna la realimentacin haciendo que el GTO conduzca y asi el ETO pasa al estado de conduccin o activacin. El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el MOSFET de canal N ; la corriente principal se desva del ctodo (emisor del transistor bipolar npn del GTO) , hacia la base a travs del MOSFET de canal P, deteniendo el proceso de realimentacin interna y apagando o desactivando al ETO. En forma parecida al GTO, el ETO tambin tiene una cola larga de la corriente de nodo, al final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta que la corriente residual, del lado del nodo, se haya disipado por el proceso de recombinacin. Se disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores de hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.

Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT) En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de conmutacin permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rpido y de valor muy alto, prcticamente del mismo valor que toma la corriente de ctodo y la lleva a la compuerta en aproximadamente en 1 seg para asegurar un apagado rpido. La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se muestra en la siguiente figura, que adems tiene un diodo integrado en paralelo: ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

nodo p+ n Lado del GTO p n+ np

n+ Lado del diodo

Compuerta

Ctodo

Circuito equivalente

T.C.I

El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rpida, por ejemplo una corriente de 4 KA/sg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta ctodo. Con esta variacin de la corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del ctodo, se apaga en su totalidad en menos de aprox. 1 seg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base abierta , tambin se apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duracin del pulso, el consumo de compuerta se reduce al mnimo. Tiristores controlados por MOS (MCT) ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, con una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de efecto de campo; el conjunto resulta en una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal p de mayor difusin. En la prxima figura representaremos su estructura interna: nodo oxido Compuerta MOSFET M2 de canal n D2 S2 n+ p C1 B2 n B1 pp C2 p+ E2 C1 B2 n+ oxido S1 Compuerta MOSFET M1 de canal p

n+ metal Ctodo

E1

Esquema estructural del MCT de canal p

El proceso de construccin de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos remitiremos a su circuito elctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares, uno npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro de canal p, conectados como muestra la siguiente figura:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

nodo Compuerta

Ctodo

Smbolo

Circuito elctrico equivalente Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es del tipo PNPN, el nodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se aplican las seales de compuerta para su activacin y desactivacin. El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (anodo positivo respecto al ctodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al nodo. En el circuito elctrico equivalente, vemos que esta accin, hace conducir al MOS de canal p (M1) y de esta manera, a travs de sus terminales drenaje-surtidor, inyectan una corriente en la base del transistor bipolar npn que inicia la realimentacin interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT pasa al estado activo. El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensin nodo-ctodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su compuerta. El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso positivo en la compuerta, respecto al nodo, este pulso, hace conducir brevemente al MOS de canal n (M2), lo que hace bajar su tensin drenaje-surtidor. Como estos ltimos terminales estn conectados a la juntura base-emisor de Q1, cuando esta tensin cae por debajo de la tensin umbral, entonces este ultimo transistor, deja de conducir corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se anula la realimentacin interna. El MCT pasa al estado desactivado. ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para un MCT de canal n, la activacin se hace con un pulso positivo aplicado a la compuerta, respecto al ctodo y la desactivacin, se realiza aplicando un pulso a la compuerta de polaridad negativa, respecto al ctodo. El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente controlada, no supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un MCT, debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por conmutacin de la tensin en sus extremos o conmutacin forzosa). Los anchos de pulso de compuerta no son crticos, con corrientes menores a la especificada. Para corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos circuitos convertidores, como por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de compuerta, tanto en el apagado como en el encendido, para evitar falsos disparos en el control del MCT. Los MCT tienen las siguientes caractersticas elctricas: 1) Tiene baja cada de tensin en sentido directo durante su estado conductor. 2) Tienen un corto tiempo de activacin, normalmente 0,4seg. y un corto tiempo de apagado de aproximadamente 1,25 seg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A. 3) Tiene bajas perdidas por conmutacin. 4) Baja capacidad de bloqueo de la tensin inversa. 5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito generador de pulsos de excitacin de compuerta. 6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas desviaciones de las especificadas. 7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para evitar falsas excitaciones. La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite el encendido y apagado rpido con bajas perdidas por conmutacin. La potencia o energa para su activacin y desactivacin es baja y el retardo debido al almacenamiento de cargas, tambin es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el dispositivo de retencin, ideal, para ser usado en los convertidores de energa elctrica.

Tiristores de induccin esttica (SITH) El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD), fue introducido por Tezner en la dcada de 1960. Es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual tiene baja resistencia o baja cada de tensin en sus extremos cuando esta activo o conduciendo la corriente. Tiene grandes velocidades de conmutacin de 1 a 6 seg, co capacidades de dv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede fabricar para soportar tensiones elevadas de hasta 2500 V con corrientes de hasta 500 A. Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad al proceso de fabricacin y pequeas perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus caractersticas. Con la llegad de la tecnologa de carburo de silicio (SiC) se ha fabricado un SITH con una tensin de bloqueo directo de 300 V. En la siguiente figura, se representa un corte transversal de este dispositivo, su smbolo y su circuito elctrico equivalente:

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-1 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------nodo p+ J1 Base n J2 J3 J4 Compuerta p+ canal n+ Circuito equivalente nodo Compuerta Ctodo Smbolo El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: Se enciende con un pulso de tensin positivo entre compuerta y ctodo. Esto inicia la conduccin de corriente en el diodo pin (p+nn+), que inyecta electrones del ctodo (n+) a la base n, entre la compuerta (p+) y el ctodo (n+), que se difunden por el canal, modulando su resistividad, hacindolo mas conductor. Cuando estos electrones llegan a la juntura J1, el nodo (p+), comienza a inyectar huecos en la base , proporcionando la corriente de base del transistor Q2. Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a la saturacin, haciendo que la juntura J2 se polarice directamente y provocando que el SITH, se active completamente, todo esta accin, en un periodo muy breve. La compuerta (p+) y la regin del canal, toma la forma de un transistor de efecto de campo de juntura (JFET), proporcionando la corriente de base del transistor Q1(p+n p+). Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p+, no pasan electrones a la compuerta. Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p+ y por el canal directamente al ctodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p+ hacia el canal, como corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta distancia entre ctodo y compuerta da como resultado una concentracin uniforme y grande de portadores en esa regin, haciendo que la cada de tensin sea despreciable. El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje. Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando una barrera de potencial en el canal, que lo hace mas angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el voltaje, aplicado a la compuerta es suficientemente grande, el canal queda desprovisto de portadores de carga, anulando la corriente entre el nodo y ctodo, desactivando al SITH. ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Ctodo Esquema estructural