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Caracteristicas de los IGBTS y Dispositivos de activacin

Cristian Fernando Urigen Peralta curiguen@est.ups.edu.ec

AbstractEn el siguiente documento se detalla las caractersticas de los IGBT y sus diferentes dispositivos de activacion. Los IGBT es el resultado de la mezcla de transistores BJT y Mosfet lo cual produjo dispositivo de muy alta velocidad de conmutacin y que pudiese manejar grandes cargas. Index TermsDispositivos de activacin, IGBT,

A. Curva Caracterstica del IGBT

I. I NTRODUCCIN El transistor bipolar de puerta aislada IGBT, es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollar, en particular los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso como es el caso de un automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc. II. S IMBOLO DEL IGBT Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde a la siguiente gura.[4]

Figure 2. Curva Caracteristica esttica de un transistor IGBT de canal N[4]

B. Funcionamiento Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto signica que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo ON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 V, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.[4]

Figure 1. Representacin Simblica del transistor IGBT. a) Como BJT, b) Como Mosfet[4]

III. E NCAPSULADO

Figure 6. Figure 3. Encapsulados del IGBT (TO 220)[5]

Caracteristicas basicas.

de recombinacin). Tiene el inconveniente de producir ms prdidas en conduccin. Es necesario un compromiso. En los PT-IGBT la capa n + se puede construir con una vida media corta y la n con una vida media larga, as el exceso de huecos en n se difunde hacia la capa n + dnde se recombinan (efecto sumidero), disminuyendo ms rpido la corriente.[6]
Figure 4. Modelos de potencia[5]

IV. C ARACTERSTICAS DE LOS IGBTS 1) Una caracterstica singular de todos los IGBTs es su capacidad para resistir cortocircuitos (paso de una corriente elevada y tensin elevada simultneamente entre los terminales del dispositivo). En el caso de cortocircuito, la corriente que circula a travs de los IGBTs sigue estando limitada a un nivel impuesto por el diseo del dispositivo, siendo posible desconectar de manera segura el cortocircuito antes de transcurridos 10 microsegundos manteniendo el control normal de la puerta y sin que el dispositivo sufra daos permanentes.[3] 2) Las prdidas en conduccin de los IGBTs son algo superiores comparadas con los GTOs e IGCTs. Como contrapartida, las prdidas en el estado de bloqueo (desconectado) son inferiores. Por este motivo, la frecuencia ptima de conmutacin de los IGBTs es superior a la de los GTOs e IGCTs con idnticas caractersticas nominales.[3] A. Caractersticas en conmutacin El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola: La corriente de cola se debe a la conmutacin ms lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base (huecos en la regin n ). Provoca prdidas importantes (corriente relativamente alta y tensin muy elevada) y limita la frecuencia de funcionamiento. La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del latch up dinmico. Se puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa (creando centros B. Caractersticas y valores lmites

Figure 5. Caractersticas de la Tensin y Corriente en el Apagado de un Transistor IGBT conmutando una carga inductiva

IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.[6]

C. Caractersticas elctricas

Figure 7.

Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)[5]

D. Comparacin entre los diferentes transistores de potencia A continuacin se presenta una breve tabla de comparacin de tensiones, corrientes, y frecuencias que pueden soportar los distintos transistores descritos.
BJT 1000-1200V 700-1000A 25kHz P medias MOSFET 500-1000V 20-100A Hasta 300-400kHz P bajas, <10kW IGBT 1600-2000V 400-500A Hasta 75kHz P medias - altas Figure 9. Grca de los fabricantes[5]

F. Aplicaciones Generales: Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control de motores en automviles y vehculos elctricos hbridos, equipos de soldadura. El control en modo deslizante (VSC) aplicado a sistemas de estructura variable (VSS) fue introducido en los aos 50 en la antigua Unin Sovitica por Emelyanov y otros colaboradores. Segn la denicin de Sira-Ramrez [Sira-Ramirez, 1988] una supercie en el espacio de estado de un sistema dinmico representa una relacin entre las variables de estado que describen el comportamiento del sistema. Si ste es forzado a evolucionar sobre esta supercie, las relaciones estticas de la dinmica resultante quedan determinadas por los parmetros y ecuaciones que denen la supercie. La teora de sistemas de Control por Modo Deslizante (CMD) representa una parte fundamental de la teora de sistemas no lineales. Esta teora consiste en el empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o varias supercies de conmutacin. Uno de los principales inconvenientes asociados a la tcnica de CMD es la intensa actividad que debe ejercer la seal de control, lo que resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia. V. D ISPOSITIVOS DE ACTIVACIN PARA LOS IGBT. A. SCiCoreDrive 22 SCiCoreDrive22 es un driver de 2 canales diseado para controlar IGBTs de hasta 1200V. Es apto para cualquier montaje que incluya medios puentes, puentes monofsicos o puentes trifsicos de IGBTs con un bus de continua de 900V. Tambin permite el manejo de 2 canales independientes.[7]

Table I C OMPARACIN ENTRE LOS DIFERENTES TRANSISTORES DE POTENCIA

Los valores mencionados no son exactos, dada la gran disparidad que se puede encontrar en el mercado. En general, el producto tensin-corriente es una constante (estamos limitados en potencia), es decir, se puede encontrar un MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida. Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo. Existen bipolares de poca potencia que trabajan tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo ms usual.

E. Caractersticas Trmicas

Figure 8.

Caractersticas trmicas[5]

Figure 10.

SCiCoreDrive 22

Figure 12.

SCiCoreDrive72.

tensin demasiado baja para evitar el disparo del IGBT con tensin de puerta insuciente. [7] EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V.Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita. Un mtodo para la regulacin de la activacin de un transistor bipolar tener un electrodo de puerta aislada (IGBT), en donde el electrodo de puerta acta en un control actual que est formado de acuerdo a una comparacin real lo desea de un valor de tensin reales presente en el electrodo de puerta y de un valor predeterminado que desee, y en una funcin de aumento de la tensin est predeterminada como el valor deseado, la funcin de aumento de la tensin esencialmente compuesto por tres partes, una tensin en el primer levantamiento parte hasta un umbral de IGBT, una tensin en el segundo levantamiento de parte de la tensin de umbral hasta un valor de la tensin de la puerta en la que el IGBT ha aceptado un completo corriente de carga y una tensin en un levantamiento tercera parte hasta un valor mximo de la tensin de la puerta, en la siguiente tabla veremos dispositivos IGBT.

Figure 11.

SCiCoreDrive62.

B. SCiCoreDrive62. SCiCoreDrive62 es un driver de 6 canales diseado para el control de puentes inversores trifsicos + brake con mdulos IGBT o MOSFET de hasta 1200V. Incorpora un conversor DC-DC interno independiente para cada canal. Incluye monitorizacin VCE del IGBT protegiendolo en caso de fallada por apagado suave y enviando una seal de falta optoaislada para el control. Incluye tambin un bloqueo al detectar una tensin demasiado baja para evitar el disparo del IGBT con tensin de puerta insuciente.[7] C. SCiCoreDrive72. SCiCoreDrive72 es un driver de 7 canales diseado para el control de puentes inversores trifsicos + brake con mdulos IGBT o MOSFET de hasta 1200V. Incorpora un conversor DC-DC interno independiente para cada canal. Incluye monitorizacin VCE del IGBT protegiendolo en caso de fallada por apagado suave y enviando una seal de falta optoaislada para el control. Incluye tambin un bloqueo al detectar una

Figure 13.

CM100DU-24H

D. Circuito de excitacin con aislamiento: Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida alta). Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y 15Volt.

Figure 14. Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso

R EFERENCES
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_6.pdf http://es.scribd.com/doc/38509310/Tiristores http://www.abb.com/product/db0003db004291/c125739900722305c1256f18003bf55f.aspx?productLanguage=es&country=EC http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html Otros semiconductores de potencia, Univerdidad de Oviedo. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT http://www.e-guasch.com/control/semicode_drivers.html