SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA

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CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
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MANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL

PRACTICA DE LABORATORIO # 5
Curvas Características Transistor Bipolar

OBJETIVOS
• Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de
valores medidos.
• Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a
partir de valores medidos.

MATERIALES Y EQUIPOS
Protoboard, cables, resistencias, transistor NPN (2N2222A), fuentes de alimentación,
multimetro.

PROCEDIMIENTO
1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base,
colector) y con la utilización del multimetro realice la prueba del estado de este.

2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el

valor correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de
especificaciones del fabricante.

Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta 0.8 A

corriente los diodos internos sufren daños.
Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor 190 h FE
indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de 40v
ruptura en los diodos, pasado de este límite sufre daños
internamente el transistor.
Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje 6v
que se puede aplicar a la unión base emisor.
Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo .500W
de empaque utilizado.

3. Monte el circuito de la Figura 1.

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Figura 1

4. Ajuste el potenciómetro (RV1) para obtener los valores de corriente de base

(IB =microamperios) que se indican en la siguiente tabla y complétela.

IB (uA) Nominal 5 ─ 10 16 ─ 25 30 ─ 50 120 ─ 200

IB (uA) Real 8uA 23.3uA 40uA 130.4u A
VBE (Voltios) 0.6v 0.62v 0.64v 0.67v

5. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto anterior, en los ejes de
IB Vs VBE (Curva característica de entrada del transistor NPN).

6. Monte el circuito de la Figura 2.

Figura 2

7. Para el circuito de la Figura 2, ajuste el voltaje de la fuente “VCC” para que el

Voltaje Colector─Emisor (VCE) tome cada uno de los valores indicados para cada
valor de corriente de base (IB), si es necesario ajuste el voltaje de la fuente “VBB”
para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC (Corriente
colector), llenando la siguiente tabla.

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VCE IB0 = 0uA IB1 = 10uA IB2 = 20uA IB3 = 30uA IB4 = 40uA IB5 = 50uA
(Voltios) Ic0 (mA) Ic1 (mA) Ic2 (mA) Ic3 (mA) Ic4 (mA) Ic5 (mA)
0V 0 1.18 2.96 2.37 4.74 2.38
1V 0 2.25 4.50 5.95 8.48 10.4
2V 0 2.27 4.53 6.05 8.57 10.5
3V 0 2.29 4.57 6.10 8.64 10.5
4V 0 2.31 4.66 6.14 8.73 10.6
5V 0 2.34 4.68 6.18 8.81 10.7
6V 0 2.36 4.72 6.25 8.98 10.8
7V 0 2.39 4.76 6.30 9.00 10.9
8V 0 2.41 4.80 6.39 9.06 11
9V 0 2.43 4.84 6.45 9.14 11.1
10V 0 2.45 4.89 6.50 9.25 11.3
11V 0 2.47 4.92 6.57 9.32 11.3
12V 0 2.49 4.97 6.61 9.40 11.4

8. Graficar los valores obtenidos de las curvas IB en los ejes de IC Vs VCE (Curva
característica de salida del transistor NPN).

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