Hoạt động của diode

Nguyễn Quốc Cường – 3i

1
 Trước khi hình thành tiếp giáp p‐n
• Diode được hình thành khi ghép nối hai phần tử bán dẫn loại n và loại p 
với nhau tạo nên 1 tiếp  p‐n Æ diode
• Trước khi ghép nối:
– Điện tử là majority trong kiểu‐n (ND) và là minority trong kiểu‐p (ni2 / NA)
– Lỗ trống là majority trong kiểu‐p (NA) và là minority trong kiểu‐n (ni2/ND)
ni : nồng độ điện tử và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết
– Không có sự khuếch tán qua lại giữa 2 vật liệu

2
 Sau khi hình thành tiếp giáp p‐n
• Các hạt mang điện sẽ trao đổi qua vùng tiếp giáp p‐n
• Có sự chênh lệch lớn về nồng độ các hạt mang điện tại vùng tiếp 
giáp 

3
 Phân bố điện tích tại t = 0+
• Ngay sau khi hình thành 
tiếp giáp p‐n, phân bố 
điện tử và lỗ trống là đều 
và có sự không liên tục 
tại mặt tiếp giáp p‐n
• Tồn tại gradient nồng độ 
lớn Æ tạo ra dòng các hạt 
mang điện

4
 Phân bố điện tích tại t sau đó
• Tại thời điểm t sau đó có sự phân bố 
lại các điện tích tại vùng tiếp giáp
• Các lỗ trống chuyển vào bán dẫn n 
tạo ra điện tích dương, các điện tử 
chuyển vào bán dẫn p tạo ra điện 
tích âm
• Gradient nồng độ và dòng khuếch 
tán giảm khi có sự phân bố lại các 
hạt mang điện tại vùng tiếp giáp
• Sự phân bố lại điện tích gây ra một 
điện trường có xu hướng chống lại 
sự khuếch tán của các hạt mang 
điện.

5
 Phân bố điện tích khi tÆ∞
• Sau một thời gian dài, điện tích được 
phân bố lại sao cho tác dụng của 
gradient nồng độ và điện trường cân 
bằng nhau.
• Các tác động do khuếch tán và điện 
trường vẫn còn xảy ra nhưng là cân 
bằng với nhau.
• Chú ý rằng vùng ở xa tiếp giáp p‐n 
là không chịu tác động của sự sai 
khác về nồng độ và điện trường
• Điện thế chênh lệch của vùng nghèo 
được gọi là điện thế tiếp xúc hay điện 
áp cân bằng

6
 Các vùng của diode
• Có 2 vùng phân biệt trong 
cấu trúc tiếp giáp pn
– Vùng trung tính (neutral 
region) hầu như không chịu 
ảnh hưởng do sự phân bố lại 
điện tích gây ra
– Vùng nghèo (depletion 
region) là vùng chuyển tiếp 
tại đó có sự phân bố lại điện 
tích.

7
 Phân cực thuận
• Đặt điện áp có thế tại p lớn hơn thế tại n 
(forward bias). Điện trường ngoài làm 
giảm tác động của thế tiếp xúc của vùng 
nghèo.
• Các lỗ trống sẽ phun (injection) từ p sang 
n còn các điện tử sẽ từ n sang p Æ tạo ra 
dòng điện tổng từ p sang n
• Lỗ trống phun vào n còn điện tử phun 
vào p, do đó đây là kiểu phun các hạt 
mang điện thiểu số.
• Chú ý: sự dịch chuyển của các lỗ trống 
thực chất là sự dịch chuyển của các điện 
tử trong vùng hoá trị

8
 Phân cực thuận – nồng độ các hạt 
• Các lỗ trống phun từ p sang n làm tăng nồng độ các lỗ trống (thiểu số) trong n và là giảm 
nồng độ các lỗ trống (đa số) trong p. Tuy nhiên việc giảm nồng độ trong p là không đáng 
kể trong khi làm tăngđáng kể nồng độ lỗ trống trong n.
• Các lỗ trống vượt qua vùng nghèo vào vùng trung tính (quasi‐neutral region, chú ý trong 
vùng quasi‐neutral region tác động của điện trường là rất nhỏ do vậy dòng điện chủ yếu 
là dòng diffusion) ở đây sẽ diễn ra sự tái hợp các lỗ trống và điện tử (np > ni2).
• Quá trình phun và tái hợp sẽ diễn ra liên tục nhờ năng lượng của nguồn cung cấp.
• Tương tự các điện tử phun từ n sang p làm tăng nồng độ các điện tử trong p và khi đi vào 
vùng trung tính trong p các điện tử sẽ tái hợp với các lỗ trống.

tồn tại gradient

nồng độ
Ædòng diffusion

9
 Phân cực ngược
• Diode được phân cực ngược (reverse 
bias) khi đặt điện áp tại phần bán 
dẫn n lớn hơn điện áp phần p.  Điện 
trường ngoài cùng chiều với chiều 
của điện trường tiếp giáp p‐n do vậy 
sẽ có hai thành phần:
– Dòng các lỗ trống phun từ n sang p
– Dòng các điện tử phun từ p sang n
• Các lỗ trống phun vào p còn các điện 
tử phun vào n vì vậy ở đây là kiểu 
phun các hạt mang điện đa số.

10
 Phân cực ngược – nồng độ các hạt 
• Các lỗ trống phun từ n sang p sẽ làm tăng (không đáng kể) nồng độ
các lỗ trống trong p và làm giảm (một cách đáng kể) nồng độ các lỗ
trống của miền n gần với vùng nghèo. Do vậy các lỗ trống trong 
vùng n sẽ khuếch tán đến gần vùng nghèo và được cuốn qua vùng 
nghèo nhờ điện trường tiếp giáp.
• Tương tự các điện tử sẽ dịch chuyển từ n qua p.

11
Các đặc tính của diode lý tưởng
• Dòng điện qua tiếp giáp p‐n bằng tổng dòng các lỗ trống 
và dòng các điện tử, được tính bởi công thức
⎡ ⎛ qV ⎞ ⎤ ⎡ ⎛ V ⎞ ⎤
I D = I s ⎢exp⎜ ⎟ − 1⎥ = I s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥
⎣ ⎝ nkT ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ nVT ⎠ ⎦
– Is : dòng điện bão hoà ngược
– q : giá trị điện tích của điện tử (1.6 x 10‐19C)
– V : điện áp đặt giữa phần p và phần n
– n : hệ số phát (emission coefficient) , có giá trị trong khoảng 1 và 2, 
phụ thuộc vào công nghệ chế tạo. ( Hệ số này sẽ được nhà sản xuất 
đưa ra)
– k : hằng số Boltzmann (8.62 x 10‐5 eV / K)
– T : nhiệt độ của diode tính theo độ Kelvin
– VT = kT / e , được gọi thế nhiệt ở 21°C = 294 K thì VT ≈ 25mV

12
Các đặc tính của diode lý tưởng
• Nếu V >> VT : điện 
I
áp phân cực thuận 
lớn thì:
⎛ V ⎞
I D ≈ I s exp⎜⎜ ⎟⎟ V
⎝ nVT ⎠ 0.6V
IS
• Nếu V < 0, phân cực 
ngược, và |V| >> VT
thì ID ≈ -IS

13
 Phụ thuộc nhiệt độ
• Dòng điện qua tiếp giáp p‐n phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ:
– Dòng Is phụ thuộc nhiệt độ
– ID phụ thuộc Is và cả VT thay đổi theo nhiệt độ
• Hình vẽ chỉ ra đặc tính quan hệ I‐V phụ thuộc nhiệt độ:
– Khi nhiệt độ tăng nếu giữ cho điện áp trên diode cố định thì dòng điện 
qua diode tăng
– Khi giữ cho dòng điện qua diode cố định thì khi nhiệt độ tăng điện áp 
rơi trên diode sẽ giảm.
I(mA) 100o 70o 27o

V(V)
0.4V 0.5V 0.6V
Sự thay đổi theo nhiệt độ của đặc tính của diodde

14
 Các tụ điện của diode
• Khi phân cực cho diode (ngược và thuận) thì có một lượng điện tích 
được cất giữ trong diode Æ diode cũng có tác dụng như tụ điện. Có
hai kiểu tụ điện:
– CD tụ điện khuếch tán (diffusion capacitance)
– CT tụ điện tiếp giáp (junction capacitance hay transition capacitance)
• Các giá trị tụ điện phụ thuộc vào điện áp phân cực
– Phân cực thuận thì CD >> CT, CD cỡ nF
– Phân cực ngược CT >> CD, CT cỡ pF
• CD ảnh hưởng đến hoạt động của diode khi làm việc ở chế độ 
đóng/cắt
– Khi diode đang cắt (dòng ID ≈ 0) để cho diode dẫn hoàn toàn cần có thời gian
để nạp tụ CD.
– Khi diode đang dẫn dòng (ID >0) muốn diode cắt thì cần một thời gian để các
điện tích trong CD phóng hết
• CT thay đổi phụ thuộc vào điện áp ngược, do đó thường được sử
dụng trong các ứng dụng vô tuyến làm các tụ có điều khiển 
(varactor)
15
 Mô hình khoá lý tưởng
• Mô hình này được sử dụng trong các tính toán đơn giản không cần 
độ chính xác cao:
– Khi điện áp V < 0 thì diode khóa, dòng qua diode bằng 0.
– Khi điện áp V chỉ cần lớn hơn 0 một lượng nhỏ thì diode dẫn dòng hoàn 
toàn và điện áp rơi trên diode V ≈ 0.
• Có thể coi diode như là một công tắc được điều khiển bằng điện áp.
V
I
A K

V<0 A K

V=0
A K
0 V

16
 Mô hình khoá với điện áp lệch
• Nếu coi dòng điện khi V < Von (cỡ 0.7V) là nhỏ có thể bỏ
qua, thì ta có thể áp dụng mô hình sau cho diode trong 
khi tính toán.
V

A K
I

V < Von A K
Von

V = Von A K
VT V

17
 Mô hình tín hiệu lớn
• Trong một số trường hợp yêu cầu độ chính xác cao hơn, người ta có
thể sử dụng mô hình diode có điện trở:
– Khi V < Vcut‐in dòng điện qua diode có thể coi bằng không (diode hở
mạch), thường thì Vcut‐in được lấy xấp xỉ 0.6V
– Khi V > Vcut‐in thì diode được mô hình bởi nguồn áp với điện trở thuận 
của diode
– Vcut‐in là điện áp mà tại đó dòng điện bằng 1/100 dòng điện tại Von
– RF là điện trở thuận của diode khi xấp xỉ đường cong hàm e mũ bằng 
đường thẳng.

A K

RF
V < Vcut-inA K
RF
Vcut-in
RF
V > Vcut-inA K
0.6 V

18
 Mô hình tín hiệu nhỏ
• Khi diode dẫn dòng, để có mô hình chính xác đối với các 
sự thay đổi V‐I rất nhỏ quanh điểm phân cực diode thì 
người ta sử dụng mô hinh fín hiệu nhỏ: Anode
– rF là điện trở động được tính theo công thức
⎛V ⎞ dV VT rF CD CT
I ≈ I s exp ⎜ ⎟ → rF = ≈
⎝ VT ⎠ dI I

– CT: tụ điện tiếp giáp. Cathode
– CD: tụ điện khuếch tán.
– Các giá trị tụ điện trong mô hình tín hiệu nhỏ thường được sử
dụng trong các mạch có tần số làm việc cao.

19
 Zener diode
• Zener diode: là diode được dùng trong  I
các mạch ổn áp sử dụng đặc tính ngược 
của diode.
• Điện áp đánh thủng:
– Khi đặt điện áp ngược nên trên diode sẽ
tạo ra dòng điện ngược rất nhỏ qua 
diode.
– Nếu tiếp tục tăng điện áp ngược đến một  VZ V
giá trị thì dòng qua diode sẽ tăng rất 
nhanhÆ điện áp đánh thủng  Von
(breakdown voltage). 
– Dòng điện này sẽ làm nóng và hỏng tiếp 
giáp p‐n.
• Diode zener được chế tạo đặc biệt khi 
đặt điện áp ngược lên diode đến một 
điện áp Vz thì dòng điện qua diode cũng 
tăng nhưng nếu giữ cho dòng điện  Anode Cathode
trong một khoảng nhất định thì lớp tiếp 
giáp không bị hỏng.

20
 Schottky diode
• Schottky diode được hình thành do sự tiếp xúc giữa kim loại và
chất bán dẫn kiểu n. Do vậy schottky diode có một số ưu điểm 
hơn diode tiếp giáp p‐n ở chỗ:
– Điện áp phân cực thuận  nhỏ hơn (cỡ 0.3 đến 0.5V)
– Tụ điện khuếch tán CD ≈ 0 nên thời gian để cho diode chuyển từ
trạng thái dẫn sang trạng thái cắt là nhanh hơn diode p‐n (cỡ 50ns).
• Diode schottky thường được sử dụng trong các mạch điện tử số
với điện áp thấp. anode cathode
metal

Anode Cathode n+
n

Schottky diode

21
 Diode phát sáng
• LED (Light‐Emitting Diode): là một diode tiếp giáp pn 
được chế tạo đặc biệt để khi có đủ điện áp phân cực 
thuận thì diode có thể phát ra các ánh sáng.
• Việc phát sáng của LED là do sự tái hợp của các hạt 
mang điện tại gần vùng nghèo.
• Thường điện áp phân cực thuận khi LED phát sáng là từ 
1.5V cho đến 1.7V với dòng điện từ 10 đến 20mA.

22
 Ví dụ 1
• Cho mạch như hình vẽ. Hãy 
tính điện áp VO, giả thiết điện 
áp mở của các diode là 0.7V.
• Giải:
– Có thể giải bài toán bằng cách 
sử dụng quan hệ I‐V. tuy 
nhiên đây là bài toán phi 
tuyến Æ phức tạp
– Cách đơn giản là sử dụng mô 
hình gần đúng của diode, ở 
đây chúng ta có thể sử dụng 
mô hình diode = khóa+điện áp  
lệch.

23
 Ví dụ 1
• Vì V1 và V2 đều lớn hơn Vs nên ta chỉ có thể có hai giả
thiết:
– Giả thiết cả hai diode dẫn, như vậy ta sẽ có dòng qua 2 diode là 
dòng forward (luôn dương)Æ tuy nhiên giải phương trình mạch 
ta sẽ có dòng điện qua D1 là dòng điện âm Æ loại 
– Giả thiết D2 khóa và D1 dẫn khi đó dòng D2 sẽ bằng

I2 =
(V2 − VD 2 − VS ) (15 − 0.7 − 4 )
= = 3.43mA
R1 + R3 1+ 2

VO = 4 + 3.43 × 2 = 10.87V

24
 Ví dụ 2
• Cho mạch điện như hình vẽ. 
Với điện e(t) là điện áp hình 
sin:
e ( t ) = EM sin ω t

• Hãy xác định (vẽ) điện áp 
VR(t) trong hai trường hợp:
– EM >> Von và R >> RF
– EM và RF không quá lớn so với 
Von và RF.

25
 EM>>Von và R >> RF
• Khi đó có thể sử dụng diode với mô hình lý tưởng

e(t)

26