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EA repaso 2007-10-10

EA repaso 2007-10-10

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05/11/2014

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E
SCUELA
U
NIVERSITARIA
 
DE
I
NGENIERÍA
T
ÉCNICA
I
NDUSTRIAL
 
DE
B
ILBAO
E
LECTRÓNICA
A
NALÓGICA
– C
UESTIONARIO
 
DE
R
EPASO
- (09-10-2007)
1erAPELLIDO: ....................................................................................................................... .......APELLIDO: ....................................................................................................................... .......NOMBRE: ........................................................................................... ...GRUPO:...................1. En el modelo de bandas de energía, ¿qué debe ocurrir para que un electrón salte de labanda de valencia a la de conducción?..........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................2. Aislantes, conductores y semiconductores...a) ¿Cuál es la característica principal del modelo de bandas de energía de unmetal?.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................b) ¿En qué se parecen los modelos de bandas de energía de un aislante y unsemiconductor? ¿Y en qué se diferencian?.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................c) Hablando de conducción de corriente, ¿cl es la principal ventaja de unsemiconductor?.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................3. Indica si las siguientes afirmaciones acerca de los semiconductores son verdaderas o falsas,y en el caso de que sean falsas, razona la respuesta.a) En un semiconductor intrínseco a temperatura ambiente, el número deelectrones es mayor que el número de huecos.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................
 
b) En cualquier tipo de semiconductor, la rotura de un enlace covalente ocasiona lacreación de un par electrón – hueco.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................c) El proceso de recombinación de pares electrón – hueco se da cuando un electrónligado a un enlace covalente salta a un hueco de un enlace covalente incompleto.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................d) En un semiconductor intrínseco, con T < 300ºK, los electrones provienen de lasimpurezas donadoras y los huecos de las impurezas aceptadoras.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................e) A temperatura ambiente, un semiconductor que no sufre ningún tipo deperturbación externa se dice que está en equilibrio termodinámico.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................f) Un semiconductor extrínseco es un semiconductor al que se le han añadidoimpurezas para alterar la probabilidad de ocupación de las bandas, y por lotanto, aumentar la conductividad.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................g) Un semiconductor extrínseco de tipo n es un semiconductor en el que undeterminado porcentaje de sus átomos de silicio o germanio tiene un quintoelectrón.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................h) Un semiconductor extrínseco de tipo n es un semiconductor con impurezasaceptadoras, es decir, con tres electrones en la última capa.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................
 
i) A altas temperaturas (T > 300ºK) un semiconductor extrínseco se comportacomo un semiconductor intrínseco....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... j) En un semiconductor extrínseco de tipo n, además de la formación de pareselectrón – hueco, se liberan también electrones no enlazados provenientes de laimpurezas.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................k) En un semiconductor extrínseco de tipo n, el número de electrónes generados apartir de la rotura de enlaces covalentes es igual al número de huecos.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................l) En un semiconductor extrínseco de tipo n, el huecos generados a partir de larotura de enlaces covalentes es menor que el número de electrones.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................m) Un semiconductor de tipo p se obtiene eliminando todas las impurezas de unsemiconductor intrínseco.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................n) Un semiconductor de tipo n tiene un mayor conductividad que uno de tipo p.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................4. ¿Cuál es la causa que provoca el mecanismo de arrastre? ¿Y el de difusión?.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5. Explica qué es y cómo se forma la zona de deplexión de una unión PN en equilibrio

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