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CMOS FET

CMOS FET

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09/06/2010

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1
O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor MOSFET
Jacobus W SwartVimos em capítulo anterior o efeito do campo elétrico ou da tensão aplicada, auma porta de um capacitor MOS, ou seja, como, variando a tensão V
G
, variam osdiagramas de bandas, de densidades de cargas, de campo elétrico e de potencialelétrico num eixo perpendicular à superfície. Estes resultados resultam da análiseeletrostática unidimensional, pelo uso das equações básicas de semicondutores e daequação de Gauss e/ou de Poisson.Esta análise resultou entre outros, na determinação da tensão de limiar clássicada estrutura MOS, definida como a condição onde o potencial de superfície torna-se devalor igual a duas vezes o potencial de Fermi, ou seja, considerando substrato tipo p,temos:
S
φ φ 
.2
=
(1)onde:
      =
i A
n N qkT 
ln
φ 
(2)
 ASiOFB
q
φ ε φ 
.2....2. 1.2
++=
(3)onde:
 MSOOFB
Q
Φ+=
(4)Q
O
= carga efetiva de interface SiO
2
-Si, por unidade de área.
Φ
MS
= diferença de função trabalho entre o metal e o semicondutor.
oxoxO
ε 
=
= capacitância de placas paralelas do dielétrico de portapor unidade de área.Estes conceitos citados acima constituem os fundamentos para o entendimentodo transistor MOSFET ou simplesmente MOS. O princípio básico do transistor MOS éna verdade bem simples e foi proposto e patenteado já em 1928, por Lilienfeld, umhomem muito à frente do seu tempo. Dizemos à frente do seu tempo, pois a realizaçãofísica do transistor MOS não foi possível na época, pela não maturidade tecnológica. AFig. 1 ilustra um desenho esquemático do transistor, como apresentado na patente. Alimitação tecnológica da época refere-se ao não controle e alta densidade de estados ecargas de superfície do semicondutor. Esta alta densidade de estados de superfícieproduzia uma blindagem do semicondutor, impedindo assim uma modulação dadensidade de portadores, portanto, da condutância entre os contatos de fonte e dreno,pela tensão de porta. Finalmente, apenas em 1960, obteve-se sucesso na fabricaçãodo transistor MOS, na Bell Labs, por D. Kahng e M. Atalla. A Fig. 2 mostra um desenhoesquemático do transistor MOS tipo nMOS (substrato p). O transistor MOS é umdispositivo de 4 terminais, sendo estes: fonte, dreno, porta e substrato. O transistorpMOS é complementar ao nMOS, ou seja, é formado por substrato tipo n e regiões defonte e dreno tipo p.
 
2
Neste capítulo apresentaremos os princípios físicos do transistor MOS e osmodelos básicos de operação.Fig. 1 Desenho esquemático do transistor MOSFET como apresentado porLilienfeld, em 1928.Fig 2 Desenho esquemático da estrutura moderna do transistor MOSFET emperspectiva, corte em secção transversal e o símbolo do transistor nMOS
 
3
1. MOS de três terminais ou diodo controlado por porta
A Fig. 3 ilustra a estrutura de um MOS de 3 terminais ou diodo controlado porporta. Esta estrutura não tem aplicação prática como dispositivo, mas é de extremarelevância para o entendimento do funcionamento do transistor MOS, ou MOS de 4terminais. O MOS de 3 terminais corresponde a um meio transistor, omitindo-se o seudreno.Fig. 3 Estrutura de diodo controlado por porta o MOS de 3 terminais.Para entender o efeito do diodo sobre a análise do capacitor MOS, devemos juntar os conceitos do diodo pn e do capacitor MOS. Na Fig. 4 repetimos as estruturasde bandas de diodos pn, sem e com polarização, sendo esta direta e reversa. Observa-se que com polarização direta ocorre uma redução da barreira da junção enquanto compolarização reversa esta barreira aumenta. Para os casos de polarização da junção, ouseja, com a estrutura fora do equilíbrio térmico, define-se níveis de quase-Fermi, quesão assumidos constantes dentro das regiões de depleção (existem argumentosconvincentes que justificam esta aproximação). Dentro da região de depleção da junção, os dois níveis de quase-Fermi são separados em energia, com valor dado porq.V
a
. Conhecidos os valores dos níveis de quase-Fermi podemos determinar asconcentrações dos portadores pelas relações de Boltzmann.A Fig. 5 mostra os diagramas de bandas bi-dimensional, de MOS de 3 terminais,com diodo sem polarização e com polarização reversa. O caso do diodo compolarização direta não tem interesse para estudo de transistores MOS, dado que nuncadevemos polarizar as junções de fonte e dreno diretamente em relação ao substrato.a)

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