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Silicon Controlled Rectifier (SCR)
Funcionamento Físico do Silicon Controlled Rectifier (SCR)
1. Introdução:
O SCR, também conhecido como tiristor, é um dispositivo semicondutor NPNPde 4 camadas. Em seu estado normal o SCR bloqueia a passagem de corrente(ou tensão) entre os seus dois terminais. Porém quando o eletrodo do GATE ésubmetido a uma voltagem apropriada, a corrente passará livremente elevando a carga ao estado ligado ("
ON
"). Se a voltagem nos dois terminais dodispositivo for invertida o mesmo irá assumir um estado de alta impedâncianovamente, não podendo mais ser ativado por uma tensão no gate. Ou seja, oSCR equivale a um retificador convencional, exceto que o gate controla o iníciodo seu funcionamento, a partir de quando o dispositivo se torna independenteda tensão do gate. Ainda vale ressaltar que um outro dispositivo, o GateControlled Switch (CGS) exerce as mesmas funções do SCR, mas retém ocontrole mesmo quando o dispositivo esta no estado ligado ("
ON
").
2. Funcionamento Físico:
Naturalmente qualquer dispositivo NPNP deveria bloquear a passagem decorrente em qualquer direção, pois em ambas haveria ao menos uma junção P-
N reversamente polarizada. Essa propriedade será primeiramente analisada, eem seguida explicaremos a passagem deste estado para o estado condutor sob o controle do gate. Antes porém faremos uma pequena revisão sobre junções P-N.
Figura 2.1 – Esquema do SCR2.1 Dopagem:
O germânio e o silício são elementos tetravalentes de estrutura cristalina tipotetraédrica, com ligações por covalência, assemelhando-se ao diamante. Cadaátomo é cercado por quatro vizinhos, sendo as ligações feitas por quatro pareseletrônicos. Os quatro elétrons de valência do átomo de germânio consideradoentram na composição destes pares, os outros elétrons são fornecidos pelosátomos vizinhos do átomo considerado. Os elétrons de valência são os únicosque participam dos fenômenos de condução elétrica do semicondutor.O silício é basicamente extraído da areia e tem sido utilizado por séculos nafabricação de utensílios de ferro, porcelana e tijolos. Na sua forma pura nãopresta à construção de dispositivos eficientes; sua condutividade é muito
pequena para usos práticos. A eles são misturadas, então, "impurezas"(átomos de outros elementos com aproximadamente as mesmas dimensõesdos átomos do semicondutor) tri ou pentavalentes na proporção, em peso, dealgumas partes por milhão. A "dopagem" do semicondutor, como é chamada apreparação da liga, é feita sempre sobre cuidadoso controle e tem comoobjetivo reduzir a resistividade do material. O silício dopado então, pode atuar como condutor ou como não condutor, dependendo da polaridade de umacarga elétrica aplicada no material. Se as impurezas forem elementostrivalentes, o semicondutor é denominado tipo P (de positivo), se forempentavalentes, tipo N (de negativo). Na verdade quando isolados ambos tipossão eletricamente neutros, mas semicondutores do tipo N possuem elétronslivres (um para cada átomo de impureza), enquanto semicondutores tipo Ppossuem lacunas livres (buracos aptos a receberem elétrons).
Figura 2.2 - Dopagem de elementos semicondutores
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Silicon Controlled Rectifier
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| Upload Date: | 05/01/2009 |
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