CLASIFICACIN DE LOS COMPONENTES DE TRES TERMINALES: * BJT (Transistor de unin Bipolar) NPN PNP * FET (Transistor de Efecto de Campo)

* JFET Canal P Canal N * MOSFET * Acumulacin Canal P Canal N * Deplexin Canal P Canal N * Transistor BJT (Transistor de Unin Bipolar) Posee tres regiones dopadas. La regin inferior es el emisor, la regin media o intermedia es la Base y la regin superior es el Colector. La base e la ms estrecha y esta ligeramente dopada mientras que el Emisor esta altamente dopado y es de un tamao intermedio entre la base y el colector. El colector es la ms ancha de las tres y posee un dopado intermedio entre al base y el emisor. El transistor tiene dos uniones: colector-base tambin llamada diodo colector y emisor-base conocida como diodo emisor, su barrera de potencial es de 0.7 V en el transistor de silicio y en el de germanio de 0.3 V. Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, su forma habitual de polarizacin es polarizar en directa el diodo emisor y en inversa el diodo colector lo que proporciona mejores resultados. L corriente en el transistor puede fluir en dos direcciones: salir por la base o fluir hacia el colector donde la mayora fluir hacia el colector debido a las caractersticas de la base. El emisor tiene la corriente ms grande. El transistor es un dispositivo controlado por corriente. IE=IB+IC Existen tres formas de conectar un transistor: en EMISOR COMN (EC), COLECTOR COMN (CC) y BASE COMN (BC). EB BC CC Curva de Entrada La curva de entrada es semejante a la del diodo normal debido a la polarizacin directa del diodo emisor. Curva de Salida o Curva de Colector En esta curva se presenta las diferentes regiones en las que el funcionamiento del transistor Varia. Un transistor tiene 4 regiones de operacin distintas: ACTIVA, DE CORTE, SATURACIN y DISRUPCIN.

La primera de ellas es la regin intermedia donde el voltaje toma valores entre 1 y 40 V y tiene lugar el funcionamiento normal del transistor mejor conocida como la regin activa. En la regin de disrupcin el transistor nunca funcionara porque se destruira mientras que en la regin de saturacin el voltaje toma valores entre 0 y una decimas de Voltio y la corriente pasara toda. Existe una regin donde puede ocurrir una curvatura inesperada mejor conocida como la regin de corte donde la corriente del transistor es 0 mientras que el voltaje prevalece. Estas 4 regiones o modos de operacin tienen diferentes funcionamientos en los distintos tipos de conexin del transistor como se muestra a continuacin: Los transistores tienen una gran multitud de aplicaciones en las que se encuentran: Amplificadores de todo tipo, generadores de seales, conmutacin, actuando como interruptores, Detectores de radiacin luminosa y tambin son empleados en conversores estticos de potencia o llaves de alta potencia. * FET (Transistor de Efecto de Campo) Los FET son transistores controlados por Voltaje a diferencia de los BJT que son controlados por corriente. Este tipo de transistores son unipolares o sea que solo conducen en un tipo de material ya sea del tipo P o del tipo N y poseen una alta impedancia. Estn hechos de Silicio y Germanio basados en generar un campo elctrico. Los FET se clasifican en dos tipos: JFET y MOSFET, este ltimo a su vez, se clasifica en MOSFET de acumulacin y deplexin. Los JFET o Transistores de Efecto de Campo de Unin poseen al igual que el BJT tres terminales pero estas estn denominadas de distinta manera las cuales son: COMPUERTA (GATE), FUENTE (SOURES) y DRENAJE (DRAIN). Existen dos tipos de JFET, los de canal N y los de canal P. Donde su estructura interna es: Donde la unin GS se polariza en inversa provocando que se forme una zona de transicin libre de portadores de carga. La zona de Transicin de transicin crece o disminuye dependiendo del voltaje que se le suministre en la compuerta provocando que la corriente ID dependa del voltaje USG. Entre D y S existe una resistencia que varia en funcin de USG. El ancho del canal depende de la tensin UDS y pasado un limite la corriente en ID deja de crecer volvindose constante. Este tipo de transistor posee caractersticas elctricas en las cuales se comporta de dos maneras: como una resistencia o como una fuente de corriente. Caracterstica real Caracterstica Linealizada Estas caractersticas muestran que la corriente dentro de un JFET esta limitada por el canal. Las aplicaciones tpicas de este transistor son en amplificadores de audio y de radio

frecuencia ya que son muy estables. Los MOSFET o Transistores de Efecto de Campo de Metal-Oxido Semiconductor al igual que los BJT y los JFET posen tres terminales las cuales son llamadas de la misma manera que en los JFET. Estos se clasifican en dos tipos: de Acumulacin y de Deplexin. Los MOSFET de Acumulacin necesitan de un voltaje para formar un canal que una al Drenaje y a la Fuente para poder conducir. Hay de dos tipos: de Canal N y de Canal P. Donde su estructura interna esta compuesta de la siguiente manera: Normalmente el terminal de sustrato se encuentra conectado con el surtidor. En este tipo de transistor el drenaje y el surtidor son las terminales principales; si se le aplica una tensin entre la unin de drenador sustrato impide la circulacin de corriente de drenador. Si se aplica una tensin positiva en el sustrato, por defecto de campo elctrico se forma un canal de tipo N la cual es una zona rica en electrones que permite el paso de la corriente entre el drenador y el surtidor. Una vez formado el canal la corriente ID puede circular y dependiendo del campo elctrico que se le aplique a G y S ser la intensidad del canal. Al incrementar la tensin UDS se tiene un doble efecto: * Ohmico: Mayor tensin = Mayor corriente ID. * El canal se estrecha por un de los lado provocando que ID se reduzca. A partir de un cierto valor de UDS ambos efectos se compensan y la corriente se estabiliza hacindose prcticamente independiente de UDS. Las curvas caractersticas en este tipo de transistor son las siguientes: Donde a partir de un cierto valor de UGS se forma el canal de drenador y fuente. Por de bajo de este limite el transistor se esta en corte y dependiendo de la tensin en UDS se puede tener un equivalente resistivo o de fuente de corriente entre D y S. En un MOSFET de deplexin, el canal se forma mediante una difusin adicional durante el proceso de fabricacin perimiendo que haya una circulacin de corriente de drenador incluso para una tensin UGS nula. Aplicado una tensin negativa UGS se cierra el canal. Las aplicaciones tpicas de estos transistores son: convertidores y accionadores electrnicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales entre otras