ELEKTROTEHNIKA

10

TRANZISTOR

Bipolarni tranzistor Ebers-Moll-ov model Podruja djelovanja BJT MOSFET Podruja rada MOSFET-a Primjena tranzistora

147

Tranzistor Tranzistori su poluvodiki elementi koji se iroko koriste u elektronici obavljajui uglavnom zadae pojaala ili sklopke. Razvijeni su u Bellovim laboratorijima 1948., na tritu su se pojavili 1952. godine, a danas se izrauju i koriste u mnogo inaica kao pojedinane komponente ili dijelovi integriranih krugova. Temelj djelovanja tranzistora su pojave na pn spoju. Naziv potjee od nekadanjeg opisa djelovanja: TRANSfer resISTOR (engl.), mogueg promatranja njegovog rada kao upravljanog otpora. Osnovne su inaice bipolarni tranzistor i tranzistor upravljan poljem (FET).

10.1. Bipolarni tranzistor

Bipolarni tranzistor (BJTbipolar junction transistor) sastoji se od dva pnspoja u redoslijedu npn ili pnp. Dijelovi sastava kao i istoimeni izvodi nazivaju se Eemiter, Bbaza, Ckolektor. Rad BJT temelji se na ponaanju i veinskih i manjinskih nositelja u tankoj bazi smjetenoj izmeu emitera i kolektora i graninim podrujima uz nju. Simbole npn i pnp BJT tranzistora s prikazanim definicijama smjerova struja i raspored slojeva prikazuje slika 10.1. Simboli npn i pnp tipa razlikuju se po smjerovima strelica, to vrijedi i za ostale vrste tranzistora. Kako u praksi prevladavaju npn tranzistori, sljedea razmatranja odnose se na njih.

Slika 101 Simboli i naelna graa BJT tranzistora a) npn tip b) pnp tip

Ponaanje BJT opisuje se za razliite potrebe razliitim modelima. Statiko (DC) ponaanje za veliki signal moe se opisati Ebers-Moll-ovim modelom sa slike 10.2.

Slika 102 Ebers-Moll-ov model za npn tip tranzistora

148

ELEKTROTEHNIKA Model ine zavisni strujni izvori te simboli diode koji simboliziraju pn spojeve. IF je struja pn spoja baza-emiter (BE) i ovisi o naponu VBE prema: VBE I F = I ES e VT 1 gdje je IES struja zasienja pn spoja BE. Na pn spoju baza-kolektor (BC) struja IR ovisi o naponu VBC prema: VBC I R = I CS e VT 1 gdje je ICS struja zasienja pn spoja BC. Struje prikljuaka mogu se izraziti prema I. Kirchhoffovom zakonu:
VBC VBE I C = F I F I R = F I ES e VT 1 I CS e VT 1
(10.3) (10.2) (10.1)

VBC VBE I E = I F + R I R = I ES e VT 1 + R I CS e VT 1
I B = I E I C = (1 F ) I F + (1 R ) I R

(10.4) (10.5)

Parametri imaju znaenja:

Fstrujno pojaanje u spoju zajednike baze, Rreverzno strujno pojaanje u spoju zajednike baze.

U oznakama R dolazi od reverznog (engl. reverse), a F od unaprijednog (engl. forward). Reverzno i unaprijedno strujno pojaanje povezuje relacija:

R I CS = F I ES = I S
Pritom je IS struja zasienja
IS = J SA

(10.6)

(10.7)

gdje je A povrina spoja baza-emiter, a JS gustoa struje zasienja za koju vrijedi:

JS = qDn n i2 QB
(10.8)

s oznakama

Dnsrednja efektivna difuzijska konstanta elektrona niinitrinsina gustoa nositelja u siliciju (ni=1,451010 cm-3 pri 300 K) QBbroj atoma dopiranih u bazu po jedininoj povrini (povrinska gustoa)

149

Tranzistor Parametri R i F ovise o gustoi neistoa i dubini poluvodikog spoja, a iznosi su im manji od 1. Kod pnp tranzistora, smjer dioda u nacrtanom modelu je obrnut, kao i naponski polariteti u jednadbama. Kako se svaki od dva pn prijelaza moe nalaziti u svakoj od dvije mogue polarizacije, postoje etiri podruja djelovanja BJT tranzistora: aktivnounaprijedno (engl. forward-active), aktivno-reverzno (engl. reverse-active), zasienje (engl. saturation) i zapiranje (engl. cut-off). Za npn tranzistor ovisnost podruja djelovanja o polarizaciji pn prijelaza mogu se prikazati u koordinatnom sustavu VBC, VBE i tablino (slika 10.3).
-VBC
zaporno

podruje zapiranja
zaporno

unaprijedno aktivno
propusno

VBE

reverzno aktivno

propusno

VBE

podruje zasienja VBC

npn bipolarni tranzistor

pn prijelaz baza-emiter

zaporno polariziran

propusno polariziran

pn prijelaz baza-kolektor

zaporno polariziran propusno polariziran

podruje zapiranja reverzno aktivno

unaprijedno aktivno podruje zasienja

Slika 103 Podruja djelovanja npn bipolarnog tranzistora

10.1.1.

Unaprijedno aktivno podruje

Ostvaruje se pri propusnoj polarizaciji spoja EB i zapornoj polarizaciji spoja BC. To je esto radno podruje tranzistora i koristi se za pojaavanje signala, osobito u spoju zajednikog emitera. Kod npn tranzistora veinski nositelji elektroni koji ine glavninu emiterske struje, pri prijelazu propusno polariziranog pn-spoja izmeu emitera i baze nau se kao manjinski u bazi. Velika veina tih elektrona ne stie se rekombinirati u tankoj bazi, ve privueni poljem na zaporno polariziranoj baznokolektorskoj barijeri (manjinskim nositeljima iz baze ta polarizacija nije zaporna) prolaze u kolektor inei kolektorsku struju. Razlika emiterske i 150

ELEKTROTEHNIKA kolektorske struje jest mala struja baze kojom se nadoknauju u bazi rekombinirani nositelji. Uz VBE>0,5 V i VBC<0,3 V jednadbe (10.3) i (10.4) mogu se pojednostavniti te izlazi
VBE

I C = I S e VT IE =

(10.9) (10.10)

IS

VBE

e VT

Iz KZ1 vrijedi
IB = (IC + IE )
(10.11)

te se nakon sreivanja dobije:

IB = IS 1 F
VBE

e VT =

IS

VBE

e VT

(10.12)

gdje je F strujno pojaanje velikog signala u spoju zajednikog emitera

F =
Oevidno je da vrijedi:

1 F

(10.13)

I C = F I B

(10.14)

Izraz (10.14) esto se koristi za najjednostavniji matematiki model BJT. U unaprijedno-aktivnom podruju kolektorska struja praktino ne ovisi o naponu VBC dok je god bazno-kolektorski spoj zaporno polariziran, ve samo o prilikama na bazno-emiterskom spoju. Po uzoru na izraz (10.13) moe se takoer definirati i reverzno strujno pojaanje velikog signala u spoju zajednikog emitera:

R =

R 1 R

(10.15)

Iako prema izrazu (10.9) glavnu ulogu u upravljanju kolektorske struje IC ima napon VBE, u primjenama BJT za pojaanje redovito se koristi linearna ovisnost IC o baznoj struji IB prema izrazu (10.14). Jedan od razloga je jaka nelinearnost u izrazu (10.9) i time razmjernost raspoloivog raspona kolektorskih struja vrlo zbijenom rasponu napona VBE oko 0.7 V (za silicij).

10.1.2.

Reverzno aktivno podruje

Reverzno aktivno podruje postoji pri reverznom prednaponu na BE spoju i propusnom prednaponu BC spoja. Ebers-Moll-ov model u reverznoaktivnom podruju (VBC>0.5 V i VBE<0.3 V) pojednostavljuje se na:

151

Tranzistor
IE = IS e IB =
VBC VT

(10.16) (10.17)

IS

VBC

e VT

to daje
I E = R I B
(10.18)

Ovo podruje vrlo se rijetko koristi.

10.1.3.

Podruja zasienja i zapiranja

U podruju zasienja obje barijere propusno su polarizirane, baza je zasiena nosiocima i tranzistor se ponaa kao ukljuena sklopka u strujnom krugu (stanje "ON"). Zasienje se ostvaruje pri malim naponima VCE, a kolektorska struja IC razmjerna je gotovo linearno (po Ohmovom zakonu) naponu VCE. U podruju zapiranja BJT obje barijere polarizirane su reverzno i proputaju vrlo male reverzne struje, pa se u jednostavnim modelima uzima da vrijedi IC=IB=IE=0. Tranzistor se u strujnom krugu tada ponaa kao iskljuena sklopka (stanje "OFF").

Ic (mA)
podruje zasienja

linearno aktivno podruje

podruje proboja

i B = 150 A
120 A 100 A

15 1 0 5

75 A 50 A
25 A

iB = 0

podruje zapiranja

10

20

VCE (V)

Slika 104 Podruja djelovanja BJT na izlaznoj karakteristici IC=f(VCE)

Kad zaporni napon na BC prijelazu nadmai doputenu vrijednost tranzistor ulazi u podruje proboja (breakdown) s porastom kolektorske struje IC i termikim unitenjem.

152

ELEKTROTEHNIKA
Primjer 10.1

Za neki BJT vrijede sljedei podaci: povrina emitera A=5,0 mm2, F=120, R=0,3, gustoa struje zasienja JS=210-10 A/mm2 i T=300 K. Treba nacrtati ulaznu karakteristiku IB=f(VBE) pri konstantnom VBC=1 V u podruju 0,3<VBE<0,7 V.
Rjeenje
% ulazna karakteristika BJT k=1.381e-23; temp=300; q=1.602e-19; cur_den=2e-10; area=5.0; beta_f=120; beta_r=0.3; vt=k*temp/q; % izraz (6.3) is=cur_den*area; % (10.7) alpha_f=beta_f/(1+beta_f); % iz izraza (10.15) alpha_r = beta_r/(1+beta_r); % iz izraza (10.17) ies=is/alpha_f; % iz izraza (10.6) vbe=0.3:0.01:0.75; ics=is/alpha_r; % iz izraza (10.6) m=length(vbe); for i = 1:m ifr(i) = ies*exp((vbe(i)/vt)-1); % (10.1) ir1(i) = ics*exp((-1.0/vt)-1); % (10.2) ib1(i) = (1-alpha_f)*ifr(i) + (1-alpha_r)*ir1(i); % (10.5) end plot(vbe,ib1) title('Ulazna karakteristika BJT') xlabel('napon baza-emiter {\itV}_B_E V') ylabel('struja baze {\itI}_B \muA')

Slika 105 Slika uz primjer 10.1

153

Tranzistor
Primjer 10.2

Tranzistor npn tipa ima emitersko podruje od 5,0 mm2, F=0,98, R=0,35 i gustou struje JS=210-9 A/mm2. Za temperaturu T=300 K treba primjenom Matlab programa nacrtati izlaznu karakteristiku IC=f(VCE) uz VBE=0,65 V.
Rjeenje
%izlazna karakteristika BJT k=1.381e-23; temp=300; q=1.602e-19; cur_den=2.0e-15; area=5.5; alpha_f=0.98; alpha_r=0.35; vt=k*temp/q; is=cur_den*area; ies=is/alpha_f; ics=is/alpha_r; vbe= [0.65]; vce=[0 0.07 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 1 2 4 6]; n=length(vbe); m=length(vce); for i=1:n for j=1:m ifr(i,j)= ies*exp((vbe(i)/vt) - 1); vbc(j) = vbe(i) - vce(j); ir(i,j) = ics*exp((vbc(j)/vt) - 1); ic(i,j) = alpha_f*ifr(i,j) - ir(i,j); end end ic1 = ic(1,:); plot(vce, ic1,'b') title('Izlazna karakteristika BJT') xlabel('napon kolektor-emiter {\itV}_C_E V') ylabel('kolektorska struja {\itI}_C A') text(3,3.1e-4, '{\itV}_B_E = 0,65 V') axis([0,6,0,4e-4])

Slika 106 Slika uz primjer 10.2

154

ELEKTROTEHNIKA

10.1.4.

h-parametri etveropola
V1 = h11I1 + h12V2 I 2 = h 21I 1 + h 22V2

etveropol se moe takoer opisati h-parametrima:

(10.19)

gdje su I1 i V2 nezavisne varijable, a V1 i I2 zavisne varijable. U matrinom obliku to izgleda ovako:

V1 h11 h12 I 1 I = 2 h 21 h 22 V2
(10.20)

h-parametri mogu se pronai na ovaj nain:

h11 = h 21 V1 I1
V2 = 0

h12 = h 22

V1 V2

I1 = 0

I = 2 I1

V2 = 0

I = 2 V2

(10.21)
I1 = 0

h-parametri se takoer zovu hibridni parametri, jer sadre parametre za otvoreni (I1=0) i zatvoreni (V2=0) krug.
Primjer 6.6

Mrea na slici prikazuje pojednostavljeni model bipolarnog tranzistora (bipolar junction transistor). Treba nai njegove h-parametre:
Z1

I1 +

I2 +

V1

I1

Y2

V2

Slika 107 BJT - bipolarni tranzistor

Koristei KZ1 za ulaz dobije se:

V1 = I1Z1

a koristei KZ2 za izlaz dobije se:

I 2 = I 1 + Y2 V2

to daje h-parametre u matrinom obliku:

[h ] = 1 Y

0 2

155

Tranzistor

10.2. FET
Tranzistori s efektom polja FET (field effect transistor) su vrsta tranzistora za ije se upravljanje ne koristi ulazna struja kao kod BJT, ve napon, te se pomou elektrinog polja utjee na struju kroz vodljivi kanal. Pokretni nosioci naboja nisu veinski i manjinski kao kod BJT, ve samo jednog polariteta: elektroni kod n-kanalnog FET-a i upljine kod p-kanalnog FET-a. Danas prevladavaju n-kanalne izvedbe zbog boljih svojstava, pa se razmatranja odnose na njih. Postoje dvije osnovne inaice: JFET (stariji, danas manje koriten) i MOSFET.

10.2.1.

MOSFET

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) je element sastavljen od etiri podruja: vrata (engl. gate), izvor (engl. source), odvod (engl. drain) i podloga (engl. substrate), te izvodima za vrata (G), izvor (S) i odvod (D). Visokovodljiva (npr metalna) vrata odvojena su vrlo tankim i visoko kvalitetnim izolatorom (npr. SiO2) prema modelu strukture na slici 10.8.

osiromaeni tip

obogaeni tip

Slika 108 Model strukture i simboli n-kanalnog MOSFETa

Razlikuju se dva tipa: obogaeni (enhancement) i osiromaeni (depeletion). U obogaenom tipu MOSFET-a vodljivi kanal izmeu izvora i odvoda nastaje tek primjenom napona na vratima G. Primjerice, kod n-kanalnog obogaenog tipa MOSFETa vodljivi kanal izmeu jako dopiranih n-podruja izvora S i odvoda D nastaje tek kad dostatno pozitivni napon na vratima VGS influencijskim djelovanjem potisne veinske upljine dublje u podlogu, a privue elektrone i uini ih u kanalu ispod vratiju veinskim nositeljima ("obogaivanje kanala").

a)

b)

c)

Slika 109 Nastajanje n-kanala porastom VGS pri VDS = 0 u obogaenom tipu MOSFETa a) VGS 0 , upljine u podlozi ispod vratiju G; osiromaena podruja samo uz S i D

b) VGS > 0 , upljine se odmiu od G, ispod vratiju nastaje osiromaeno podruje c) VGS
0 , vrata privlae elektrone i nastaje vodljivi kanal izmeu S i D

156

ELEKTROTEHNIKA Napon VGS=VT pri kojem se formira kanal naziva se okidni (engl. threshold). U osiromaenom tipu MOSFET-a postoji vodljivi kanal izmeu izvora i odvoda i pri nultom naponu na vratima (VGS=0), a okidni je napon negativan. U oba sluaja promjenom napona na vratima kapacitivnim (influencijskim) djelovanjem utjee se na vodljivost kanala, a time i na iznos struje izmeu odvoda i izvora.
ID ID

VT a)

VGS

VT b)

VGS

Slika 1010 Prijenosna karakteristika MOSFETa a) obogaeni tip b) osiromaeni tip

U statikim uvjetima struja vratiju praktino ne tee (IG=0) zbog izolacijskog sloja izmeu vrata i kanala, to znai da MOSFET ima veliku ulaznu impedanciju i da se upravljanje struje kanala ID=IS ostvaruje bez utroka snage. MOSFET moe raditi u tri podruja: zapiranju, triodnom i zasienju.

10.2.1.1.

Podruje zapiranja
VGS < V T
(10.22)

Zapiranje (engl. cut-off) se ostvaruje kad je napon VGS nii od okidnog VT:

Struja odvoda ID jednaka je nuli za sve vrijednosti napona odvod-izvor VDS jer nema uvjeta za vodljivi kanal. Obogaeni n-kanalni MOSFET ima pozitivan okidni napon VT, a osiromaeni negativan.

10.2.1.2.

Triodno (omsko) podruje

Kad je VGS>VT (kanal postoji) i VDS (VGSVT), dakle vrijednosti VDS su male, MOSFET radi u triodnom podruju i ponaa se kao nelinearni, naponom kontrolirani otpor. Struja ID raste pri porastu napona VDS sa sve manjim gradijentom, koji na granici triodnog podruja postaje jednak nuli (slika 10.9 b). U triodnom podruju kanal se suuje prema odvodu D jer je tamo influencijsko djelovanje slabije zbog manjeg polja. Porastom napona VDS kanal se uz odvod jo vie suuje prema iezavanju (pinch off). Granica triodnog podruja nalazi se pri manjim iznosima VDS . 157

VDS = VGS VT , tj. za nie vrijednosti VGS pri

Tranzistor

Slika 1011 Presjek obogaenog n-kanalnog MOSFETa

a) u triodnom podruju pri VDS (VGSVT) kanal postoji i ui je pri D; struja ID ovisi i o VGS i o VDS b) povienjem VDS na VDS=VGSVT kanal pri D iezava; dostie se granica triodnog podruja, osiromaeno podruje u blizini D se proiruje c) Pri VDS >(VGSVT) toka iezavanja kanala (pinch off) pomie se prema izvoru S; osiromaeno se podruje jo vie proiruje; napon VDS ne utjee na struju, ve samo VGS

158

ELEKTROTEHNIKA

10.2.1.3.

Podruje zasienja
VDS VGS V T
(10.23)

MOSFET je u zasienju pri:

U tom se podruju pri poveanju napona VDS toka zatvaranja kanala (vrh trokuta na slici 10.8 b)) pomie od odvoda D prema izvoru S. Iz kanala injektirani elektroni s te toke stiu kroz osiromaeno podruje na odvod. Na iznos struje ID ne utjee napon VDS ve samo VGS.

Slika 1012 Karakteristike MOSFETa a) prijenosna, b) izlazne

Podruje zasienja slino je po ovisnosti struje i napona unaprijednoaktivnom podruju BJT i slino se upotrebljava.
Primjer 6.5

Mrea na slici prikazuje pojednostavljeni model FET-a (Field Effect Transistor-a). Treba nai njegove y-parametre.
I1
+ C3

I2
+ C1

V1

gm V1

Y2

V2

Slika 1013 FET

Koristei KZ2 dobije se: 159

Tranzistor
I1 = V1sC1 + (V1 V2 ) sC 3 = V1 ( sC1 + sC 3 ) + V2 ( sC 3 ) I 2 = V2Y2 + gmV1 + (V2 V1 ) sC 3 = V1 ( gm sC 3 ) + V2 (Y2 + sC 3 )

Prema tomu, y-parametri pojednostavljenog FET-a su:

[Y ] =

sC1 + sC 3 sC 3 gm sC 3 Y2 + sC 3

10.2.2.

JFET

Spojni tranzistor ili JFET (junction field effect transistor) iju naelnu grau i simbole prikazuje slika 10.10 ima izvode i pripadna podruja s nazivima i oznakama: vrata G (engl. gate), izvor ili uvod S (engl. source) i odvod D (engl. drain). U simbolikom prikazu n-kanalne izvedbe osnova n-tipa izvedena je na izvor S i odvod D, dok je bono ubaeno podruje p-tipa izvedeno na vrata G (kod p-kanalne izvedbe tipovi su obrnuti).
D G G D D D D

D
n n n

G
p n

p VDS

p VGS VGS

S a) b)

S c)

S d)

S e)

Slika 1014 JFET

a) simbol i naelna graa n-kanalnog, b) simbol i naelna graa p-kanalnog, c) osiromaeno pn podruje bez vanjske polarizacije, d) osiromaeno podruje iri se preteno u kanal pri naponima VGS<0, VDS=0, e) pri naponima VGS<0, VDS > 0 osiromaeno pn podruje promjenljive je irine

Na pn prijelazu stvara se osiromaeno podruje koje uglavnom zahvaa u slabije dopirani kanal. Za VGS=0 i VDS=0 osiromaeno je podruje razmjerno usko i jednolike irine na pn granici, te je kanal irok. Uz VDS=0 i VGS<0 (porast zaporne polarizacije) osiromaeno se podruje s karakteristikama izolatora iri u kanal, a kanal suuje. Pri nekom naponu VGS=VT (npr. 3 V) kanal iezava. irina kanala, a time i mogunost prolaza struje kroz kanal mogu se dakle upravljati naponom VGS . Negativniji VGS znai ui kanal i manju struju. Povienjem VDS od nule u blizini odvoda D osiromaeno podruje se iri, a kanal suuje (triodno 160

ELEKTROTEHNIKA podruje). Ako se VDS jo povea, dolazi do ieznua kanala i pri VDS > (VGSVT) JFET ulazi u podruje zasienja. JFET ima karakter osiromaenog FETa, a obogaeni ne postoji.

10.3. Primjena tranzistora

Tranzistori se izrauju razliitim tehnologijama kojima se postiu razliita svojstva. Meu parametrima tranzistora istiu se granino doputene vrijednosti napona i struja te oni kojima se opisuju dinamike mogunosti. Tranzistori se pojavljuju kao pojedinani elementi, a nalaze se i integrirani u sloenije komponente ostvarujui zajedno s drugim elektronikim elementima sklopove s definiranim funkcijama. U strujnom krugu djelovanje tranzistora svodi se najee na upravljanje strujom nekog troila. Promjene te struje slue u informacijske svrhe ili su u funkciji upravljanja energijom troila. Tranzistori namijenjeni upravljanju energijom pripadaju tranzistorima snage. Energija potrebna za upravljanje tranzistora obino je znatno manja od upravljane. Zbog prolaska struje tranzistor se zagrijava i potreban je primjeren odvod topline kako bi temperatura na pn-spojevima ostala u doputenim granicama. Ponaanje tranzistora u strujnom krugu ovisi i o nainu spajanja izvoda u strujni krug. Ako se elementarni strujni krug s tranzistorom promatra kao etveropol, postoji ulazni (upravljaki) i izlazni (upravljani) krug. Ovisno o tome koji je izvod zajedniki za ulazni i izlazni krug, mogu je spoj tranzistora sa zajednikim emiterom, kolektorom ili bazom (kod BJT), te sa zajednikim izvorom, odvodom ili vratima (kod MOSFET-a i JFET-a). Svaka konfiguracija ima razliita svojstva koja se mogu opisivati razliitim vrstama parametara kao i svi etveropoli. Najee se koriste spojevi sa zajednikim emiterom i zajednikim izvorom. Tranzistori se praktino nalaze u dvije osnovne primjene: u funkciji uklapanja i isklapanja te u funkciji pojaavanja. Funkcija sklopke koristi se pri upravljanju energijom troila i u digitalnoj tehnici, a funkcija pojaanja u razliitim pojaalima. Stanje ukljuene sklopke tranzistor priblino postie ako se radna toka nalazi u podruju zasienja (BJT) ili triodnom podruju (FET). Stanje iskljuene sklopke tranzistor postie kad se radna toka nalazi u podruju zapiranja. Za dovoenje u eljeno stanje potrebno je da upravljaka veliina (struja baze kod BJTa, napon VGS kod FETa) poprimi potrebnu vrijednost. Glavne nesavrenosti tranzistorskih sklopki jesu

napon razliit od nule u stanju ukljuene sklopke, struja razliita od nule u stanju iskljuene sklopke, ograniena brzina uklapanja i isklapanja, to ima za posljedicu ogranienje frekvencije uklapanja-isklapanja i intenzivnije zagrijavanje.

161

Tranzistor BJT su prirodno pojaala struje: malena bazna struja upravlja veu kolektorsku. Struju izvora kod FETa upravlja ulazni napon VGS . Za postizavanje naponskih promjena razmjernih promjenama struja u izlaznom krugu treba u taj krug prikljuivati radni otpor (impedanciju). Radna toka mirovanja za tranzistor u funkciji pojaala nalazi se u unaprijedno-aktivnom (BJT) ili podruju zasienja (FET). Ostvarivanje uvjeta za pozicioniranje radne toke mirovanja naziva se polarizacija baze (ili vratiju). Za razliite potrebe pojaanja koriste se razliiti nadomjesni modeli tranzistora. Osim BJT i FET tranzistora postoje i druge vrste tranzistora te mnogo podvrsta. Pri upravljanju veim snagama uz spomenute vrste tranzistora od osobitog je znaaja komponenta s nazivom IGBT (insulated gate bipolar transistor). IGBT sjedinjuje povoljna svojstva FETa (naponsko upravljanje) i BJT (brzina i mali napon u stanju ukljuene sklopke). U upravljakom dijelu sadri MOSFET, a u izlazu BJT prema nadomjesnoj shemi na slici.

Slika 1015 Simboli i nadomjesna shema n-kanalnog IGBT

162