‫‪ - 7‬فرومغناطیس نانو ساختار‪:‬‬

‫‪-7-1‬اصول فرومغناطیس‬

‫در این فصل اثر نانو ساختار بر روی خواص فرومغناطیس و چگونگی تاثیر اندازه نانوبافت‬

‫که مواد مغناطیس حجمی را می سازد بر روی خواص فرومغناطیس را توضیح می دهیم‪.‬‬

‫ما آزمایش خواهیم کرد که چگونه کنترل اندازه نانوذرات می تواند برای طراحی مواد‬

‫مغناطیسی برای کاربرد های گوناگون استفاده شود ‪.‬‬

‫برای درک نقش نانوساختار بر روی فرومغناطیس ‪ ،‬ما نگاهی اجمالی بر روی خواص‬

‫فرومغناطیس خواهیم داشت‪.‬‬

‫در فصل ‪ 4‬خواهیم دید که سطوح انرژی متعلق به اتم های معین که جمعا پر نشده اند گشتاور‬

‫مغناطیسی بدون نقص دارند و در اثر گذاشتن همانند آهنرباهای میله ای کوچک رفتار می کنند‪.‬‬

‫مقدار گشتاور مغناطیسی یک جسم اندازه مقاومت مغناطیسی که موجود است می باشد‪.‬‬

‫اتم ها در سری های انتقال گوناگون جدول تناوبی سطوح درونی انرژی را که چرخش‬

‫الکترون ها در درونشان مجزاست را پر نمی کنند و به اتم یک گشتاور مغناطیسی بدون نقص‬

‫می دهند‪.‬‬

‫اتم آهن ‪ 26‬الکترون دارد که به دور هسته می گردند‪ .‬هجده عدد از این الکترون ها سطوح‬

‫انرژی انباشته شده می باشند که آرایش فضایی الکترون های هسته مرکزی اتم آرگون را‬

‫تشکیل می دهند ‪.‬‬

‫سطح ‪ d‬ام از مسیر چرخش ‪ N=3‬تنها شامل ‪ 6‬عدد از ‪ 10‬الکترون امکان پذیر که آن را پر‬

‫خواهند کرد می باشد ‪ ،‬پس آن برای فضای ‪ 4‬الکترون ناقص خواهد بود‪.‬‬
 ‫این انباشته شدن بطور ناتمام ‪ d‬پوسته الکترون باعث می شود تا اتم آهن یک گشتاور‬

‫مغناطیسی قوی داشته باشد‪.‬‬

‫زمانی که کریستال هایی مانند جرم آهن از اتم هایی که یک گشتاور مغناطیسی بدون نقص‬

‫دارند شکل می پذیرد حالت مختلفی در رابطه با این که چگونه گشتاور های مغناطیسی اتم‬

‫های مجزا نسبت به یکدیگر قرار دارند می توانند رخ دهند ‪.‬‬

‫شکل ‪ 1-7‬بعضی از آرایش های امکان پذیر که می توانند در دو بعد رخ دهند را نشان می‬

‫دهد‪.‬‬

‫نوک پیکان قطب شمال میله کوچک آهنربا مربوط به اتم می باشد‪.‬‬

‫اگر گشتاورهای مغناطیسی بصورت شانسی و اتفاقی نسبت به یکدیگر قرار بگیرند همانطور‬

‫که در بخش ‪ a‬از شکل ‪ 1-7‬نشان داده شده است ‪ ،‬سپس کریستال یک گشتاور مغناطیسی‬

‫خالص صفر دارد‪ .‬و این عطف به حالت پارامغناطیس می باشد‪.‬‬

‫اعمال میدان مغناطیسی ‪ DC‬بعضی از گشتاورها را تنظیم می کند و به کریستال یک گشتاور‬

‫خالص کوچک می دهد‪.‬‬

‫در یک کریستال فرومغناطیس این گشتاورها تماما به یک جهت اشاره می کنند و همانطور که‬

‫در بخش ‪ b‬از شکل ‪ 1-7‬نشان داده شده است حتی زمانی که هیچ میدان مغناطیسی ‪ DC‬اعمال‬

‫نشده است ‪ ،‬تمام کریستال یک گشتاور مغناطیسی دارد و مانند یک میله ی آهنربا که یک میدان‬

‫مغناطیسی را در بیرون آن می سازد رفتار می کند‪.‬‬

‫اگر یک کریستال از ‪ 2‬نوع از اتم هایی که هر کدام گشتاور مغناطیسی با قدرت متفاوت داشته‬

‫باشند(همانطور که در بخش ‪ c‬از شکل ‪ 1-7‬با طول پیکان ها مشخص شده است) ساخته شده‬

‫باشد ‪ ،‬ترکیبی که در بخش ‪ C‬از شکل ‪ 1-7‬نشان داده شده است می تواند رخ دهد که فری‬

‫مغناطیس نامیده می شود‪.‬‬

‫چنین کریستالی همچنین می تواند یک گشتاور مغناطیس خالص داشته باشد و مانند یک میله‬

‫آهنربا عمل کند‪.‬‬

‫شکل ‪:1-7‬نمایش آرایش های گوناگون گشتاور های مغناطیسی اتما مجزا که مواد (‪)a‬‬

‫پارامغناطیسی و (‪ )b‬فرومغناطیسی و (‪ )c‬فری مغناطیسی و (‪ )d‬آنتی فرومغناطیسی را‬

‫تشکیل میدهد‪.‬‬

‫در یک آنتی فرومغناطیس گشتاورها در یک حالت ناموازی چیده شده اند که معکوس‬

‫یکدیگرند و همانطور که در بخش ‪ d‬از شکل ‪ 1-7‬نشان داده شده و پس از این مواد گشتاور‬

‫مغناطیسی خالص ندارند‪.‬‬

 ‫در این فصل ما در اصل مایل به چیدمان فرومغناطیسی هستیم‪.‬‬

‫حال اجازه دهید که به سوال "چرا آهنرباهای مجزای هسته ای در بعضی از مواد قرار‬

‫میگیرند و در بعضی خیر؟"بپردازیم‪.‬‬

‫زمانی که یک میدان مغناطیسی ‪ DC‬بر روی یک میله ی آهنربا بکار رفته ‪ ،‬گشتاور‬

‫مغناطیسی به جهت میدان بکار برده شده می گراید‪.‬‬

‫در یک کریستال هر اتم که گشتاور مغناطیسی دارد یک میدان مغناطیسی در پیرامون آن نیز‬

‫دارد‪.‬‬

‫اگر گشتاور به اندازه کافی بزرگ باشد میدان مغناطیسی ‪ DC‬حاصل می تواند نزدیک ترین‬

‫همسایه را مجبور به قرار گرفتن در همان جهت کند که انرژِی بر هم کنشات عظیم تر از‬

‫انرژی ارتعاشی حرارتی ‪ Kb T‬اتمها درون شبکه را فراهم کرده است‪.‬‬

‫بر هم کنش های بین هستهای گشتاورهای مغناطیسی دو نوع هستند‪ :‬بر هم کنشات اصلحا‬

‫تبادلی و بر هم کنش های دو قطبی‪.‬‬

‫بر هم کنش های تبادلی یک اثر کامل کوانتومی مکانیکی می باشد و بطور کلی بر هم کنشی‬

‫قوی تر از نوع دوم می باشد ‪.‬‬

‫در مورد یک ذره کوچک مانند یک الکترون که یک گشتاور مغناطیسی دارد ‪ ،‬اعمال یک‬

‫میدان مغناطیسی ‪ DC‬بردار چرخش آنرا وا می دارد تا مانند آن که می تواند تنها دو در جهت‬

‫میدان مغناطیسی ‪ DC‬داشته باشد که ‪ ± ½ Βμ‬زمانی که ‪ Βμ‬واحد گشتاور مغناطیسی که‬

‫مگنتون بور نامیده می شود باشد‪.‬‬

‫تابع موجی نشان دهنده وضعیت ‪ +½ Βμ‬حرف ‪ a‬در نظر گرفته می شود و برای ‪-½ Βμ‬‬

‫حرف ‪ β‬می باشد‪.‬‬

‫اعداد ‪ ± ½ Βμ‬عدد کوانتومی چرخشی ‪ Ms‬نامیده میشوند‪.‬‬

 ‫برای یک سیستم دو الکترونی تعیید پذیر نخواهد بود که کدام الکترون در کدام وضعیت می‬

‫باشد‪.‬‬

‫اصل طرد پاولی اجازه نمی دهد تا دو الکترون در یک سطح انرژی عدد کوانتومی چرخشی‬

‫‪ Ms‬یکسانی داشته باشند‪.‬‬

‫مکانیک کوانتومی این حالت را با الزام اینکه تابع موجی اکترونها نامتقارن باشد که اگر دو‬

‫الکترون باهم عوض شده باشند علمت را تغییر می دهند بیان می کند‪.‬‬

‫فرم تابع موجی که به این وضعیت می پردازد ‪:‬‬

‫انرژی الکترواستاتیکی برای این حالت توسط این عبارت‬

‫داده شده که این عبارت کار انجام دادن عملیات ریاضی از متد ‪ Calculus‬به نام انتگرال‬

‫گیری را دارد‪.‬‬

‫بسط دادن مربع تابع موجی دو عبارت را می دهد ‪:‬‬

‫عبارت اول بر هم کنش معمولی کولنی بین دو ذره باردار می باشد‪.‬‬

 ‫عبارت دوم که بر هم کنش تبدیلی نام دارد ‪ ،‬تفاوت در انرژی کولنی میان دو الکترون با‬

‫چرخش هایی که موازی و ناموازی هستند را نشان می دهد‪.‬‬

‫این می تواند نشان داده شده باشد که تحت فرضیات معین ‪ ،‬بر هم کنش تبدیلی می تواند در یک‬

‫فرم بسیار ساده تر مانند ‪ JS1‬نوشته شود‪.‬‬

‫‪ ، S2‬جایی که ‪ J‬انتگرال تبدیلی یا برهم کنش تبدیلی ثابت نامیده می شود‪ .‬این فرمی است که‬

‫در مدل هیزنبرگ مغناطیس استفاده شده است‪.‬‬

‫برای یک فرومغناطیس ‪ J‬منفی می باشد و برای یک آنتی فرومغناطیس مثبت‪.‬‬

‫بر هم کنش تبدیلی بدلیل اینکه درگیر همپوشی اوربیتال هاست ‪ ،‬اصول یک بر هم کنش‬

‫همجوار است و این عموما بر هم کنش غالب می باشد‪.‬‬

‫بر هم کنش دیگری که می تواند در یک شبکه ین های مغناطیسی رخ دهد ‪ ،‬برهم کنش دوقطبی‬

‫دو قطبی نامیده می باشد و فرم‬

‫را دارد که ‪ r‬بردار موازی جداسازی خطی دو گشتاور مغناطیسی ‪ μ1‬و ‪ μ2‬هست و ‪ r‬بزرگی‬

‫این فاصله می باشد‪.‬‬

‫مغناطیس پذیری ‪ M‬از یک نمونه حجمی بعنوان گشتاور مغناطیسی کلی در واحد حجم‬

‫مشخص می شود‪.‬‬

‫این مجموع بردار تمامی گشتاور های مغناطیسی اتم های مغناطیسی در نمونه حجمی تقسیم‬

‫شده توسط اندازه نمونه می باشد‪.‬‬

‫این در دمای کوری ‪ Tc‬شدیدا افزایش می یابد ‪ ،‬دمایی که نمونه فرومغناطیس میشود و‬

‫مغناطیس پذیری بیشتر و بیشتر می شود تا جایی که دما تا زیر ‪ T‬بیشتر و بیشتر کاسته شود‪.‬‬
 ‫این از روی مشاهده پیدا شده که خیلی پایین تر از دمای کوری ‪ ،‬مغناطیس پذیری به دما‬

‫بستگی دارد بعنوان مثال ‪:‬‬

‫هرگاه ‪ )M)0‬مغناطیس پذیری در صفر درجه کلوین باشد و ‪ C‬ثابت باشد‪.‬‬

‫مغناطیس پذیری ‪ X‬از یک نمونه بعنوان نسبت مغناطیس پذیری در دمای داده شده به میدان‬

‫اعمال شده ‪ H‬مشخص می شود که ‪ X=M/H‬می باشد‪.‬‬

‫عموما برای یک ماده فرومغناطیس حجمی دمای زیر کوری گشتاور مغناطیسی ‪ M‬کمتر از‬

‫گشتاوری که مواد خواهند داشت می باشد اگر هر گشتاور اتمی در یک جهت یکسان قرار‬

‫بگیرند‪.‬دلیل این وجود نواحی مغناطیسی میباشد‪.‬‬

‫نواحی مغناطیسی مناطقی درون تمامی گشتاور های اتمی هستند که به جهتی یکسان اشاره‬

‫دارند بطوریکه درون هر ناحیه ‪ ،‬مغناطیس پذیری اشباع شده می باشد در واقع این به بالترین‬

‫مقدار امکانپذیر دست می یابد‪.‬‬

‫به هرحال بردارهای مغناطیس پذیری نواحی متفاوت در نمونه همگی نسبت به یکدیگر موازی‬

‫نیستند‪.‬‬

‫بدینسان که نمونه کلی یک مغناطیس پذیری جمعی کمتر از مقدار برای قرار گیری کامل تمام‬

‫گشتاور ها دارد‪.‬‬

‫بعضی از نمونه های آرایش نواحی در بخش ‪ a‬شکل ‪ 2-7‬نشان داده شده اند‪.‬‬

‫آنها زمانی وجود دارند که انرژی مغناطیسی نمونه توسط آرایش نواحی کاسته شده باشد‪.‬‬

‫اعمال یک میدان مغناطیسی ‪ DC‬می تواند گشتاور مغناطیسی یک نمونه افزایش دهد‪.‬‬

‫این توسط دو فرایند رخ می دهد‪.‬اولین فرایند در میادین ضعیف اعمال شده رخ می دهد زمانی‬

‫که اندازه نواحی که در امتداد جهت میدان گرویده اند افزایش میابد‪.‬‬
 ‫فرایند دوم در میادین قویتر اعمال شده که نواحی را وادار به دوران بطرف جهت میدان میکند‬

‫تفوق میابد‪.‬‬

‫هردوی این فرایند ها در بخش ‪ b‬شکل ‪ 2-7‬نشان داده شده اند‪.‬‬

‫شکل ‪ 3-7‬که منحنی مغناطیس پذیری یک ماده فرومغناطیس را نشان می دهد یک نمودار‬

‫مغناطیس پذیری کلی نمونه ‪ M‬در مقابل مقاوت میدان اعمال شده ‪ DC‬یعنی ‪ H‬می باشد‪.‬‬

‫در سیستم ‪ MKS‬واحد های هردوی ‪ H‬و ‪ M‬شدت جریان های در هر متر می باشند‪،‬در سیستم‬

‫‪ CGS‬واحدهای ‪) M ، emu/g )ElectroMagnetic Unit per Gram‬هستند و واحد های‬

‫‪ H‬اورستدها هستند‪.‬‬

‫در ابتدا همانطور که ‪ H‬کاشه میابد ‪ M ،‬تا جایی که یک نقطه اشباع ‪ Ms‬بدست بیاید افزایش‬

‫میابد‪.‬‬

‫شکل ‪:2-7‬نمایش (‪ )a‬بعضی نمونه های ناحیه ساختار در مواد فرومغناطیسی و (‪)b‬‬

‫چگونگی تغییر نواحی مغناطیسی توسط مکانیزم دوران و رشد در زمانی که یک مغناطیس‬

‫‪ DC‬اعمال شده باشد‪.‬‬

 ‫زمانی که ‪ H‬از نقطه اشباع کاسته می شود ‪ M ،‬تا همان مقدار که جلوتر زمانی که میدان در‬

‫حال افزایش بود داشت کاسته نمیشود ‪ ،‬بلکه آن بر روی منحنی میدان نزولی بالتر است‪.‬‬

‫این پسماند مغناطیسی نامیده می شود‪.‬‬

‫این بدین دلیل رخ می دهد که نواحی مغناطیسی که با میدان صعودی هم جهت شده اند به‬

‫جهتداری اصلی خود زمانی که میدان کاسته شده برنمی گردند‪.‬‬

‫زمانی که میدان اعمال شده ‪ H‬به صفر بازگشته است ‪ ،‬آهنربا هنوز مغناطیس پذیری منسوب‬

‫به مغناطیس پذیری باقی مانده ‪ M2‬دارد‪.‬‬

‫برای اینکه مغناطیس پذیری باقی مانده را خارج کرد ‪ ،‬یک میدان ‪ Hc‬باید در یک جهت‬

‫مخالف به میدانی که ابتدا اعمال شده اعمال شده باشد همانطور که در شکل ‪ 3-7‬نشان داده شده‬

‫‪.‬‬
 ‫این میدان ‪ ،‬میدان مغناطیس زدا نامیده می شود که باعث می شود تا نواحی به سمت موقعیت‬

‫اصلیشان بچرخند‪.‬‬

‫خواص منحنی مغناطیس پذیری یک فرومغناطیس در استفاده از مواد مغناطیسی یک تکیه گاه‬

‫قوی دارد و تحقیقات درحال پیشرفت یکسانی برای طراحی آهنرباهای پایدار با قالب های‬

‫متفاوت منحنی های مغناطیسی وجود دارد‪.‬‬

‫شکل ‪ 3-7‬نشان دهنده نمودار مغناطیس پذیری ‪ M‬مقابل یک میدان مغناطیسی اعمال شده‬

‫‪ H‬برای یک ماده فرومغناطیسی سخت ‪ ،‬نشان دهنده حلقه پسماند مغناطیسی با میدان‬

‫مغناطیس زدا ‪ ، HC‬مغناطیس پذیری باقی مانده ‪ M2‬و مغناطیس کنندهگی اشباع ‪.Ms‬‬

‫‪7-2‬اثر نانوساختار حجمی بر روی خواص مغناطیسی‬

‫کاربردهای مختلف آهنرباها برای داشتن خواص مختلف نیاز به منحنی مغناطیس پذیری دارند‬

‫‪ .‬آهنرباهای بکار رفته در ترانسفورماتورها و ماشین آلت الکترونیکی دوار در معرض میدان‬
 ‫های مغناطیسی متناوبی سریع ‪ AC‬قرار دارند ‪ ،‬پس آنها منحنی مغناطیس‪-‬پذیریشان را هر‬

‫ثانیه بارها تکرار ما کنند که باعث اتلف راندمان و یک افزایش دمای آهنربا می شود‪.‬‬

‫افزایش دما بعلت گرمایش اصطکاکی از ناحیه هایی که متوالیا جهتداریشان تغییر می کند‬

‫میباشد‪.‬‬

‫میزان اتلف در طی هر سیکل به معنی میزان انرژی گرمایی تولید شده هنگام هر سیکل حول‬

‫یک حلقه پسماند مغناطیسی متناسب با محیط بسته شده توسط حلقه می باشد‪.‬‬

‫در این کاربردها میدان های مغناطیس زدای کوچک یا صفر برای به حداقل رساندن محیط‬

‫بسته شده مورد نیازند‪.‬اینچنین آهنرباهایی مواد مغناطیسی نرم هستند‪.‬‬

‫از طرف دیگر در حالتی که آهنرباهای پایدار بعنوان بخشی از سیستم میدان قوی استفاده شده‬

‫اند ‪ ،‬میدانهای مغناطیس زدای بزرگ مورد نیازند و عریض ترین حلقه های پسماند مغناطیسی‬

‫امکانپذیر مطلوب می باشند‪.‬آهنرباهای اینچنینی آهنرباهای سخت نامیده میشوند‪.‬‬

‫مغناطیس پذیری با حداکثر اشباع همچنین در آهنرباهای پایدار مورد نیازند‪.‬‬

‫نانو ساختار مواد مغناطیسی حجمی می توانند برای طراحی منحنی مغناطیسی کنندگی بکار‬

‫را دارند‬ ‫بروند‪.‬نوارهای آلیاژی بدون شکل که نسبت اجزای سازنده‬

‫که توسط متد استوانه بدست آمده اند و در معرض گداختگی در دمای ‪ 673‬تا ‪ 923‬بمدت یک‬

‫ساعت در اتمسفر گازهای خنثی بوده اند ‪ ،‬مرکب از ‪ nm-10‬بافت آهن در کریستال مخلوط‬

‫بوده اند‪.‬‬

‫این آلیاژ یک مغناطیس پذیری اشباع((‪ Ms 1.24T‬و یک مغناطیس پذیری باقی مانده ((‪M2‬‬

‫‪ 0.67T‬و یک میدان مغناطیس زدا(‪ Hc( 0.53A/m‬داشته‪.‬‬

‫با اندازه بافت ‪ 15nm-10‬بدست آمده توسط‬ ‫نانو مقیاس بیشکل پودرهای آلیاژی‬

‫در حلل هیدروکربنی دکالین‬ ‫و‬ ‫و‬ ‫تجزیه محلول‬

 ‫تحت یک اتمسفر گازهای خنثی تقریبا بدون هیسترزیس در منحنی مغناطیس پذیری‬

‫نشان داده شده اند‪ .‬شکل ‪ 4-7‬منحنی مغناطیس پذیری برای این مواد را نشان می دهد‪.‬‬

‫یک ماده مغناطیسی با سایز بافت گشتاورهای مغناطیسی تک ناحیه ای که هیسترزیسی در هیچ‬

‫دمایی ندارند سوپر پارا مغناطیسی نامیده می شوند‪.‬‬

‫قوی ترین آهنرباهای پایدار شناخته شده از نئودیمیوم ‪ ،‬آهن و بور ساخته شده اند‪.‬‬

‫آنها مغناطیس پذیری باقی مانده ای به بزرگی ‪ 1.3T‬و میدان های مغناطیس زدای به بزرگی‬

‫‪ 1.2T‬دادند‪.‬‬

‫مورد بررسی قرار داشت‪.‬نتایجی که در‬ ‫اثر قطر ساختار نانو ذره ای بر روی‬

‫شکل ‪ 5-7‬و ‪ 6-7‬نشان داده شده اند حاکی از این هستند که در این مواد میدان مغناطیس زدا‬

‫بصورت محسوس تا پایین ‪ 40nm-‬کاهش می یابند و مغناطیس پذیری باقی مانده افزایش می‬

‫یابد‪ .‬پیشرفت دیگری در بهبود بخشیدن به منحنی مغناطیس پذیری این مواد بوده تا آرایش نانو‬

‫و نرم فاز ‪ α‬آهن بشود‪.‬‬ ‫مقیاسی سخت‬

‫اندازه گیری های اثر حضور فاز نرم آهن ترکیب شده با مواد سخت تصدیق می کنند که میدان‬

‫باقی مانده می تواند توسط این نزدیک شدن و پیشرفت افزایش یافته باشد‪.‬‬

‫شکل ‪ : 4-7‬منحنی مغناطیس پذیری معکوس پذیر برای پودر های نانو قطری یک آلیاژ ‪Ni-‬‬

‫می‬ ‫‪ Fe-Co‬که هیچ هیسترزیسی نشان نمی دهد‪.‬یک اورستد برابر با (‪)Tesla‬‬

‫[‬ ‫باشد‪].‬بر اساس‬

 ‫میدان مغناطیسی(اورستدها)‬

‫شکل ‪ : 5-7‬وابستگی مغناطیس پذیری باقی مانده ‪ M2‬به اندازه ذره ‪ d‬از بافت هایی که‬

‫ساختار یک آهنربای پایدار ‪ Nd-B-Fe‬بهنجار شده به مقدار ‪ )Ms)90‬برای اندازه بافت ‪-90‬‬

‫[‬ ‫‪ nrn‬را شکل می دهد‪].‬بر اساس‬

‫گمان می رود که بعت تزویج تبادلی بین نانوذرات نرم و سخت که بردار مغناطیس کنندگی فاز‬

‫نرم را مجبور به دوران در جهت مغناطیس شوندگی فاز های سخت می کند‪.‬‬

‫اندازه نانوذرات مغناطیسی همچنین تاثیر مقدار ‪ Ms‬در آنهایی که مغناطیس پذیری اشباع می‬

‫شود را نشان داده است‪.‬شکل ‪ 7-7‬اثر اندازه ذره روی اشباع مغناطیس پذیری فریت فلز روی‬

‫را به تصویر می کشد و همچنین نشان می دهد که مغناطیس پذیری چگونه بصورتی محسوس‬

‫در اندازه بافت پایین ‪ 20nm‬افزایش میابد‪.‬بنابراین کاهش دادن اندازه ذره یک ماده مغناطیسی‬

‫بلوری می تواند بطور قابل ملحظه ای کیفیت آهنرباهایی که از آن ساخته می شود را بهبود‬

‫ببخشد‪.‬‬
 ‫‪ d.‬نانومتر‬

‫شکل ‪:6-7‬وابستگی میدان مغناطیس زدای ‪ )Bc)i.e.,Hc‬به اندازه ذره بلوری ‪ d‬از یک‬

‫آهنربای پایدار ‪.Nd-B-Fe‬‬

‫)‬ ‫(بر اساس‬

‫‪ 7-3‬دینامیک نانو مغناطیس‬

‫علت اصلی مطالعه روی مواد مغناطیسی مخصوصا فیلم های ساخته از نانو مغناطیس ها که‬

‫گاهی اوقات ‪] Mesoscopic‬چیزی بین قابل مشاهده با میکروسکوپ(‪ )microscopic‬و قابل‬

 ‫مشاهده بدون میکروسکوپ(‪[ )macroscopic‬نامیده می شود ‪ ،‬افزایش فضای ذخیره سازی‬

‫در دستگاه های ذخیره سازی مغناطیسی مانند دیسک های سخت در کامپیوترها بوده است‪.‬‬

‫مکانیزم پایه ای ذخیره سازی اطلعات تنظیم مغناطیس پذیری در یک امتداد از یک ناحیه‬

‫خیلی کوچک روی یک نوار مغناطیسی (یکی از دستگاه های ذخیره سازی اطلعات در‬

‫کامپیوتر) که یک بایت (‪ : Byte‬واحد ظرفیت در دستگاه های های ذخیره سازی) نامیده می‬

‫شود را شامل می شود‪.‬‬

‫برای دستیابی به یک حافظه ‪ 10‬گیگابایتی (‪ 10‬به توان ‪ 10‬بایت) در یک اینچ مربع ‪ ،‬یک‬

‫بیت(کوچکترین واحد ظرفیت برابر با یک هشتم بایت) تقریبا ‪ 1‬میکرومتر پهنا و ‪ 70‬نانومتر‬

‫درازا خواهد داشت‪.‬ضخامت فیلم می تواند حدود ‪ 30‬نانومتر باشد‪.‬‬

‫دستگاه های ذخیره سازی موجود مانند دیسک های سخت بر پایه کریستال های کوچک از‬

‫آلیاژهای کبالت کرومیوم می باشند‪.‬‬

‫یک مشکل که زمانی که بیت ها در اندازه کمتر از ‪ 10‬نانومتر هستند پیش میاید این است که‬

‫بردار مغناطیس کنندگی می تواند توسط لرزشهای حرارتی پیشامدی تکان بخورد که باعث‬

‫پاک شدن حافظه می گردد‪.‬یک راه حل اینست که از بافت های نانواندازه شده استفاده شود که‬

‫مغناطیس پذیری اشباع بسیار بیشتری دارند و ازین رو برهم کنش قوی تری بین بافت ها‬

‫دارند‪.‬‬

‫یک گروه در شرکت ‪ IBM‬یک نانوبافت مغناطیسی ‪ FePt‬را توسعه داده اند که مغناطیس‬

‫پذیری بسیار بیشتری دارد‪.‬ذرات ‪ FePt‬در یک محلول حرارت داده شده از پلتین‬

‫‪ Asetylaceton‬شده و یک آهن کربونیل با یک عامل کاهنده اضافه شده ساخته شده است‪.‬‬

‫اسید روغنی بعنوان یک ماده فعال در سطح به محلول اضافه می شود که این امر باعث‬

‫جلوگیری از تراکم و اجتماع ذرات توسط روکش کردنشان با این ماده می شود‪.‬‬
‫محلول سپس بر روی یک جزء مورد عمل پخش می شود و پشت ذرات روکش شده روی جزء‬

‫عمل شونده برای تبخیر شدن رها می گردد‪.‬‬

‫‪ D‬نانو ذرات‬

‫شکل ‪ :7-7‬وابستگی مغناطیس پذیری اشباع ‪ Ms‬به فریت فلز روی در اندازه ذرات بلوری‬

‫نابهنجار شده به مقدار ‪ )Ms)90‬برای یک بافت ‪ 90‬نانو متری‪.‬‬

‫[‬ ‫]بر اساس‬

‫پایان‬