CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE SANTA CATARINA GERNCIA EDUCACIONAL DE ELETRNICA DISCIPLINA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Retificador Controlado de Silcio

Tiristor SCR
PROF. FERNANDO LUIZ ROSA MUSSOI

EDIO PRELIMINAR 1.1

FLORIANPOLIS MARO, 2002.

Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio

NOTA DO AUTOR
Esta apostila um material de apoio didtico utilizado pelo autor nas suas aulas de Eletrnica de Potncia do curso Tcnico em Eletrnica do Centro Federal de Educao Tecnolgica de Santa Catarina (CEFET/SC). Este material no tem a pretenso de esgotar, tampouco inovar o tratamento do contedo por ele abordado mas, simplesmente, facilitar a dinmica de aula, com expressivos ganhos de tempo e de compreenso do assunto por parte dos alunos. Este trabalho foi construdo com base nas referncias, devidamente citadas ao longo do texto, nas notas de aula e na experincia do autor na abordagem do assunto com os alunos. Em se tratando de um material didtico elaborado em uma Instituio Pblica de Ensino, permitida a reproduo do texto, desde que devidamente citada a fonte. Quaisquer contribuies e crticas construtivas a este trabalho sero bem-vindas pelo autor.

Prof. Fernando Luiz Mussoi mussoi@cefetsc.edu.br

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ndice:
Nota do Autor ................................................................................................................................ 2 1. CARACTERSTICAS BSICAS DO SCR ................................................................................. 4 2. SCR IDEAL:............................................................................................................................... 6 3. POLARIZAO DIRETA:.......................................................................................................... 7 4. POLARIZAO REVERSA: ...................................................................................................... 8 5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:........................................................................................ 9 5.1. Corrente de Gatilho IGK: ...................................................................................................... 9 5.2. Sobretemperatura: ............................................................................................................ 11 5.3. Sobretenso:..................................................................................................................... 11 5.4. Degrau de Tenso dv/dt (V/t): ...................................................................................... 12 5.5. Luz ou Radiao: .............................................................................................................. 12 6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES: .................................................................................... 13 7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR ................................................................................ 13 7.1. Comutao Natural: .......................................................................................................... 14 7.2. Comutao Forada: ........................................................................................................ 14 8. CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR: .......................................................................... 15 9. CARACTERSTICAS DINMICAS DO SCR ........................................................................... 17 9.1. Caractersticas Dinmicas no Disparo: ............................................................................. 17 9.2. Caractersticas Dinmicas no Bloqueio: ........................................................................... 18 10. PERDAS TRMICAS EM CONDUO: ............................................................................... 19 11. TESTANDO UM SCR COM MULTMETRO:......................................................................... 20 12. PROTEES DO SCR: ........................................................................................................ 22 12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt (I/t): .......................................................... 22 12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt (V/t): .......................................................... 22 12.3. Proteo contra Sobretenso ......................................................................................... 23 12.4. Proteo contra Sobrecorrente ....................................................................................... 24 12.5. Proteo do Circuito de Disparo do Gatilho.................................................................... 24 13. ASSOCIAES DE SCR: ..................................................................................................... 24 14. REQUISITOS BSICOS PARA OS CIRCUITOS DE DISPARO:.......................................... 24 15. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CC ....................................................................... 25 16. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CA CONTROLE DE FASE: .............................. 26 16.1. Circuito de Disparo CA com Rede Resistiva................................................................... 26 16.2. Circuito de Disparo CA com Rede Defasadora RC: ....................................................... 28 16.3. Circuito de Disparo CA com Diodo Schokley ou Diac:.................................................... 29 17. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS PULSADOS: ........................................................ 31 17.1. Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno ........................................................ 31 17.2. Oscilador com Diodo Schokley e com Diac .................................................................... 34 17.3. Outros Circuitos Pulsados .............................................................................................. 35 18. ISOLAMENTO E ACOPLAMENTO ....................................................................................... 35 18.1. Acoplamento Magntico ................................................................................................. 36 18.2. Acoplamento ptico........................................................................................................ 36 18.3. Proteo do Gatilho ........................................................................................................ 37 19. PROBLEMAS PROPOSTOS ................................................................................................ 39 20. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ...................................................................................... 41 ANEXOS:..................................................................................................................................... 42 A.1. VALOR NOMINAL MXIMO EFICAZ DA CORRENTE DE NODO REPETITIVA ......... 42

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Tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) Retificador Controlado de Silcio

1. CARACTERSTICAS BSICAS DO SCR

O Tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) foi desenvolvido por um grupo de engenheiros do Bell Telephone Laboratory (EUA) em 1957. o mais conhecido e aplicado dos Tiristores existentes. Tiristor o nome genrico dado famlia dos componentes compostos por quatro camadas semicondutoras (PNPN). Os Tiristores SCRs funcionam analogamente a um diodo, porm possuem um terceiro terminal conhecido como Gatilho (Gate ou Porta). Este terminal responsvel pelo controle da conduo (disparo). Em condies normais de operao, para um SCR conduzir, alm de polarizado adequadamente (tenso positiva no nodo), deve receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso. A principal aplicao que os SCR tm a converso e o controle de grandes quantidades de potncia em sistemas CC e CA, utilizando apenas uma pequena potncia para o controle. Isso se deve sua ao de chaveamento rpido, ao seu pequeno porte e aos altos valores nominais de corrente e tenso em que podem operar. Algumas caractersticas dos SCRs: So chaves estticas bi-estveis, ou seja, trabalham em dois estados: no conduo e conduo, com a possibilidade de controle. Em muitas aplicaes podem ser considerados chaves ideais, mas h limitaes e caractersticas na prtica. So compostos por 4 camadas semicondutoras (P-N-P-N), trs junes (P-N) e 3 terminais (nodo, Ctodo e Gatilho). So semicondutores de silcio. O uso do silcio foi utilizado devido a sua alta capacidade de potncia e capacidade de suportar altas temperaturas. Apresentam alta velocidade de comutao e elevada vida til; Possuem resistncia eltrica varivel com a temperatura, portanto, dependem da potncia que estiverem conduzindo. So aplicados em controles de rels, fontes de tenso reguladas, controles de motores, Choppers (variadores de tenso CC), Inversores CC-CA, Ciclo-conversores (variadores de freqncia), carregadores de baterias, circuitos de proteo, controles de iluminao e de aquecedores e controles de fase, entre outras. A figura 1.1 apresenta a simbologia utilizada e as camadas, junes e terminais, enquanto a figura 1.2 apresenta um tipo de estrutura construtiva para as camadas de um SCR. A figura 1.3 mostra a aparncia do encapsulamento tipo TO de um SCR muito utilizado, j acoplado a um dissipador de calor. A figura 1.4 mostra alguns SCR de alta potncia com encapsulamento tipo rosca e tipo disco.

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nodo A

nodo A

P N
Gatilho Gatilho G Ctodo K Ctodo G

J1 J2 J3

P N
K

Figura 1.1 SCR: Simbologia, Camadas e Junes

nodo A

Ctodo K

Gatilho G
Figura 1.2 Um tipo de estrutura interna das camadas de um SCR

Figura 1.3 Encapsulamento tipo TO para SCR, com dissipador de calor.

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Figura 1.4 SCR com encapsulamentos tipo rosca e tipo disco para altas potncias [ref. 3]

2. SCR IDEAL:
Um SCR ideal se comportaria com uma chave ideal, ou seja, enquanto no recebesse um sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor infinito, tanto com polarizao direta como reversa. Bloqueado, o SCR ideal no conduziria qualquer valor de corrente. Tal caracterstica representada pelas retas 1 e 2 na Figura 2.1. Quando disparado, ou seja, quando comandado por uma corrente de gatilho IGK, o SCR ideal se comportaria como um diodo ideal, como podemos observar nas retas 1 e 3. Nesta condio, o SCR ideal seria capaz de bloquear tenses reversas infinitas e conduzir, quando diretamente polarizado, correntes infinitas sem queda de tenso e perdas de energia por Efeito Joule. Assim como para os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm na prtica. Os SCR reais tm, portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tm limitaes de conduo de corrente, pois apresentam uma pequena resistncia circulao de corrente e queda de tenso na barreira de potencial das junes que provocam perdas de energia por Efeito Joule e conseqente aquecimento do componente.

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(a) A

IA K + VAK IA

(b) 3 1 2 VAK

Figura 2.1 - (a) polarizao direta (b) caractersticas estticas de um SCR ideal. [ref. 1]

3. POLARIZAO DIRETA:
A figura 3.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar: Tenso do nodo positiva em relao ao Ctodo J1 e J3 polarizadas diretamente J2 polarizada reversamente: apresenta maior barreira de potencial Flui pequena Corrente de Fuga Direta de nodo para Ctodo, IF (Forward Current). Bloqueio Direto DESLIGADO

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b)
a)

+A

A G K

-K

c)

nodo

A (+)

P
+++++++++++ +++++++++++ +++++++++++ +++++++++++

N P

J1 J2 J3

Gatilho G

Ctodo

K ()

Figura 3.1 a) SCR bloqueado em polarizao direta; b) analogia com diodos b) efeito da polarizao direta nas junes;

4. POLARIZAO REVERSA:
A figura 4.1 apresenta um circuito de polarizao direta de um SCR onde podemos verificar: Tenso de Ctodo positiva em relao ao nodo J2 diretamente polarizada J1 e J3 reversamente polarizadas: apresentam maiores barreiras de potencial Flui pequena Corrente de Fuga Reversa de Ctodo para nodo, IR (Reverse Current). Bloqueio Reverso DESLIGADO

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b)

-A

a) G A K
+K +

c)

nodo

A ()

+++++++++++ +++++++++++ +++++++++++ +++++++++++ +++++++++++

J1 J2 J3

Gatilho G

N P

Ctodo

K (+)

Figura 4.1 a) SCR bloqueado em polarizao reversa; b) analogia com diodos c) efeito da polarizao reversa nas junes

5. MODOS DE DISPARO DE UM SCR:

Um SCR disparado (entra em conduo) quando aumenta a Corrente de nodo IA, atravs de uma das seguintes maneiras:

5.1. Corrente de Gatilho IGK: o procedimento normal de disparo do SCR. Quando estiver polarizado diretamente, a injeo de um sinal de corrente de gatilho para o ctodo (IG ou IGK), geralmente na forma de um pulso, leva o SCR ao estado de conduo. A medida que aumenta a corrente de gatilho para ctodo, a tenso de bloqueio direta diminui at que o SCR passa ao estado de conduo. A Figura 5.1 apresenta um circuito para disparo do SCR. Enquanto diretamente polarizado o SCR s comea a conduzir se receber um comando atravs de um sinal de corrente (geralmente um pulso) em seu terminal de gatilho (Gate ou Porta). Esse pulso polariza diretamente o segundo diodo formado pelas camada N e P e possibilita a conduo. Enquanto tivermos corrente entre nodo e ctodo o SCR continua conduzindo, sendo ele cortado (bloqueado) somente quando a mesma for praticamente extinta. Nesta condio, as barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR precisar de um novo sinal de corrente no gatilho para voltar ao estado de conduo. Polarizado reversamente o SCR funciona como um diodo, bloqueando a passagem de corrente, mesmo quando efetuado um pulso em seu Gatilho.

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A caracterstica gatilho-ctodo de um SCR se assemelha a uma juno PN, variando, portanto, de acordo com a temperatura e caractersticas individuais do componente, um exemplo de curva de disparo pode ser encontrado no anexo deste documento.

nodo

A (+)

P
+++++++++++ +++++++++++ +++++++++++ +++++++++++

J1 J2 J3

IGK (+)

Ctodo
Figura 5.1 Disparo de um SCR

K ()

Como entre o gatilho e o ctodo h uma juno PN, temos uma tenso de aproximadamente 0,7V. Desta forma, analisando o circuito da figura 5.2. podemos determinar os requisitos para o circuito de disparo do SCR.

VDISPARO

IG

Figura 5.2 Circuito para disparo do SCR Assim, a tenso VDISPARO necessria para proporcionar a corrente de disparo IG atravs da resistncia limitadora RG pode ser dada por:

V DISPARO = I G RG + 0,7
Um SCR pode disparar por rudo de corrente no gatilho. Para evitar estes disparos indesejveis devemos utilizar um resistor RGK entre o gatilho e o ctodo que desviar parte do rudo, como indica a figura 5.3. Em alguns tipos de SCR, a resistncia RGK j vem internamente no componente para diminuir sua sensibilidade.

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Figura 5.3 Resistncia para evitar disparos por rudos no gatilho 5.1.1. Corrente de Reteno e Corrente de Manuteno Para entrar em conduo o SCR deve conduzir uma corrente suficiente, cujo valor mnimo recebe o nome de Corrente de Reteno IL (Latching Current). O SCR no entrar em conduo se a Corrente de Gatilho IGK for suprimida antes que a Corrente de nodo IA atinja o valor da Corrente de Reteno IL. Uma vez retirada a corrente de gatilho, a mnima Corrente de nodo IA para manter o SCR em conduo chamada Corrente de Manuteno IH (Holding Current). Se a Corrente de nodo for menor que a Corrente de Manuteno, as barreiras de potencial formam-se novamente e o SCR entrar em Bloqueio. A Corrente de Reteno maior que a Corrente de Manuteno (IL > IH). O valor de IL em geral de duas a trs vezes a corrente de manuteno IH. Ambas diminuem com o aumento da temperatura e vice-versa. por este motivo que dizemos que o SCR uma Chave de Reteno (ou Travamento) porque uma vez em conduo, permanece neste estado enquanto a Corrente de nodo IA for maior que a Corrente de Manuteno (IA > IH), mesmo sem corrente no gatilho (IGK).

5.2. Sobretemperatura: O aumento brusco da temperatura aumenta o nmero de pares eltrons-lacunas no semicondutor provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. O disparo por aumento de temperatura deve ser evitado.

5.3. Sobretenso: Se a tenso direta nodo-ctodo VAK for maior que o valor da tenso de ruptura direta mxima VDRM (VBO), fluir uma corrente de fuga suficiente para levar o SCR ao estado de conduo. Isto acontece porque o aumento da tenso VAK em polarizao direta acelera os portadores de carga na juno J2 que est reversamente polarizada, podendo atingir energia suficiente para provocar a avalanche e disparar o SCR. Este fenmeno faz com que muitos eltrons choquem-se e saiam das rbitas dos tomos do semicondutor ficando disponveis para conduo e permitindo o aumento da corrente de fuga no SCR e levando-o ao estado de conduo. O disparo por sobretenso direta diminui a vida til do componente e, portanto, deve ser evitado. A aplicao de uma sobretenso reversa, ou seja, uma tenso nodo-ctodo maior que o valor da tenso de ruptura reversa mxima (VRRM ou VBR) danificar o componente.

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 5.4. Degrau de Tenso dv/dt (V/t):

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Se a taxa de crescimento da tenso nodo-ctodo VAK no tempo for alta (subida muito rpida da tenso VAK) pode levar o SCR ao estado de conduo. Em polarizao direta a Juno J2 est reversamente polarizada e se comporta como um capacitor carregado, como podemos observar na figura 5.1.

nodo

A (+)

P
+++++++++++

iC G

+++++++++++ +++++++++++ +++++++++++

N P

J1 J2 J3

Ctodo

K ()

Figura 5.1 Disparo por degrau de tenso Num capacitor a corrente de carga relaciona-se com a tenso pela expresso:

iC = C

dv dt

Assim, quando for aplicada uma tenso VAK a capacitncia da Juno J2 far circular uma corrente no gatilho tanto maior quanto maior for a variao da tenso no tempo (v/t). Esta corrente no gatilho pode ser suficiente para disparar o SCR. O valor mximo de dv/dt dado pelo fabricante em catlogos. O disparo por degrau de tenso deve ser evitado pois pode provocar queima do componente ou disparo intempestivo. O circuito de proteo chamado de Snubber e ser estudado adiante.

5.5. Luz ou Radiao: Se for permitida a penetrao de energia luminosa (luz) ou radiante (ftons, raios gama, nutrons, prtons, eltrons ou raios X) nas junes do semicondutor, haver maior combinao de pares eltrons-lacunas, provocando maior corrente de fuga, o que pode levar o SCR ao estado de conduo. o caso do SCR ativado por luz, chamado foto-SCR ou LASCR (Light-Activated Silicon Controlled Rectifier).

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6. ANALOGIA COM 2 TRANSISTORES:

A figura 6.1 apresenta um circuito com dois transistores complementares (PNP e NPN) que permitem uma analogia ao funcionamento do SCR e demonstra a ao de reteno (travamento) devido realimentao positiva no circuito De uma maneira simplificada, com polarizao direta, a injeo de um sinal de corrente no gatilho do circuito provoca um efeito de realimentao em que o aumento da corrente na base de Q2 aumenta a corrente de fuga no coletor de Q2 e da base de Q1 e, conseqentemente, a corrente de coletor de Q1. Esta, por sua vez, realimenta a corrente de base de Q2 e assim sucessivamente at ambos os transistores entrarem em saturao.

nodo IA=IT IA Q1

P N P
J2

J1

N P
J2 J3 IGK IC1 IB2

IB1=IC2

Gatilho IGK

Q2

Ctodo IK
Figura 6.1 Modelo de um SCR com dois transistores complementares Requisite ao professor material sobre Prtica da Analogia do SCR com Transistores, ou consulte: http://www.cefetsc.edu.br/mussoi

7. BLOQUEIO OU COMUTAO DO SCR

O desligamento de um SCR chamado de Bloqueio ou Comutao. O SCR uma chave de reteno, ou seja, uma vez disparado e conduzindo, o gatilho perde o controle. A nica forma de bloquear um SCR reduzir a corrente de nodo IA para um valor menor que o valor da corrente de manuteno IH durante um certo tempo. Este o tempo necessrio para o desligamento do SCR, toff. Devemos portanto lembrar: Diodos e SCRs somente bloqueiam quando praticamente extinta a corrente entre nodo-ctodo e no por aplicao de tenso reversa. Para um SCR comutar, ou seja, passar do estado de conduo para o estado de no conduo, tambm chamado de bloqueio, a Corrente de nodo IA deve ser reduzida a um valor abaixo do valor da corrente de manuteno IH, durante um certo tempo (tempo de desligamento tq). O tempo de desligamento da ordem de 50 a 100s para os SCR normais e de 5 a 10s para os SCR rpidos.

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 7.1. Comutao Natural:

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A Comutao Natural acontece quando a Corrente de nodo IA for reduzida a um valor abaixo da Corrente de Manuteno IH. A Corrente de Manuteno cerca de 1000 vezes menor que a corrente nominal do SCR. Em circuitos de corrente alternada a corrente passa por zero em algum momento do ciclo. Isso j suficiente para o bloqueio do SCR em freqncias comerciais (50 ou 60Hz). A Figura 7.1 apresenta um circuito em que ocorre a Comutao Natural. Fechada a chave Ch1 e pulsando a chave Ch2 o SCR entra em conduo e permanece at que o momento em que a corrente passe por zero no ciclo alternado. Nesse momento IA < IH e o SCR bloqueia.

Figura 7.1 Circuito para comutao natural do SCR

7.2. Comutao Forada: Em circuitos de corrente contnua a tenso permanece positiva no nodo. Como a corrente no diminui naturalmente, deve-se provocar a reduo da Corrente de nodo atravs da Comutao Forada. H duas formas para isso: Desviando-se a corrente por um caminho de menor impedncia provocando IA < IH; Aplicando-se tenso reversa e forando-se a operao na regio de polarizao reversa. Note que isso tambm far IA < IH. A Figura 7.2 apresenta um circuito para Comutao Forada onde a chave Ch1 permitir um caminho que drenar a corrente do SCR levando-o ao bloqueio.

Figura 7.2. Comutao forada por chave A Figura 7.3 apresenta um circuito para Comutao Forada atravs de um capacitor. Quando a chave Ch1 for fechada, o capacitor aplicar tenso reversa levando o SCR ao bloqueio. Devemos lembrar que o SCR dever conduzir durante o tempo necessrio para que o capacitor

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esteja totalmente carregado e que a chave pode ser um outro semicondutor (um outro SCR ou um transistor, por exemplo).

Figura 7.3 Comutao forada por capacitor Requisite ao professor material sobre Prtica sobre Comutao de SCR, ou consulte: http://www.cefetsc.edu.br/mussoi

8. CARACTERSTICAS ESTTICAS DO SCR:

Existem limites de tenso e corrente que um SCR pode suportar. Tais limites constituem as caractersticas estticas reais como mostra a Figura 8.1. As curvas 1 e 2 apresentam as caractersticas para o SCR no estado de bloqueio, enquanto as curvas 1 e 3 mostram as caractersticas para o SCR com Corrente de Gatilho IGK, para ambas as polarizaes. Podemos, ento, verificar na Figura 8.1, que a curva caracterstica de um SCR real apresenta trs regies distintas: Bloqueio em Polarizao Reversa curva 1 Bloqueio em Polarizao Direta curva 2 Conduo em Polarizao Direta curva 3

IA (A) IAmx 3 IL VRRM VBR 1 IR IH E0 VTO 1/r0 IF 2 VBO VDRM VAK (V) Tenses VAK para diferentes correntes de Gatilho IGK

Figura 8.1 Caractersticas estticas reais do SCR. [ref. 1]

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio A Tabela 8.1 apresenta os principais parmetros nominais dos SCR.

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Tabela 8.1 Principais Parmetros dos SCR Simbologias Unidades Parmetros Importantes Nome Original Usuais Usuais E0 Tenso nodo-Ctodo, quando em Turn-on Voltage ou V VTO conduo Forward Voltage VF V VRRM Reverse Breakover Voltage Tenso de Ruptura Reversa Mxima kV VBR V VDRM Breakover Voltage Tenso de Ruptura Direta Mxima kV VBO Corrente de Fuga Reversa IR Reverse Current mA Corrente de Fuga Direta IF Forward Current mA rO Forward Resistance ou Resistncia em Conduo rF m Turn-on Resistance rT mA Corrente de Disparo de Gatilho para IG Gate Current A Ctodo IGK Tenso de Gatilho para Ctodo VGK Gate Voltage V IAV A Corrente Mdia no nodo Average Current Imed kA A IRMS Root Mean Square Current Corrente Eficaz no nodo kA Ief A Corrente de Pico no nodo IP Peak Current kA Tenso Inversa Mxima entre Gatilho Maximum Reverse Gate VGRM V e Ctodo Voltage Corrente Mxima de Disparo do Maximum Gate Trigger A IGTM Gatilho Current mA Tenso Mxima de Disparo do Maximum Gate Trigger VGTM V Gatilho Voltage Corrente Mnima de Disparo do A IGT Gate Trigger Current Gatilho mA Tenso Mnima de Disparo do Gatilho VGT Gate Trigger Voltage V A Corrente de Reteno IL Latching Current mA A Corrente de Manuteno IH Holding Current mA Observao: A maioria dos SCR apresentam IGT entre 0,1 a 50mA. IGT e VGT variam inversamente com a temperatura. O caso mais crtico, portanto, ocorre em altas temperaturas. Como exemplo, temos os dados de catlogo fornecidos pelo fabricante para o tiristor: SCR Aegis A1N:16.06J [ref.3] SCR encapsulamento tipo rosca 600V Tenso de ruptura reversa mxima (VRRM) Corrente de nodo mdia admissvel (IAKmed) 16A 35A Corrente de nodo eficaz admissvel (IAkef) 1,0V Tenso direta em conduo (E0) Resistncia em conduo (r0) 18m Corrente de disparo mnima (IGT) 150mA 2,0V Tenso Mnima de Gatilho (VGT)

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio Degrau de Tenso Admissvel (dV/dt) Degrau de Corrente Admissvel (dI/dt) Corrente de Manuteno (IH) Corrente de Reteno (IL) Corrente de Fuga (IF) 200V/s 150A/s 100mA 200mA 10mA

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9. CARACTERSTICAS DINMICAS DO SCR

As caractersticas dinmicas do SCR esto ligadas diretamente com o comportamento transitrio do componente durante os processos de entrada em conduo e de bloqueio.

9.1. Caractersticas Dinmicas no Disparo: A Figura 9.1 mostra o circuito para o estudo do disparo do SCR, onde VCC a fonte que alimentar a resistncia de carga atravs do SCR. A fonte VG fornecer a corrente de gatilho IGK atravs da resistncia limitadora RG. Considere que no instante inicial t0 a chave Ch1 fechada e a fonte VG fornece a corrente IGK ao gatilho.

Figura 9.1 Circuito para o estudo do disparo do SCR As formas de onda de interesse para o disparo so mostradas na Figura 9.2. Entre o fechamento da chave Ch e a efetiva conduo do SCR h um tempo necessrio para que a corrente de gatilho IGK provoque o decaimento da tenso nodo-ctodo VAK e a elevao da corrente de nodo IA. O tempo de retardo chamado de td (delay time) e o tempo de decaimento tr . O tempo de fechamento ton = td + tr, o tempo necessrio para que o SCR comece a conduzir efetivamente a partir do disparo. O tempo de retardo td (delay time) a maior componente do tempo de fechamento e depende principalmente da amplitude da corrente de gatilho IGK e da velocidade de crescimento da referida corrente. O tempo de decaimento da tenso nodo-ctodo tr independe da corrente IGK. Apenas as caractersticas de fabricao do componente interferem no decaimento de VAK.

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VG

IG

VAK 90%

10% to td t on
Figura 9.2 - Representao do atraso no disparo do SCR. [ref. 1]

t tr

9.2. Caractersticas Dinmicas no Bloqueio: Para o estudo da dinmica de bloqueio utilizamos o circuito da Figura 9.3, que acrescenta uma fonte de tenso reversa Vr e a chave Ch2 ao circuito da Figura X. O indutor Lp representa uma indutncia parasita que influencia no decaimento da corrente do SCR.

Figura 9.3 Circuito para estudo do bloqueio do SCR Enquanto o SCR conduz a corrente de carga, a chave Ch2 encontra-se aberta. Quando, em t = t0 , a chave Ch2 fechada, inicia-se o processo de bloqueio do SCR. No instante t = t1, a chave Ch2 novamente aberta e o SCR encontra-se bloqueado.

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Podemos observar o processo dinmico de bloqueio do SCR pela Figura 9.4. Aps o tempo de recuperao do SCR trr, para que o SCR possa bloquear efetivamente necessrio manter a tenso reversa por um tempo igual ou maior do que tq. Isto necessrio para que o SCR possa alcanar o equilbrio trmico e permanecer bloqueado at ser aplicada corrente em seu gatilho. A corrente reversa mxima (IRM) tem valor limitado e que depende das caractersticas do SCR e do circuito. O tempo tq varia desde 5 s para os SCR rpidos (SCR Inversores) at 50 a 400 s para os SCR lentos (SCR Controladores de Fase). Portanto, a freqncia de operao, ou velocidade de chaveamento requerida num circuito definir o tipo de SCR a ser utilizado. Os fabricantes fornecem os valores nominais associados velocidade atravs da freqncia mxima fmax bem como os tempos de ligao ton e de desligamento tq ou toff.

iA IL

IF I RM v AK IR t

E1 EO to t1 t

E2 ts tf t rr tq t inv
Figura 9.4 - Caracterstica dinmica de bloqueio do SCR, mostrando o tempo mnimo de aplicao de tenso inversa tq. [ref. 1]

10. PERDAS TRMICAS EM CONDUO:

Durante o ciclo de chaveamento, um SCR apresenta as seguintes perdas de potncia (e, conseqentemente de energia): Perdas de Potncia em Conduo Perdas de Potncia em Bloqueio (direto e reverso)

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio Perdas de Potncia por Chaveamento (comutao) Perdas de Potncia por Acionamento do Gatilho

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Em Geral, sob condies normais de operao as Perdas em Bloqueio e por Acionamento do Gatilho so pequenas o suficiente para serem desprezadas. Em baixas freqncias (<400Hz), as Perdas por Chaveamento tambm so pequenas e podem ser desconsideradas. Em altas freqncias, especialmente na entrada em conduo do SCR, as perdas aumentam significativamente. A referncia [5] apresenta uma boa discusso a respeito. A principal fonte de perdas de potncia so durante a conduo do SCR. Analogamente a um diodo, podemos representar o SCR por seu circuito eltrico equivalente, mostrado na Figura 10.1, onde E0 (VF ou VTO) representa a queda de tenso e r0 (rF ou rT) representa a resistncia quando o componente est em conduo.

IA A EO rO K

Figura 10.1 - Circuito equivalente do SCR em conduo. O SCR conduzindo dissipa uma potncia eltrica (em Watts) na forma de calor que pode ser calculada por:

PSCR = E0 I med + r0 I ef
onde: PSCR perda de potncia no SCR durante a conduo (W) E0 tenso nodo-ctodo durante a conduo (V) r0 resistncia em conduo (m) Imed valor mdio da corrente de nodo (A) Ief valor eficaz da corrente de nodo (A)

A determinao das Perdas em Conduo do SCR tem importncia fundamental no chamado Clculo Trmico para o dimensionamento dos Dissipadores de Calor e Sistemas de Refrigerao. O seu correto dimensionamento permite que o componente controle o mximo de potncia sem sobreaquecimento, o que poderia danific-lo.

11. TESTANDO UM SCR COM MULTMETRO:

Os SCR devem ser testados em polarizao direta e acionando-se a porta com um sinal de corrente e observando-se se ele permanece conduzindo aps essa corrente ser removida. Para os SCR de pequeno porte, que apresentam baixas Correntes de Manuteno IH, o teste pode ser feito com um Multmetro na funo Ohmmetro, como mostra a seqncia de testes na figura 11.1. O terminal positivo do multmetro ligado ao nodo e o negativo ao ctodo para que a bateria interna do instrumento polarize diretamente o SCR. Esta a condio de bloqueio direto e a leitura do ohmmetro deve ser um valor muito alto. Mantendo-se esta condio e conectando-se tambm o gatilho no terminal positivo do multmetro, a bateria do instrumento fornecer o sinal de corrente para disparar o SCR. A leitura do ohmmetro dever indicar um valor substancialmente baixo e manter-se neste valor aps o gatilho ser removido do terminal positivo do multmetro.

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Conexo

Resistncia ALTA

Condio BOM

BAIXA

CURTO

BAIXA

BOM

ALTA

ABERTO

BAIXA

BOM

ALTA

DUVIDOSO

ALTA

BOM

BAIXA

CURTO

ALTA

BOM

BAIXA

CURTO

Figura 11.1 Testando um SCR com Multmetro Se em polarizao direta e sem a conexo do gatilho, a leitura do ohmmetro for baixa, isso indicar um curto-circuito entre nodo e ctodo. Se ao conectar o gatilho a leitura do ohmmetro no diminuir, o SCR estar aberto. Se estiver conduzindo e voltar ao bloqueio quando do gatilho for desconectado, sua condio de operao ser duvidosa pois talvez a corrrente fornecida pela bateria do instrumento no seja suficiente para atingir a corrente de manuteno (IH).

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Em polarizao reversa a leitura do ohmmetro deve ser sempre muito alta, mesmo com a conexo do gatilho. Observao Importante: Este mtodo deve ser usado com cautela pois a tenso do ohmmetro aplicada ao gatilho pode ser alta o suficiente para danificar o componente. O teste mais adequado deve ser feito com um instrumento traador de curvas.

12. PROTEES DO SCR:

Um SCR exige uma adequada proteo contra sobretenses e sobrecorrentes para oferecer uma operao segura e confivel. Sob condies anormais, sobrecargas por exemplo, o SCR poder ser percorrido por uma sobrecorrente suficiente para danific-lo. Operaes inadequadas e transitrios podem provocar sobretenses que ultrapassem os seus limites nominais de tenso. O dimensionamento do SCR dever ser feito para as condies normais de operao, levando-se em conta uma certa margem de segurana. Superdimension-lo para as possveis condies anormais seria antieconmico. 12.1. Proteo contra Degrau de Corrente di/dt (I/t): Quando o SCR comea a conduzir, a corrente de nodo fica concentrada em uma rea relativamente pequena prxima ao gatilho. necessrio um certo tempo para que a conduo se espalhe por igual em toda a pastilha semicondutora. Entretanto, se ocorrer um Degrau de Corrente, rpido crescimento da corrente de nodo IA, podero formar-se pontos quentes (hot spots) no semicondutor e queimar o componente por sobre-temperatura. Este Degrau de Corrente dado pela taxa com que a corrente varia no tempo, ou di/dt (I/t) e expresso em Ampres por microssegundos (A/s). Limita-se o di/dt com uma pequena indutncia em srie com o SCR, pois esta se ope s variaes bruscas de corrente, amortecendo a subida da corrente no nodo. A Indutncia requerida pode ser determinada pela equao:

VP (di / dt )max

Onde: L indutncia (H0 (di/dt)max degrau de corrente mximo admissvel (A/s) VP tenso de pico (V) 12.2. Proteo contra Degrau de Tenso dv/dt (V/t): O Degrau de Tenso, rpido crescimento da tenso VAK, pode disparar indesejavelmente o SCR. Para proteger contra o disparo intempestivo utiliza-se uma rede RC (resistor em srie com capacitor) conectada aos terminais de nodo e ctodo do SCR. Este circuito de proteo, apresentado na Figura 12.1, chamado de Snubber. A capacitncia uma oposio variao de tenso e, portanto, o capacitor CS conectado aos terminais do SCR reduz a taxa na qual a tenso no dispositivo varia. Quando o SCR estiver bloqueado, o capacitor CS se carregar at o instante em que o dispositivo entrar em conduo.

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Quando o SCR for acionado, o capacitor descarregar e sua corrente se somar ao di/dt apresentado pelo circuito original. Portanto, uma resistncia RS deve ser colocada em srie com o capacitor para amortecer a descarga e limitar a corrente transitria no disparo. Para um determinado degrau de tenso, os componentes do circuito Snubber podem ser calculados pela equao:

CS

Rc arg a

V DRM dv

( dt )

max

A equao abaixo fornece o valor mnimo para RS:

RS =

( )

VDRM di dt max

Para aumentar a eficincia do Snubber, um diodo DS pode ser ligado em paralelo com RS. Quando o dv/dt for grande, o diodo curto-circuitar RS, mas quando o di/dt for grande, o diodo estar desligado.

Figura 12.1 Circuito Snubber

12.3. Proteo contra Sobretenso As sobretenses geralmente so causadas por distrbios no chaveamento devidos energia armazenada em componentes indutivos. A sobretenso transitria resultante pode exceder os limites de tenso do SCR podendo causar disparo intempestivo ou queim-lo por ruptura reversa. Algumas maneiras de proteger um SCR contra sobretenso: Diodo em srie com o SCR: para que ambos os componentes compartilhem a tenso inversa. Devido queda de tenso no diodo, este mtodo pode introduzir perdas de potncia significativas em certos circuitos. SCR com alto valor de tenso nominal: como margem de segurana, porm, isto pode implicar maiores custos. Circuito Snubber RC: em paralelo com a fonte geradora de sobretenso. Varistor (resistor no linear): em paralelo com o SCR, fornece um caminho de baixa resistncia para o transitrio de tenso.

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 12.4. Proteo contra Sobrecorrente

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A sobrecorrente ocorre, em geral, por sobrecarga ou curto-circuito e o dispositivo de proteo dever abrir o circuito antes do superaquecimento do SCR. As protees contra sobrecorrente mais usuais so: Fusveis de Ao Rpida: escolhidos atravs do parmetro I2t, relativo ao tempo do ao, fornecido em catlogos de SCR e de fusveis. Disjuntores de Alta Velocidade. Rels de Sobrecorrente.

12.5. Proteo do Circuito de Disparo do Gatilho O circuito de disparo do gatilho deve ser protegido contra transitrios de tenso e, preferencialmente, ser eletricamente isolado do circuito de alta potncia que o SCR controla. Isso pode ser feito com Transformadores de Pulso e de Acopladores pticos (Opto-acopladores). Este assunto ser estudado posteriormente.

13. ASSOCIAES DE SCR:

Os valores nominais de corrente direta e de bloqueio de tenso determinam a potncia mxima de carga que um SCR pode controlar. No mercado podem ser encontrados SCR com valores nominais de tenso e de corrente bastante altos (5kV e 5kA). Porm, em algumas aplicaes esses limites no so suficientes, como em linhas de transmisso de energia em corrente contnua, como o caso das linhas da Usina Itaipu, operando com tenses de 1200kV ( bipolo de 600kV). Para aumentarmos a capacidade de bloqueio de tenso, devemos associar SCR em srie e para aumentarmos a capacidade de corrente, devemos associar SCR em paralelo. Como qualquer outro componente, as caractersticas de dois SCR de mesmo tipo, so diferentes. Essas diferenas propiciam um complicador no projeto de circuitos com associaes de SCR e devem ser equalizadas. Em projetos adequados as tenses e correntes entre os SCR devem ser compartilhadas igualmente entre eles. No trataremos desse assunto neste curso, porm a referncia [5] apresenta uma boa discusso a respeito. No mercado j se encontram disponveis alguns mdulos de componentes j conectados para aplicaes especficas.

14. REQUISITOS BSICOS PARA OS CIRCUITOS DE DISPARO:

Os circuitos de disparo devem proporcionar ao SCR o sinal adequado e no instante desejado para que o componente entre em conduo corretamente. So, portanto, requisitos fundamentais no projeto de um circuito de disparo de SCR: O sinal de gatilho dever ter amplitude adequada e tempo de subida suficientemente curto; A largura do pulso de gatilho (o tempo de durao do pulso tG) deve ser maior que o tempo necessrio para a corrente nodo-ctodo passar o valor da corrente de reteno IL. Na prtica: tG > ton. Evitar ocorrncia de disparos indesejados por sinais falsos ou rudos; O sinal de gatilho deve ser removido aps o disparo. Sinal contnuo aumenta as perdas de potncia, levando ao sobre-aquecimento o que reduz a vida til do componente.

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Quando reversamente polarizado desaconselhvel haver sinal de gatilho, pois o componente pode queimar pelo aumento da corrente de fuga reversa. O controle dever ser suficientemente preciso; Em circuitos trifsicos, garantir a defasagem de 120o nos sinais dos gatilhos. Em associaes de SCR, garantir o acionamento simultneo.

Basicamente, existem 3 tipos usuais de sinais de disparo: Sinais CC; Sinais AC. Sinais Pulsados;

15. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CC

Geralmente os parmetros de acionamento de um SCR so fornecidos em relao tenso e corrente mdias CC. Os circuitos de disparo com sinais CC podem fazer uso da prpria fonte de tenso que alimenta a carga, se ela for CC, ou ter uma fonte prpria, como mostra a figura 15.1.

Figura 15.1 a) Circuito de Disparo CC com a mesma fonte da carga; b) Circuito de Disparo CC com fonte prpria. Ao fecharmos a chave Ch1 o SCR entra em conduo pois uma corrente CC aplicada no gatilho, que est diretamente polarizado pela fonte VCC. Uma vez conduzindo, o sinal de gatilho pode ser removido pela abertura da chave Ch1. O resistor Rg limita a corrente no gatilho e o diodo D limita a amplitude de um possvel sinal negativo no gatilho em aproximadamente 1V. Em alguns casos, o diodo D pode ser substitudo por um resistor RGK com a funo de proteo do gatilho, como estudado no item sobre proteo do SCR. No recomendado o uso de sinal de gatilho CC para disparar SCR em aplicaes CA porque um sinal positivo durante o semiciclo negativo aumenta a corrente de fuga reversa IR e pode danificar o componente. Aplicando a Lei das Tenses de Kirchhoff podemos determinar o valor da resistncia Rg para limitar a corrente de gatilho, em funo da fonte Vg e da tenso mxima de gatilho admitida pelo componente:

VG RG I G VGK RG =

(VG VGK )
IG

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Exemplo 15.1: O SCR da Figura 15.1(a) apresenta uma corrente mxima de gatilho de 100mA e mxima tenso VGK de 2V. Sendo a tenso VG de 15V, determine a resistncia RG que fornecer corrente suficiente para o disparo.

VG I G RG VGK = 0 RG =

(VG VGK )
IG

I G RG = VG VGK =

(15 2)

100 10 3

= 130

Assim, uma resistncia mnima de 130 dever ser conectada.

16. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS CA CONTROLE DE FASE:

Um circuito de disparo sincronizado para o controle de fase capaz de gerar e injetar uma corrente no gatilho do SCR para dispar-lo, quando polarizado diretamente, com a possibilidade de controlar o instante em que essa corrente ser injetada no gatilho O mtodo mais comum em aplicaes de corrente alternada derivar o sinal de disparo a partir da prpria fonte principal CA. A grande vantagem que este processo mantm o sinal de gatilho sincronizado com o ciclo de acionamento do tiristor, pripiciando o controle do ngulo de fase onde o SCR dispara. o chamado CONTROLE DE FASE.

16.1. Circuito de Disparo CA com Rede Resistiva A figura 16.1 mostra um circuito bastante simples para o controle de fase a partir do sinal CA e de uma rede resistiva no gatilho. Durante o semiciclo positivo o SCR est em bloqueio direto. Num dado instante a tenso VCA proporciona uma tenso e, conseqentemente, uma corrente no gatilho suficiente para disparar o SCR. Esse instante pode ser controlado pelo potencimetro R1.

Figura 16.1 Circuito de disparo CA com rede resistiva Exemplo 16.1.1: Para o circuito de disparo CA com rede resistiva da figura 16.1, determinar o valor da resistncia R1 e do potencimetro P1 tal que proporcionem uma corrente no gatilho suficiente para disparar o SCR em 2o, 15o, 30o, 60o e 90. Dados:

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v( t ) = 2 127 sen (t ) V
f = 60Hz Rcarga = 100 RGK = 1k SCR TIC106 IGK=200A

VGTK=0,6V
Soluo: O objetivo determinar as resistncias que fazem com que a tenso em RGK seja suficiente para provocar a corrente mnima para disparo do SCR, IGK. Usando a tcnica do Equivalente Thvenin para os ramos do circuito de controle, temos o circuito equivalente da figura 16.2.

Figura 16.2 Equivalente Thvenin no gatilho do SCR Seja Rx = R1 + R2 e aplicando a tcnica do Equivalente Thvenin, temos:

Vth = R th

R GK v(t ) R GK + R x R Rx = GK R GK + R x

Como queremos determinar o valor de Rx que suprem a corrente necessria IGK para o disparo do SCR, analisando a malha do Equivalente Thvenin, determinamos a corrente que ele fornece ao gatilho:

IG =

Vth VGK R th

Substituindo nesta equao as equaes para o clculo de Vth e de Rth e isolando Rx, encontramos:

Rx = Rx =

R GK v(t ) VGK R GK VGK + R GK I GK

Substituindo os valores conhecidos de RGK , IGK e VGK, encontramos;

1000 v(t ) 0,6 1000 0,6 + 1000 200 R x = 1250 v(t ) 750

Concluimos, ento, que a resistncia necessria funo da tenso instantnea v(t). Como queremos disparar o SCR em diversos ngulos, basta determinarmos qual o valor da tenso instantnea nestes ngulos e finalmente a resistncia Rx que proporciona a corrente de disparo nestes mesmos ngulos:

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio (o ) 2 15 30 60 90 v(t) (V) 6,3 46,5 89,8 155,5 179,6 Rx () 7,13 57,38 111,5 193,62 223,75

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Desta tabela, podemos deduzir os valores mnimos e mximos para a resistncia Rx: Rx mnimo = 7,13 Rx mximo = 223,75 O valor mnimo dado pelo resistor R1 e o valor mximo pela soma das resistncias R1+R2, ou seja, R2 ser o valor de Rx R1: Dentre os valores comerciais disponveis, podemos determinar finalmente o valor dos componentes: R1 = 6,8k R2 = 220k

16.2. Circuito de Disparo CA com Rede Defasadora RC: No circuito RC da figura 16.3 a tenso no gatilho est atrasada da tenso de alimentao devido o capacitor e as resistncias do resistor e do potencimetro. O potencimetro controla a defasagem e o tempo em que a tenso no capacitor leva para atingir o valor suficiente para disparar o SCR. O objetivo atrasar a tenso que ir comandar o disparo do tiristor. A tenso se disparo ocorrer mais tarde no semiciclo, como indicam as formas de onda na figura 16.4, onde: - ngulo de disparo proporcionando pela senide da fonte - ngulo de disparo proporcionado pela rede defasadora (RC) - atraso proporcionado pela rede defasadora (RC) - defasagem entre o ngulo de disparo normal e o ngulo de disparo com rede defasadora Assim: = +

Figura 16.3 Circuito de disparo CA com rede defasadora RC

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Figura 16.4 Formas de Onda para o circuito da figura 14.13 [ref. 4] Durante o semiciclo negativo o SCR se mantm em bloqueio reverso. O diodo em srie com o gatilho garante a unidirecionalidade do sinal de disparo evitando assim, sinais no gatilho no semiciclo negativo. A tenso de disparo, sobre o capacitor, est atrasada em relao tenso da rede, por um ngulo . O valor dessa defasagem depende da constante de tempo de carga do capacitor: = R.C = (R1 + R2).C1. Variando R2 varia o ngulo e portanto varia tambm o ngulo de disparo do SCR. D1 garante que s haver corrente no gatilho no semiciclo positivo, preservando o SCR. D2 conduz no semiciclo negativo, carregando C1 com tenso negativa. Isso garante que no incio de cada semiciclo positivo, o capacitor sempre esteja carregado com uma tenso fixa (negativa), mantendo a regularidade do disparo.

16.3. Circuito de Disparo CA com Diodo Schokley ou Diac: O Diodo Schokley um componente semicondutor de quatro camadas (PNPN). Seu comportamento de um SCR sem gatilho preparado para disparar por sobretenso direta. Ou seja, reversamente polarizado no conduz. Diretamente polarizado s entra em conduo quando a tenso atingir um determinado valor, a chamada Tenso Schokley, como indica a sua curva caracterstica na figura abaixo. Quando conduzindo sua tenso bem menor que a tenso de disparo, como podemos observar na curva caracterstica da figura 16.5.

Figura 16.5 Curva caracterstica do Diodo Schokley [ref. 4]

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A figura 16.6 apresenta um circuito de disparo com sinal CA usando um diodo Schokley. Enquanto a tenso no capacitor for menor que a tenso Schokley, o diodo estar cortado e o SCR no entrar em conduo.

Figura 16.6 Circuito de disparo CA com Diodo Schokley Quando a tenso no capacitor atingir a tenso Schokley, o diodo entrar em conduo e proporcionar um caminho de baixa impedncia para a descarga do capacitor atravs do gatilho do SCR. O capacitor provocar um pulso de corrente suficiente para disparar o SCR. Controlando a defasagem entre a tenso da rede e a tenso no capacitor, varia-se o ngulo de disparo . O Diac se comporta como um Diodo Schokley bidirecional, ou seja, como um Triac sem gatilho, preparado para disparar tanto por sobretenso direta como reversa. Assim, o diodo Schokley no circuito da figura 16.6 pode ser substitudo por um Diac. A figura 16.7 mostra o smbolo e a curva caracterstica do Diac. Os terminais so identificados por terminal 1 e 2 (Main Terminal).
MT1 MT2

Figura 16.7 Smbolo e curva caracterstica do Diac

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17. CIRCUITOS DE DISPARO COM SINAIS PULSADOS:

Para reduzir a dissipao de potncia no gatilho, aconselhvel que os circuitos de disparo de SCR, em vez de um sinal CC contnuo, gerem um nico pulso, ou um trem de pulsos. Isto apresenta algumas vantagens tais como: permite controle mais preciso do ponto de disparo do tiristor facilita o acoplamento e o isolamento eltrico entre o circuito de disparo e o circuito de potncia que o SCR aciona. O isolamento eltrico pode ser feito atravs de transformadores de pulso ou de acopladores pticos. reduzir rudos e transitrios que podem disparar intempestivamente o componente. Para o controle de fase adequado, os circuitos de disparo com sinais pulsados devem ser sincronizados com o sinal senoidal, ou seja, devem oscilar em relao ao zero da senide.

17.1. Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno O Transistor Unijuno (Unijunction Transistor), fabricado desde 1948, apresenta trs terminais: Emissor (E), Base 1 (B1) e Base 2 (B2). A figura 17.1 apresenta o smbolo, o diagrama equivalente e a estrutura interna do transistor unijuno.

B2 B2

E E

P N

B1 B1 B1 Figura 17.1 Simbologia, diagrama equivalente e estrutura interna do TUJ

O transistor unijuno atua como uma chave controlada por tenso. Quando a tenso de emissor atingir a tenso de pico do transistor unijuno, este dispara conduzindo entre emissor e base 1, na regio de resistncia negativa. Quando a tenso de emissor decair ao ponto de vale, o transistor unijuno corta. Entre B1 e B2 o transistor unijuno apresenta uma resistncia na faixa de 4,7 a 9,1k. A figura 17.2 apresenta a curva caracterstica para um transistor unijuno..

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Figura 17.2 Curva caracterstica do Transistor Unijuno [ref. 4] A tabela 17.1 mostra um procedimento simplificado de teste com a funo ohmmetro de um multmetro para o transistor unijuno. Tabela 17.1 Teste de um Transistor Unijuno com Multmetro Ponteira Positiva (+) Ponteira Negativa (-) Resistncia B2 B1 RB1 + RB2 B1 B2 RB1 + RB2 E B1 RB1 B1 E Aberto () E B2 B2 E RB2 Aberto ()

Um oscilador de relaxao com transistor unijuno, apresentado na figura 17.3 um circuito comum para a produo de pulsos para disparo de SCR. Ele produz um trem de pulsos estreitos na base 1. O carregamento do capacitor C1 se d atravs da fonte Vcc e controlado pelo resistor Rf e o potencimetro P1. Quando a tenso no capacitor atingir o valor da tenso de pico do transistor unijuno, este entra em conduo entre emissor e base1, fluindo uma corrente de emissor para o primrio do transformador de pulso e aplicando um sinal no gatilho do SCR. Quando a tenso no capacitor C1 cair para o valor da tenso de vale, o transistor unijuno corta e o processo se repete. A figura 17.4 mostra as formas de onda para este oscilador. A largura do pulso dada pelo valor do capacitor. A desvantagem deste circuito a curta durao dos pulsos, o que pode levar um SCR a no se manter em conduo. Isto pode ser solucionado pelo circuito snubber RC, j estudado.

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+VCC

Rf R2 P1 Q1 UJT + C1

TP G K

-VCC

Figura 17.3 Oscilador de Relaxao com Transistor Unijuno - TUJ

VC = VE Vp

Vv

VB2 = Vsada Vp

Figura 17.4 Formas de Onda para o Oscilador de Relaxao No circuito da figura 17.5, quando o pulso proveniente do transistor unijuno Q1 for aplicado base do transistor bipolar Q2, este satura e a tenso de alimentao ser aplicada ao primrio do transformador de pulso, induzindo um sinal no gatilho do tiristor. Quando o transistor unijuno Q1 cortar, o transistor bipolar Q2 corta e cessa o sinal no gatilho. O diodo D1 um diodo com efeito roda-livre, para desmagnetizar o transformador de pulso. O transistor Q2 opera como um driver de corrente. Este circuito melhora a largura do pulso e o seu tempo de subida.

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+VCC

TP Rf D1 R2 P1 K G

Q1 UJT C1 R1 -VCC
Figura 17.5 Oscilador de Relaxao com TUJ e driver de corrente A figura 17.6 apresenta uma etapa de sincronismo a ser conectada como fonte de alimentao para o oscilador. O diodo D1 retifica em meia onda o sinal do secundrio do transformador e o diodo Zener DZ mantm a tenso a ser aplicada ao oscilador que ser praticamente uma onda quadrada, sincronizada com a senide do secundrio. O resistor RZ limita a corrente no Zener. O circuito oscilar somente enquanto houver tenso aplicada e o disparo do tiristor ser no primeiro pulso gerado no instante determinado pelo tempo de carga controlado pelo potencimetro do oscilador. A figura 17.7 mostra o oscilador gerando os pulsos sincronizados com o sinal senoidal aplicado.

Q2 NPN

Ao oscilador

Figura 17.6 Etapa de sincronismo para controle de fase

Figura 17.7 Forma onda do oscilador sincronizado

17.2. Oscilador com Diodo Schokley e com Diac O circuito da figura 17.8 apresenta um oscilador para o disparo de um SCR utilizando um Diac. A constante RC define o tempo de carga do capacitor atravs da fonte de tenso Vcc.

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Quando carregado com a tenso de disparo do Schokley (ou do Diac), se descarrega atravs deste injetando uma corrente de disparo no SCR. Rapidamente o capacitor se descarrega e faz o Schokley (ou o Diac) cortar, repetindo o processo. As formas de onda so semelhantes s da figura 17.4. Este circuito requer baixa potncia da fonte Vcc para carregar o capacitor e fornece uma potncia alta em um curto intervalo de tempo, garantindo assim, o disparo do SCR.

A R DIAC SCR

+ Vcc C

K
Figura 17.8 Disparo de SCR usando um Diac

17.3. Outros Circuitos Pulsados Existem muitos outros circuitos pulsados para o disparo de tiristores, como por exemplo: Oscilador com o circuito integrado 555; Circuito Integrado dedicado a disparos de tiristores TCA-785 da Siemens; Via programao (software) em circuitos microcontrolados e microprocessados; outros Para obter mais informaes sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o professor ou consulte: http://www.cefetsc.edu.br/mussoi

18. ISOLAMENTO E ACOPLAMENTO

Em circuitos tiristorizados existem diferentes tenses em diversos pontos. O circuito de potncia que o tiristor controla submetido a tenses elevadas, geralmente maiores de 100V. J o circuito de controle do disparo alimentado com baixas tenses, tipicamente at 30V. Portanto, necessrio um circuito que isole eletricamente o tiristor e seu circuito de controle e os mantenha acoplados. A isolao e o acoplamento podem ser feitos por: Acopladores Magnticos: transformadores de pulso (pulse transformers) Acopladores pticos: opto-acopladores (opto-couplers)

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Tiristor SCR Retificador Controlado de Silcio 18.1. Acoplamento Magntico

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O isolamento eltrico e o acoplamento magntico feito atravs de Transformadores de Pulso. Os transformadores de pulso tm a vantagem de proporcionar um circuito de controle simplificado e isolado eletricamente do circuito de potncia, evitando disparos indesejveis gerados por realimentao do circuito de potncia para o comando. Transferem os pulsos com baixas perdas, pequenas dimenses e enrolamentos isolados. Construtivamente, os transformadores de pulso so semelhantes aos transformadores comuns: possuem dois (ou mais) enrolamentos eletricamente isolados. A diferena que o ncleo de ferrite e a relao de transformao geralmente de 1:1 ou de 1:2. A figura 18.1. apresenta um circuito para acoplamento magntico. Quando um pulso aplicado base do transistor chaveador Q1, este satura e a tenso Vcc aplicada ao primrio do transformador de pulso induzindo uma tenso pulsada no secundrio que aplicada entre o gatilho e o ctodo do SCR. Quando o pulso for removido, Q1 corta e uma tenso de polaridade oposta induzida no primrio. O diodo DRL (diodo de roda livre) conduz para desmagnetizar o transformador de pulso. Durante este processo uma tenso reversa correspondente induzida no secundrio. Um capacitor para aumentar a largura do pulso pode ser ligado em paralelo com R1. O ncleo do transformador de pulso saturar devido corrente CC aplicada. Portanto, esse tipo de acoplamento adequado para pulsos de 50 a 110s, tipicamente.

Figura 18.1 Circuito para Acoplamento Magntico

18.2. Acoplamento ptico Os acopladores pticos foram desenvolvidos na dcada de 70 com a finalidade de acoplar e isolar circuitos que operam com diferentes nveis de potncia. Consistem de uma fonte de radiao (luz), o foto-emissor, e de um elemento foto-sensor (foto-receptor), com alta sensibilidade na faixa de freqncia da radiao emitida. A luz acoplada ao sensor atravs de um material isolante transparente ao atravs do ar. Um circuito gerador de pulsos ligado no foto-emissor do opto-acoplador, geralmente um LED, que disparar o foto-receptor, que pode ser um foto-transistor, um foto-diodo, um foto-SCR, um foto-DIAC, etc. Esse tipo de acoplamento requer uma fonte auxiliar Vcc para alimentar o opto-acoplador, o que aumenta o volume, peso e custo do circuito. A figura 18.2 apresenta um circuito para o acoplamento ptico a partir de uma fonte VCC. A figura 18.3 apresenta o acoplamento ptico a partir da prpria fonte do circuito de potncia VCA.

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Optoacoplador

Figura 18.2 Acoplamento ptico com fonte VCC dedicada

Optoacoplador

Figura 18.3 Acoplamento ptico a partir da fonte VCA

18.3. Proteo do Gatilho Os circuitos de disparo e os acopladores devem ser conectados aos gatilhos dos SCR atravs de um ou mais componentes de proteo, cada qual com sua funo, como indica a figura 18.4.

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Figura 18.4 Componentes de proteo do gatilho do SCR Na figura 18.4 cada componente possui uma ou mais funes, sendo: RGK -aumenta a capacidade de degrau de tenso (dv/dt) -reduz o tempo de desligamento -aumenta as correntes de reteno e de manuteno -protege o gatilho contra tenses negativas -remove componentes de rudos de alta freqncia -aumenta a capacidade de degrau de tenso (dv/dt) -limita a corrente de gatilho -amortece quaisquer oscilaes transitrias -garante a unidirecionalidade (um s sentido) da corrente de disparo

DGK CGK R1 D1

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19. PROBLEMAS PROPOSTOS

P.1. Sabendo que a corrente mnima para disparo de um SCR de 15mA e que o circuito proporciona uma tenso de 5V, qual o valor comercial da resistncia RG a ser conectada ao gatilho? Explique. P.2. Determine o valor mximo da resistncia de carga que vai assegurar a conduo do SCR no circuito abaixo. O SCR tem uma corrente de manuteno de 200mA. Explique. Resp.: 1040.

P.3. Uma fonte de tenso de 220Vef aciona uma resistncia de carga de 10 atravs de um SCR. Determine o valor de uma indutncia L a ser includa no circuito para limitar o degrau de corrente em 20A/s. Resp.: 15,6H P.4. Determine a corrente eficaz em um circuito com um SCR quando um ampermetro CC indica 100A com um ngulo de conduo de 60o. Resp.: 270A. P.5. Um SCR tem VDRM de 600V, degrau de tenso mximo de 25V/s, degrau de corrente mximo de 30A/s e usado para acionar uma carga resistiva de 100. Dimensione os valores mnimos para o circuito snubber para que no ocorra acionamento intempestivo. Sendo a tenso aplicada de 311V, qual a resistncia mnima para limitar a descarga em 5A? Explique. Resp.: 0,24F; 4,5m; 62,2. P.6. Obtenha os parmetros da tabela 8.1 para os seguintes SCR: TIC-106D, TIC-116E, Aegis A1N60.10.H, Aegis A5F1000.20HY, Semikron SKT16/04C e BT151-500R. P.7. Compare um SCR a um Diodo de Potncia; P.8. Cite as condies necessrias para disparo e para o bloqueio de um SCR; P.9. Como deve ser o sinal adequado de disparo de um SCR? Porque? P.10. Qual a relao entre a tenso de disparo e a corrente de gatilho? P.11. Como pode haver disparos intempestivos? Como evitar? P.12. Qual a relao entre a corrente de reteno e manuteno? P.13. O que e como se evitam os degraus de tenso e de corrente? P.14. Qual o valor mnimo da indutncia L para proteger um SCR contra dv/dt sendo seu valor de 10A/s e a tenso de 220V? Como deve ser conectado? P.15. Determine os valores dos componentes de um circuito snubber para as condies: VRRM = 200V (dv/dt)max = 200V/s (di/dt)max = 100A/s

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Rcarga = 10 a) Explique sua conexo e funcionamento. b) Desenhe os esquemas para conectar quatro SCR em srie e em paralelo. Quais as vantagens? P.16. Descreva os circuitos de disparo; P.17. Descreva os circuitos de comutao; P.18. O que tempo de desligamento de um SCR? P.19. Em um teste com multmetro, quais as condies que um SCR pode estar defeituoso? Porque? P.20. Quais os tipos de proteo adequados para um SCR? P.21. Considerando o circuito de fase com SCR da figura 16.1, onde RGK=1,5k, a carga uma lmpada de 220V/100W e o SCR o TIC116D: a) calcule R1 e R2 para os seguintes ngulos de disparo do SCR: 5; 20; 45; 60; 90 e 150 graus; b) simule em computador para obter as formas de onda das tenses na lmpada para cada ngulo de disparo do SCR; c) calcule a tenso mdia e eficaz, bem como a potncia mdia na lmpada, para cada ngulo de disparo do SCR (considere que a lmpada mantm a sua resistncia nominal) Dados: TIC 116 D IGK = 5mA (min) e 20mA (mx) VGK = 1,5V P.22. Em que condies de teste um transistor unijuno apresenta defeito? P.23. Explique como e porque se pode controlar a freqncia de um oscilador de relaxao com transistor unijuno. P.24. Como se pode sincronizar os circuitos de disparo com sinais pulsados para se fazer o controle de fase adequado?

Para obter mais problemas sobre este assunto ou esclarecer alguma dvida, fale com o professor ou consulte: http://www.cefetsc.edu.br/mussoi

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20. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] VILLAA, M.V.M. e RANGEL, P.R.T.; Eletrnica de Potncia, Volumes 1 e 2, apostila, CEFET/SC, Florianpolis, 199x. [2] RASHID, M.H.; Eletrnica de Potncia Circuitos, Dispositivos e Aplicaes, Makron Books, So Paulo, 1999. [3] AEGIS SEMICONDUTORES; Pgina oficial do fabricante na Internet: http://www.aegis.com.br [4] ALMEIDA, J.L.A.; Dispositivos Semicondutores: Tiristores Controle de Potncia em CC e CA, Coleo Estude e Use, Srie Eletrnica Analgica, Editora rica, So Paulo, 1996. [5] AHMED, A.; Eletrnica de Potncia, Prentice Hall, So Paulo, 2000. [6] ANDRADE, E.A.; Eletrnica Industrial Anlise de Dispositivos e suas Aplicaes, 1a edio, Editora CEFET/BA, Salvador, 1996.

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ANEXOS:

A.1. VALOR NOMINAL MXIMO EFICAZ DA CORRENTE DE NODO REPETITIVA A corrente de nodo mxima que um SCR pode suportar depende da temperatura mxima da juno do semicondutor (TJ). Essa temperatura no pode ser excedida. Medir TJ no fcil, mas podemos medir e controlar as tenses e correntes do SCR que contribuem para o aumento de TJ. A maior contribuinte a corrente eficaz repetitiva IT(RMS). A corrente eficaz (RMS, Root Mean Square) o valor usado para rotular o SCR pois diz respeito dissipao de calor. J a corrente mdia IT(AVG) diz respeito ao acionamento da carga. A corrente mdia igual corrente eficaz em circuitos de corrente contnua puros. Entretanto, o valor mdio menor que o eficaz para outras formas de onda. Para senides puras o valor eficaz dado pela relao:

I eficaz =

I pico 2

Determinar o valor eficaz de uma forma de onda no senoidal no tarefa fcil. Podemos simplificar os clculos fazendo uma aproximao da forma de onda no senoidal a uma forma de onda retangular cuja altura seja igual ao valor de pico e cuja largura seja igual durao do pico, como mostra a figura 18.1. O valor eficaz resultante ser maior, mas proporcionar um bom fator de segurana.

I Imx

I Imx

180o t0 T

ngulo ( )

t0 T

180

ngulo ( )

Figura 18.1 Aproximao da forma de onda real Assim:

I eficaz =

2 I pico t0

T I pico t 0 T

I mdio =

Podemos ento definir Fator de Forma (FF) como sendo a relao do valor eficaz pelo valor mdio:

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FF =

I eficaz I mdio

Sabendo-se o Fator de Forma de uma determinada forma de onda, o valor eficaz da corrente pode ser determinado por:

I eficaz = FF I mdio
O ngulo de Conduo corresponde ao tempo em que o SCR fica ligado, como mostra a figura 18.1. A tabela 18.1 apresenta o Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo. Tabela 18.1 Fator de Forma em funo do ngulo de Conduo NGULO DE CONDUO () FATOR DE FORMA (FF) 20o 5,0 40o 3,5 60o 2,7 o 80 2,3 100o 2,0 o 120 1,8 140o 1,6 160o 1,4 o 180 1,3
Fonte: referncia [5]

Apostila Tiristor SCR.doc 24.03.2002

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