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Os anestsicos locais exercem seu efeito atravs do

bloqueio dos canais de sdio regulados por

voltagem,

inibindo,

assim,

propagao

dos

potenciais de ao ao longo dos neurnios

O Potencial de Ao

Dois tipos de fenmenos esto envolvidos no processamento do impulso nervoso: eltrico e qumico. Os eventos eltricos propagam um sinal dentro de um neurnio, e o qumico transmite o sinal de um neurnio a outro ou a uma clula muscular. O "engate" ou juno entre um neurnio e outro, denominado sinapse.
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O neurnio uma clula nucleada, apresenta diversos dendritos que possibilitam sua conexo com outros neurnios e um terminal nico e longo, chamado axnio. O axnio responsvel pela transmisso do impulso nervoso para clulas ps-sinpticas. O neurnio apresenta uma estrutura caracterstica no corpo celular, chamada cone de implantao, que responsvel pela soma dos impulsos nervosos e pelo disparo de uma resposta, chamada potencial de ao. O potencial de ao propaga-se ao longo do axnio at os terminais axonais. Nesta aula iremos discutir as principais caractersticas do potencial de membrana, e as situaes que levam o neurnio a disparar o potencial de ao.

Corpo celular Dendritos

Ncleo

Axnio

Cone de implantao

Terminais axonais
Direo do impulso

Usando-se uma abordagem de sistemas, podemos pensar no neurnio como uma unidade de processamento de informao. Nesta abordagem destacamos s as partes fundamentais para o processamento. T emos diversas entradas (Ii), os dendritos, uma central de processamento (Ii), o cone de implantao, e uma sada (S), o axnio. Abaixo temos uma representao desta analogia. Corpo celular . Dendritos . . Ncleo I3 I2 I1
Entradas (dendritos)

Ii
Sada (axnio)

Axnio

S =0 ou S = 1
Central de processamento (cone de implantao)

Cone de implantao

Terminais axonais
Direo do impulso

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Dentro desta analogia podemos dizer que o neurnio tem uma sada binria (zero ou um). A sada um indica que h potencial de ao propagando-se pelo axnio, a sada zero indica que o axnio est em potencial de repouso.

. . .
I3 I2 I1
Entradas (dendritos)

Corpo celular Dendritos

Ncleo

Ii
Sada (axnio)

Axnio

S =0 ou S = 1
Central de processamento (cone de implantao)

Cone de implantao

Terminais axonais
Direo do impulso

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Ao inserimos eletrodos na clula e ligarmos tais eletrodos a um voltmetro, podemos medir um potencial eltrico, denominado de uma forma geral de potencial de membrana da clula. Assim, o potencial eltrico medido na clula, para qualquer situao fisiolgica, chamado de potencial de membrana. No precisa que a clula esteja em repouso. Quando a clula est em repouso, o potencial de membrana recebe um nome especfico, potencial de repouso. Caso a clula receba um estmulo, alto o suficiente, teremos como resultado que o potencial de membrana apresentar uma sbita elevao, tal etapa chamada potencial de ao.
Osciloscpio

Amplificador

Potencial de membrana

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A membrana dos neurnios no estimulados (em

repouso) apresenta uma diferena de potencial eltrico

entre o interior e o exterior de cerca de 70 mV, e que mantida enquanto a clula est viva. Trata-se, ento do potencial de membrana de repouso.

Como possvel que o potencial de repouso possa ser perturbado at o ponto de surgir um potencial de

ao?
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Para que a clula esteja em repouso no necessrio a ausncia de estmulos, significa, simplesmente, que a soma dos estmulos eltricos que chegam clula esto abaixo de um potencial de referncia, chamado potencial liminar. O potencial de poucos milivolts acima do potencial de repouso. Estmulos abaixo deste valor de referncia, fazem a membrana celular funcionar como um circuito resistivo-capacitivo, onde a membrana capaz de acumular carga eltrica Q, como indicado abaixo. +Q +Q
Potencial de membrana

-Q

-Q
Modelo de membrana

0
Capacitor de placa planas e paralelas

Tempo(ms)

Potencial limiar

Potencial de repouso

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Voltando nossa abordagem de sistemas. Podemos dizer que a soma de todas as entradas ( Ii = I1 + I2 + I3 +...... ) apresenta um potencial abaixo de um valor de referncia, chamado potencial limiar, nesta situao a sada zero (S = 0), no h potencial de ao no axnio.

. . .
I3 I2 I1
Entradas (dendritos)

Ii
Sada (axnio)

Se Ii < potencial limiar S = 0

Central de processamento (cone de implantao)

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O potencial de repouso resultado da ao conjunta da bomba de Na+/K+ e do canal de K+. A bomba de Na+/K+ envia 3 ons de Na+ para o meio extracelular e 2 ons de K+ para o meio intracelular, com gasto de uma molcula de ATP (adenosina trifosfato). Aproximadamente um tero do ATP gasto pela clula usado pela bomba Na+/K+ para manter este fluxo inico. O canal de K+ permite que o excesso de K+ seja expelido da clula, sem gasto de ATP . A ao conjunta das duas protenas intrnsecas leva a uma perda de carga positiva pela clula, causando o aparecimento de um potencial negativo no meio intracelular, este potencial chamado de potencial de repouso, pois no precisamos de estmulo externo para ger-lo.
Na+ K+

Meio extracelular Bomba de Na+/K+ Canal de K+

Citoplasma
K+

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Os Passos Iniciais
Quando um estmulo atinge a membrana do neurnio ocorre uma

pequena despolarizao local. Esse estmulo pode ser ftico,

qumico, fsico ou farmacolgico, dependendo da sensibilidade da clula. A despolarizao faz com que canais de Na+ e K+ dependentes de voltagem se abram e permitam um fluxo de correntes inicas de um lado para o outro da clula. Simultaneamente ocorre um fluxo de fora para dentro de Na+ o que tende a despolarizar ainda mais a membrana; e um fluxo de dentro para fora de K+, que tende a repolariz-la.
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O canal de sdio um tipo especializado de canal inico dependente de voltagem (potencial eltrico). Sua abertura est condicionada ao aumento do potencial de membrana. Quando temos um potencial de membrana, acima de um valor limite de potencial (potencial limiar), o canal abrese, permitindo o influxo de ons de sdio na clula. O canal permanece aberto por aproximadamente 1 milisegundo (1 ms). T empo suficiente para elevar o potencial de membrana para dezenas mV positivos. O canal de sdio possui dois portes distintos, portes m (de ativao) e h (de inativao). O porto h fecha-se aps a despolarizao e permanece fechado, no permitindo o incio de um novo potencial de ao (perodo refratrio).

A)

No repouso (Vr = -75mV) Porto m fechado Porto h aberto

Membrana plasmtica

B)

Aps a despolarizao (VKr= 50 mV) Porto m aberto Porto h aberto

C)
5 ms depois da despolarizao (VKr= -50 mV) Porto m aberto Porto h fechado

Fonte da imagem: http://www.blackwellpublishing.com/matthews/figures.html 21 Acessada em 21/05/2012

Canais de potssio. Este canal abre-se imediatamente aps a despolarizao, o que permite a sada de carga positiva da clula, na forma de ons de potssio. O canal de potssio fica aberto durante toda a fase de repolarizao, onde o potencial de membrana ser trazido a valores negativos, chegando a ficar mais negativo que o potencial de repouso, durante a fase seguinte, chamada de fase de hiperpolarizao.

A)
Membrana plasmtica

No repouso (VKr= -75mV) Canal de potssio fechado

B)

Aps a despolarizao (Vr = 50 mV) Canal de potssio fechado

C)

5 ms depois da despolarizao (VKr= -50 mV) Canal de potssio aberto

Fonte da imagem: http://www.blackwellpublishing.com/matthews/figures.html 22 Acessada em 21/05/2012

Os canais de Na+ dependentes de voltagem (potencial eltrico), da membrana plasmtica do axnio, so os responsveis primrios pelo potencial de ao. Podemos pensar no potencial de ao como um evento tudo ou nada ou um e zero e autoregenerante. V(mV) 50 0

Potencial limiar
-70 Potencial de repouso

T empo(ms)

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Potencial de ao, passo a passo. A) Os canais de sdio e potssio esto fechados (potencial de repouso). Membrana plasmtica B) O aumento do potencial na membrana leva o Canal K canal de sdio, que dependente de voltagem Canal Na (potencial eltrico), a abrir-se. O que permite o rpido influxo de sdio na clula, aumentando de forma significativa o potencial de membrana. Esta fase chamada despolarizao (ou fase ascendente). C) Aproximadamente 1 ms depois, os canais de sdio fecham-se e os canais de potssio, dependentes de voltagem (potencial eltrico), abrem-se. Permitindo a sada do excesso de carga positiva da clula. Esta fase a de repolarizao (ou fase descendente). D) A sada de grande quantidade de ons de K+, leva a clula a atingir um potencial de membrana abaixo do potencial de repouso, esta fase Fonte da imagem: chamada de hiperpolarizao. http://www.blackwellpublishing.com/matthews/figures.html 24
+ +

Acessada em 21/05/2012

A presena do porto de inativao (porto h) no canal de sdio dependente de voltagem garante a propagao unidirecional do potencial de ao. A entrada de ons de sdio, decorrente da abertura do canal de sdio dependente de voltagem, leva a uma difuso de ons de sdio nos dois sentidos no axnio. T al presena de ons de sdio levaria reabertura dos canais de sdio, caso no tivessem o porto de inativao (porto h). T al portal permanece fechado por alguns milisegundos, caracterizando o perodo refratrio do neurnio. Durante este perodo a elevao do potencial de membrana, alm do potencial limiar, no causa disparo de novo potencial de ao.

Corpo celular Dendritos

Ncleo

Potencial de ao

Axnio

Cone de implantao Terminais axonais Direo do impulso

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42

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44

As membranas celulares so mantidas num certo potencial eltrico. Esse potencial eltrico se obtm como conseqncia do balano de ons em ambos os lados da membrana. Nem todos os ons afetam o potencial de membrana, somente aqueles que podem atravessar a membrana via canal podem

faz-lo. Os ons sdio (Na+) e potssio (K+) so os principais

ons envolvidos na gerao do potencial de ao.

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Para que a clula esteja em repouso no necessrio a ausncia de estmulos, significa, simplesmente, que a soma dos estmulos eltricos que chegam clula esto abaixo de um potencial de referncia, chamado potencial liminar. O potencial de poucos milivolts acima do potencial de repouso. Estmulos abaixo deste valor de referncia, fazem a membrana celular funcionar como um circuito resistivo-capacitivo, onde a membrana capaz de acumular carga eltrica Q, como indicado abaixo. +Q +Q
Potencial de membrana

-Q

-Q
Modelo de membrana

0
Capacitor de placa planas e paralelas

Tempo(ms)

Potencial limiar

Potencial de repouso

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Os canais inicos dependentes de voltagem (CIDV), que mediam a sinalizao eltrica, tm papeis funcionais diferentes. Os canais de sdio dependentes de voltagem (NaV) iniciam os potenciais de ao. Os canais de clcio voltagem-dependente (CaV) iniciam processos como a transmisso sinptica, a contrao muscular e a secreo hormonal como resposta a despolarizao da membrana. Os canais de potssio voltagem-dependentes (KV) finalizam os potenciais de ao e restituem o potencial de membrana ao seu valor de repouso. Canais NaV esto modificados em casos de epilepsia, enxaqueca, arritmia cardaca e sndrome da dor. Esses canais so alvos moleculares de frmacos utilizados em anestesia local e no tratamento de canalpatias genticas ou espordicas no crebro, msculo esqueltico e corao.
Nature (2012). Published online 20 May 2012. 47

Lehninger Principles of Biochemistry, 5e, 2008. 48

A propagao dos potenciais de ao ao longo do axnio.

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Verde: S4 sensor de voltagem

Hlices alfa transmembrana

Vermelho: S5-S6 poros

Amarelo: S1-S3 segmentos transmembrana

Os frmacos que bloqueiam os poros dos canais de sdio so importantes como anestsicos locais, antiarrtmicos e antiepilpticos. Os stios do receptor esto formados por resduos de aminocidos nos segmentos S6 dos domnios I, III e IV. 51

Lehninger Principles of Biochemistry, 5e, 2008. 52

Desenho a partir de imagem de microscpio eletrnico de baixa resoluo de um canal de Na+ purificado, visto das perspectivas extracelular e intracelular

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Seqncia de aminocidos dos segmentos S2 e S4

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Modelo de hlice corredia para o abre-fecha do canal. Desenhado como cilindro com uma fita de cargas positivas ao redor conferidas pelas cargas de aberturafechamento de arginina, as quais so neutralizadas por cargas negativas dos segmentos transmembrana circundantes. Mudanas na voltagem de membrana faz com que o segmento S4 se movimente para cima ou para baixo no processo de despolarizao.

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Conformational changes in the pore module of NaVAb.

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Os anestsicos locais podem ser classificados em AL com ligao ster ou AL com ligao amida.

Todos os anestsicos estruturais:

locais

possuem

trs

domnios

um grupo aromtico, INFLUENCIA A HIDROFOBICIDADE

um grupo amina, INFLUENCIA VELOCIDADE DE INCIO E POTNCIA

e uma ligao ster ou amina unindo esses dois grupos INFLUENCIA COLATERAIS. DURAO DE AO E EFEITOS
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Atividade = Potncia

LogP =

2,53

1,95

1,80

2,10

3,69

71

72

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