Materiales 3

Universidad de Atacama Departamento de Metalurgia
UNIDAD 3
ESTRUCTURA DE LOS SLIDOS
CRISTALINOS
Y SUS
IRREGULARIDADES
Arreglo Atmico
Arreglo atmico
Propiedades

Estructura
Arreglos atmicos en la materia

Sin orden

Orden de corto alcance

Orden de largo alcance
Sin orden: Los tomos y molculas carecen de una arreglo ordenado,
ejemplo los gases se distribuyen aleatoriamente en el espacio
disponible
Xenn
Ordenamiento de corto alcance: - es el arreglo espacial de los tomos o
molculas que se extiende slo a los vecinos ms cercanos de stos. A
estas estructuras se les denomina estructuras no cristalinas.
En el caso del agua en fase vapor, cada molcula tiene un orden de corto
alcance debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrgeno y
oxgeno. Sin embargo, las molculas de agua no tienen una organizacin
especial entre s.
Ejemplo: agua en estado vapor, vidrios cermicos (slice), polmeros

Vapor de agua
Ordenamiento de largo alcance: El arreglo atmico de largo alcance
(LRO) abarca escalas de longitud mucho mayores de 100 nanmetros.
Los tomos o los iones en estos materiales forman un patrn regular y
repetitivo, semejante a una red en tres dimensiones.
Grafeno (compuesto de
carbono densamente
empaquetados)
Estructura cristalina
Orden de largo alcance (cristal): En
los materiales cristalinos, las partculas
componentes muestran un ordenamiento regular
que da como resultado un patrn que se repite en
las tres dimensiones del espacio, y a lo largo de
muchas distancias atmicas.

Sin orden (amorfo): En los materiales
amorfos, los tomos siguen un ordenamiento
muy localizado, restringido a pocas distancias
atmicas y que, por tanto, no se repite en las tres
dimensiones del espacio. Se habla de un orden
local o de corto alcance.
Diagrama molecular del vidrio
(SiO
2
) en slido amorfo
Diagrama molecular del cuarzo
(SiO
2
) en red cristalina
Cristal Vidrio
Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula
de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz polimrica de poliestireno.
Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con
que los tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro.
Un material cristalino es aquel en que los tomos se encuentran situados
en un arreglo repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal
como las estructuras solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera
repetitiva tridimensional en el cual cada tomo est enlazado al tomo vecino
ms cercano.
Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros forman
estructuras cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.
Cristal: conjunto de tomos ordenados segn un arreglo peridico en
tres dimensiones
Modelo de las esferas rgidas: se consideran los tomos (o iones) como
esferas slidas con dimetros muy bien definidos. Las esferas representan
tomos macizos en contacto
Red cristalina: disposicin tridimensional de puntos coincidentes con las
posiciones de los tomos (o centro de las esferas). Los tomos estn ordenados
en un patrn peridico, de tal modo que los alrededores de cada punto de la red
son idnticos
Un slido cristalino es un conjunto de
tomos estticos que ocupan una
posicin determinada
Celda unitaria: es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la
geometra de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas
forma un cristal con dicha estructura (subdivisin de una red que conserva las
caractersticas generales de toda la red) .
Estructura cristalina cbica de cara centrada:
(a) representacin de la celda unidad mediante esferas rgida
(b) celda unidad representada mediante esferas reducidas
Representacin de la red y de la celda unitaria del sistema
cbico centrado en el cuerpo
Los parmetros de red que describen el tamao y la forma de la celda unitaria,
incluyen las dimensiones de las aristas de la celda unitaria y los ngulos entre
estas.
En funcin de los parmetros de la celda unitaria: longitudes de sus lados y
ngulos que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos que definen la forma
geomtrica de la red:
Las unidades de la longitud se expresan en nanmetros (nm) o en angstrom (A)
donde:

1 nanmetro (nm) = 10
-9
m = 10
-7
cm = 10 A
1 angstrom (A) =0.1 nm = 10
-10
m = 10
-8
cm
14 Redes de
Bravais
Sistemas
cristalinos
Estructuras cristalinas de elementos metlicos a 25C y 1atm

Estructura cristalina Elemento
Hexagonal compacta Be, Cd, Co, Mg, Ti, Zn
Cbica compacta Ag, Al, Au, Ca, Cu, Ni, Pb, Pt
Cbica centrada en el cuerpo Ba, Cr, Fe, W, alcalinos
Cbica-primitiva Po
Radio atmico versus Parmetro de red
En la celda unitaria, las direcciones a lo largo de las cuales los tomos
estn en contacto continuo son direcciones de empaquetamiento
compacto. En las estructuras simples, se utiliza estas direcciones para
calcular la relacin entre el tamao aparente del tomo y el tamao de la
celda unitaria.
Al determinar geomtricamente la longitud de la direccin con base en los
parmetros de red, y a continuacin incluyendo el nmero de radios
atmicos a lo largo de esa direccin, se puede determinar la relacin que
se desee.
Cbico simple (CS)
Los tomos se tocan a lo largo de la arista del cubo
Cbico centrado en el cuerpo (BCC)
Los tomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo
Cbico centrada en las caras (FCC)
Los tomos entran en contacto a lo largo de la diagonal de la cara
del cubo
Ejercicio:
Calcular el parmetro de red y el volumen de la celda unidad del hierro
FCC.
radio atmico = 1,24
Ejercicio: Calcule el parmetro de red del cloruro de sodio y el volumen
de la celda unitaria
Radio inico sodio = 0,98
Radio inico cloro = 1,81
Nmero de tomos equivalentes por celda
Si consideramos que cada punto de la red coincide con un tomo, cada
tipo de celda tendr un nmero de tomos que se contarn de la
siguiente forma:
tomos ubicados en las esquinas aportarn con 1/8 de tomo, ya que
ese tomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red.
tomos ubicados en las caras de las celdas aportarn con de
tomo, ya ese tomo es compartido por 2 celdas que constituyen la
red.
tomos que estn en el interior de las celdas aportan 1 tomo.
Ejercicio
Calcule la cantidad de tomos por celda en el sistema cristalino
cbico.
Ejercicio:
Un metal cristaliza en la red cbica centrada en las caras. Si su radio
atmico es 1.38 . Cuntos tomos existirn en 1 cm
3
?
Nmero de coordinacin
El nmero de coordinacin es la cantidad de tomos que tocan a determinado
tomo (cantidad de vecinos ms cercanos a un tomo en particular)
N coordinacin CS = 6 N coordinacin BCC = 8
N coordinacin FCC = 12
Factor de empaquetamiento
Es la fraccin de espacio ocupado por tomos, suponiendo que son esferas
duran que tocan a su vecino ms cercano
( ) ( )
unitaria celda la de volumen
tomos de volumen celda por tomos de cantidad
iento empaquetam de Factor =
Ejercicio:
Calcular el factor de empaquetamiento de la celda CS, BCC y FCC
Estructura a (r)
Nmero de
coordinacin
Factor de
empaqueta-
miento
Ejemplos
Cbica
simple (CS)
a = 2r 6 0,52 Po
Cbica
centrada en
el cuerpo
(BCC)
a = 4r/3 8 0,68
Fe, Ti, W, Mo,
Nb, Ta, K, Na,
V, Cr, Zr
Cbica
centrada en
las caras
(FCC)
a = 4r/2 12 0,74
Fe, Cu, Al,
Au, Ag, Pb,
Ni, Pt
Hexagonal
compacta
(HC)
a = 2r
c/a = 1,633 a
12 0,74
Ti, Mg, Zn,
Be, Co, Zr, Cd
Densidad
La densidad terica de un material se puede calcular con las
propiedades de su estructura cristalina
( ) ( )
( ) ( ) Avogadro N unitaria celda la de volumen
atmica masa celda por tomos de cantidad
Densidad
=
Ejercicio:
Determinar la densidad del aluminio, si este metal cristaliza FCC,
tiene un radio atmico de 0,143 nm y un peso atmico de 26,98
g/mol
Ejercicio
Una aleacin cristaliza cbica centrada en las caras, como se muestra
en figura, Calcule:
a) El factor de empaquetamiento
b) La densidad terica
r
A
= 4,83
r
B
= 5,21
masa molecular tomo A: 56,78 g/mol
masa molecular tomo B: 65,98 g/mol
A

B
tomo Radio () (kg/m
3
) masa atmica
(g/mol)
A
B
X
1,5
1,46
7.698
7.956
7.547
58,34
55,23
45,89
Ejercicio
Se tiene una aleacin formada por tomos A y tomos B, que cristaliza
FCC, los tomos A se ubican en los vrtices de la celda y los tomos B en
el centro de las caras.
a) Calcule el factor de empaquetamiento de la celda unitaria
b) Calcule el radio de los tomos que pueden ingresar al centro de la
celda, sin causar deformacin
c) Calcule la densidad de la aleacin

Ejercicio

Un clip pesa 0,59 g y es de hierro BCC. Calcule:
a) La cantidad de celdas unitarias en el clip
b) La cantidad de tomos de hierro en el clip
a
0
= 2,866
masa atmica = 55,847 g/mol
densidad = 7,87 g/cm
3

Ejercicio:
La estructura del cloruro de sodio es una estructura cbica, compuesta por 4
tomos de cloro y 4 tomos de sodio, tal como se muestra en figura. Determine
a) Densidad del cloruro de sodio
b) Factor de empaquetamiento de la celda
r
sodio
= 0,098 nm
r
cloro
= 0,181 nm
N avogadro = 6,02 x 10
23
Ejercicio
Se tiene un metal A que cristaliza cbico de cara centrada, cuyo radio
atmico es de 1,24 A.
a) Calcule el radio de un tomo que podra ubicarse en el centro de
la celda sin producir deformacin.
b) Cul el la variacin porcentual del factor de empaquetamiento de
la celda al ingresar el nuevo tomo

Isomorfismo, polimorfismo y alotropa
Hay elementos y compuestos que pueden presentar distintas
estructuras cristalinas dependiendo de la presin y temperatura a la
que estn expuestos.
Isomorfismo: Se llaman materiales isomorfos a aquellos slidos que
teniendo el mismo sistema de cristalizacin, tienen distinta
composicin de elementos qumicos.

Polimorfismo: Capacidad de un material slido de existir en ms
de una estructura cristalina, todas ellas con la misma composicin
de elementos qumicos.
Alotropa . Cuando las sustancias polimorfas son elementos puros
y los estados que toman en diferente red espacial se denominan
estados alotrpicos.
Por ejemplo el diamante y el grafito son dos altropos del carbono:
formas puras del mismo elemento, pero que difieren en estructura.
El grafito es estable en condiciones ambientales, mientras que el
diamante se forma a presiones extremadamente elevadas.
El hierro puro se presenta en estructura cristalina BCC y FCC en el
rango de temperaturas que va desde temperatura ambiente hasta la
temperatura de fusin a 1.539 C.
La transformacin polimrfica a menudo va acompaada de
modificaciones de la densidad y de otras propiedades fsicas.
En los materiales cermicos polimrficos como la SiO
2
y la ZrO
2
, la
transformacin puede acompaarse de un cambio de volumen, que si
no se controla de manera adecuada, produce un material frgil que se
fractura con falicidad.
Circonia (ZrO
2)

T Ambiente 1.170 C Monoclnica
1170 C 2.370 C Tetragonal
2.370 C 2.680 C Cbica
Ejercicio
Calcular el cambio de volumen terico que acompaa a la
transformacin alotrpica en un metal puro desde la estructura FCC a
BCC. Considere que no existe cambio de volumen atmico antes y
despus de la transformacin.
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Se ha descrito el slido cristalino mediante la aproximacin de un cristal
ideal

Perfeccin en materiales
Pureza composicional

Pureza estructural
IRREGULARIDADES DEL ARREGLO ATOMICO
Las imperfecciones juegan un papel fundamental en numerosas
propiedades del material: mecnicas, pticas, elctricas, se
encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance
(grano)
Se introducen intencionalmente para beneficiar determinadas
propiedades
Ejemplos: - Carbono en Fe para mejorar dureza
- Cu en Ag para mejorar propiedades mecnicas
- Dopantes en semiconductores
Clasificacin de las imperfecciones en los slidos (segn su forma y
geometra):
Defectos puntuales:

Defecto de vacancia (a)
Defecto intersticial (b)
Defecto sustitucional (c, d)
Defectos puntuales

- Son discontinuidades de la red que involucran uno o quiz varios
tomos.
- Estos defectos o imperfecciones pueden ser generados en el
material mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por
calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la
introduccin de impurezas; o intencionalmente a travs de las
aleaciones.

Defecto de Vacancias
Se produce cuando falta un tomo en la estructura cristalina
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
Las vacancias pueden producirse durante la solidificacin como
resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los
cristales.
En los metales se pueden introducir vacancias durante la deformacin
plstica, por enfriamiento rpido desde altas a bajas temperaturas, o
como consecuencia de daos por radiacin.
Las vacancias son importantes cuando se desean mover los tomos
en un material slido (difusin).
A temperatura ambiente, la concentracin de vacancias es pequea,
pero aumenta en forma exponencial con la temperatura.
El nmero de vacancias en equilibrio a una determinada temperatura
en una red cristalina metlica puede expresarse por la siguiente
ecuacin:
|
|
.
|
\
|

=
T R
Q
exp n n
v
v
n
v
: cantidad de vacancias por cm
3
n : cantidad de tomos por cm
3
Q : energa para producir un mol de
vacancias (cal/mol o joule/mol)
R : constante de los gases (1,987 cal/mol
K; 8,31 joule/mol K)
T : temperatura en grados Kelvin
Ejercicio
Calcule
a) El nmero de vacancias de equilibrio por centmetro cbico en el
cobre a 500 C
b) La fraccin de vacancias a 500 C del cobre puro
Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una estructura cristalina
en una posicin normalmente desocupada.
El aumento de sitios intersticiales ocupados en la red cristalina,
produce un aumento de la resistencia de los materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales en la estructura es
aproximadamente constante (an cuando cambie la temperatura)
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los sitios
intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina esta comprimida y
distorsionada.
Defecto puntual
autointersticial
Se crea cuando un
tomo idntico a los de
la red ocupa una
posicin intersticial.
Defecto Sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un tomo es sustituido
por otro tomo de distinta naturaleza.
Un tomo sustitucional ocupa un sitio normal en la red.
Estos tomos cuando son de mayor tamao, causa una reduccin de
los espacios interatmicos vecinos.
Cuando son de menor tamao, se produce una mayor distancia
interatmica entre los tomos vecinos
Los defectos sustitucionales se pueden introducir en forma de
impurezas o adicionar de manera deliberada en la aleacin.
Una vez introducidos, la cantidad de defectos no varia con la
temperatura.
Defecto de Frenkel (o par de Frenkel)
Es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un in salta de un
punto normal de la red a un sitio intersticial y deja atrs una vacancia.
Este defecto, que se presenta generalmente en cristales inicos,
tambin se puede presentar en los metales y en materiales con enlaces
covalentes.
Defecto de Schottky
Es un defecto exclusivo de los materiales inicos y suele encontrarse
en muchos materiales cermicos.
Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal inico, se crea
una divacante aninica-catinica que se conoce como defecto de
Schottky
Cristal inico ilustrando un defecto de Frenkel y un defecto de Schottky
IMPERFECCIONES LINEALES: DISLOCACIONES

DISLOCACIN.- Imperfeccin lineal alrededor de la cual los tomos del cristal
estn desalineados

DE ARISTA (borde, cua, lnea)
Semiplano de tomos cuya arista (borde) termina dentro del cristal.

HELICOIDAL
Apilacin de planos en espiral a lo largo de la lnea de dislocacin.

MIXTAS De carcter doble: arista y helicoidal

Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos
La dislocacin de cua o de arista, es un defecto lineal centrado
alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano de tomos
extras.
La magnitud y la direccin de la distorsin reticular asociada a una
dislocacin se expresa en funcin del vector de Burgers, designado
por b.
El vector de Burgers es el vector necesario para cerrar una
trayectoria alrededor d ela lnea de dislocacin y volver al punto inicial.
El vector de Burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin.
La dislocacin de borde presenta una regin de compresin donde
se encuentra el semiplano extra y una regin de traccin debajo del
semiplano extra de tomos.
Dislocacin de borde en dos dimensiones de un plano compacto
Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento
de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.
Desplazamiento de una dislocacin

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga
y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto
y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento,
en el plano de deslizamiento.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a
un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los
enlaces de los tomos en un plano.
El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano
parcial de tomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva una distancia atmica
hacia el lado.
Si continua este proceso, la dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que
se produce un escaln en el exterior del mismo.
El cristal se ha deformado plsticamente
Lnea de dislocacin: lnea que va a lo largo del plano extra de
tomos que termina dentro del cristal
Plano de deslizamiento: plano definido por la lnea de dislocacin y el
vector de deslizamiento.
Smbolo: las dislocaciones de borde se simbolizan con un signo de
perpendicular, . Cuando el signo apunta hacia arriba, el plano extra
de tomos est sobre el plano de deslizamiento y la dislocacin se le
llama positiva. Cuando el signo apunta hacia abajo, T, el plano extra de
tomos est bajo el plano de deslizamiento y la dislocacin es
negativa.
Dislocacin de tornillo (helicoidal)
Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto
aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal
perfecto que han sido separadas por un plano cortante.

Estas tensiones de
cizalladura introducen en la
estructura cristalina una
regin de distorsin en
forma de una rampa en
espiral de tomos
distorsionados.
Formacin de una dislocacin helicoidal
Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de carcter de borde y
otras de carcter de tornillo. El desorden atmico varia a lo largo de la
curva AB
Dislocacin de tornillo Dislocacin mixta
Importancia de las dislocaciones
Es un mecanismo que explica la deformacin plstica de los metales,
ya que el esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.
La presencia de dislocaciones explica porque la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor calculado a partir de la unin
metlica (rompimiento de enlaces) [10
3
10
4
ms baja que la resistencia
terica]
El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo contrario
stos serian frgiles y no podran ser conformados (materiales cermicos,
polmeros, materiales inicos)
Se controlan las propiedades mecnicas de un metal o aleacin
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones (un obstculo introducido
en el cristal evita que una dislocacin se deslice, a menos que se apliquen
esfuerzos mayores, por lo tanto aumenta la resistencia).
Importancia de los defectos puntuales
Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los tomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos atmicos, a partir del defecto.
Una dislocacin que se mueva a travs de las cercanas de un defecto
puntual encuentra una red en la cual los tomos no estn en sus
posiciones de equilibrio.
Esta alteracin requiere que se aplique un esfuerzo mayor para que la
dislocacin venza al defecto, incrementando as la resistencia y dureza
del material
Si los tomos solutos se renen preferentemente alrededor de las
dislocaciones, la fuerza necesaria para mover una dislocacin puede
aumentar considerablemente.
Defectos de superficie
Son lmites o planos que separan un material en regiones, cada regin
tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en
donde termina el cristal. Cada tomo en la superficie ya no tiene el
nmero adecuado de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento
atmico
El lmite de grano, que es la superficie que separa los granos
individuales, es una zona angosta donde los tomos no tienen la
distancia correcta entre s; existen zonas de compresin y otras de
traccin.
(a) Esquema que muestra el ordenamiento de los tomos en la
formacin del borde de grano. (b) Granos y lmites de grano en una
muestra de acero inoxidable.
Material policristalino
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es
controlar el tamao del grano, ya sea durante la solidificacin o
durante el tratamiento trmico.
En los metales, los lmites de grano se originan durante la
solidificacin cuando los cristales formados a partir de diferentes
ncleos crecen simultneamente juntndose unos con otros
Al reducir el tamao de grano, se aumenta la resistencia del
material, ya que no permiten el deslizamiento de las dislocaciones
Un material con un tamao de grano grande tiene menor
resistencia y menor dureza.
Importancia de los defectos
En los materiales metlicos, los defectos como las dislocaciones,
defectos puntuales y lmites de grano sirven como obstculo a las
dislocaciones.

Es posible controlar la resistencia de un material metlico controlando
la cantidad y el tipo de imperfeccin
Endurecimiento por deformacin
Endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano
Endurecimiento por deformacin
Los tomos vecinos a
una lnea de dislocacin
estn en compresin y/o
traccin.
Se requieren esfuerzos
mayores para mover una
dislocacin cuando se
encuentra con otra
dislocacin
Metal ms resistente
Al incrementar el nmero de
dislocaciones, se aumenta la
resistencia del material
Endurecimiento por solucin slida
El defecto puntual altera
la perfeccin de la red
Se requiere de mayor
esfuerzo para que una
dislocacin se deslice
Al introducir intencionalmente tomos
sustitucionales o intersticiales, se genera
un endurecimiento por solucin slida
Endurecimiento por tamao de grano
Los limites de grano
alteran el arreglo
atmico
El movimiento de las
dislocaciones se bloquea en los
bordes de grano
Al incrementar el nmero
de granos o al reducir el
tamao de stos, se
produce endurecimiento
por tamao de grano.

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