A. THYRISTOR Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu'.

Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk melewatkan arus listrik. Istilah Thyristor berasal dari tabung Thyratron-Transistor, dimana dengan perkembangan teknologi semikonduktor, maka tabung-tabung elektron yang bentuknya relatip besar dapat digantikan oleh tabung-tabung transistor yang berukuran jauh lebih kecil tanpa mengurangi kemampuan operasionalnya. Yang termasuk dalam keluarga thyristor adalan Silicon Controlled Rectifier, Diac, Triac yang semuanya didasari dari Dioda Lapis Empat (Four Layers Diode). Bahan dasar thyristor ini adalah dari silicon dengan pertimbangan jauh lebih tahan panas dibandingkan dengan bahan germanium. Thyristor ini banyak digunakan sebagai alat pengendali tegangan atau daya yang tinggi dengan kemampuan yang tinggi. Simbol Thyristor :

Gambar A.1 Simbol Thyristor

Bentuk Fisik Thyristor :

Gambar A.2 Bentuk Thyristor

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 1

Struktur Thyristor Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor lebih digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor.

Gambar A.3 Struktur Thyristor

Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan pada gambar A.3 (a). Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua buah struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada gambar A.3 (b). Ini tidak lain adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base. Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan Q2, maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada gambar A.4 yang berikut ini.

Gambar A.4 visualisasi dengan transistor

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 2

Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada base transistor Q2 dan sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base transistor Q1. Rangkaian transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian tengah. Dimana diketahui bahwa Ic= yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus base. Aplikasi Thyristor Ib,

Gambar A.5 Thyristor diberi tegangan

Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi suplai tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar A.5. Apa yang terjadi pada lampu ketika tegangan dinaikkan dari nol. Ya betul, tentu saja lampu akan tetap padam karena lapisan N-P yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori dioda). Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau sangat kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut tegangan breakdown dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor sebagaimana dioda umumnya. Pada thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover Vbo.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 3

B. SCR (Silicon Control Rectifier)

SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda. Kegunaan SCR:

Sebagai rangkaian Saklar (switch control) Sebagai rangkaian pengendali (remote control)

Simbol SCR :

Gambar B.1 Simbol SCR

Bentuk fisik SCR :

Gambar B.2 Bentuk SCR

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 4

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 5

Struktur SCR Struktur SCR terbentuk dari dua buah junction PNP dan NPN.Untuk memudahkan analisa, SCR dapat digambarkan sebagai dua transistor yang NPN dan PNP yang dirangkai sebgai berikut :

Gambar B.3 Struktur SCR

SCR mempunyai 3 kaki yaitu Anoda (A), Katoda(K) dan Gate (G). Dalam kondisi normal Antara Anoda dan Katoda tidak menghantar seperti dioda biasa. Anoda dan Katoda akan terhubung setelah pada Gate diberi trigger minimal sebesar 0.6Volt lebih positif dari Katoda. SCR akan tetap menghantar walaupun trigger pada Gate telah dilepas. SCR akan kembali ke kondisi tidak menghantar setelah Masukan tegangan pada Anoda dilepas.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 6

Karakteristik SCR SCR berbeda dengan dioda rectifier biasanya. SCR dibuat dari empat buah lapis dioda. SCR banyak digunakan pada suatu sirkuit elekronika karena lebih efisien dibandingkan komponen lainnya terutama pada pemakaian saklar elektronik. SCR biasanya digunakan untuk mengontrol khususnya pada tegangan tinggi karena SCR dapat dilewatkan tegangan dari 0 sampai 220 Volt tergantung pada spesifik dan tipe dari SCR tersebut. SCR tidak akan menghantar atau on, meskipun diberikan tegangan maju sampai pada tegangan breakovernya SCR tersebut dicapai (VBRF). SCR akan menghantar jika pada terminal gate diberi pemicuan yang berupa arus dengan tegangan positip dan SCR akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar dari arus yang penahan (IH). Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) SCR adalah dengan mengurangi arus Triger (IT) dibawah arus penahan (IH). SCR adalah thyristor yang uni directional,karena ketika terkonduksi hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Artinya, SCR aktif ketika gate-nya diberi polaritas positif dan antara anoda dan katodanya dibias maju. Dan ketika sumber yang masuk pada SCR adalah sumber AC, proses penyearahan akan berhenti saat siklus negatif terjadi.

Gambar B.4 Karakteristik kurva I-V SCR

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 7

Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan forward SCR mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus Ig yang dapat menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet SCR, arus trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate trigger current). Pada gambar ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di atas parameter ini. Aplikasi SCR SCR merupakan piranti industri yang dapat menangani arus-arus besar berukuran dari 1A sampai lebih dari 2500A tergantung dari tipenya. Karena sifatnya sebagai piranti arus tinggi, SCR mempunyai arus picu dan arus penahan yang relatif besar. Misalnya saja piranti 2N4444 dapat menghantar arus sebesar 8A secara terus menerus. Arus picunya adalah 10mA, dan begitu pula arus penahannya. Ini berarti bahwa untuk mengendalikan arus anode sebesar 8A diperlukan masukan arus minimum pada gerbang SCR sebesar 10mA. Sebagai contoh yang lain, piranti C701 merupakan SCR yang dapat menghantar arus sampai sebesar 1250A dengan arus picu 150mA dan arus penahannya sebesar 500mA. Dengan adanya kapasitans dalam SCR maka piranti ini dapat dipicu oleh tegangan catu yang berubah secara cepat. Jadi dengan kata lain, jika laju kenaikan dari tegangan catu cukup tinggi, maka arus pengisian kapasitif dapat memulai proses regenerasi. Untuk menghindari sinyal pemicuan yang salah pada SCR, laju perubahan tegangan pada anode tidak boleh melenihi laju kritis kenaikan tegangan yang tercantum pada lembar data. Sebagai contoh misalnya kita tinjau piranti 2N4444 yang mempunyai laju kritis kenaikan tegangan sebesar 50V/s. Untuk menghindari terjadinya proses dadal-jenuh yang tidak diinginkan,

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 8

tegangan anode tidak boleh naik lebih cepat dari 50V/s. Contoh yang lainnya adalah piranti C701 yang mempunyai laju kritis kenaikan tegangan sebesar 200V/s. Gejala transien-penyaklaran yang terjadi pada penyalur catu tegangan adalah penyebab utama dari pelanggaran laju kritis kenaikantegangan. Salah satu cara untuk mengurangi pengaruh transien tersebut adalah menggunakan pembatas atau penekan RC seperti terlihat pada Gambar B.5. Bila gejala transien berkecepatan tinggi terjadi pada tegangan catu, maka laju kenaikannya pada anode akan dikurangi oleh rangkaian RC tersebut. Laju kenaikan dalam tegangan anode tidak hanya bergantung pada harga R dan C, tetapi juga bergantung pada besarnya hambatan beban. Piranti SCR yang lebih besar masih dikenakan batas lain berupa laju kritis kenaikan arus. Misalnya piranti C701 diketahui mempunyai laju kritis kenaikan arus sebesar 150A/s. Jika arus anode bertambah lebih cepat dari laju ini, SCR yang bersangkutan dapat menjadi rusak akibat bintik-bintik panas (hot spots) yang terjadi didalamnya. Penggunaan sebuah inductor secara seri seperti ditunjukkan pada Gambar B.5 akan mengurangi laju kenaikan arus, dan membantu pembatas RC dalam menekan laju kenaikan tegangan.

Gambar B.5 Induktor dalam rangkaian seri

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 9

Gambar

(a) Penekan RC (RC snubber). (b) Penekanan laju kenaikan arus dengan induktor

Suatu SCR memiliki tegangan gerbang VG . Saat tegangan ini lebih dari VGT , SCR akan hidup dan tegangan keluaran akan jatuh dari
+VCC ke suatu nilai yang rendah. Kadang-kadang, hambatan gerbang

digunakan disini. Hambatan ini membatasi arus gerbang ke suatu nilai yang aman. Tegangan masukan yang dibutuhkan untuk memicu sebuah SCR harus lebih dari:
V IN = VGT + I GT RGT

Dalam persamaan ini, VGT dan I GT adalah tegangan dan arus pemicu gerbang untuk piranti. Keuntungan utama dari SCR adalah penekanan tombol yang sangat pendek berdasarkan penekanan tombol yang regeneratif. Ini mengurangi penurunan tegangan di dan mengijinkan produksi komponen SCR, yang bisa menahan arus yang sangat besar (100 ampere). Keburukan dari SCR adalah pematian. Pematian dari SCR hanya ada satu cara yaitu mengurangi arus yang mengalir melalui ini disamping arus yang utama. Sebuah transistor bisa juga menekan tombol arus dalam cara yang sama. Keuntungan dari transistor adalah pematian ini dilakukan dengan sederhana yaitu menghentikan arus di base. Kerugiannya adalah waktu penekanan tombol lebih lama dan selama penekanan tombol dalam keadaaan tegangan yang tinggi dibangun dalam ini,dengan demikian ini tidak bisa digunakan untuk penekanan tombol untuk arus yang besar.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 10

C. DIAC ( Diode Alternating Current )

DIAC singkatan dari Diode Alternating Current merupakan salah satu anggota dari thyristor dan termasuk dalam jenis Bidirectional Thyristor yang juga dikenal sebagai Bilateral Trigger Diode. Istilah DIAC diambil dari Dioda AC. DIAC mempunyai dua buah terminal dan dapat menghantar dari kedua arah jika tegangan breakovernya (VBB) terlampaui. Symbol DIAC :

Gambar C.1 Simbol DIAC

Bentuk fisiknya :

Gambar C.2 Bentuk DIAC

DIAC mempunyai impedansi yang tinggi bagi arus dalam dua arah, hingga bias DIAC melewati breakover arah mundurnya. Biasanya bias untuk DIAC agar mencapai breakover ini adalah antara 28 sampai 6 volt,namun demikian tergantung dari pada tipenya. Agar kita mengetahui

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 11

prinsip kerja DIAC, maka kita nggap pemberian catu dayanya seperti terlihat pada gambar berikut :

Gambar C.3 Prinsip Kerja DIAC

Jika tegangan yang diberikan pada DIAC menyamai atau melebihi tegangan breakover, maka salah satu Latch akan menutup juga. DIAC adalah suatu komponen yang berkelakuan seperti dua buah thyristor yang dihubungkan saling bertolak belakang. Oleh karena itu DIAC mempunyai dua buah tegangan penyalaan. Tegangan penyalaan pertama berada pada tegangan maju (+Vbo) sedangkan yang kedua ada pada tegangan baliknya (-Vbo). karakteristik tegangan terhadap arus dapat dilihat pada Gambar Karakteristik DIAC

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 12

Gambar C.4 Karakteristik DIAC

Dari kurva diatas kita dapat melihat bahwa DIAC selalu mempunyai karakteristik tahanan negatif yang secara terus menerus pada saat arus lebih besar daripada arus breakovernya. DIAC banyak digunakan sebagai pemicu rangkaian pengendali daya yang menggunakan TRIAC. Gambar memperlihatkan salah satu contoh rangkaian yang memperlihatkan peran DIAC dalam rangkaian pengendali daya. Aplikasi DIAC Pada komponen diac, konsentrasi pengotorannya tidak seperti pada pengotoran transistor tetapi mempunyai jumlah yang sama pada kedua pertemuannya sehingga memungkinkan terjadinya operasi yang simetris. Jadi tidak ada yang dapat disebut anoda atau katoda secara eklusif. Karena lapisan p dan n dalam komponen tersebut disusun secara seri maka diac tidak akan konduksi dalam arah maju tetapi selalu mempunyai perilaku

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 13

seperti diioda bandangan yang diberi pra tegangan terbalik. Hal ini terjadi tanpa memandang arah tegangan yang diberikan.

Gambar C.5 Aplikasi DIAC dalam rangkaian pengendali daya

Pada saat suatu tegangan diberikan ke komponen, suatu arus bocor yang sangat kecil akan mengalir. Keadaan ini disebut keadaan off dari diac. Pada titik ini terjadi jebolan bandangan dan tiba-tiba akan mengalir arus yang besar. Ini merupakan keadaan on diac. Sekali diac dijadikan on dengan menggunakan tegangan postif atau negatif, komponen ini akan terus menghantarkan arus sampai tegangannya dihilangkan atau dikurangi menjadi nol. Di sini, arus bocor yang kecil (IBO+ untuk tegangan positif atau IB0- untuk tegangan negatif). Mengalir sampai tegangan yang diberikan mencpai tegangan breakover. Pada saat tegangan breakover dicapai, arus akan meningkat dengan tajam dari I+ atau I- . Efek resistansi negatif akan muncul seperti terlihat pada kurva lengkung ke arah belakang. Akibatnya arus menaik jika teganganya sedikit diturunkan. Penggunaannya yang utama adalah untuk memberi denyut picu ke triac. Tetapi tentu saja denyut pemicu dan sifat konduksi dua arahnya dapat digunakan pada berbagai tujuan selain pengoperasian triac. Salah satu penggunaan diac yang paling sederhana adalah sebagai penyaklar otomatis. Sebuah diac akan memberikan resistansi yang sangat tinggi baik dalam AC maupun DC sampai tegangan yang diberikan mencapai nilai VBO kritis. Apabila nilai ini sudah tercapai atau dilampaui

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 14

maka diac akan konduksi. Dengan demikian komponen dua terminal yang sederhana ini dapat disakelarkan dengan tegangan kendali yang menaik dan tetap terkonduksi sampai tegangan tersebut diturunkan ke nol.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 15

D. TRIAC (Triode for Alternating Current )

TRIAC, atau Triode for Alternating Current (Trioda untuk arus bolak-balik) adalah sebuah komoromen elektronik yang kira-kira ekivalen dengan dua SCR yang disambungkan antiparalel dan kaki gerbangnya disambungkan bersama. Nama resmi untuk TRIAC adalah Bidirectional Triode Thyristor. Ini menunjukkan sakelar dwiarah yang dapat mengalirkan arus listrik ke kedua arah ketika dipicu (dihidupkan). Ini dapat disulut baik dengan tegangan positif ataupun negatif pada elektroda gerbang. Sekali disulut, komponen ini akan terus menghantar hingga arus yang mengalir lebih rendah dari arus genggamnya, misal pada akhir paruh siklus dari arus bolak-balik. Hal tersebut membuat TRIAC sangat cocok untuk mengendalikan kalang AC, memungkinkan pengendalian arus yang sangat tinggi dengan arus kendali yang sangat rendah. Sebagai tambahan, memberikan pulsa sulut pada titik tertentu dalam siklus AC memungkinkan pengendalian persentase arus yang mengalir melalui TRIAC (pengendalian fasa). Symbol TRIAC :

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 16

Gambar D.1 Simbol TRIAC

Bentuk fisiknya :

Gambar D.2 Bentuk Fisik TRIAC

Low-Current TRIAC dapat mengontak hingga kuat arus 1 ampere dan mempunyai maksimal tegangan sampai beberapa ratus volt. MediumCurrent TRIACS dapat mengontak sampai kuat arus 40 ampere dan mempunyai maksimal tegangan hingga 1.000 volt. Struktur TRIAC TRIAC tersusun dari lima buah lapis semikonduktor yang banyak digunakan pada pensaklaran elektronik. TRIAC biasa juga disebut thyristor bi directional. TRIAC merupakan dua buah SCR yang dihubungkan secara paralel berkebalikan dengan terminal gate bersama. Adapun gambar dari struktur TRIAC sebagai berikut :

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 17

Gambar D.3 Struktur TRIAC

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 18

Karakteristik TRIAC TRIAC tersusun dari lima buah lapis semikonduktor yang banyak digunakan pada pensaklaran elektronik. TRIAC biasa juga disebut thyristor bi directional. TRIAC merupakan dua buah SCR yang dihubungkan secara paralel berkebalikan dengan terminal gate bersama. Berbeda dengan SCR yang hanya melewatkan tegangan dengan polaritas positif saja, tetapi TRIAC dapat dipicu dengan tegangan polaritas positif dan negatif, serta dapat dihidupkan dengan menggunakan tegangan bolak-balik pada Gate. TRIAC banyak digunakan pada rangkaian pengedali dan pensaklaran. TRIAC hanya akan aktif ketika polaritas pada Anoda lebih positif dibandingkan Katodanya dan gate-nya diberi polaritas positif, begitu juga sebaliknya. Setelah terkonduksi, sebuah TRIAC akan tetap bekerja selama arus yang mengalir pada TRIAC (IT) lebih besar dari arus penahan (IH) walaupun arus gate dihilangkan. Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) TRIAC adalah dengan mengurangi arus IT di bawah arus IH.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 19

E. UJT (Triode for Alternating Current ) Uni junction Transistor (UJT) adalah piranti elektronik yang tidak mempunyai elektroda kolektor sebagaimana transistor bipolar ataupun dioda rectifier, dan sebagai penggantinya ditambahkan sebuah elektoda basis sehingga piranti ini mempunyai dua basis dan sebuah emitter. Simbol UJT :

Gambar E.1 Simbol UJT

Bentuk fisiknya :

Gambar E.2 Bentuk Fisik UJT

UJT mempunyai tiga saluran, sebuah emitor (E) dan dua basis (B1 dan B2). Basis dibentuk oleh batang silikon tipe-n yang terkotori ringan. Dua sambungan ohmik B1 dan B2 ditambahkan pada kedua ujung batang silikon. Resistansi diantara B1 dan B2 ketika emitor dalam keadaan rangkaian terbuka dinamakan resistensi antarbasis (interbase resistance).

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 20

Tipe Ada dua tipe dari transistor pertemuan tunggal, yaitu:

Transistor pertemuan tunggal dasar, atau UJT, adalah sebuah peranti sederhana yang pada dasarnya adalah sebuah batangan semikonduktor tipe-n yang ditambahkan difusi bahan tipe-p di suatu tempat sepanjang batangan, menentukan parameter dari peranti. Peranti 2N2646 adalah versi yang paling sering digunakan.

Transistor pertemuan tunggal dapat diprogram , atau PUT, sebenarnya adalah saudara dekat tiristor. Seperti tiristor, ini terbentuk dari empat lapisan P-N dan mempunyai sebuah anoda dan sebuah katoda yang tersambung ke lapisan pertama dan lapisan terakhir, dan sebuah gerbang yang disambungkan ke salah satu lapisan tengah. Penggunaan PUT tidak dapat secara langsung dipertukarkan dengan penggunaan UJT, tetapi menunjukkan fungsi yang mirip. Pada konfigurasi sirkuit konvensional, digunakan dua resistor pemrogram untuk mengeset parameter dari PUT, pada konfigurasi ini, UJT berlaku seperti UJT konvensional. Peranti 2N6027 adalah contoh dari peranti ini.

Cara Kerja UJT dipanjar dengan tegangan positif diantara kedua basis. Ini menyebabkan penurunan tegangan disepanjang peranti. Ketika tegangan emitor dinaikkan kira-kira 0,7V diatas tegangan difusi P (emitor), arus mulai mengalir dari emitor ke daerah basis. Karena daerah basis dikotori sangat ringan, arus tambahan (sebenarnya muatan pada daerah basis) menyebabkan modulasi konduktifitas yang mengurangi resistansi basis diantara pertemuan emitor dan saluran B2.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 21

Pengurangan resistansi berarti pertemuan emitor lebih dipanjar maju, dan bahkan ketika lebih banyak arus diinjeksikam. Secara keseluruhan, efeknya adalah resistansi negatif pada saluran emitor. Inilah alasan mengapa UJT sangat berguna, terutama untuk sirkuit osilator sederhana. Penggunaan Selain penggunaan pada osilator relaksasi, salah satu penggunaan UJT dan PUT yang paling penting adalah untuk menyulut tiristor (seperti SCR, TRIAC, dll). Faktanya, tegangan DC dapat digunakan untuk mengendalikan sirkuit UJT dan PUT karena waktu hidup peranti meningkat sesuai dengan peningkatan tegangan kendali DC. Penggunaan ini penting untuk pengendalia AC arus tinggi. Cara Pengujian

Gambar E.3 Pengujian UJT

1. Cara kerja UJT (Uni Junktion Transistor) adalah seperti switch, UJT kalau masih bisa on off berarti masih baik. 2. Jangkah pada 10 VDC dan potensio pada minimum, tegangan harus kecil. 3. Setelah potensio diputar pelan-pelan jarum naik sampai posisi tertentu dan kalau diputar terus jarum tetap disitu. 4. Bila jarum diputar pelan-pelan ke arah minimum lagi, pada suatu posisi tertentu tiba-tiba jarum bergerak ke kiri dan bila putaran potensio diteruskan sampai minimum jarum tetap disitu. Bila peristiwa tersebut terjadi, maka UJT masih baik.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 22

F. TERMISTOR (Thermally Sensitive Resistor )

Nama termistor berasal dari Thermally Sensitive Resistor. Termistor biasanya termasuk material-material semikonduktor yang dibagi dua golongan: oksida logam dan semikonduktor kristal tunggal. Negative Temperature Coefficient (NTC) pertama kali ditemukan oleh Faraday pada perak sulfid pada tahun 1833. Pemahaman tentang termistor oksida ini mengalami perkembangan yang sangat pesat oleh becker, Vervey dkk pada akhir tahun 1940-an. Simbol

Gambar F.1Simbol Termistor

Gambar

Gambar F.2 Termistor NTC yang tersambung pada kabel terisolasi

Struktur Termistor Termistor atau thermal resistor adalah suatu jenis resistor yang sensitive terhadap perubahan suhu. Prinsipnya adalah memberikan perubahan resistansi yang sebanding dengan perubahan suhu. Perubahan resistansi yang besar terhadap perubahan suhu yang relatif kecil menjadikan termistor banyak dipakai sebagai sensor suhu yang memiliki ketelitian dan ketepatan yang tinggi.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 23

Termistor yang dibentuk dari bahan oksida logam campuran (sintering mixture), kromium, kobalt, tembaga, besi, atau nikel, berpengaruh terhadap karakteristik termistor, sehingga Pemilihan bahan oksida tersebut harus dengan perbandingan tertentu. Termistor dapat dibentuk dalam bentuk yang berbeda-beda, bergantung pada lingkungan yang akan dicatat suhunya. Lingkungan ini termasuk kelembaban udara, cairan, permukaan padatan, dan radiasi dari gambar dua dimensi. Maka, termistor bisa berada dalam alatalat seperti disket, mesin cuci, tasbih (manik-manik), balok, dan satelit. Ukurannya kecil dibandingikan dengan termometer lain, ukurannya dalam range 0.2mm sampai 2mm. Pengambaran struktur dan sambungannya diperlihatkan pada gambar F.1

Gambar F.3Struktur UJT

Termistor dibedakan dalam 2 jenis, yaitu termistor yang mempunyai koefisien negatif, yang disebut NTC (Negative Temperature Coefisient), temistor yang mempunyai koefisien positif yang disebut PTC (Positive Temperature Coefisient). kedua jenis termistor ini mempunyai fungsinya masing masing, tetapi di pasaran, yang lebih banyak digunakan adalah termistor NTC. Karena termistor NTC material penyusunnya yaitu metal oksida, dimana harganya lebih murah dari material penyusun PTC yaitu Kristal tunggal. 1. NTC NTC merupakan termistor yang mempunyai koefisient negatif. Dimana bahannya terbuat dari logam oksida yaitu dari serbuk yang

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 24

halus kemudian dikompress dan disinter pada temperatur yang tinggi. Kebanyakan pada material penyusun termistor biasa mengandung unsur unsur seperti Mn2O3, NiO,CO2O3, Cu2O, Fe2O3, TiO2, dan U2O3. Oksida-oksida ini sebenarnya mempunyai resistansi yang sangat tinggi, tetapi dapat diubah menjadi bahan semikonduktor dengan menambahkan beberapa unsur lain yang mempunyai valensi yang berbeda disebut dengan doping dan pengaruh dari resistansinya dipengaruhi perubahan temperatur yang diberikan. Thermistor logam oksida digunakan dalam daerah 200K sampai 700K. Untuk digunakan pada temperatur yang sangat tinggi, thermistor dibuat dari Al2O3, BeO,MgO,Y2O3 dan Dy2O3. Struktur termistor NTC secara umum dapat dilihat pada gambar E.5

Gambar F.4 Struktur UJT

2. PTC PTC merupakan termistor dengan koefisien yang positif. Termistor PTC memiliki perbedaan dengan NTC antara lain: a. Koefisien temperatur dari thermistor PTC bernilai positif hanya dalam interfal temperatur tertentu, sehingga diluar interval tersebut akan bernilai nol atau negatif b. Harga mutlak dan koefisien temperatur dari termistor PTC jauh lebih besar dari pada termistor NTC

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 25

Jenis jenis PTC Jenis pertama terdiri dari thermally sensitif silicon resistors, kadang-kadang disebut sebagai "Silistors". Device ini menunjukkan nilai koefisien suhu positif yang cukup seragam (sekitar 0,77% /C) kebanyakan dari silistor melalui berbagai wilayah/rentang operasional, tetapi dapat juga menujukkan koefisien suhu negatif di wilayah temperatur yang melebihi 150 C. Device ini paling sering digunakan untuk kompensasi terhadap device semiconducting silicon dalam kisaran temperature antara -60 C ke 150. Jenis kedua merupakan polycrystalline bahan keramik yang biasanya resistivitasnya tinggi tetapi terbuat dari semiconduktor dengan penambahan dopants. Umumnya dibuat dari campuran barium, timah dan strontium titanates dengan tambahan seperti yttrium, manganese, tantalum dan silika. Device ini memiliki daya tahan-suhu karakteristik negatif yang sangat kecil. Koefisien suhu device ini hingga mencapai suhu yang kritis, yang disebut sebagai "Curie", perubahan atau transisi suhu. Suhu kritis ini merupakan pendekatan, device ini mulai seperti menunjukkan peningkatan, resistansi suhu coefficient positif peningkatan resistansi yang besar. Karakteristik Termistor Termistor pada dasarnya adalah resistor, maka konduktivitasnya dapat diberikan pada persamaan :

Kebanyakan termistor digunakan pada daerah temperatur dalam konsentrasi inonisasi (n atau p) yang berpengaruh terhadap fungsi temperatur, diberikan dalam bentuk persamaan sebagai berikut :

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 26

Dimana energy aktivasi Ea adalah hubungan pada energy gap dan tingkat impuritas. Dimana nilai hambatan semakin kecil ketika temperaturnya dinaikkan, ini yang biasa disebut termistor NTC. Secara empiris dapat dideskripsikan sebagai:

Dimana R adalah hambatan pada suhu T, R0 adalah hambatan awal ketika T0 (pada temperatur ruang), B adalah Konstanta termistor dimana besarnya bergantung dari jenis bahan dan memiliki dimensi yang sama dengan suhu. Harga konstanta termistor yang memenuhi pasar biasanya antara rentang 2000-5000 K. untuk menentukan harga konstanta termistor (B) ini, maka persamaan (3.1) dapat dinyatakan dalam bentuk:

Dengan

merupakan resistivitas listrik termistor.

Selain konstanta termistor (B), sensitivitas () juga menentukan karakteristik dari termistor. Nilai sensitivitas menentukan sejauhmana termistor yang dibuat dapat dengan cepat mendeteksi perubahan temperatur lingkunagn termistor. Termistor yang baik sensitifitasnya lebih besar dari -2,2%/K. nilai sensitifitas termistor () ini, dapat ditentukan dengan menggunakan persamaan sebagai berikut:

Tanda negative menandakan NTC, Perubahan resistansi yang timbul dari perubahan temperatur T

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 27

Ciri khas harga dari adalah sekitar 5% yang mana 10 kali lebih sensitive dari pada detector temperatur resistansi metal. Karakteristik kualitatif dari termistor ditunjukkan pada gambar 3.1. Resistansi dari thermistor berada pada daerah 1k sampai 10M .

Gambar F.5 Struktur UJT

Pada temperatur yang lebih tinggi atau dalam device doped yang penuh, dopant sepenuhnya terionisasi, dan penurunan dari mobilitas ketika mulai terjadi hamburan phonon untuk mendominasi ketergantungan pada temperatur. Hal ini memberikan kenaikan untuk PTC. Secara umum PTC tidak lebih sensitive dari NTC sehingga jarang digunakan. Perlu diperhatikan untuk menghindari pemanasan sendiri dari termistor akibat pemberian arus yang terlalu tinggi. Dengan kata lain pemanasan sendiri ini dapat berubah menjadi suatu keuntungan untuk aplikasi spesifik yang mana akan didiskusikan nanti. Karakteristik I-V hasil dari pemanasan sendiri yang berbeda dengan NTC dan PTC. Dalam termistor NTC, induksi pemanasan sendiri menurun dalam hambatan dan mulai memberikan sesuatu yang positif untuk sumber tegangan gambar F.6 (a), lebih mudah untuk arus yang lebih tinggi. Dalam termistor PTC, resistansi pemanasan sendiri meningkat dan hasil

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 28

nya memberikan nilai yang negatif untuk sumber arus gambar F.6 (b). Dibawah ini merupakan 2 kurva yang serupa untuk resistansi diferensial negative dengan S dan N bentuk karakteristik.

10

10

0 0 2 4 6 8 10

0 0 2 4 6 8 10

Gambar F.6 (a) Karakteristik I-V akibat pemanasan sendiriuntuk NTC

Gambar F.6 (b) Karakteristik I-V akibat pemanasan sendiri untuk PTC

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 29

G. PHOTO TRANSISTOR Fototransistor merupakan salah satu komponen yang berfungsi sebagai detektor cahaya yang dapat mengubah efek cahaya menjadi sinyal listrik. Karena itu fototransistor termasuk dalam detektor optik. Fototransistor dapat diterapkan sebagai sensor yang baik, karena memiliki kelebihan dibandingkan dengan komponen lain yaitu mampu untuk mendeteksi sekaligus menguatkannya dengan satu komponen tunggal. Fototransistor memiliki Bahan utama dari fototransistor adalah silikon atau germanium sama seperti pada transistor jenis lainnya. Fototransistor juga memiliki dua tipe seperti transistor yaitu tipe NPN dan tipe PNP. Fototransistor sebenarnya tidak berbeda dengan transistor biasa, hanya saja fototransistor ditempatkan dalam suatu material yang transparan sehingga memungkinkan cahaya (cahaya inframerah) mengenainya (daerah basis), sedangkan transistor biasa ditempatkan pada bahan logam dan tertutup. Simbol dari fototransistor seperti pada terlihat pada gambar simbol fototransistor.
C Depletion Layer E N P B IR ray's E N C E D epletion Layer N P B - - ++ N - - ++ C

(a)

(b)

(c)

Gambar G.1 FotoTransistor

(a) Simbol foto transistor, (b) Foto transistor terkena cahaya, (c) Foto transistor tidak terkena cahaya

Prinsip kerja foto transistor sama persis dengan kerja transistor sebagai saklar. Perbedaannya terletak pada denyut yang masuk ke dalam basis. Jika pada transistor biasa denyut yang diberikan berupa arus DC, maka pada foto transistor denyut yang dikenakan pada basis adalah
Tar. Tri hendarto Fajar N Page 30

intensitas cahaya yang sesuai dengan karakteristik foto transistor tersebut. Dalam kondisi normal, kolektor mendapat reverse bias, dan emitor mendapat forward bias. Pada kaki kolektor akan selalu ada sedikit arus bocor (I co), yaitu arus bocor antara kolektor dan basis. Ico selain dipengaruhi oleh temperature juga dipengaruhi oleh intensitas cahaya yang datang pada daerah pengosongan antara kolektor dan basis. Sifat inilah yang dimanfaatkan oleh foto transistor untuk dapat menghantar atau on. Saat foto transistor tidak terkena cahaya, Basis Emitor tidak mendapatkan bias, electron tidak dapat bergerak bebas, sehingga depletion layer melebar, dengan demikian arus tidak dapat mengalir, transistor dalam keadaan Cut off. Sebaliknya, saat foto transistor terkena cahaya dengan intensitas cahaya yang sesuai dengan karakteristik foto transistor tersebut, maka terjadi perpindahan electron di sekitar lapisan pengosongan yang akhirnya membentuk sebuah ikatan ion di sekitar lapisan pengosongan, sehingga lapisan pengosongan menyempit dan transistor akan bersifat menghantar atau transistor on.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 31

Karakteristik foto transistor : 1. Basis terbuka, semua Ico akan mengalir ke basis, transistor menghasilkan arus kolektor Ic = .Ico, sehingga IbocorC - EIco, Iceo = .Ico + Ico = (+1)co. Iceo = Ico 2. Dengan demikian pengaruh cahaya pada sebuah foto transistor adalah kali lebih besar terhadap foto diode. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa foto transistor lebih peka cahaya dibanding dengan foto dioda. 3. Untuk system yang membutuhkan sensitifitas besar, biasanya basis selalu terbuka dan transistor dirangkai dengan rangkaian darlington. 4. Dengan rangkaian darlington akan diperoleh sensitifitas yang besar, namun sebagai imbasnya akan diperoleh respons yang kurang begitu cepat.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 32

H. LDR ( Dependent Resistor ) LDR (Light Dependent Resistor) adalah suatu bentuk komponen yang mempunyai perubahan resistansi yang besarnya tergantung pada cahaya Input cahaya Output resistansi/tahanan

Simbol :

atau

Gambar H.1Simbol LDR

atau

Konstruksi Dari atas Bagian peka cahaya, bahan: Si, Ge, Cds, dan semikonduktor lain Si: Silicon, Ge: Germanium Alas / substrat Cds: Cadnium sulfida

Dari samping Penutup transparan : plastik / glass Kaki

Gambar H.2 Struktur LDR

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 33

Karakteristik Karakteristik LDR terdiri dari dua macam yaitu Respon Spektral dan Laju Recovery
103 102 101 101 102 103 Iluminasi / kilau / kuat cahaya R (K)

} sat : lm/m , fc
2

Gambar H.3 Karakteristik LDR

* Respon Spektral
% Iluminasi 100%

10% 400Ao : Panjang gelombang sat : panjang

Gambar H.4 Respon Spektral LDR

* Laju Recoveri (K/dtk) satuan ukuran untuk mengetahui laju perubahan LDR dari kondisi satu ke kondisi lain contoh: saat 400 lux, R: 1K
Lampu dengan

lux

Botol

LDR

saat tertutup iluminasi: 10

lm: 400 lux

R LDR: 105: 100.000K/dtk

yang paling lambat dalam LR = 50 K/dtk Contoh Aplikasi LDR sebagai sensor cahaya diantaranya: Rangkaian alarm, indikator, counter (penghitung), fungsi potensiometer.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 34

I. FET Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Simbol FET :

P-channel

N-channel FET

Gambar I.1 Simbol FET

Bentuk Fisiknya :

Gambar I.2 Bentuk Fisiknya

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 35

bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input. FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

Gambar I.3 Menentukan Jenis FET

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 36

1. Penentuan jenis FET dilakukan dengan jangkah pada x100 penyidik hitam pada Source dan merah pada Gate. 2. Bila jarum menyimpang, maka janis FET adalah kanal P dan bila tidak, FET adalah kanal N. 3. Kerusakan FET dapat diamati dengan rangkaian pada gambar. Jangkah diletakkan pada x1k atau x10k, potensio pada minimum, resistansi harus kecil. 4. Bila potensio diputar ke kanan, resistansi harus tak terhingga. Bila peristiwa ini tidak terjadi, maka kemungkinan FET rusak.

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 37

J. MOSFET

Transistor

efek-medan

semikonduktor

logam-oksida

(MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor pertemuan dwikutub pada satu waktu lebih umum.

Simbol MOSFET :

Pengayaan kanal-P

Pemiskinan kanal-P

Pengayaan kanal-N

Pemiskinan kanal-N

Gambar J.1 Simbol MOSFET

Bentuk Fisiknya :

Gambar J.2 Bentuk Fisiknya

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 38

Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk saluran dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan. Pada dasarnya, MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak MOSFET yang berbagi sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber semua transistor. Karakteristik MOSFET FET semikonduktor oksida-logam (metal-oxide semikonduktor FET),atau disingkat MOS-FET. Berbeda dengan JFET, gerbang diisolasikan dari saluran. Oleh karena itu , arus gerbang menjadi sangat kecil. Hal ini tidak dipengaruhi oleh positif atau negatifnya gerbang itu. MOSFET kadang-kadang disebut sebagai IGFET, singkatan dari insulatedgate fet (FET gerbang terisolasi) Terdapat 2 (dua) tipe cara kerja karakteristik pada MOSFET, diantaranya tipe pengosongan dan tipe peningkatan MOSFET Tipe Pengosongan (depletion-type MOSFET) Elektron bebas dapat mengalir dari gate menuju drain melaui bahan n, daerah p disebut substrat (tubuh) secara fisik daerah ini mengurangi jalur penghantar menjadi saluran yang sempit. Lapisan tipis silicon dioksida SiO2 ditempelkan pada sisi kiri saluran. Yang merupakan isolator (penyekat). Pada MOSFET gerbangnya terbuat dari logam karena gerbang terpisah dari saluran, maka hanya sedikit sekali arus gerbang yang mengalir, walaupun bila tegangan berharga positif. Dioda pn yang terdapat dalam JFET itu telah ditiadakan pada MOSFET

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 39

Seperti telah diterangkan sebelumnya, tegangan gerbang dapat mengendalikan lebar saluran. Makin negatif tegangan gate, makin kecil nilai drainnya. Bila tegangan gatenya negatif, arus drain putus. Dengan demikian , pada tegangan gate negatif, operasi MOSFET sama dengan operasi JFET. Karena prilaku dengan gate negatif tergantung pada pengosongan saluran dari electron-elektron bebas. Terminal gate pada MOSFET tempat dan meletakan SiO2 materi lapisan penyekat secara saluran. Materi baja telah ditanamkan pada lapisan SiO2. MOSFET tipe Peningkatan (Enhancement Type MOSFET) Dengan mengubah susunan dari dalam MOSFET saluran-n, kita dapat menghasilkan MOSFET jenis baru yang hanya dapat menghantar pada tipe penigkatan saja. MOSFET tipe ini banyak digunakan pada mikroprosesor dan memori komputer karena ia berlaku seperti switch yang biasanya mati. Untuk mendapatkan arus drain, maka harus menerapkan tegangan gate positif Gambar J.3 (a) menunjukan karakteristik dari chanel n pada MOSFET, karena kanal pada mode pengosongan konduktor bersifat normal maka pada J-FET aliran arus berkurang dan dapat berubah menjadi cut off yang cukup mempengaruhi tegangan Gate.

Gambar J.3 Karakteristik MOSFET

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 40

Pada mode peningkatan, status pada kanal cut off kondisinya normal dan dapat terjadi pengurangan atau penambahan yang dapat mempengaruhi tegangan pada gate dan dapat dikontrol. Depleksi (penipisan) MOSFET dapat terjadi jika dioperasikan pada mode penigkatan ditunjukan pada gambar J.3 (b). Kapasitor elektron pada gate sangatlah kecil dan impedansi inputnya sangatlah besar. Karena gate dapat menerima muatan dengan mudah. Saat J-FET terjadi kebocoran arus pada input meningkat sesuai dengan temperatur,efeknya tempertur berada pada level paling rendah pada MOSFET. MOSFET merupakan semikonduktor yang mudah tepengaruh oleh temperatur.

Gambar J.3 Struktur dan Karakteristik MOSFET

Tar. Tri hendarto Fajar N

Page 41