3.

3 Transistor
Pada tahun 1951, Shockley menemukan transistor junction yang pertama. Ini merupakan salah satu penemuan yang besar. Dampak transistor ini pada elektronika demikian besarnya, di samping dimulainya industri semikonduktor yang besar, transistor juga telah merintis pada penemuan-penemuan seperti rangkaian terpadu (integrated circuit : IC), peralatan optoelektronika dan mikroprosesor. Transistor adalah komponen aktif dengan arus, tegangan atau daya keluarannya dikendalikan oleh arus masukan. Di dalam sistem komunikasi, transistor digunakan sebagai penguat untuk memperkuat sinyal. Di dalam rangkaian elektronik komputer, transistor digunakan untuk saklar elektronik laju tinggi. Ada dua jenis transistor, yaitu transistor sambungan bipolar (bipolar junction transistor, BJT, sering disebut transistor saja), dan transistor efek medan (field effect transistor, FET) yang karakteristik kerja dan konstruksinya berbeda. Transistor adalah komponen tiga terminal. Ketiga terminal tersebut disebut Basis (B), Kolektor (C), dan Emiter (E). Transistor mempunyai dua sambungan (junction), satu di antara emitter (E) dan basis (B), dan lainnya antara basis (B) dan kolektor (C). E n JE
p

n JC

p JE

p JC

B Transistor npn

B Transistor pnp

Gambar 3-30. Konstruksi transistor (JE: sambungan emiter, JC: sambungan kolektor) Karena itu, sebuah transistor sama seperti dua buah dioda. Dioda sebelah kiri sebagai dioda emitter-basis (disingkat dioda emitter) dan sebelah kanan adalah dioda kolektorbasis (dioda kolektor). Untuk transistor npn, emitter berfungsi untuk mengemisikan atau menginjeksikan elektron ke dalam basis. Basis di-dope sedikit dan sangat tipis; basis melewatkan sebagaian besar electron yang diinjeksikan oleh emitter ke kolektor. Kolektor mengumpulkan atau menagkap elektron-elektron dari basis, dan merupakan bagian terbesar dari tiga bagian transistor tersebut, kolektor harus mrndisipasikan lebih banyak panas dari pada emitter atau basis.

3-22

Transistor pnp merupakan komplemen dari transistor npn. Pembawa muatan mayoritas pada emitter adalah hole.
C IC IB B IE E E B IB C IC

IE

Transistor npn Gambar 3-31. Simbol transistor 3.3.1 Arus dalam Transistor

Transistor pnp

Gambar 3-32 menunjukkan komponen arus di dalam transistor pada saat transistor diberi prategangan di daerah aktif (JE berprategangan maju dan JC berprategangan balik). Arus emiter terdiri atas lubang injeksi maju (IpE) dan aliran elektron injeksi balik (InE). IE = IpE + InE (3-28)

Gambar 3-32. Komponen arus di dalam transistor yang bekerja di daerah aktif Tidak semua lubang yang melewati sambungan emiter sampai sambungan kolektor, karena sebagian bergabung kembali dengan elektron di daerah basis. Misalkan arus lubang yang melewati sambungan kolektor adalah IpC maka arus lubang rekombinasi yang meninggalkan basis adalah: IpE IpC. Ketika emiter terbuka, sementara sambungan kolektor tetap berprategangan balik maka arus kolektor adalah arus balik jenuh (reverse saturation current) ICO. ICO terdiri atas Inco (elektron dari p ke n) dan Ipco (lubang dari n ke p). ICO = Inco + Ipco 3-23 (3-29)

Besarnya Inco sebanding dengan lereng kurva np pada JC, sedangkan Ipco timbul sebagai akibat konsentrasi lubang yang dibangkitkan secara termal di basis. Dengan emiter berprategangan maju maka arus total lubang yang melewati JC adalah jumlah Ipc dan Ipco dan besarnya sebanding dengan lereng kurva pn pada JC. IC = Ico + Ipc = Ico + IE dengan : bagian arus emiter (lubang) dari emiter menuju kolektor. Bila ICO << IC maka nilai merupakan ratio (hasil bagi) antara arus kolektor dengan arus emiter: = IC/IE Karena IC = IE IB maka jangkauan (rating) selalu kurang dari 1. Dari Persamaan (3-30) dan IE = IB + IC dapat ditulis: IC = Ico + (IB + IC)
IC = I CO I B + 1 1 (3-32)

(3-30)

(3-31)

Didefenisikan sebagai: =

(3-33)

Maka Persamaan (3-32) menjadi: IC = (1 + ) ICO + IB Umumnya IB >> ICO maka IC IB, atau IC/IB (3-35) (3-34)

Karena hampir semua rangkaian transistor, sinyal masukan diberikan ke basis dan sinyal keluaran diambil dari kolektor maka menyatakan peroleh/penguatan arus dc (dc current gain) dari transistor. Gain arus dc ini kadang-kadang ditulis dengan dc atau hFE.

3.3.2 Karakteristi Transistor

Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang

menggambarkan kerja transistor.

Karakteristik Kolektor
Untuk mempelajari karakteristik transistor maka transistor dipasang dalam rangkaian seperti pada Gambar 3-33. Kurva karakteristik kolektor menghubungkan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter. Pada Gambar 3-34 terlihat bahwa kurva kolektor terbagi menjadi 3 daerah, yaitu jenuh (saturasi), aktif, dan cut-off.

3-24

Gambar 3-33. Rangkaian yang digunakan untuk mempelajari karakteristik kolektor

Gambar 3-34. Kurva kolektor a. Daerah jenuh (saturasi), adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis berprategangan maju. Daerah jenuh arus kolektor tidak tergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor-emiter VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V. b. Daerah aktif, adalah daerah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break-

down) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter
diberi prategangan maju dan sambungan kolektor diberi prategangan balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. c. Daerah cut-off (putus) terletak di bawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan kolektor berprategangan balik. Pada daerah ini IE = 0, IC = ICO = IB.

3-25

Karakteristik Basis
Kurva karakteristik basis menghubungkan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada Gambar 3-35. Pada gambar tersebut terlihat bahwa dengan menghubungsingkat kolektor-emiter (VCE = 0) dan emiter diberi prategangan maju, karakteristik basis seperti dioda. Dengan bertambahnya VCE pada VBE konstan maka lebar daerah deplesi di sambungan kolektor bertambah dan mengakibatkan lebar basis efektif berkurang. Dengan berkurangnya lebar basis maka arus basis rekombinasi berkurang. Pengaruh ini disebut Early Effect. Titik ambang (threshold) atau tegangan lutut VK untuk transistor germanium adalah di sekitar 0,1 V sampai 0,2 V, sedangkan untuk transistor silikon di sekitar 0,5 sampai 0,6 V. Nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.

Kurva Beta ()
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai berubah dengan suhu dan arus kolektor (Gambar 3-36). Nilai bertambah dengan naiknya suhu. Nilai juga bertambah dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik di luar nilai tertentu, akan turun.

Gambar 3-35. Kurva karakteristik basis.

Gambar 3-36. Kurva beta

3-26

3.3.3 Rangkaian Prasikap/Prategangan Transistor Titik Kerja Transistor

Pemilihan titik kerja bertujuan agar transistor bekerja di daerah yang diinginkan. Pada rangkaian penguat, transistor dirancang untuk bekerja di daerah aktif, sehingga sinyal keluaran (tegangan dan arus kolektor) merupakan reproduksi sinyal masuk yang diperkuat. Gambar 3-37 memperlihatkan contoh rangkaian penguat dengan sinyal masukan diumpankan ke basis dan sinyal keluaran diambil dari kolektor.
+VCC

RC RB C1 C2
keluaran

RL
Sinyal masukan

IB

VBE IC VCE

Gambar 3-37. Ragam gelombang pada suatu penguat Dalam pemilihan titik kerja VCC, RB, dan RC dipilih agar transistor tidak melampaui batas jangkauannya (rating), yaitu: 1. Disipasi kolektor maksimum, PC(maks). 2. Tegangan kolektor-emiter maksimum, VCE(maks). 3. Arus kolektor maksimum, IC(maks). 4. Tegangan basis emiter maksimum, VBE(maks)

Kapasitor C1 dan C2 adalah kapasitor kopling yang digunakan untuk melewatkan

sinyal. Arus dc tidak dapat lewat kapasitor kopling tersebut, sehingga arus dan tegangan prasikap tidak terpengaruh. Garis beban statis (dc) merupakan pasangan nilai IC dan VCE yang mungkin dari suatu penguat, yang dinyatakan dengan persamaan garis beban : VCE = VCC I C R C

(3-36)

3-27

Garis beban dc ini mempunyai leher -1/RC dan memotong titik IC = 0, VCE = VCC dan IC = VCC/RC VCE = 0 (lihat Gambar 3-38). Titik kerja transistor Q, merupakan potongan antara garis beban dc dengan kurva arus basis dc, IB. Garis beban dinamis (ac) mempunyai lereng -1/(RC//RL) untuk komponen sinyal kapasitor C2 berlaku sebagai hubung singkat dan beban efektif kolektor menjadi RC//RL garis beban ac ini melewati titik kerja Q.

Gambar 3-38. Titik kerja Q, garis beban ac dan dc (garis beban ac lebih curam dari garis beban dc)

Prasikap/Prategangan Basis
Arus prasikap basis ditentukan oleh resistor RB (lihat Gambar 3-37) IB = VCC VBE RB (3-37)

Tegangan basis emiterVBE pada sambungan emiter yang berprasikap maju adalah 0,7 V untuk transistor silikon dan 0,2 V untuk transistor germanium. Bila VCC >>VBE maka: IB VCC RB (3-38)

Arus prinsip kolektor IC dapat dihitung dengan persamaan: I c = h FE I B = I B VCE dapat diperoleh sebagai berikut: C CE = VCC I C R C
3-28

(3-39)

(3-40)

Untai/rangkaian prasikap basis mempunyai dua macam kekurangan, pertama pada penggantian transistor yang sejenis belum tentu menghasilkan titik kerja yang sama, karena belum tentu sama. Kekurangan kedua adalah ketidakstabilan prasikap karena perubahan suhu. Seperti diketahui ICO berubah menjadi lipat dua untuk setiap kenaikan suhu 10C. Sebagai contoh, adanya arus kolektor menyebabkan suhu kolektor sambungan naik, sehingga ICO naik. Dengan naiknya ICO suhu sambungan makin naik, sehingga kejadian ini akan berlanjut terus dan mengakibatkan jangkauan trasistor dilampaui. Akibatnya transistor menjadi sangat panas (termal runaway) atau titik kerja bergeser kearah jenuh. Untuk menjamim kestabilan titik kerja, digunakan untai prasikap emiter.

Prasikap/Prategangan Emiter
Untai prasikap (rangkaian prategangan) emiter terlihat pada Gambar 3-39a.

Gambar 3-39. (a). Rangkaian prategangan emiter (b). Rangkaian setara Thevenin untuk prategangan emiter Dengan menggunakan Teorema Thevenin, maka untai disebelah kiri titik A-B dapat diganti dengan sumber tegangan Vdengan resistans sumber RB (Gambar 3-39b).

V=

R2 R1R 2 VCC dan R B = R1 + R 2 R1 + R 2

Dengan hukum kirchoff tegangan pada untai basis diperoleh persamaan: V = I B R B + VBE + (I B + I C )R E 3-29 (3-41)

Penyelesaian pendekatan bila: I B << I C dan I B R B << V Maka IC = V VBE RE

(3-42)

Bila pendekatan ini tidak memenuhi, maka penentuan titik Q secara analitis: I C = I B + (1 + )I CO Dari Persamaan (3-41) dan (3-43) maka bisa dihitung IB dan IC. Untai prasikap emiter relatif stabil terhadap perubahan dan suhu. Jika atau suhu bertambah, maka IC bertambah. Sehingga penurunan tegangan pada RE (=VRE) bertambah. Karena IB = V (VBE + VRE ) RB (3-43)

Maka IB berkurang,dan akhirnya IC berkurang. Hal ini menunjukan bahwa IC berubah berlawanan dengan berubahnya atau suhu. Karena IB dikendalikan secara parsial oleh IC lewat RE maka terjadi umpan balik (feed back). Prasikap seperti ini juga disebut prasikap umpan balik emiter.

Prasikap Umpan Balik Kolektor

Untai prasikap umpan balik kolektor mempunyai stabilitas karena resistor basis dihubungkan langsung ke kolektor (Gambar 3-40) sebagai umpan balik dari kolektor ke basis.

Gambar 3-40. Prategangan umpan balik kolektor

3-30

Dengan hukum Kirchoff tegangan untuk untai basis diperoleh persamaan sebagai berikut (dengan asumsi IB << IC):

VCC = I C R C + I B + VBE
Dengan substitusi IC dengan IB diperoleh:

(3-44)

VCC = I B ( R C + R B ) + VBE Penyelesaian persamaan menghasilkan IB:

(3-45)

IB =

VCC VBE R B + R C

(3-46)

Setelah diperoleh IB maka arus kolektor IC adalah:

I C = I B =

VCC VBE R B + R C

(3-47)

Dan tegangan kolektor-emiter adalah: VCE = VCC I C R C (3-48)

Untai prasikap umpan balik kolektor relatif stabil terhadap perubahan , karena IB berubah berlawanan terhadap (lihat Persamaan (3-46)). Demikian juga terhadap perubahan suhu. Bila suhu naik, maka IC naik sehingga naik. Dengan naiknya maka IB turun, sehingga mengurangi naiknya IC.

Contoh :
Untuk untai prasikap emiter pada Gambar 3-39, tentukan nilai titik kerja ICQ dan VCEQ jika R1 = 22 Kohm, R2 = 4,7 Kohm, RC = 3,3 Kohm, RE = 1,2 Kohm dan VCC = 12 Volt.

Solusi
Tegangan basis VB ditentukan oleh R1 dan R2. Bila IB diabaikan, maka:

VB

R2 4,7 Vcc = x 12 = 2,112 Volt R1 + R2 22 + 4,7

Tegangan emiter diperoleh dari: VE = VB VBE = 2,112 0,7 = 1,412 V.

3-31

Arus kolektor pada titik kerja ICQ diperoleh dari (dengan mengabaikan IB): ICQ = VE/RE = 1,412/1,2 = 1,176 mA. Maka tegangan kolektor-emiter pada titik kerja VCEQ adalah: VCEQ = VCC ICQ(RC + RE) = 12 1,176(3,3 + 1,2) = 6,708 Volt.

3.3.4 Rangkaian Penguat Transistor

Ada tiga jenis konfigurasi transistor, yaitu: a. Penguat Emiter Bersama (Common Emitter/CE). b. Penguat Kolektor Bersama (Common Collector/CC). c. Penguat Basis Bersama (Common Basis/CB). . 3.3.4.1 Penguat Emiter Bersama Emiter menjadi bagian bersama bagi rangkaian masukan dan keluaran. Pada bagian masukan dan keluaran terdapat kapsitor kopling, dan pada emiter terdapat kapasitor simpang (by pass) yang mempunyai reaktansi yang kecil pada frekwensi kerja, sehingga pada rangkaian ekivalen ac-nya dapat dianggap terhubung-singkat. Gambar 3-41 memperlihatkan rangkaian penguat emitter bersama.

Gambar 3-41. Rangkaian penguat emitter bersama.

3-32

3.3.4.2 Penguat Kolektror Bersama

Kolektor menjadi bagian bersama dari rangkaian masukan dan keluaran. Rangkaian penguat kolektor bersama diperlihatkan pada Gambar 3-42. Karena tegangan keluaran (emitter) mengikuti tegangan masukan (basis) maka penguat ini biasa juga disebut pengikut emiter. Karena rangkaian pengikut emitter ini mempunyai resistansi masukan yang tinggi dan resistansi keluaran yang rendah maka rangkaian ini sering digunakan untuk penyesuai impedansi (impedance matching) dari penguat berimpedansi keluaran yang tinggi ke beban berimpedansi rendah.

Gambar 3-42. Rangkaian penguat kolektor bersama

3.3.4.3 Penguat Basis Bersama

Penguat basis bersama diperlihatkan pada Gambar 3-43.

Gambar 3-43. Rangkaian penguat basis bersama 3-33

Perbandingan Antar Konfigurasi Penguat Transistor

Pada konfigurasi CE, peroleh (gain) tegangan dan gain arus tinggi (Av > 1, Ai > 1). Untuk konfigurasi CC, peroleh tegangan mendekati 1 (Av < 1), sedangkan peroleh arus tinggi seperti pada CE. Resistansi masukan paling tinggi dan resistansi keluaran paling rendah. Pada konfigurasi CB, peroleh tegangan tinggi seperti pada CE, peroleh arus kurang dari 1 (Ai < 1). Resistansi masukan paling rendah, sedangkan resistansi keluaran paling tinggi di antara ketiga konfigurasi. Untuk analisis lebih lanjut, dipilih penguat emiter bersama (CE) yang banyak/sering digunakan. Karena emiternya dipintaskan ke tanah, penguat ini kadang-kadang disebut penguat emiter-ditanahkan; berarti bahwa emitter terletakkan pada tanah ac, tetapi tidak pada tanah dc. Gambar 3-44a memperlihatkan rangkaian penguat CE, dan Gambar 3-44b memperlihatkan garis beban ac-nya.

Gambar 3-44. a. Rangkaian penguat CE. b. Garis beban ac Pada penguat-penguat linier, transistor seharusnya beroperasi di daerah aktif sepanjang waktu. Ini berarti selama satu siklus ia tidak pernah memasuki daerah jenuh atau daerah putus. Untuk memperoleh model rangkaian ekivalen ac satu tahap, terlebih dahulu kita harus membahas impedansi input dan impedansi output. Model ac dari penguat emiter yang ditanahkan, diperlihatkan pada gambar 3-46.

3-34

Gambar 3-45. Impedansi input dan impedansi output

Gambar 3-46. Model AC penguat emitter-ditanahkan Impedansi input: z in R1 // R2 // re' Impedansi output: zout RC

(3-49) (3-50)

Pada sisi keluaran, sumber tegangan ac sebesar Avin diserikan dengan impedansi output RC. Model sederhana penguat emiter-ditanahkan seperti pada Gambar 3-46, akan mempercepat kita untuk menganalisis tahapan yang dikaskade. Gambar 3-47 memperlihatkan rangkaian penguat CE dengan beban RL dan sumber mempunyai tahanan dalam RS. Setiap penguat melihat dua beban : beban dc dan
beban ac. Oleh karena itu, semua penguat mempunyai dua garis beban : garis beban dc dan garis beban ac. Resistansi Thevenin ac yang menggerakkan basis:

rB = RS // R1 // R2

(3-51)

3-35

Resistansi beban ac yang dilihat oleh kolektor :

rC = RC // RL

(3-52)

Gambar 3-47. Rangkaian penguat CE dengan beban RL Gambar 3-48 memperlihatkan garis beban dc dan garis beban ac penguat CE. iC

Grs. Beban ac

ICQ

Grs. Beban dc

VCEQ

VCE

Q : titik kerja transistor : titik stationer (quiescent point) Gambar 3-48. Garis beban dc dan garis beban ac penguat CE

Persamaan garis beban dc :

IC = (VCC VCE)/(RC+RE) Sehingga : Arus jenuh (saturasi) dc IC(sat) = VCC/(RC+RE) Tegangan putus (cut-off) dc VCE(cut) = VCC ujung bawah dc : ujung atas dc (3-53)

3-36

Persamaan garis beban ac :

IC = ICQ + VCEQ/rC VCE/RC Sehingga : Arus jenuh (saturasi)ac ujung atas ac (3-54)

IC(sat) = ICQ + VCEQ/rC Tegangan putus (cut-off) dc VCE(cut) = VCEQ + ICQ rC ujung bawah ac:

Kepatuhan Keluaran AC (AC Output Compliance)

Garis beban ac merupakan alat peraga bantuan yang digunakan untuk memahami operasi sinyal besar. Selama setengah siklus tegangan sumber ac yang positif, tegangan kolektor berayun dari titik Q ke arah jenuh. Pada setengah siklus negatif, tegangan kolektor berayun dari titik Q ke arah titik putus. Untuk sinyal ac yang cukup besar, pemotongan dapat terjadi pada kedua puncak sinyal. Kepatuhan keluaran ac adalah maksimum puncak-ke-puncak tegangan ac tak terpotong yang dapat dihasilkan penguat. Kepatuhan keluaran ac dari sebuah penguat CE, diberikan oleh yang lebih kecil di antara dua nilai pendekatan ini, yaitu : PP 2 ICQ rC atau PP 2 VCEQ (3-55)

Penguatan pada penguat CE : R Penguatan tegangan tanpa beban : A = C re, r Penguatan tegangan dengan beban : Av = C re,
i Penguatan arus : Ai = c ib p Penguatan daya : Ap = out pin
(3-56)

(3-57)

(3-58)

daya masuk ac pada basis : pin = vin ib dan daya output

ac dari kolektor : pout = - vout ic (tanda karena adanya pembalikan fasa), sehingga diperoleh penguatan daya : Ap = -Av Ai

Daya Beban
Beban pada penguat dapat berupa pengeras suara, motor, atau alat lainnya. Daya ac ke dalam tahanan beban RL adalah:

3-37

V2 PL = PP 8 RL
Disipasi Daya Transistor :

(3-59)

PDQ = VCEQ I CQ
Penguras Arus (Current Drain)

(3-60)

Seorang perancang catu daya harus mengetahui berapa banyak arus yang diambil oleh masing-masing tahapan. Sumber tegangan dc VCC harus memberikan arus searah ke pembagi tegangan dan rangkaian kolektor. Arus ke pembagi tegangan : I1 = VCC/(R1+R2). Pada rangkaian kolektor, penguras arus dc adalah : I2 = ICQ. Penguras arus dc total : IS = I1 + I2. Daya dc total yang diberikan ke penguat : PS = VCC IS. (3-61)

Efisiensi Tahapan (Stage Efficiency)

= Contoh:
Diketahui penguat emiter-ditanahkan seperti pada Gambar 3-49. Jika transistor mempunyai sebesar 150, berapakah tegangan keluaran ac?

PL(max) PS

x100%

(3-62)

(b)

Gambar 3-49. a. Penguat emitter-ditanahkan. b. Rangkaian ekivalen ac

3-38

Penyelesaian:
Karena tegangan sumber ac memiliki impedansi sumber sebesar 1 k, maka sebagian dari sinyal sumber akan turun melintasi resistansi ini sebelum mencapai basis. Pada sisi keluaran, kapasitor menggandeng sinyal ac ke resistansi beban 1,5 k. Hal ini mengakibatkan munculnya efek pembebanan, sehingga sinyal keluaran akan terlihat lebih rendah dari pada sebelumnya. Untuk melihat pengaruh resistansi sumber dan beban, maka penguat emiter-ditanahkan tersebut diganti dengan model ac-nya. Mula-mula kita menghitung impedansi masuk pada basis sebesar:

25 mA ' ' zin basis = re , di mana: re = IE Tegangan dc pada basis yang berasal dari pembagi tegangan: VB = 2 ,2 k 10V = 1,8 V 10 k + 2 ,2 k 1,8V 0 ,7V = 1,1 mA 1 k

Arus emitter DC: I E =

25 mA ' ' sehingga re zin basis = re = 150 (22,7) = 3,4 k = = 22 ,7 1,1 mA Selanjutnya, kita menghitung impedansi masuk penguat sebesar:

z in R1 // R2 // re' = 10 k // 2,2 k // 3,4 k = 1,18 k

Penguatan tegangan tanpa beban: A = Impedansi output sama dengan RC. Pembagi tegangan masuk mengurangi sinyal pada basis, sehingga tegangannya sebesar: 1,18 k 1 mV = 0,541 mV 2,18 k

RC 3,6 k = 159 . re' 22,7

vin =

Tegangan output Thevenin, adalah: Avin = -159(0,541 mV) = -86 mV. Tegangan ini adalah keluaran tanpa beban. Keluaran yang sebenarnya adalah tegangan yang muncul melintas 1,5 k: 1,5 k (86 mV ) = 25 mV 5,1 k

vout =

Ini berarti keluaran mempunyai tegangan puncak 25 mV

3-39

Tegangan keluaran ini dapat pula dihitung menggunakan persamaan:

vout = Av vin, di mana: Av =

rC ; rC = RC // RL = 3,6 k // 1,5 k = 1,06k re' vout = (-46,7)(0,541 mV) = -25 mV

Sehingga Av = -(1,06 k)/(22,7 ) = -46,7 (nilainya sama dengan perhitungan di atas).

Karena arus kolektor hampir sama dengan arus emiter, arus koletor tenang adalah: ICQ 1,1 mA Arus ini menghasilkan tegangan kolektor-emiter dc sebesar: VCE VCC ICQ (RC + RE) = 10 V (1,1 mA)(4,6 k) = 4,94 V Atau: VCEQ = 4,94 V Arus jenuh dc adalah:

VCC 10 V = = 2,17 mA RC + R E 4,6 k

Dan tegangan putus dc adalah 10 V. Arus jenuh ac adalah: I C ( sat ) = I CQ + Tegangan putus ac adalah: VCE(cut) = VCEQ + ICQ rC = 4,94 V + (1,1 mA)(1,06 k) = 6,11 V Garis beban dc dan ac-nya diperlihatkan pada Gambar 3-50.

VCEQ rC

= 1,1 mA +

4,94 V = 5,76 mA 1,06 k

Gambar 3-50. Garis beban dc dan ac

3-40

3-41