Semiconductor

Material sólido o líquido capaz de conducir la electricidad mejor

I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE

que un aislante, pero peor que un metal.

La conductividad eléctrica, que es la capacidad de conducir la corriente

eléctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las
propiedades físicas más importantes.

Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes

conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son
muy malos conductores.

A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como

aislante. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas
(dopado) o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores
puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a
los de los metales. Los principales semiconductores utilizados en electrónica
son el silicio, el germanio y arseniuro de galio.
ELECTRICIDAD
 Silicio : Si
Descubridor : Jöns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco)
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Año : 1823
Etimología : del latín silex
• En estado puro tiene propiedades físicas y químicas parecidas a las del
diamante.

• El dióxido de silicio (sílice) [SiO2] se encuentra en la naturaleza en

gran variedad de formas: cuarzo, ágata, jaspe, ónice, esqueletos de
animales marinos.

• Su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductoras. En

estado muy puro y con pequeñas trazas de elementos como el boro,
fósforo y arsénico constituye el material básico en la construcción de los
chips de los ordenadores.
ELECTRICIDAD
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ELECTRICIDAD
Semiconductor
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ELECTRICIDAD
Silicio: Átomo,
Modelo de enlace y
estructura crsitalina
 Semiconductor: representación bidimensional de la estructura cristalina
Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor sería aislante porque todos los e- están formando
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enlaces. Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y

quedar libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la estructura
cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrón libre (e-), pero
también hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
ELECTRICIDAD
 Semiconductor: Acción de un campo eléctrico.
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Semiconductor intrínseco: acción de un campo eléctrico

- +
Si Si Si
- +

- + + +
Si Si Si
- +

- +
Si Si Si

- +
ELECTRICIDAD

La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga:

HUECOS y ELECTRONES

La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los semiconductores:

mayor temperatura  más portadores de carga  menor resistencia
 Semiconductor Intrínseco– Extrínseco.
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Semiconductor intrínseco indica un material

semiconductor extremadamente puro que contiene
una cantidad insignificante de átomos de impurezas.

Semiconductor extrínseco, se le han añadido

cantidades controladas de átomos impuros (Dopado)
para favorecer la aparición de electrones (tipo n –
átomosde valencia 5: As, P o Sb ) o de huecos (tipo
p - átomos de valencia 3: Al, B, Ga o In).
ELECTRICIDAD
 Semiconductor Intrínseco– Extrínseco.
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Semiconductor extrínseco: TIPO N

+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb
Sb: antimonio
+
Sb +
Sb
Impurezas grupo V
Si Si Si +
Sb +
Sb
Impurezas del grupo V de +
Sb +
Sb
la tabla periódica +
Sb
+
Sb
+
Sb
300ºK
+
Sb +
Sb +
Sb
Es necesaria muy poca
Si Sb
Si Si energía para ionizar el
átomo de Sb
+ Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Si Si Si Electrones libres

Semiconductor extrínseco: TIPO P

-
Al -
Al -
Al
-
Al
-
Al -
Al
Al: aluminio
-
Al -
Al
Si Si Si Impurezas del grupo III de -
Al -
Al
-
Al
la tabla periódica
-
Al
-
Al
300ºK
-
Al -
Al -
Al
ELECTRICIDAD

Es necesaria muy poca

energía para ionizar el
Si Al
Si Si átomo de Al Huecos libres Átomos de impurezas ionizados
+ -
A temperatura ambiente Los portadores mayoritarios de carga en un
todos los átomos de
impurezas se encuentran semiconductor tipo P son
Si Si Si ionizados Huecos. Actúan como portadores de carga
positiva.
 Semiconductores. La unión PN: el DIODO.
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- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +
ELECTRICIDAD

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada ‘zona de transición’, que actúa como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 Semiconductores. La unión PN: el DIODO.
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La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
La zona de transición se
- - +
-
- +
+ hace más grande.
- + +
- - - Con polarización inversa
+
-
-
+ +
+
+ no hay circulación de
- - +
corriente.
+

La unión P-N polarizada en directa

La zona de transición se P - - - + + + + N
hace más pequeña. -
-
- + +
- +
La corriente comienza a - +
+
- +
circular a partir de un cierto - - -
+
- +
umbral de tensión directa. - - - + + + +
ELECTRICIDAD

P N I +

Conclusiones:
Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente.
Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de
DIODO SEMICONDUCTOR corriente eléctrica