DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES II - DS II

9. Transistor nMOS - curvas caractersticas

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

MOSFET - regio de canal

(Porta) (Fonte) (Dreno)

Substrato

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

Equaes de corrente
V(y) VDS Hiptese

dq dq dy i= = . dt dy dt

L y

! dV ( y) dy ! = v ( y) = E( y) = dt dy
L VDS ox

dq = WCox [(VGS VT ) V ( y )] dy
VDS

i.dy = CoxW [(VGS VT ) V ( y )].dV ( y )

i.dy = C
0

(V
0

GS

VT )dV ( y ) V ( y ).dV ( y )
0

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

Equaes de corrente (cont.)

W = Cox L
2 VDS (VGS VT ).VDS 2

iDS

Cox = parmetro de processo W/L = parmetro de projeto CoxW/L= = ganho do transistor

Equao vlida para : VGS VT Equao da regio de triodo 0 < VDS VGS VT d (iDS ) =0 Condio para corrente mxima: iDS max d (VDS ) d (iDS ) W = Cox [(VGS VT ) VDS ] = 0 VDS = (VGS VT ) L d (VDS ) 2 Equao da regio W (VGS VT ) VGS VT de saturao iDSmax = Cox 2 L Equao vlida para : VDS VGS VT > 0

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

VGS < VT

Regio de corte ou sublimiar

I DS e
VGS

VDS
Exemplo:VT =1V

d (VGS ) S= d (log I DS )
S = inclinao de sublimiar

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

Regio de corte ou sublimiar (cont.)

Exemplo:VT =1V

Nesta regio a corrente IDS independente da tenso VDS

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

IDS x VGS

Grafico IDS x VDS

TRIODO VDS = 4 V SATURAO

VDS = VGS VT
SATURAO TRIODO

CORTE

VGS = VT +

VDS 2

VGS = VT + VDS

Exemplo:VT =2V

9. TRANSISTOR NMOS - CURVAS CARACTERSTICAS

Grafico IDS x VGS

VDS = 0,1V