Tese - Janderson Rocha Rodrigues

Tese apresentada Pr-Reitoria de Ps-Graduao e Pesquisa do Instituto
Tecnolgico de Aeronutica, como parte dos requisitos para obteno do

ttulo de Mestre no Programa de Ps-Graduao de Engenharia
Aeronutica e Mecnica, rea de Sistemas Aeroespaciais e Mecatrnica.

Janderson Rocha Rodrigues

MODELAGEM E SIMULAO DE UM
MICROACELERMETRO CAPACITIVO

Tese aprovada em sua verso final pelos abaixo assinados:

Prof. Dr. Luiz Carlos Sandoval Ges
Orientador

Dr. Carlos Fernando Rondina Mateus
Co-orientador

Prof. Dr. Celson Massaki Hirata
Pr-Reitora de Ps-Graduao e Pesquisa

Campo Montenegro
So Jos dos Campos, SP Brasil
2011

Dados Internacionais de Catalogao-na-Publicao (CIP)
Diviso de Informao e Documentao
Rodrigues, Janderson Rocha
Modelagem e Simulao de um Microacelermetro Capacitivo / Janderson Rocha Rodrigues.
So Jos dos Campos, 2011.
219f.

Tese de Mestrado Curso de Engenharia Aeronutica e Mecnica, rea de Sistemas Aeroespaciais e
Mecatrnica Instituto Tecnolgico de Aeronutica, 2011. Orientador: Dr. Luiz Carlos Sandoval Ges.
Co-orientador: Dr. Carlos Fernando Rondina Mateus.

1. Microacelermetro. 2. Microssistemas Eletromecnicos. 3. Modelagem. 4. Simulao. I. Comando-
Geral de Tecnologia Aeroespacial. Instituto Tecnolgico de Aeronutica. Diviso de Engenharia
Aeronutica e Mecnica. II. Modelagem e Simulao de um Microacelermetro Capacitivo.

REFERNCIA BIBLIOGRFICA

Rodrigues, Janderson Rocha. Modelagem e Simulao de um Microacelermetro
Capacitivo. 2011. 219f. Tese de Mestrado. rea de Sistemas Aeroespaciais e
Mecatrnica Instituto Tecnolgico de Aeronutica, So Jos dos Campos.

CESSO DE DIREITOS

NOME DO AUTOR: Janderson Rocha Rodrigues
TTULO DO TRABALHO: Modelagem e Simulao de um Microacelermetro Capacitivo.
TIPO DO TRABALHO/ANO: Tese / 2011

concedida ao Instituto Tecnolgico de Aeronutica permisso para reproduzir cpias
desta tese e para emprestar ou vender cpias somente para propsitos acadmicos e
cientficos. O autor reserva outros direitos de publicao e nenhuma parte desta tese
pode ser reproduzida sem a sua autorizao (do autor).

______________________
Praa Marechal Eduardo Gomes, 50 - Vila das Accias
12228-900 - So Jos dos Campos - SP
III

MODELAGEM E SIMULAO DE UM
MICROACELERMETRO CAPACITIVO


Composio da Banca Examinadora:

Profa. Dra. Emilia Villani Presidente ITA
Prof. Dr. Luiz Carlos Sandoval Ges Orientador ITA
Prof. Dr. Carlos Fernando Rondina Mateus Co-orientador IEAv
Prof. Dr. Marcos Massi Membro Interno ITA
Prof. Dr. Emilio Carlos Nelli Silva Membro Externo POLI-USP

ITA
IV

Agradecimentos

Agradeo a Financiadora de Estudos e Projetos (FINEP) pelo suporte financeiro.

V

Resumo

Este trabalho apresenta a modelagem e simulao de um microacelermetro
capacitivo de silcio produzido pela tcnica de fabricao em substrato. O princpio de
funcionamento do dispositivo apresentado, assim como, suas caractersticas
geomtricas oriundas do processo de microfabricao. Utilizou-se a descrio
generalizada para identificar e subdividir os elementos fsicos do dispositivo em termos
de suas funcionalidades. Por meio dessa metodologia identificou-se o elemento sensor
elstico, o elemento sensor capacitivo e o condicionamento de sinal. As modelagens
analticas esttica e dinmica dos elementos sensores so apresentadas e os modelos
obtidos so simulados utilizando o programa Matlab/Simulink. A validade de cada
modelo discutida e os resultados obtidos so relacionados s principais especificaes
do dispositivo. O modelo geomtrico tridimensional do microacelermetro simulado
numericamente utilizando o programa COMSOL Multiphysics. Os resultados obtidos
numericamente so comparados com os analticos e mostram uma excelente
concordncia, validando os modelos analticos.

VI

Abstract

This work presents the modeling and simulation of a silicon bulk-
micromachined capacitive microaccelerometer. The device operating principle is
presented, as well as, its geometric characteristics coming from the microfabrication
process. A generalized description is used to identify and subdivide the device physical
elements in terms of their functionality. Through this method the elastic sensing, the
capacitive sensing and the signal conditioning are identified. The static and dynamic
analytical models of the sensing elements are presented and simulated using the
software Matlab/Simulink. The validity of each model is discussed and its results
related to the device main specifications. The microaccelerometer 3D geometric model
is simulated numerically using the software COMSOL Multiphysics. The numerical
results are compared with the analytical and show an excellent agreement, validating the
analytical models.

VII

Lista de Figuras

Figura 1-1 - Modelo de multicamadas com cinco nveis, adaptado de Chollet e Liu
(2011). 33
Figura 2-1- (a) Vista planar da lmina central e (b) Vista da seco transversal da
estrutura aps o processo de fabricao. 38
Figura 2-2-Descrio generalizada do microacelermetro em termos de elementos
funcionais. 40
Figura 2-3 - Descrio generalizada do microacelermetro em termos de elementos
funcionais. 41
Figura 2-4 - Representao de 1/8 da massa ssmica. 42
Figura 2-5 - Representao de 1/8 de massa no plano y-z. 43
Figura 2-6 - Viga engastada nas duas extremidades a e b com comprimento total 2l
b
. 46
Figura 2-7 - Viga biengastada submetida a uma carga concentrada no centro. 46
Figura 2-8 - Viga biengastada submetida a uma carga concentrada no centro, gerando
grandes deformaes. 50
Figura 2-9 - Formato de uma das vigas do microacelermetro aps a corroso mida. 62
Figura 2-10 - Tringulo retngulo representado no plano z-y. 62
Figura 2-11 - Retngulo representado no plano y-z. 65
Figura 2-12 - Comparao entre os modelos de pequenas e grandes deformaes. 68
Figura 2-13 - Deslocamento da massa ssmica em funo da acelerao de entrada. 71
Figura 2-14 - Tenso Normal Mxima em funo da acelerao de entrada. 74
Figura 2-15 - Lminas condutoras em paralelo separadas por um dieltrico. 77
Figura 2-16 - Digrama do Capacitor diferencial. 79
Figura 2-17 - Capacitncias em funo do deslocamento da massa ssmica. 81
VIII

Figura 3-1 - Eletrodos paralelos separadas por uma fina camada de fluido. 92
Figura 3-2 - Perfil de distribuio de presso ao longo dos eletrodos. 97
Figura 3-3 - Foras normalizadas em funo do nmero de squeeze. 98
Figura 3-4 - Fator de correo geomtrico em funo da razo de aspecto do eletrodo. 101
Figura 3-5 - Configurao dos eletrodos para pequenos deslocamentos. 105
Figura 3-6 - Configurao dos eletrodos para grandes deslocamentos. 106
Figura 3-7 - Comparao entre os modelos de coeficientes de amortecimento
equivalente em funo do deslocamento. 107
Figura 3-8 - Comparao entre os modelos de coeficientes de amortecimento em funo
do deslocamento com uma magnificao. 108
Figura 3-9 - Representao idealizada do microacelermetro capacitivo diferencial. 110
Figura 3-10 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio para diferentes valores de
presso. 121
Figura 3-11 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio para variaes de
presses em torno da presso otimizada. 122
Figura 3-12 - Magnitudes do deslocamento em funo da frequncia para diferentes
valores de presso. 125
Figura 3-13 - Fase do deslocamento em funo da frequncia para diferentes valores de
presso. 127
Figura 3-14 - Magnitude do deslocamento em funo da frequncia para dois valores do
fator de qualidade. 129
Figura 3-15 - Fase do deslocamento em funo da frequncia para dois valores do fator
de qualidade. 129
Figura 3-16 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio para os dois valores do
fator de qualidade. 130
IX

Figura 3-17 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio com e sem a influncia da
fora eletrosttica. 133
Figura 3-18 - Magnitude do deslocamento em funo da frequncia com e sem a
influncia da fora eletrosttica. 134
Figura 3-19 - Fase do deslocamento em funo da frequncia com e sem a influncia da
fora eletrosttica. 134
Figura 3-20 - Diagrama de blocos do elemento sensor elstico. 135
Figura 3-21 Deslocamento em funo do tempo para uma entrada degrau com
amplitude de 5,0g transladada de 0,001s. 136
Figura 3-22 - Comportamento das foras em funo do tempo para uma entrada degrau
com amplitude de 5,0g transladadas de 0,001s. 137
Figura 3-23 - Onda quadrada de entrada em funo do tempo com diferentes amplitudes
de acelerao. 138
Figura 3-24 - Deslocamento na sada em funo do tempo para uma onda quadrada de
entrada com diferentes amplitudes de acelerao. 138
Figura 3-25 - Onda senoidal de entrada em funo do tempo com amplitude de 1,0g e
uma frequncia de 10,0Hz. 139
Figura 3-26 - Deslocamento na sada em funo do tempo para entradas senoidais com
diferentes amplitudes e uma frequncia de 10,0Hz. 140
Figura 3-27 - Onda senoidal de entrada em funo do tempo com amplitude de 1,0g e
frequncia de 150,0Hz. 141
Figura 3-28 - Deslocamento na sada em funo do tempo para entradas senoidais com
diferentes amplitudes e uma frequncia de 150,0Hz. 141
Figura 3-29 - Deslocamentos na sada em funo do tempo para entradas degraus com
diferentes amplitudes transladadas de 0,001s. 143
X

Figura 3-30 - Comparao entre os deslocamentos em regime permanente para o
modelo no-linear e o modelo linearizado em funo da acelerao para
pequenas amplitudes. 144
Figura 3-31 - Comparao entre os deslocamentos em regime permanente para o
modelo no-linear e o modelo linearizado em funo da acelerao para
grandes amplitudes. 145
Figura 3-32 - Diferena de capacitncia em funo do tempo para uma entrada degrau
unitrio. 148
Figura 3-33 - Magnitude em funo da frequncia. 149
Figura 3-34 - Fase em funo da frequncia. 149
Figura 3-35 - Diagrama de blocos do elemento sensor elstico e elemento sensor
capacitivo. 150
Figura 3-36 - Diferena de capacitncia na sada em funo do tempo para entradas
degraus com diferentes amplitudes transladadas de 0,001s. 151
Figura 3-37 - Comparao entre as diferenas de capacitncia em regime permanente
para o modelo no-linear e o modelo linearizado em funo da acelerao
para pequenas amplitudes. 152
Figura 3-38 - Comparao entre as diferenas de capacitncia em regime permanente
para o modelo no-linear e o modelo linearizado em funo da acelerao
para grandes amplitudes. 153
Figura 3-39 - Circuito de condicionamento de sinais baseados em chaves de alta
frequncia. 157
Figura 3-40 - Tenso de sada em funo da acelerao de entrada. 159
Figura 3-41 - Magnitude da tenso eltrica em funo da frequncia. 160
Figura 3-42 - Fase da tenso eltrica em funo da frequncia. 160
XI

Figura 4-1 - Foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento. 172
Figura 4-2 - Foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento para vrios
valores de tenso no caso assimtrico. 175
Figura 4-3 - Foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento para vrios
valores de tenso no caso simtrico. 177
Figura 4-4 - Tenso de pull-in em funo da acelerao de entrada no caso assimtrico. 180
Figura 4-5 - Tenso de pull-in em funo da acelerao de entrada no caso simtrico. 183
Figura 5-1 - Geometria da lmina central criada em SolidWorks e exportada para o
COMSOL. 186
Figura 5-2 - Lmina central com uma malha tetradrica com 1.132,00 elementos. 188
Figura 5-3 - Anlise da qualidade mdia dos 1.132,00 elementos da lmina central. 188
Figura 5-4 - Lmina central com uma malha tetradrica com 113.600,00 elementos. 189
Figura 5-5 - Anlise da qualidade mdia dos 113.600,00 elementos da lmina central. 189
Figura 5-6 - Qualidade mdia dos elementos da malha tetradrica na lmina central em
funo do nmero de elementos. 190
Figura 5-7 - Deslocamento da massa ssmica em funo do nmero de elementos da
malha tetradrica. 191
Figura 5-8 - Tempo de execuo em funo do nmero de elementos. 192
Figura 5-9 - Deslocamento da massa ssmica quando a estrutura submetida
acelerao vertical de 0g. 193
Figura 5-10 - Deslocamento da massa ssmica quando a estrutura submetida
acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0 vezes. 193
Figura 5-11 - Vista lateral do deslocamento da massa ssmica quando a estrutura
submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0
vezes. 194
XII

Figura 5-12 - Comparao entre os resultados de deslocamento da massa ssmica em
funo da acelerao obtidos nos modelos analtico e numrico. 195
Figura 5-13 - Distribuio da tenso normal mxima sobre a estrutura quando a mesma
submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de
8.000,0 vezes. 196
Figura 5-14 - Vista superior da distribuio de tenso normal mxima sobre a estrutura
quando a mesma submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma
magnificao de 8.000,0 vezes. 196
Figura 5-15 - Vista inferior da distribuio de tenso normal mxima sobre a estrutura
quando a mesma submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma
magnificao de 8.000,0 vezes. 197
Figura 5-16 - Comparao entre os resultados de tenso normal mxima funo da
acelerao obtidos nos modelos analtico e numrico. 198
Figura 5-17 - Primeiro modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 2.567,7Hz. 199
Figura 5-18 - Segundo modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de
5.545,82Hz. 199
Figura 5-19 - Terceiro modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de
5.545,90Hz. 200
Figura 5-20 - Quarto modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 54.562,75Hz. 200
Figura 5-21 - Quinto modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 55.088,07Hz. 201
Figura 5-22 - Distribuio de presso na face superior da massa ssmica. 202
Figura 5-23 - Distribuio de presso na face inferior da massa ssmica. 202
Figura 5-24 - Deslocamento da massa ssmica em funo do tempo, para uma entrada
degrau unitrio e para diferentes valores de presso. 203
XIII

Figura 5-25 - Comparao entre os resultados da magnitude em funo da frequncia
obtidos nos modelos analtico e numrico. 204
Figura 5-26 - Comparao entre os resultados da fase em funo da frequncia obtidos
nos modelos analtico e numrico. 205
XIV

Lista de Tabelas

Tabela 2-1 Dimenses dos parmetros de projeto do dispositivo. 39
Tabela 2-2 Coeficientes das matrizes de rigidez e de flexibilidade para o silcio
monocristalino. 58
Tabela 3-1 Relao entre o nmero de Knudsen e o regime de operao. 103

XV

Lista de Smbolos

x Coordenada x do plano cartesiano x-y-z
y Coordenada y do plano cartesiano x-y-z
z Coordenada z do plano cartesiano x-y-z
W
m
Largura da massa ssmica
L
m
Comprimento da massa ssmica
T
m

Espessura da massa ssmica
w
b

Largura da viga
l
b

Comprimento da viga
t
b

Espessura da viga
h
o

Espaamento vertical entre as lminas de silcio (gap)
W
m1
Largura no centro da massa ssmica
W
m2
Largura no topo da massa ssmica
L
m1
Comprimento no centro da massa ssmica
L
m2
Comprimento no topo da massa ssmica
M
s

Massa ssmica
Si
Densidade volumtrica do silcio
V
m
Volume da massa ssmica
ngulo entre dois planos cristalogrficos
h
1
ndice de Miller do plano cristalogrfico 1 na direo x
k
1
ndice de Miller do plano cristalogrfico 1 na direo y
l
1
ndice de Miller do plano cristalogrfico 1 na direo z
h
2
ndice de Miller do plano cristalogrfico 2 na direo x
k
2
ndice de Miller do plano cristalogrfico 2 na direo y
XVI

l
2
ndice de Miller do plano cristalogrfico 2 na direo z
F
z
Fora aplicada na direo z
R
a
Fora de reao no ponto de engastamento a
R
b
Fora de reao no ponto de engastamento b
M
a
Momento fletor no ponto de engastamento a
M
b
Momento fletor no ponto de engastamento b
P Cada distribuda ao longo do comprimento da viga
E Mdulo de Young
I Momento de inrcia de rea
C
1
Constante de integrao 1
C
2
C
3
C
4
z Deformao mxima da viga na direo z
k
zx
Rigidez mecnica no plano z-x
k
zy
Rigidez mecnica no plano z-y
k
eq
Rigidez mecnica equivalente
N Fora axial longitudinal
l
b

Comprimento da viga submetida grandes deformaes
Primeira varivel de simplificao
u Segunda varivel de simplificao
A
b
rea da seco transversal da viga
l
b
Mudana no comprimento original da viga (l
b
)
ij
Tensor de tenso de segunda ordem
kl
Tensor de tenso de segunda ordem
XVII

ij
Tensor de deformao de segunda ordem
kl
Tensor de deformao de segunda ordem
C
ijkl
Tensor de coeficientes de rigidez de quarta ordem
S
ijkl
Tensor de coeficientes de flexibilidade de quarta ordem
m
Matriz de tenso
n
Vetor de tenso
m
Matriz de deformao
n
Vetor de deformao
C
mn
Matriz de coeficientes de rigidez
S
mn
Matriz de coeficientes de flexibilidade
l
[hkl]
Direo cristalogrfica arbitraria
l
h
Componente h da direo cristalogrfica arbitraria l
l
k
Componente k da direo cristalogrfica arbitraria l
l
l
Componente l da direo cristalogrfica arbitraria l
ngulo entre l
h
e o eixo x, orientado na direo [100]
ngulo entre l
k
e o eixo y, orientado na direo [100]
ngulo entre l
l
e o eixo z, orientado na direo [100]
m
[hkl]
Direo ortogonal direo cristalogrfica arbitraria l
m
h
Componente h da direo cristalogrfica m
m
k
Componente k da direo cristalogrfica m
m
l
Componente l da direo cristalogrfica m
ngulo entre m
h
ngulo entre m
h
ngulo entre m
h
Razo de Poisson
XVIII

(wb/lb)
Coeficiente de ajuste do mdulo de Young
I
yt1
Momento de inrcia do tringulo retngulo 1 em relao ao eixo y
A
t1
rea do tringulo retngulo 1
I
yr1
Momento de inrcia do retngulo 1 em relao ao eixo y
A
r1
rea do retngulo 1
I
y
Momento de inrcia da viga
a
z
Acelerao no eixo z
F
e
Fora elstica
n
Frequncia de ressonncia angular
f
n
Frequncia de ressonncia
S
M
Sensibilidade mecnica
max
Tenso normal mxima
uts
Limite de resistncia a tenso normal
M
max
Momento fletor mximo
c Distncia da linha neutra
adm
Tenso mxima admissvel
Coeficiente de segurana
r
Resistividade do silcio
q
e
Carga do eltron
n Densidade de eltrons
p Densidade de lacunas
n
Mobilidade dos eltrons
p
Mobilidade das lacunas
N
D
Concentrao de dopantes eltrons
N
A
Concentrao de dopantes lacunas
XIX

n
i
Densidade intrnseca de portadores
min
Parmetro de ajuste da mobilidade
max
N
o
V
s
Tenso de alimentao
c
Densidade de cargas eltricas armazenadas no eletrodo
0
Permissividade eltrica no vcuo
r
Permissividade relativa do dieltrico
C
c
Capacitncia entre os eletrodos
Q
c
Carga eltrica total
S
c
Superfcie de interface entre o dieltrico e o eletrodo
A
m
rea do eletrodo
C
S
Capacitncia Superior
C
I
Capacitncia Inferior
C Diferena de capacitncia
C
O
Capacitncia caracterstica
S
E
Sensibilidade eltrica
S
EM
Sensibilidade eletromecnica
J Funo de distribuio
T
kbm
Energia cintica mxima da viga
m
b
Massa da viga
m
beq
Massa equivalente da viga
M
eff
Massa efetiva do microacelermetro
Nmero de vigas biengastadas
XX

h
f
Espessura do fluido
p
f
Presso do fluido
f
Densidade do fluido
f
Coeficiente de viscosidade do fluido
u
1
Velocidade do eletrodo mvel na direo x
u
2
Velocidade do eletrodo inferior na direo x
v
1
Velocidade do eletrodo mvel na direo z
v
2
Velocidade do eletrodo inferior na direo z
r
1
Velocidade do fluido no eletrodo 1
r
2
Velocidade do fluido no eletrodo 2
R
x
Nmero de Reynolds modificado
R
z
Nmero de Reynolds modificado
V
x
Velocidade relativa do eletrodo mvel na direo x
Frequncia de operao angular
t Tempo
M
g
Massa molecular do gs
R
g
Constante Molar do gs
T Temperatura absoluta
p
a
Presso ambiente
h Variao na espessura do fluido
F
d
Fora de amortecimento
F
ed
Fora de amortecimento elstica
Razo de aspecto
Nmero de squeeze
c
Nmero de squeeze de corte
XXI

c
Frequncia de corte
c
d
Coeficiente de amortecimento
k
de
Coeficiente de amortecimento elstico
Fator de correo geomtrico
Q
pr
Coeficiente da taxa de fluxo relativo
p
Fator de correo
v
Coeficiente de acomodao tangencial
K
n
Nmero de Knudsen
g
Livre caminho mdio do gs
c
d1
Coeficiente de amortecimento entre os eletrodos superior e mvel
c
d2
Coeficiente de amortecimento entre os eletrodos mvel e inferior
c
deq
Coeficiente de amortecimento equivalente
q
i
I-sima coordenada generalizada
I-sima velocidade generalizada
T
k
Energia cintica total
U
p
Energia potencial total
D
r
Funo de dissipao de Raleigh
Q
i
I-sima fora generalizada no-potencial
C
rs
Coeficiente de amortecimento de Raleigh
W
v
Trabalho virtual
z Deslocamento da massa ssmica em relao aos eletrodos fixos
z
m
Deslocamento da massa ssmica em relao ao referencial inercial
z
v
Deslocamento do veculo em relao ao referencial inercial
Q
S
Carga eltrica armazenada no capacitor superior
Q
I
Carga eltrica armazenada no capacitor inferior
XXII

W Trabalho virtual infinitesimal
Q
S
Carga superior infinitesimal
Q
I
Carga inferior infinitesimal
z Deslocamento relativo da massa ssmica infinitesimal
c
deql
Coeficiente de amortecimento equivalente linearizado
s Varivel Complexa
Z Transformada de Laplace do deslocamento
A
z
Tranformanda de Laplace da acelerao
H
M
Funo de transferncia mecnica
Razo de amortecimento
Q Fator de qualidade
d
Frequncia amortecida
u
Constante de tempo subamortecido
t
u
Tempo de acomodao subamortecido
c
Constante de tempo criticamente amortecido
t
c
Tempo de acomodao criticamente amortecido
o
Constante de tempo sobreamortecido
t
o
Tempo de acomodao sobreamortecido
a
zc
Amplitude do sinal de entrada harmnico
z
c
Amplitude do deslocamento para uma entrada harmnica
Fase do deslocamento para uma entrada harmnica
p
Frequncia de pico
F
el
Fora eletrosttica
k
el
Rigidez eltrica
k
ell
Rigidez eltrica linearizada
XXIII

k
eff
Rigidez efetiva
r
Frequncia de ressonncia modificada
C
l
Diferena de capacitncia
H
E
Funo de transferncia eltrica
H
EM
Funo de transferncia eletromecnica
z
rms
Valor mdio quadrtico do deslocamento
k
B
Constante de Boltzmann
a
rms
Valor mdio quadrtico da acelerao equivalente
a
zmin
Acelerao mnima
SNR Razo sinal-rudo

Valor mdio da funo densidade espectral de potncia
Valor mdio do deslocamento

j Nmero complexo
f Frequncia de operao
Acelerao equivalente ao rudo termomecnico

a
zmax
Acelerao mxima
z
max
Deslocamento mximo
DNR Faixa dinmica
BW Largura de banda
F
net
Fora de equilbrio
z
o
Deslocamento de equilbrio
Pertence
V
pu
Tenso de pull-in para o capacitor superior alimentado
V
pl
Tenso de pull-in para o capacitor inferior alimentado
V
ps
Tenso de pull-in para ambos os capacitores alimentados
XXIV

C
f
Capacitor de retroalimentao
T
1
Chaves ligadas ao sinal de clock 1
T
2
Chaves ligadas ao sinal de clock 2
V
o
Tenso de sada
S
A
Sensibilidade do circuito de condicionamento de sinal
S
G
Sensibilidade global do microacelermetro
H
A
Funo de transferncia do circuito de condicionamento de sinal
H
G
Funo de transferncia global do microacelermetro

XXV

Sumrio

1 INTRODUO ................................................................................................................... 27
1.1 Modelagem e Simulao de Microssistemas Eletromecnicos .................................... 32
1.2 Objetivo do Trabalho .................................................................................................... 36
1.3 Motivao do Trabalho ................................................................................................. 36
1.4 Metodologia Utilizada no Trabalho .............................................................................. 37
1.5 Organizao do Trabalho .............................................................................................. 37
2 MODELAGEM ESTTICA ............................................................................................... 38
2.1 Massa Ssmica .............................................................................................................. 41
2.2 Rigidez Mecnica ......................................................................................................... 45
2.2.1 Pequenas deformaes ........................................................................................... 45
2.2.2 Grandes deformaes............................................................................................. 50
2.2.2.1 Mdulo de Young ...................................................................................... 54
2.2.2.2 Influncia da razo de Poisson no mdulo de Young ................................ 60
2.2.2.3 Momento de inrcia de rea ....................................................................... 61
2.2.3 Comparao entre pequenas e grandes deformaes ............................................. 67
2.3 Elemento Sensor Elstico ............................................................................................. 68
2.3.1 Critrio de falha ..................................................................................................... 71
2.4 Elemento Sensor Capacitivo ......................................................................................... 75
2.5 Comentrios e Discusses ............................................................................................ 82
3 MODELAGEM DINMICA .............................................................................................. 87
3.1 Massa Efetiva ................................................................................................................ 87
3.2 Coeficiente de Amortecimento ..................................................................................... 90
3.2.1 Coeficiente de amortecimento para pequenos deslocamentos ............................... 95
XXVI

3.2.2 Coeficiente de amortecimento para grandes deslocamentos ............................... 105
3.2.3 Comparao entre os coeficientes de amortecimento equivalente para
pequenos e grandes deslocamentos ................................................................................ 107
3.3 Elemento Sensor Elstico ........................................................................................... 109
3.3.1 Modelo linearizado .............................................................................................. 115
3.3.2 Modelo no-linearizado ....................................................................................... 135
3.4 Elemento Sensor Capacitivo ....................................................................................... 145
3.4.1 Modelo linearizado .............................................................................................. 147
3.4.2 Modelo No-Linear ............................................................................................. 150
3.5 Circuito de Condicionamento de Sinal ....................................................................... 154
3.6 Comentrios e Discusses .......................................................................................... 161
4 FAIXA DINMICA .......................................................................................................... 165
4.1 Mnima Acelerao ..................................................................................................... 165
4.2 Mxima Acelerao .................................................................................................... 169
4.3 Instabilidade Eletromecnica ...................................................................................... 170
5 MODELAGEM NUMRICA ........................................................................................... 186
5.1 Elemento Sensor Elstico ........................................................................................... 186
6 CONCLUSO ................................................................................................................... 207
REFERNCIAS ..................................................................................................................... 210

27
1 INTRODUO
Microssistemas Eletromecnicos, mais conhecidos pela sigla em ingls MEMS
(Microelectricalmechanical Systems), fazem parte de uma tecnologia que permite a
criao de dispositivos eletromcanicos em escala microscpica utilizando as tcnicas
de fabricao utilizadas em microeletrnica (Madou, 1998). Dentre as vrias
configuraes existentes desses dispositivos pode-se destacar os microssensores
inerciais: microacelermetros e microgiroscpios (Kempe, 2011).
Os microacelermetros so sensores utilizados para medir acelerao (linear ou
angular) e os microgiroscpios so sensores utilizados para medir movimentos
angulares (ngulo, velocidade angular). O monitoramento da posio de um objeto um
problema de extrema importncia em engenharia e pode ser feito utilizando uma
Unidade de Medida Inercial, IMU (Inertial Measurement Unit), que em sua forma mais
simples, contm trs acelermetros e trs giroscpios montados ortogonalmente, (ou um
acelermetro triaxial e um giroscpio triaxial), fornecendo informaes referentes aos
seis graus de liberdade do objeto em que eles esto montados.
Em sua configurao atual mais avanada, esses microssensores so utilizados
em Sistemas de Referncia de Atitude e Posio, AHRS (Attitude and Heading
Reference Systems), que consistem de uma trade de giroscpios, uma trade de
acelermetros e uma trade de magnetmetros. O processamento do sinal feito por um
Processador Digital de Sinais, DSP (Digital Signal Processor), e uma Unidade
Microcontroladora, MCU (Microcontroller Unit), que so responsveis por fornecer
parmetros de calibrao dos sensores, como por exemplo, compensao de
temperatura, cruzamento dos dados de acelerao e velocidade angular nos filtros de
fuso (frequentemente baseados em filtros de Kalman recursivos), e fornecer a

28
orientao de sada baseada nos ngulos de rolagem, arfagem e guinada, (Slycke, 2010)
e (Aggarwal et al., 2010).
Os microssensores inerciais comearam a surgir no mercado devido s grandes
vantagens inerentes aos dispositivos MEMS como: baixo custo, tamanho reduzido,
baixo consumo de potncia, alta confiabilidade e um desempenho promissor, alm da
possibilidade de fabricao em grandes escalas. Inicialmente, esses dispositivos foram
utilizados em aplicaes onde o custo e o tamanho reduzido eram mais importantes que
o alto desempenho, aplicaes de baixo-nvel (Low-end Applications). No entanto,
devido aos recentes avanos da tecnologia, principalmente nos processos de
microfabricao e nas tcnicas de controle, os sensores inerciais MEMS esto atuando
em novas reas de aplicaes como aeroespacial e defesa, que eram tradicionalmente
coberta apenas por macrossensores, aplicaes de alto-nvel (High-end Applications),
(Jean-Michel, 2006) e (Walter, 2011).
Estes microssensores inerciais esto sendo empregados em aplicaes nos mais
diferentes setores. Na rea de entretenimento esses dispositivos vm sendo utilizados,
por exemplo, no controle remoto do videogame Nintendo Wii para simulao de jogos
de tnis, golfe, boxe e etc. Assim como em telefones inteligentes como iPhone, onde
detectam a orientao do telefone com relao a gravidade da terra e mudam a
orientao da tela. E tambm em cmeras fotogrficas, filmadoras e celulares para
estabilizao de imagens e em fones de ouvido de realidade virtual, entre muitos outros
(Liu, 2010).
Na rea de tecnologia da informao e informtica esses dispositivos so
utilizados para proteo do disco rgido, HD (Hard-Disk), contra choques mecnicos e
mais recentemente, no desenvolvimento de novas tecnologias para dispositivos de
entrada e sada de dados baseados em movimentos do corpo humano. Na rea da sade

29
esses dispositivos so utilizados para monitoramento de atividades fsicas,
monitoramento cardaco e na deteco de variveis de distrbio do sono (Morillo et al.,
2010). Assim como, em instrumentos cirrgicos e em prteses artificiais, (Mamizuka et.
al., 2007) e (Morillo et al., 2007).
Na rea automotiva esses dispositivos so empregados em sistemas de air-bags,
em sistemas de frenagem ABS (Anti-Blockier System, em alemo) e na suspenso ativa.
Na indstria em geral, so empregados no monitoramento de mquinas e equipamentos
como parte de rotinas de manuteno preditivas e preventivas, no controle de mquinas,
em montagens robotizadas, em pesquisas ssmicas e na explorao de petrleo em alto-
mar, que necessita da compensao dos movimentos causados pelas correntes das mars
(Eddy e Sparks, 1998).
A maioria das aplicaes desses dispositivos citadas s so possveis devido a
caractersticas de baixo consumo de potncia, tamanho reduzido e baixo custo. Contudo,
uma outra faixa de aplicaes composta por aquelas que necessitam de dispositivos de
alto desempenho, como o caso de aplicaes militares, tcticas e aeroespaciais,
aplicaes de alto-nvel.
Nessas aplicaes de alto-nvel os sensores convencionais baseados em fibra-
ptica e laser so utilizados. Porm, os avanos nas tecnologias de microssensores
inerciais tm possibilitado um aumento significativo no desempenho desses
dispositivos, o que aliado com suas vantagens inerentes, vm abrindo novas fronteiras
de aplicaes (Jean-Michel, 2006).
Nas aplicaes militares, os microssensores inerciais j so utilizados em avies,
helicpteros, embarcaes martimas, em veculos areos no-tripulados (VANT) e na
guiagem de msseis. Em aplicaes aeroespaciais so utilizados na monitorao de
vibraes de estruturas aeroespaciais, em espaonaves e satlites. Nesse ltimo,

30
destacam-se as novas geraes de pequenos satlites: nanossatlites (1,0 - 10,0 kg),
picossatlites (0,1 - 1,0 kg) e os ainda conceituais femtossatlites (< 0,1 kg), onde o uso
dos microssensores inerciais fundamental, (Osiander et. al., 2005) e (Tang e Lee,
2011).
Os microacelermetros so baseados no princpio fundamental da dinmica, ou
seja, na segunda lei do movimento de Newton, que afirma que " a fora resultante sobre
uma partcula igual a razo do tempo de mudana de seu momento linear com
relao a um sistema referencial inercial ". Considerando a massa da partcula
constante, a fora resultante igual ao produto da massa da partcula pela sua
acelerao.
Tendo esse princpio em mente, pode-se imaginar um microacelermetro
considerando uma microestrutura (com uma determinada massa) suspensa por uma viga
(com uma determinada rigidez mecnica) em posio inicial, nesse caso a fora
exercida sobre massa da microestrutura por uma acelerao de entrada resultar em um
deslocamento da mesma, com relao a sua posio inicial. Portanto, a medida do
deslocamento relativo da massa da microestrutura ser proporcional a acelerao de
entrada.
O deslocamento relativo da massa pode ser medido de vrias maneiras
diferentes, onde o princpio fsico utilizado para medir esse deslocamento fornece o
nome do dispositivo. Portanto, o microacelermetro capacitivo mede o deslocamento
relativo da massa por meio da capacitncia, e assim por diante. Entres os vrios modelos
citados na literatura destacam-se os microacelermetros: Piezo-eltrico (Scheeper et. al.,
1996), Piezo-resistivo (Suminto, 1991), Eletromagntico (Abbaspour et al., 1995),
Trmico (Hiratsuka et al., 1991), ptico (Bhola e Steier, 2007), Tunelamento (Lui et al.
1998), Efeito Hall (Korhonen, 1991), assim como o Capacitivo (Senturia, 2001).

31
A comparao entre as caractersticas dos diferentes tipos de acelermetro pode
ser feita por meio de suas principais especificaes, as quais definem o desempenho do
dispositivo. As principais especificaes de um acelermetro so: funo de
transferncia, sensibilidade, tempo de reposta, rudo, resoluo, resistncia a choques
mecnicos, faixa dinmica, no-linearidade, preciso, seletividade, estabilidade,
histerese, faixa de frequncia (largura de banda), repetibilidade, consumo de potncia,
confiabilidade e custo. As aplicaes dos dispositivos esto intrinsecamente ligadas a
essas especificaes (Kaajakari, 2009).
Entre os vrios tipos de microacelermetros existentes, os capacitivos tornaram-
se os mais atrativos devido a simplicidade de sua estrutura, alta sensibilidade, baixo
rudo, baixo consumo de potncia, assim como sua grande faixa de frequncia (Lui et
al., 2007). Existem dois tipos principais de microacelermetros capacitivos baseados em
silcio: o fabricado em superfcie (Surface-Micromachining) tambm conhecido como
acelermetro Comb-drive, e o fabricado em substrato (Bulk-Micromachining). O
processo de fabricao em superfcie constri a estrutura por meio dos processos de
deposio e corroso de diferentes camadas estruturais na superfcie da lmina de
silcio. J o processo de fabricao em substrato a estrutura obtido por meio da
corroso seletiva da prpria lmina de silcio (Gad-el-Hak, 2006c).
A vantagem de fabricar acelermetros utilizando a microusinagem de substrato
a possibilidade de obter grandes massas, o que aumenta a sensibilidade e a rea
superficial, resultando em capacitncias maiores e por consequncia um circuito de
condicionamento de sinal mais simples. A desvantagem o aumento do tamanho final
do dispositivo e a incompatibilidade com o processo de fabricao de circuitos CMOS
(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) (French e Sarro, 1998). Mais

32
recentemente microacelermetros fabricados utilizando uma combinao das duas
tcnicas foram divulgados (Yazdi e Najafi, 2000).
1.1 Modelagem e Simulao de Microssistemas Eletromecnicos
Os sistemas eletromecnicos podem ser subdivididos utilizando uma definio
escalar em trs grupos: macrossistemas, microssistemas e nanossistemas. Do ponto vista
de modelagem fsica a subdiviso escalar tem dois desdobramentos: os macrossistemas
e microssistemas onde a modelagem feita aplicando as teorias da fsica clssica e os
nanossistemas, onde os modelos so obtidos pelas teorias da fsica quntica. Portanto,
os efeitos desprezveis em uma escala podem ser muito importantes em outra escala e
vice-versa.
A modelagem e simulao de microssistemas eletromecnicos podem se tornar
tarefas extremamente complexas dado que estes sistemas so inerentemente
multifsicos, ou seja, existem pelo menos dois domnios fsicos envolvidos. Esses
domnios fsicos interagem entre si e influenciam uns aos outros tornando a resoluo
do problema mais difcil. No entanto, os crescentes avanos nas ferramentas
computacionais de simulao dos processos de microfabricao e de anlises
multifsicas tm possibilitado a construo virtual desses sistemas e a predio de seu
comportamento, respectivamente, permitindo a criao de novos dispositivos e a
otimizao do desempenho de dispositivos j existentes.
Para analisar todas as possibilidades de simulao desses sistemas Senturia
(2001) props um modelo de multicamadas para representar os diferentes nveis de
modelagem e de simulao. O modelo proposto por Senturia composto por quatro
nveis, mais recentemente, o modelo foi ampliado para cinco nveis, como representado
na Figura 1-1 (Chollet e Liu, 2011).

33

Figura 1-1 - Modelo de multicamadas com cinco nveis, adaptado de Chollet e Liu (2011).

O modelo de multicamadas proposto, Figura 1-1, mostra que a modelagem e
simulao de microssistemas eletromecnicos podem ser divididas em cinco nveis
distintos: nvel de sistema, nvel de componente ou subsistema, nvel fsico, nvel de
processo e nvel de material. Os vrios nveis esto intrinsecamente ligados entre si,
simbolizando a troca iterativa de informao. A seguir tem-se uma descrio de cada
um desses nveis assim como de suas principais tcnicas de anlise:

- Nvel de material: Na base de sustentao dos modelos esto os materiais que
so utilizados. Esses materiais so escolhidos de acordo com suas propriedades fsicas e
qumicas para determinado processo de microfabricao e/ou de acordo com sua
aplicao.

- Nvel de processo: Nesse nvel criado a sequncia do processo de
microfabricao juntamente com o projeto de mscaras, onde so definidas as primeiras

34
geometrias do dispositivo. Para simular nesse nvel, geralmente, so utilizadas
ferramentas de Tecnologia de Desenho Assistido por Computador, TCAD (Technology
Computer-Aided-Design).

- Nvel fsico: Modela o comportamento do dispositivo real em trs dimenses,
tambm conhecido com modelagem 3D. As equaes que governam essas simulaes
so tipicamente Equaes Diferenciais Parciais (EDPs). Vrios mtodos analticos
podem ser utilizados para encontrar solues de formas fechadas para geometrias ideais,
mas a modelagem do componente real normalmente necessita do uso de solues
aproximadas para EDPs ou de mtodos de solues numricos como, por exemplo:
Mtodo dos Elementos Finitos, FEM (Finite element Method), Mtodo de Elementos de
Contorno, BEM (Boundary element method), Mtodo das Diferenas Finitas, FDM
(Finite-difference method) e Mtodo dos Volumes Finitos, FVM (Finite volume
method). Dependendo da complexidade do sistema modelado so utilizados dois, ou
mais, mtodos simultaneamente.

- Nvel de componente: Nesse nvel cada componente do sistema, ou subsistema,
modelado e simulado separadamente, para isso so utilizados tcnicas de macro-
modelos ou modelos de ordem reduzidas, como forma de capturar o comportamento
fsico essencial do componente do sistema.

- Nvel de sistema: Nesse nvel a modelagem e simulao so feitas
considerando todos os elementos do sistema como, por exemplo, o elemento sensor e a
eletrnica de condicionamento de sinal. Para isso, utilizam-se equaes diferenciais

35
ordinrias (EDOs), equaes de espao-estado, diagrama de blocos ou circuitos
equivalentes.
Por avaliar o sistema com um todo a modelagem e a simulao em nvel de
sistema so recursos de grande potencial, fornecendo um suporte abrangente das etapas
de projeto e de otimizao de microssistemas eletromecnicos, cobrindo uma gama que
vai desde a fase de especificao at a fase de implementao (Shafique et al., 2011).
Schneider et. al. (2010) props uma abordagem metodolgica de modelagem em
nvel de sistema que visa a formulao sistemtica dos modelos para sistemas
multifsicos. Essa abordagem composta por trs nveis: anlise e particionamento dos
microssistemas em subsistemas, mapeamento dos subsistemas para uma representao
matemtica unificada por meio de equaes, assim como, a abstrao dos modelos.
A obteno do modelo matemtico de microssistemas tambm pode ser dividida
em trs categorias: caixa-branca, caixa-cinza e caixa-preta. Na modelagem caixa-
branca, tambm conhecida como modelagem fsica, necessrio o conhecimento
detalhado do sistema por meio das relaes matemticas que descrevem os fenmenos
envolvidos. A modelagem caixa-cinza utiliza tanto informaes experimentais quanto
informaes auxiliares sobre o dispositivo. J a modelagem caixa-preta utiliza apenas
dados experimentais relacionando matematicamente a entrada e a sada para identificar
o modelo. No desenvolvimento de microssistemas a modelagem do tipo caixa-preta no
muito empregada, pois o custo de prototipagem bem alto devido ao grande nmero
de equipamentos de alta tecnologia empregados.

36
1.2 Objetivo do Trabalho
Os objetivos propostos nesse trabalho so: usar as teorias da fsica clssica para
realizar a modelagem matemtica analtica de um microacelermetro capacitivo;
simular os modelos matemticos obtidos no intuito de identificar os comportamentos
esttico e dinmico do dispositivo; relacionar os resultados obtidos nas simulaes com
as principais especificaes de um microacelermetro; realizar a modelagem e a
simulao do microacelermetro utilizando mtodo numrico; e por fim, validar os
resultados obtidos analiticamente com os resultados obtidos numericamente.
1.3 Motivao do Trabalho
Com o visto anteriormente, os microacelermetros possuem inmeras aplicaes
e entre elas aplicaes de alto-nvel como caso das reas aeroespacial e defesa,
contudo, os dispositivos disponveis no mercado internacional no atendem as
especificaes necessrias para tais aplicaes. Nesse contexto, a FINEP (Financiadora
de Estudos e Projetos) aprovou um projeto denominado ACELERAD (Acelermetros
de Alto Desempenho), para o desenvolvimento de microacelermetros no Brasil para
aplicaes em sistemas aeroespaciais.
A motivao desse trabalho fornecer suporte tcnico-cientfico ao projeto
ACELERAD por meio da obteno de modelos matemticos que representem de forma
satisfatria o comportamento fsico do microacelermetro, e dessa forma possam ser
utilizados futuramente na otimizao da estrutura em busca das especificaes
necessrias para essas aplicaes.

37
1.4 Metodologia Utilizada no Trabalho
Para atingir os objetivos propostos seguiu-se a seguinte metodologia: realizou-se
uma anlise das principais consequncias do processo de microfabricao em substrato
na geometria do microacelermetro. Os elementos fsicos que compe o dispositivo
foram identificados e classificados utilizando a descrio generalizada de suas
funcionalidades. As simulaes do modelo analtico foram feitas utilizando o programa
Matlab/Simulink. A geometria da estrutura foi desenhada utilizando a ferramenta de
CAD 3D (Computer-Aided Design) SolidWorks. A simulao numrica do
microacelermetro foi feita utilizando o programa COMSOL Multiphysics.
1.5 Organizao do Trabalho
O trabalho est organizado da seguinte forma: O captulo 2 apresenta a descrio
do princpio de funcionamento do microacelermetro capacitivo fabricado em substrato,
e a identificao dos elementos funcionais por meio da descrio generalizada, assim
como, a modelagem esttica analtica. A modelagem dinmica analtica apresentada
no captulo 3, enquanto o captulo 4 apresenta a anlise da faixa dinmica do
dispositivo. No captulo 5 analisa-se o dispositivo utilizando mtodos numricos, assim
como, a comparao dos principais resultados com os resultados obtidos pelo mtodo
analtico. Por fim, o captulo 6 apresenta a concluso do trabalho.

38
2 MODELAGEM ESTTICA
O dispositivo a ser modelado um microacelermetro capacitivo diferencial de
silcio desenvolvido utilizando a tcnica de fabricao em substrato. Esse dispositivo
consiste em trs lminas de silcio dispostas paralelamente (lmina 1, 2 e 3), separadas
por um espaamento (gap), configurando assim dois capacitores de placas paralelas
(Figura 2-1 (b)). A lmina central (lmina 2) contm uma massa ssmica suspensa por
quatro vigas dispostas simetricamente, como ilustrado na Figura 2-1(a).

Figura 2-1- (a) Vista planar da lmina central e (b) Vista da seco transversal da estrutura aps o
processo de fabricao.

Quando submetido a uma acelerao externa vertical, a massa ssmica desloca-se
verticalmente, exercendo a funo de um eletrodo mvel comum aos dois capacitores.
As dimenses dos parmetros de projeto do dispositivo representadas nas Figura 2-1(a)
e 2-1(b) esto descritas na Tabela 2-1. Os valores das dimenses dos parmetros de
projeto do dispositivo foram obtidos dos relatrios tcnicos de microfabricao do
projeto ACELERAD.

39
Tabela 2-1 Dimenses dos parmetros de projeto do dispositivo.
Smbolo Descrio Valor [m]
W
m
Largura da massa ssmica 2.000,0
L
m
Comprimento da massa ssmica 2.000,0
T
m
Espessura da massa ssmica 380,0
w
b
Largura da viga 177,0
l
b
Comprimento da viga 3.000,0
t
b
Espessura da viga 55,0
h
o
Espaamento vertical (gap) 5,0

As lminas de silcio monocristalino, com orientao cristalogrfica (100),
utilizadas na fabricao so degeneradas (altamente dopadas), o que reduz
drasticamente as suas resistividades fazendo com que o material que um semicondutor
passe a comportar-se eletricamente como um metal (Madou, 1998). Em resumo, o
processo de fabricao consiste numa sequncia de etapas de deposio de filmesfinos,
litografia dupla-face, corroso mida simultnea e colagem das lminas.
O processo de corroso mida feito utilizando uma soluo aquosa de
hidrxido de potssio (KOH). Uma das principais caractersticas desse processo
corroer o silcio monocristalino de forma anisotrpica, ou seja, com diferentes taxas de
corroso entre os diferentes planos cristalogrficos do material (Dziuban, 2006). Como
consequncia, aps o processo de fabricao tanto a massa ssmica quanto as vigas do
dispositivo apresentam reas de suas seco transversal com perfil hexagonal irregular,
como ilustrado na Figura 2-1(b). Os planos cristalogrficos nas partes superior e inferior
da massa ssmica so (100) e em suas bordas so (111), j os planos nas bordas das
vigas so (411) e em suas partes superior e inferior tambm so (100).

40
Para facilitar a compreenso do princpio de funcionamento do
microacelermetro apresentado e sua modelagem, os seus elementos fsicos foram
identificados de acordo com suas funcionalidades utilizando a metodologia de descrio
generalizada, apresentada em Doebelin (2004). Na Figura 2-2 tem-se a descrio
generalizada dos elementos funcionais do microacelermetro.

Meio fsico
Conversor de
Varivel
Elemento Sensor
Primrio
Elemento Sensor
Secundrio
Conversor de
Varivel
Conversor de
Varivel
Trasmissor de
Dados
Conversor de
Varivel
Manipulador de
Varivel
Movimento
acelerao fora deslocamento
deslocamento
diferena de
capacitncia
diferena de
capacitncia
tenso
Massa ssmica
Fios ASIC
Capacitores
Vigas engastadas
Sensor de Acelerao Elstico
Sensor de Deslocamento Capacitivo Diferencial
Condicionamento de Sinal

Figura 2-2-Descrio generalizada do microacelermetro em termos de elementos funcionais.

A descrio apresentada na Figura 2-2 permite a identificao dos elementos
fsicos do microacelermetro e suas respectivas funcionalidades. Primeiro a acelerao
de entrada convertida pela massa ssmica em uma fora inercial, essa por sua vez,
sentida pelas vigas mecnicas que a converte em um deslocamento da massa ssmica na
sada. Esse conjunto de elementos fsicos, em uma viso mais ampla, configura um
sensor de acelerao elstico.
Em seguida, o deslocamento da massa ssmica sentido pelos capacitores
superior e inferior que o converte em uma diferena de capacitncia na sada. Esse
mdulo o sensor de deslocamento capacitivo diferencial. Os fios metlicos so

41
utilizados como um transmissor de dados fazendo a conexo entre o dispositivo e o
ASIC, (Application-specific Integrated Circuit) que por sua vez, realiza a converso e o
condicionamento de sinal gerando uma tenso eltrica de sada.
Aps o levantamento das principais influncias do processo de microfabricao
sobre o dispositivo, tendo compreendido completamente seu princpio de operao,
assim como, a funcionalidade de seus elementos fsicos, pode-se iniciar sua modelagem
e simulao. Nas prximas sees apresentada a modelagem esttica do
microacelermetro. Para isso, foi utilizada a diviso descrita no diagrama generalizado
de elementos funcionais sendo que primeiro foi realizada a modelagem do elemento
sensor elstico e em seguida a do elemento sensor capacitivo. Por fim, os principais
resultados obtidos so discutidos.
2.1 Massa Ssmica
Devido ao processo de corroso mida anisotrpica do silcio a massa do
microacelermetro composta de duas pirmides truncadas de base quadrangular, como
est ilustrado na Figura 2-3.

Figura 2-3 - Descrio generalizada do microacelermetro em termos de elementos funcionais.

42
A massa do corpo da Figura 2-3 pode ser determinada por meio do produto da
densidade do material que o compe pelo seu volume (Stewart, 2010), como expresso
na Equao (2.1):

(2.1)

onde M
s
a massa ssmica, dada em [kg],
Si
a densidade do silcio que em
temperatura ambiente igual a 2.230,0kg/m
3
(Hull, 1999), e dV
m
volume
infinitesimal, dado em [m
3
]. Utilizando a simetria existente na massa ssmica,
representada na Figura 2-3, possvel calcular inicialmente apenas 1/8 do volume como
ilustrado na Figura 2-4, representada nos eixos cartesianos com origem no centro
geomtrico do corpo:

Figura 2-4 - Representao de 1/8 da massa ssmica.

43

Figura 2-5 - Representao de 1/8 de massa no plano y-z.

Logo, a massa do corpo representada na Figura 2-4 pode ser determinada por:

(2.2)

Analisando apenas o plano y-z, ilustrado na Figura 2-5, verifica-se que o comprimento
em y pode ser obtido pela diferena entre o comprimento total e sua variao em funo
de z:

(2.3)

onde W
m1
a largura medida no centro da massa, W
m2
a largura medida no topo da
massa (W
m
) e T
m
a espessura total da massa inercial. O mesmo tipo de anlise pode ser
feito com relao ao eixo x, o que permite calcular a massa por:

44

(2.4)

Resolvendo a Equao (2.4), a massa ssmica dada por:

(2.5)

Por intermdio da Equao (2.5) possvel verificar que se W
m1
= W
m2
a
equao torna-se padro para o clculo da massa de um cubo homogneo.
O ngulo entre os planos cristalogrficos na parte superior da massa (100) e nas
bordas da massa (111) pode ser calculado por (Dziuban, 2006):

(2.6)

onde h
1
, k
1
e l
1
so os ndices de Miller do plano cristalogrfico 1 e h
2
, k
2
e l
2
so os
ndices de Miller do plano cristalogrfico 2. Na Equao (2.6) verifica-se que o ngulo
entre os planos (100) e (111) de 54,74e que cos = 1/3 . Logo, a partir de relaes
trigonomtricas simples possvel demonstrar que:

(2.7)

45
Substituindo a equao (2.7) em (2.5) possvel calcular a massa apenas em funo das
variveis de projeto: largura da parte superior da massa W
m2
(definida pela mscara) e
espessura da massa T
m
(definida pela espessura da lmina):

(2.8)

O primeiro termo da Equao (2.8) corresponde ao volume do cubo principal, o
segundo termo o volume dos quatro prismas triangulares que esto na lateral do cubo
principal e o terceiro termo o volume de dezesseis pirmides triangulares oblquas que
compe os cantos.
2.2 Rigidez Mecnica
Primeiramente analisado o caso para pequenas deformaes, em seguida esse
modelo estendido para grandes deformaes:
2.2.1 Pequenas deformaes
A rigidez mecnica do microacelermetro pode ser determinada utilizando uma
analogia com duas vigas engastadas nas duas extremidades, conhecida como viga
biengastada (Senturia, 2001). Considerando uma viga biengastada com comprimento
total 2l
b
no plano z-x, como ilustrado na Figura. 2-6, a seguir:

46

Figura 2-6 - Viga engastada nas duas extremidades a e b com comprimento total 2l
b
.

Quando essa viga submetida a uma carga F
z
no centro so geradas duas foras
de reaes R
a
e R
b
nos pontos de engastamento a e b, respectivamente
,
assim como os
momentos fletores M
a
e M
b
, ilustrados no diagrama da Figura 2-7,

Figura 2-7 - Viga biengastada submetida a uma carga concentrada no centro.

Devido simetria existente no diagrama anterior conclu-se que: os momentos
fletores nas duas extremidades so iguais, M
a
= M
b
, e as foras de reaes nas duas
extremidades tambm so iguais, R
a
= R
b
, com seu valor absoluto dado por R
a
= R
b
= F
z
/2. Analisando apenas a metade do lado direito da viga sua deformao z(x) pode ser
obtida pela equao de Euler-Bernoulli para uma carga concentrada (Gere e
Timoshenko, 1984):

47

(2.9)

onde E(x) e I(x) so o mdulo de Young e o momento de inrcia de rea,
respectivamente e P(x) a carga distribuda. Considerando que a carga distribuda
nula, P(x) = 0, o material homogneo e que possu momento de inrcia de rea
constante ao longo do comprimento da viga, ou seja, E(x) = E e I(x) = I, tem-se que:

(2.10)

Integrando quatro vezes a Equao (2.10), tem-se que:

(2.11)

(2.12)

(2.13)

(2.14)

48
As condies de contornos so: a fora de cisalhamento expressa na Equao
(2.11), nessa metade da viga, igual a R
a
, logo C
1
= F
z
/2, e o momento fletor
expresso na Equao (2.12), no ponto x = 0 igual a M
a
, logo C
2
= M
a
. As duas
condies de contornos do coeficiente angular, Equao (2.13), so dz(x)/dx=0 quando
x = 0 e quando x = l
b
, logo C
3
= 0 e M
a
= F
z
l
b
/4. Por fim, para a condio em que a
deformao z(x=0) = 0, C
4
= 0. Substituindo as constantes de integrao C
1
, C
2
, C
3
e
C
4
na Equao (2.14), tem-se que:

(2.15)

Rearranjando a Equao (2.15), tem-se a equao para deformao da viga em funo
da posio x:

(2.16)

onde seu domnio dado pelo seguinte intervalo,

(2.17)

A deformao mxima da viga o obtida fazendo z(x=l
b
) = z, tem-se que:

(2.18)

49
Portanto, a rigidez mecnica k
zx
para o plano z-x dada por:

(2.19)

O mesmo resultado obtido analisando a outra viga biengastada do plano z-y. A
rigidez mecnica equivalente calculada considerando que a viga do plano z-x,
analisada anteriormente, est em paralelo com a viga do plano z-y, logo a rigidez
equivalente dada por (Rao, 2003):

(2.20)

Substituindo as constantes na Equao (2.20), tem-se

(2.21)

Logo, a rigidez mecnica equivalente do sistema dada por:

(2.22)

50
2.2.2 Grandes deformaes
Para grandes deformaes, desenvolve-se dentro das vigas uma fora axial N
longitudinal resultando em uma relao no-linear entre a fora aplicada F
z
e a
deformao z(x). Como pode ser observado no diagrama da Figura 2-8, essa no-
linearidade proporciona um aumento significativo na rigidez da viga com aumento da
deformao.

Figura 2-8 - Viga biengastada submetida a uma carga concentrada no centro, gerando grandes
deformaes.

A equao de Euler-Bernoulli para uma viga com a presena de foras
longitudinais dada por (Frish-Fay, 1962):

(2.23)

Considerando apenas a metade direita da viga e escrevendo a Equao (2.23) em termos
de momentos fletores, tem-se (Kampen e Wolffenbutell, 1998):

51

(2.24)

A soluo da Equao (2.24) dada por:

(2.25)

onde

(2.26)

e seu domnio dado pelo intervalo:

(2.27)

Aplicando as condies de contornos: z(x=l
b
) = z e dz(x=l
b
)/dx = 0, o seguinte resultado
obtido:

(2.28)

e
(2.29)

52

Substituindo as Equaes (2.28) e (2.29) na Equao (2.25), tem-se a deformaoda
viga em funo de x dado por:

(2.30)

Sabendo que R
a
= F
z
/2, isolando z
m
na Equao (2.28), substituindo na Equao (2.30) e
fazendo z(x=l
b
) = z(u), tem-se a deformao mxima da viga em funo da varivel u:

(2.31)

onde

(2.32)

Quando a fora axial N nula, implica-se que = 0 e u = 0, logo:

(2.33)

O que exatamente o mesmo resultado obtido na anlise de pequenas deformaes.
Caso contrrio, com uma fora axial N no-nula, seu valor pode ser determinada por:

53

(2.34)

onde A
b
a rea da seco transversal da viga e l
b
a mudana no comprimento
original da viga devido sua expanso longitudinal, e dado por:

(2.35)

Logo, a fora axial N dada por:

(2.36)

Obtendo a primeira derivada da Equao (2.25), elevando ao quadrado e substituindo
na Equao (2.36), tem-se que:

(2.37)

Substituindo a Equao (2.26) na Equao (2.32), o resultado na Equao (2.37) e
isolando a carga F
z
, tem-se que:

54

(2.38)

Comparando a Equao (2.38) com a Equao (2.31), tem-se que a deformao no
centro da viga dada por:

(2.39)

O comportamento da rigidez mecnica de uma viga biengastada para grandes
deformaes obtido fornecendo valores da fora F
z
na Equao (2.38), calculando o
valor da varivel u correspondente e substituindo na Equao (2.39) (Legtenberg 1996).
2.2.2.1 Mdulo de Young
Um material linear e anisotrpico como o silcio tem suas propriedades
mecnicas, tais como o mdulo de Young e a razo de Poisson, dependentes da direo
cristalogrfica, (Branteley, 1972) e (Hopcroft et al., 2010).
Para considerar a anisotropia de alguns materiais necessita-se utilizar o
formalismo da mecnica tensorial. A relao mais geral entre tenso e deformao
dada pela lei de Hooke que pode ser expressa de duas formas, (Senturia, 2001) e (Gad-
el-Hak, 2006a):

(2.40)

e

55

(2.41)

onde
ij
e
kl
so tensores de tenso de segunda ordem dados em [N/m
2
],
kl
e
ij
so
tensores de deformao de segunda ordem, ambos adimensionais, C
ijkl
o tensor de
coeficientes de rigidez de quarta ordem, dado em [N/m
2
] e S
ijkl
o tensor de coeficientes
de flexibilidade de quarta ordem, dado em [N/m
2
]. Representando na forma matricial
tem-se que:
(2.42)

e

(2.43)

onde as componentes dos tensores C
ijkl
e S
ijkl

so representadas por elementos das
matrizes C
mn
e S
mn
, respectivamente. Os ndices ij so representados por m e os ndices
kl so representados por n. Para utilizar essas notaes simplificadas o seguinte
esquema foi aplicado:

11 1, 22 2, 33 3, 23 e 32 4, 13 e 31 5, 12 e 21 6;
C
ijkl
C
mn
e S
ijkl
S
mn
quando m e n = 1, 2, 3;

2S
ijkl
S
mn
quando m ou n = 4, 5, 6;

4S
ijkl
S
mn
quando m e n = 4, 5, 6;

ij

m
quando m = 1, 2, 3; e
kl

m
quando m = 4, 5, 6;

56

Logo, pode-se expandir as Equaes (2.42) e (2.43) como:

(2.44)

e

(2.45)

Os seis elementos independentes de tenso e deformao so normalmente
escritos em um sistema de coordenadas que tem seus eixos coincidindo com eixos de
simetria do material, e so organizados em vetores colunas, como pode ser observado a
seguir:

(2.46)

e

57

(2.47)

onde os valores de ndices 4, 5 e 6 correspondem a tenso de cisalhamento e a
deformao de cisalhamento .
As matrizes C
mn
e S
mn
so compostas por 36 elementos cada, porm, pode-se
mostrar que elas so simtricas, ou seja, C
mn
= C
nm
e S
mn
= S
nm
(Gad-el-Hak, 2006a), de
forma que qualquer material possa ser representado por, no mximo, 21,0 elementos
independentes.
As matrizes de coeficientes de rigidez e de coeficientes de flexibilidade para um
cristal com clula unitria cbica com vetor de tenso orientado ao longo do eixo [100]
so dadas por, (Wortaman e Evans 1965) e (Senturia, 2001):

(2.48)

e

(2.49)

58
onde C
11
= C
22
= C
23
, C
12
= C
21
= C
23
= C
32
= C
13
= C
31
e C
44
= C
55
= C
66
.
Analogamente S
11
= S
22
= S
23
, S
12
= S
21
= S
23
= S
32
= S
13
= S
31

e S
44
= S
55
= S
66
, logo:

(2.50)

e

(2.51)

Para o silcio monocristalino os valores dos coeficientes so dados na Tabela 2-2
(Brantley, 1972).

Tabela 2-2 Coeficientes das matrizes de rigidez e de flexibilidade para o silcio monocristalino.
C
11
C
12
C
44
S
11
S
12
S
44

165,7 63,9 79,56 7,68 -2,14 12,6

O mdulo de Young para uma direo cristalogrfica arbitraria l
[hkl]
dado por
(Brantley, 1972) e (Hopcroft et al., 2010):

59

(2.52)

onde

(2.53)

(2.54)

(2.55)

e , , so os ngulos entre as componentes da direo de interesse l
[hkl]
e os eixos x, y
e z, respectivamente, orientados na direo [100].
A razo de Poisson para um cristal cbico anisotrpico tambm varia com a
orientao. Se o cristal sofre uma tenso longitudinal na direo l
[hkl]
(definida
anteriormente) e uma deformao longitudinal transversal numa direo ortogonal m
[hkl]

a razo de Poisson dada por (Brantley, 1972):

(2.56)

onde

(2.57)

60

(2.58)

(2.59)

e , , so os ngulos entre as componentes da direo m
[hkl]
(ortogonal l
[hkl]
) e os
eixos x, y e z, respectivamente, orientados na direo [100].
O substrato de silcio com orientao cristalogrfica (100) tem o flat orientado
na direo cristalogrfica [110], com isso qualquer estrutura fabricada sobre essa lmina
que tenha orientao paralela ou perpendicular ao flat est orientada na mesma direo.
Como duas das quatro vigas do microacelermetro esto orientadas em paralelo com o
flat da lmina e as outras duas so perpendiculares ao flat, conclui-se que todas as vigas
esto orientadas na direo [110].
Substituindo a direo [110] nas Equaes (2.52) e (2.56) tem-se o mdulo de
Young de 168,9GPa e a razo de Poisson de 0,0642, respectivamente.
2.2.2.2 Influncia da razo de Poisson no mdulo de Young
A soluo elementar utilizada na obteno da rigidez mecnica da viga
baseada em um modelo unidimensional, assumindo que a viga est submetida a uma
nica tenso axial na direo x (Gere e Timoshenko, 1984). Entretanto, o problema real
intrinsecamente tridimensional, ou seja, quando ocorre um alongamento longitudinal
da viga na direo x, ela acompanhada de uma contrao lateral e de uma curvatura
ambos na direo y, conhecido como efeito anticlastic. Esses efeitos esto relacionados
com a deflexo principal da viga por meio da razo de Poisson (Kaldor e Noyan, 2005).
Na soluo utilizada considerado que a viga tem uma largura w
b
reduzida em
comparao com seu comprimento l
b
, portanto, a tenso mecnica e seus efeitos nessa

61
direo podem ser desconsiderados. Quando a largura da viga passa a ser considervel
em relao ao seu comprimento, os efeitos laterais geram um aumento no mdulo de
Young. Esse aumento pode ser obtido pela seguinte relao (Kampen e Wolffenbutell,
1998):

(2.60)

onde
(wb/lb)
um coeficiente de ajuste que
(lb>>wb)
= 0 para uma viga estreita e
(wb=lb)
= 1/ (1-v
2
[hkl]
) para uma viga larga, nesse caso, o mdulo de Young chamado mdulo
de elasticidade de uma placa (McShane e Boutchich, 2006).
Na direo [110], o mdulo de Young E
[110]
= 168,9GPa e a razo de Poisson
[110]
= 0,0625, considerando o pior caso (w
b
= l
b
), o erro no mdulo de Young de uma
placa devido a razo de Poisson de 0,4%, o que praticamente desprezvel. Porm, em
outras direes como, por exemplo [100], o erro pode chegar a aproximadamente
10,0%.
2.2.2.3 Momento de inrcia de rea
O momento de inrcia de rea, ou apenas, momento de inrcia, da seco
transversal de uma viga, em relao a um eixo que passe pelo seu centro de gravidade,
mede a sua rigidez, ou seja, a sua resistncia flexo em relao a esse eixo (Gere e
Timoshenko, 1984).
As vigas do microacelermetro apresentam uma seco transversal hexagonal,
como representado na Figura 2-9.

62

Figura 2-9 - Formato de uma das vigas do microacelermetro aps a corroso mida.

A rea da seco transversal da viga, representada na Figura 2-9, pode ser
decomposta em figuras simples, 4,0 tringulos retngulos e 4,0 retngulos,
possibilitando o clculo dos seus momentos de inrcia separadamente.
A Figura 2-10 mostra um dos quatro tringulos retngulos no eixo z-y.

Figura 2-10 - Tringulo retngulo representado no plano z-y.

63
O momento de inrcia do tringulo retngulo em relao ao eixo y dado por:

(2.61)

logo,

(2.62)

onde A
t1
rea do tringulo retngulo 1. Observando a Figura 2-10, as seguintes
relaes podem ser verificadas:

(2.63)

e

(2.64)

Substituindo as Equaes (2.63) e (2.64) na Equao (2.62), tem-se que:

(2.65)

derivando a Equao (2.64) em relao a y,

64

(2.66)

Substituindo a Equao (2.66) na Equao (2.65) e adotando os intervalos de integrao
definidos como:

(2.67)

e

(2.68)

obtm se:

(2.69)

resolvendo a Equao (2.69) tem-se o momento de inrcia para o tringulo retngulo
representado na Figura 2-10,

(2.70)

O momento de inrcia do retngulo, representado na Figura 2-11, pode ser
determinado da mesma forma.

65

Figura 2-11 - Retngulo representado no plano y-z.

A partir da Figura 2-11 verifica-se a seguinte relao:

(2.71)

onde A
r1
a rea do retngulo 1. Substituindo a Equao (2.71) na Equao (2.62) e
com intervalos de integrao dados por:

(2.72)

e

(2.73)

tem-se:

66

(2.74)

Resolvendo a Equao (2.74) tem-se o momento de inrcia para o retngulo
representado na Figura 2-11,

(2.75)

Nestas condies o momento de inrcia total da viga pode ser obtido pela soma
algbrica dos momentos de inrcia de cada figura que constituem a rea da seco
transversal da viga com relao ao eixo y (Gere e Timoshenko, 1984),

(2.76)

Substituindo as Equaes (2.70) e (2.75) na Equao (2.76), tem-se:

(2.77)

resolvendo a Equao (2.77), tem-se o momento de inrcia da viga:

(2.78)

67
Por intermdio da Equao (2.78) possvel verificar que se w
b1
= w
b2
a equao
torna-se a equao padro para o clculo do momento de inrcia de uma viga com
seco transversal retangular.
O ngulo entre os planos cristalogrficos na parte superior da viga (100) e nas
bordas da viga (411), obtido diretamente pela Equao (2-6), igual a 19,57 e cos =
4/18. Sendo assim, possvel demonstrar utilizando trigonometria bsica a seguinte
relao:

(2.79)

Assim como no clculo da massa, substituindo a Equao (2.79) na Equao
(2.78) torna-se possvel expressar o momento de inrcia das vigas em funo apenas das
variveis de projeto (w
b2
= w
b
), como pode ser visto na Equao (2.80), a seguir:

(2.80)

2.2.3 Comparao entre pequenas e grandes deformaes
Aps a obteno do mdulo de Young e do momento de inrcia possvel fazer
uma comparao entre os modelos de pequenas deformaes e de grandes deformaes.
No grfico representado na Figura 2-12 so comparados os dois modelos.

68

Figura 2-12 - Comparao entre os modelos de pequenas e grandes deformaes.

No mesmo grfico pode-se verificar que para deformaes z at
aproximadamente 1/4 da espessura da viga t
b
o modelo linear vlido. No entanto, para
valores maiores necessrio utilizar o modelo no-linear.
Como as vigas do microacelermetro tm uma espessura nominal de 55,0m e
um quarto dessa espessura (13,75m) mais que 2,0 vezes maior que o seu gap (5,0m)
pode-se concluir que o modelo de rigidez mecnica linear vlido para esse dispositivo.
2.3 Elemento Sensor Elstico
Considerando a aplicao de uma acelerao a
z
, uma fora F
z
exercida sobre a
massa ssmica do microacelermetro M
s
. A fora e acelerao esto relacionadas pela
segunda lei de Newton, como:

(2.81)

69

Devido a essa fora a massa tende a se mover na direo oposta a da acelerao
aplicada. O movimento da massa causa uma deformao z nas extremidades das vigas
do microacelermetro gerando uma fora elstica F
e
que pode ser obtida por meio da lei
de Hooke, como expresso a seguir:

(2.82)

Considerando o sistema em equilbrio esttico, tem-se que:

(2.83)

ou seja,

(2.84)

O deslocamento da massa ssmica pode ser obtido diretamente da Equao (2.84) como,

(2.85)

A frequncia de ressonncia angular do movimento dada por:

(2.86)

70
Substituindo os parmetros na Equao (2.86) tem-se uma frequncia de ressonncia
angular de 16.022,7rad/s. Sendo
n
= 2f
n
, onde f
n
frequncia de ressonncia, logo
tem-se uma frequncia de ressonncia de 2.550,1Hz. Neste trabalho, a acelerao
tratada em nveis de g, que, embora no faa parte do Sistema Internacional de
Unidades (SI), comumente utilizado para caracterizar vibraes por fabricantes e
especialistas da rea, significando a acelerao da gravidade local normalizada, o que
equivale a 9,80665m/s.
A sensibilidade mecnica esttica do microacelermetro S
M
definida como a
derivada da varivel de sada z em relao derivada da varivel de entrada a
z

(Doebelin, 2004), como pode ser visto na Equao (2.87):

Logo, a sensibilidade esttica do dispositivo e a sua frequncia de ressonncia angular
esto relacionadas por:

No grfico da Figura 2-13 tem-se o deslocamento da massa ssmica em funo
da acelerao de entrada, onde a sensibilidade mecnica esttica dada pelo coeficiente
angular da reta.

(2.87)

(2.88)

71

Figura 2-13 - Deslocamento da massa ssmica em funo da acelerao de entrada.

Por intermdio do grfico da Figura 2-13 verifica-se que o deslocamento da
massa ssmica devido ao seu prprio peso (entrada de 1,0g) de 38,20nm e que para
uma entrada de 50,0g o deslocamento da massa ssmica aproximadamente 1,8m.
2.3.1 Critrio de falha
O silcio, a temperatura ambiente, apresenta um comportamento frgil e falha
por fratura sem apresentar deformao plstica considervel, assim como o vidro. No
entanto, quando a temperatura aumenta, entre 500,0-1.000,0C ocorre transio frgil-
dctil, DBT (Brittle-to-Ductile Transition) e o silcio comportar-se com um material
dctil (Hull, 1999). Esse comportamento tambm foi observado a temperatura ambiente
em pilares de silcio com dimenses da ordem de dezenas de nanmetros (Oestlund et
al., 2009).

72
Considerando que o microacelermetro opera em torno da temperatura ambiente
e tem dimenses de dezenas de micrometros, ou seja, como um material frgil, um dos
critrios de falha que pode ser utilizado da tenso normal mxima (Beer et al., 2006).
Nesse critrio a falha ocorre quando a tenso normal mxima
max
(Maximum Normal
Stress) atinge o limite de resistncia a tenso
uts
(Ultimate Tensile Strength) do
material.

(2.89)

A viga de silcio submetida a um momento fletor positivo tender desenvolver
uma curvatura com concavidade para cima. Isto significa que o material prximo face
superior da viga est sobre compresso, e o material prximo a face inferior estar sobre
trao. Na regio de transio entre a compresso e a trao, a tenso torna-se zero, esta
regio conhecida com linha neutra da viga. Considerando que os planos internos da
viga mantm-se planar durante a flexo, mas rotaciona-se sobre a linha neutra, e que a
linha neutra coincide com o centride da seco transversal da rea a tenso normal
mxima pode ser determinada por (Beer et al., 2006):

(2.90)

onde a distncia da linha neutra c = t
b
/2 e M
max
o momento fletor mximo dado por:

(2.91)

73
Substituindo a Equao (2.91) na Equao (2.90) tem-se a tenso normal mxima em
funo da fora aplicada:

(2.92)

A Equao (2.92) representa a tenso normal mxima para uma viga
biengastada, para determinar a tenso normal mxima em todo microacelermetro deve-
se considerar a outra viga biengastada o que pode ser feito substituindo a fora aplicada
F
z
por F
z
/2 na Equao (2.92), logo,

(2.93)

A tenso normal mxima em toda estrutura em funo da acelerao aplicada
pode ser obtida substituindo o mdulo da Equao (2.81) na Equao (2.93), ou seja,

(2.94)

No grfico da figura 2-14 tem-se a tenso normal mxima em funo da
acelerao aplicada;

74

Figura 2-14 - Tenso Normal Mxima em funo da acelerao de entrada.

Nesse grfico verifica-se que para uma acelerao de 50,0g a tenso normal
mxima aproximadamente 6,5MPa. Sabe-se que o limite de resistncia a tenso do
silcio
uts
igual 7,0GPa (Hull, 1999), ou seja, mais de 1.000,0 vezes acima da tenso
normal mxima o que indica que o microacelermetro tem uma alta resistncia ao
choque mecnico.
A tenso normal mxima admissvel
adm
pode ser determinado por (Beer et al.,
2006):

(2.95)

onde coeficiente de segurana. Dessa forma a resistncia de choque do
microacelermetro pode ser determinada calculando a tenso normal mxima
admissvel na Equao (2.95), substituindo na Equao (2.94) e calculando sua

75
acelerao mxima correspondente. Considerando um coeficiente de segurana igual a
2,0 tem-se uma tenso normal mxima admissvel de 3,5GPa o que equivale a um
resistncia ao choque mecnico de aproximadamente 27.000,0g.
2.4 Elemento Sensor Capacitivo
Os eletrodos dos capacitores superior e inferior so formados por trs lminas de
silcio altamente dopadas com tomos de boro caracterizando-se lminas do tipo-p+. A
resistividade
r
da lmina de silcio do tipo-p dada por (Sze e Ng, 2006):

(2.96)

onde
n
e
p
so as mobilidades dos eltrons e das lacunas, respectivamente; n e p so as
densidades de eltrons e de lacunas, respectivamente; e q
e
carga do eltron que igual
a 1,602x10
-19
C.
Considerando que todos os dopantes esto ionizados, a seguinte condio de
equilbrio pode ser estabelecida:

(2.97)

onde N
D
e N
A
so as concentraes dos dopantes eltrons e lacunas, respectivamente.
Para uma lmina originalmente do tipo-p, ou seja ( N
D
= 0 ), tem-se:

(2.98)

76
porm em lminas degeneradas as densidades de eltrons e lacunas obedecem a seguinte
relao:

(2.99)

onde n
i
a densidade intrnseca de portadores. Para o silcio a densidade intrnseca de
portadores em temperatura ambiente igual a 1,08x10
10
cm
-3
.
Por meio das relaes descritas nas Equaes (2.98) e (2.99) verifica-se que a
densidade de lacunas em uma lmina altamente dopada passa a ser praticamente a
densidade de dopantes, ou seja, ( p N
A
). Dessa forma possvel reescrever a Equao
(2.96) como descrito a seguir:

(2.100)

Contudo, a mobilidade das lacunas e dos eltrons variam com o aumento da dopagem
na lmina. A mobilidade das lacunas em funo da dopagem descrita como:

(2.101)

Por meio da Equao (2.101) verifica-se que a mobilidade das lacunas varia no-
linearmente em funo da dopagem. Os parmetros dessa equao so ajustados por
meio de dados experimentais e para lacunas esses parmetros so
min
= 44,9cm
2
/Vs,
max
= 471,0cm
2
/Vs, = 0,719 e N
o
= 2,23x10
17
cm
-3
(Muller et al., 2002).

77
Considerando uma dopagem de N
A
= 1,0x10
21
cm
-3
e substituindo na Equao
(2.101) tem-se uma mobilidade de
p
= 45,9cm
2
/Vs, substituindo essa mobilidade e a
dopagem na Equao (2.100) tem-se uma resistividade
r
de 136,9x10
-6
/cm
3
. Esse
valor comparvel com a resistividade de alguns metais como, por exemplo, alumnio
2,82x10
-6
/cm
3
e da prata 1,59x10
-6
/cm
3
(Serway, 1998).
Sendo assim, pode-se considerar que as lminas altamente degeneradas se
comportam como condutores, o que possibilita a anlise utilizando a teoria eletrosttica.
Considerando duas lminas condutoras em paralelo, separadas por um dieltrico de
espessura h
o
e sobre uma diferena de potencial V
s
de 5,0V, como ilustrado na Figura 2-
15, a seguir,

Figura 2-15 - Lminas condutoras em paralelo separadas por um dieltrico.

A densidade de cargas eltricas armazenadas na interface entre o eletrodo
superior e o dieltrico obtida analisando a equao de Poisson e dada por (Chow,
2005):

(2.102)

78

onde
o
a permissividade eltrica do vcuo que equivale 8,854x10
-12
F/m e
r

permissividade relativa do dieltrico. O dieltrico entre as lminas o ar que tem uma
permissividade relativa igual a 1,0 (Chow, 2005).
A capacitncia entre os eletrodos dada por:

(2.103)

onde Q
c
a carga eltrica total dada por:

(2.104)

onde S
c
a superfcie da interface entre o dieltrico e o eletrodo. Substituindo a
Equao (2.102) na Equao (2.104) tem-se:

(2.105)

onde A
m
rea do eletrodo (L
m
x W
m
). Portanto, substituindo a Equao (2.105) na
Equao (2.103) tem-se a capacitncia entre os dois eletrodos paralelos:

(2.106)

79
O sensor de deslocamento capacitivo diferencial est configurado como ilustrado
no diagrama da Figura 2-16,

Figura 2-16 - Digrama do Capacitor diferencial.

A capacitncia superior formada entre os eletrodos superior e o mvel dada
por:

(2.107)

e a capacitncia inferior formada entre o eletrodo mvel e o eletrodo inferior, dada
por:

(2.108)

A variao de deslocamento medida por meio da diferena entre as
capacitncias superior e inferior:

80

(2.109)

quando z = 0, tem-se que:

(2.110)

onde C
o
capacitncia caracterstica do dispositivo. Substituindo os parmetros na
Equao (2.110) tem-se uma capacitncia caracterstica de 7,08pF. Para z 0 pode-se
rearranjar a Equao (2.109) da seguinte forma:

(2.111)

No grfico da Figura 2-17 tem-se as capacitncias do dispositivo em funo do
deslocamento da massa ssmica.

81

Figura 2-17 - Capacitncias em funo do deslocamento da massa ssmica.

Por meio da Figura 2-17 nota-se que tanto a capacitncia superior e inferior
variam no-linearmente com o deslocamento da massa ssmica enquanto que a
capacitncia diferencial varia linearmente prximo ao ponto de equilbrio do sensor.
Alm disso, a capacitncia diferencial apresenta uma capacitncia nula para um
deslocamento nulo. Essas razes tornam a configurao diferencial preferida para
sensores de deslocamento capacitivo (Baxter, 1996).
A sensibilidade eltrica S
e
dada por (Doebelin, 2004):

(2.112)

A Equao (2.112) no-linear, porm pode ser linearizada em torno de um
ponto de operao (Ogata, 2003). Observando o grfico da Figura 2-17 nota-se que a

82
linearizao pode ser feita em torno do ponto de equilbrio do sensor, ou seja z = 0,
utilizando a expanso da Equao (2.112) em series de Taylor, logo:

(2.113)

A sensibilidade eletromecnica S
EM
dada por:

(2.114)

Substituindo as Equaes (2.87) e (2.113) na Equao (2.114) tem-se a sensibilidade
eletromecnica do dispositivo,

(2.115)

Por meio da Equao (2.115) verifica-se que a sensibilidade esttica pode ser
obtida por meio dos parmetros geomtricos do dispositivo. A sensibilidade
108,22fF/g.
2.5 Comentrios e Discusses
Utilizando o formato geomtrico do corpo central da estrutura aps o processo
de corroso mida anisotrpica foi possvel obter o seu volume e por consequncia o
valor da massa ssmica do microacelermetro. Utilizando o ngulo existente entre os
planos cristalogrficos no topo da massa e em suas bordas foi possvel expressar o valor

83
da massa ssmica em funo das variveis de projeto. O resultado obtido para o clculo
da massa ssmica pode ser facilmente modificado caso o processo de fabricao de
futuros dispositivos seja feito utilizando corroso isotrpica.
Foram obtidos dois modelos para o clculo da rigidez mecnica do dispositivo.
As duas anlises so realizadas partindo do princpio que o material est operando na
regio linear, ou seja, em condies onde sejam aplicadas a Lei de Hooke. Essa
condio vlida, pois as tenses geradas para os nveis de acelerao simulados esto
bem abaixo do limite de resistncia a tenso do silcio.
Os modelos de rigidez tambm assumem que no h tenso residual presente na
estrutura do microacelermetro. Essa considerao vlida j que o dispositivo
fabricado utilizando processo de corroso mida e as energias de ativao dessa soluo
no so suficientes para produzir esse tipo de tenso. Outra maneira da estrutura do
dispositivo conter tenses residuais se o processo de transferncia de padres, na
litografia e/ou na corroso, no funcionar corretamente deixando alguma das vigas com
dimenses diferentes da outras, no entanto, isso em um primeiro momento no
considerado.
A equao de Euler-Bernoulli tambm assume que o material seja homogneo,
isotrpico e possua o mesmo mdulo de Young quando submetido trao e
compresso. O silcio intrnseco um material homogneo, contudo o silcio dopado
um material heterogneo que contm tenses intrnsecas devido s vacncias e outros
defeitos cristalinos deixados na rede pelos dopantes. Sabendo que as lminas do
dispositivo so altamente dopadas essas tenses intrnsecas podem influenciar no
comportamento mecnico das vigas, porm isso no ser levado em considerao nesse
trabalho.

84
Ao considerar o silcio como um material homogneo possvel demonstrar por
meio dos ndices de Miller que o mdulo de Young quando o material est submetido
trao igual ao mdulo de Young quando o material est submetido compresso,
pois a direo das duas tenses mesma em sentidos opostos, ou seja, E
[110]
=
.
A equao utilizada, em ambos os casos, parte do princpio que o ngulo entre o
eixo da viga e a tangente da curvatura de deformao pequeno permitindo realizar
algumas simplificaes trigonomtricas. Caso essa considerao seja violada
necessrio resolver a equao completa da viga, ou seja, uma equao diferencial no-
linear que resolvida por mtodos numricos. No caso do microacelermetro analisado,
com duas vigas biengastadas, essa simplificao vlida, pois a estrutura tem as
seguintes restries de configurao: no ocorrem deslocamentos horizontais das vigas,
e o ngulo no centro nas extremidades das vigas so nulos, condies essas impostas
pelo engastamento das vigas na massa ssmica e nas bordas do dispositivo.
O mdulo de Young e a razo de Poisson foram obtidos de acordo com a direo
das vigas do microacelermetro em relao orientao cristalogrfica da lmina de
silcio. O efeito da razo de Poisson no mdulo de Young para o caso analisado foi
considerado desprezvel.
O momento de inrcia de rea foi calculado considerando a seco transversal
hexagonal das vigas do microacelermetro aps o processo de fabricao por corroso
mida. Se necessrio, o modelo obtido pode ser facilmente alterado para o formato
padro do momento de inrcia de uma viga com seco transversal retangular. Devido
s relaes trigonomtricas existentes entre os planos cristalogrficos formados na parte
superior da viga e em sua borda foi possvel expressar o momento de inrcia em termos
das variveis de projeto.

85
Com a obteno do mdulo de Young e do momento de inrcia foi possvel
calcular a rigidez mecnica do microacelermetro tanto para pequenas deformaes
quanto para grandes deformaes. Uma comparao entre os dois modelos mostrou que
o modelo linear vlido para deformaes em torno de da espessura da viga, aps
esse limite o modelo no-linear deve ser utilizado. Como esse limite de deformao est
bem acima do valor do gap do dispositivo o modelo linear pode ser utilizado.
Definido a massa ssmica e a rigidez mecnica do dispositivo foi possvel
estabelecer relaes bsicas utilizando a lei de Hooke e a lei de Newton. Essas relaes
foram utilizadas para obter qual o deslocamento da massa ssmica para uma dada
acelerao de entrada. Tambm foi obtida a frequncia de ressonncia e sensibilidade
mecnica esttica do dispositivo, assim como uma relao de compromisso entre os dois
parmetros.
A partir de uma anlise preliminar do comportamento de silcio quando
submetido a uma tenso mecnica, foi possvel constatar que o silcio se comporta com
um material frgil e dessa forma estabelecer um critrio de falha baseado em sua tenso
normal mxima. Seguindo esse critrio verificou-se que o silcio possui um limite de
resistncia tenso muito superior aos nveis de tenso gerados pelos nveis de
acelerao simulados.
Verificou-se que estabelecendo um coeficiente de segurana pode se determinar
a tenso admissvel e por consequncia obter a mxima acelerao de entrada que
representa o limite de resistncia ao choque mecnico do dispositivo. O coeficiente de
segurana pode ser determinado por meio de ensaios tcnicos das lminas utilizadas na
fabricao do dispositivo.
Foi realizada tambm uma anlise para verificar a condutividade das lminas
devido alta dopagem. Por meio dessa anlise verificou-se que a resistividade das

86
lminas comparvel com a dos metais possibilitando o uso da teoria clssica de
condutores. A partir da obteno da diferena de capacitncia foi possvel obter a
sensibilidade eltrica do dispositivo. Por fim, foi obtida a sensibilidade eletromecnica
do microacelermetro.
Uma vez que a modelagem analtica esttica foi concluda pode-se facilmente
partir para a modelagem analtica dinmica do microacelermetro

87
3 MODELAGEM DINMICA
Neste captulo apresentada a modelagem dinmica do microacelermetro
utilizando a mesma metodologia utilizada no captulo anterior. Por fim, os principais
resultados obtidos so discutidos.
3.1 Massa Efetiva
Quando o microacelermetro submetido a uma acelerao de entrada, as
massas das vigas influenciam na sua reposta dinmica. Essa influncia pode ser
determinada calculando a massa efetiva do sistema. A massa efetiva determinada pelo
princpio de energia de Rayleigh para uma viga biengastada, com uma rea de seco
transversal constante ao longo de seu comprimento (Rao, 2003).
A deformao da viga em um ponto qualquer x, ao longo do seu comprimento
2l
b
, igual a z(x) e a velocidade nesse ponto igual a dz(x)/dt. O deslocamento nesse
ponto x e a deformao mxima da viga z esto relacionados por uma funo de
distribuio J(x), como demonstrado a seguir (Wai-Chi et al., 2010):

(3.1)

assim como suas velocidades,

(3.2)

Logo a energia cintica mxima da viga no ponto x dada por:

88

(3.3)

onde m
b
massa da viga biengastada. Substituindo a Equao (3.2) na Equao (3.3),
tem-se que:

(3.4)

Considerando a massa equivalente da viga m
beq
no ponto de mxima deformao
z, sua energia cintica mxima dada por:

(3.5)

A massa equivalente da viga biengastada obtida igualando a Equao (3.5)
com a Equao (3.4), logo,

(3.6)
A massa da viga pode ser determinada por:

(3.7)

onde a rea da seco transversal da viga, dado por:

89
(3.8)

ou pode se escrita em termos das variveis de projeto,

(3.9)

A funo de distribuio pode ser determinada a partir da curva de deformao
da viga do primeiro modo de vibrao, substituindo as Equaes (2.16) e (2.18) na
Equao (3.1), portanto tem que:

(3.10)

Portanto, a massa equivalente da viga biengastada sobre uma carga dinmica
concentrada pode ser determinada substituindo a Equao (3.10) na Equao (3.6),
como expresso na relao a seguir:

(3.11)

resolvendo a Equao (3.11), tem-se que:

(3.12)

90
Assim, a massa efetiva do microacelermetro dada pela soma da massa ssmica
e da massa equivalente das vigas:

(3.13)

onde o nmero de vigas. Nesse caso, como a anlise foi feita considerando apenas
uma viga biengastada o valor de 2.
3.2 Coeficiente de Amortecimento
O amortecimento total do microacelermetro composto pelos amortecimentos
das vigas e o amortecimento da massa ssmica. O amortecimento associado vibrao
das vigas em um fludo formada pelas seguintes componentes: perdas no
engastamento da estrutura nas bordas e na massa ssmica, amortecimento intrnseco do
material, amortecimento termoelstico, perdas por radiaes acsticas nas interfaces
fluido-estrutura-fluido e pelo amortecimento viscoso. O amortecimento da massa
ssmica devido ao amortecimento viscoso causado pelo fluido, (Candler et al., 2003) e
(Nouira, 2007).
Dentre esses mecanismos, o amortecimento intrnseco configura o mnimo
amortecimento da estrutura para um dado material. Os amortecimentos relacionados s
perdas de engastamento so devidos s perdas de energia entre as estruturas mveis e
seus suportes. Em presso ambiente essas perdas so maiores que o amortecimento
intrnseco do material. J os amortecimentos termoelstico e acstico so extremamente
difceis de determinar analiticamente (Nouira, 2007).
O amortecimento equivalente dado pela soma de todos os coeficientes de
amortecimento que atuam na estrutura, porm existe um mecanismo dominante. Em

91
microescala o mecanismo de amortecimento dominante o amortecimento viscoso
devido ao fluido armazenado dentro da estrutura. Esse mecanismo prevalece at mesmo
quando a estrutura est operando em baixas presses, (Samali, 2007; Bao e Yang, 2007;
Mol et al., 2009). No entanto, deve-se ressaltar que quando a estrutura opera em alto-
vcuo o amortecimento viscoso passa a ser desprezvel, prevalecendo assim o
amortecimento intrnseco do material (Kaajakari, 2009).
Como descrito anteriormente, tanto a massa ssmica quanto as vigas esto
sujeitas ao amortecimento viscoso. Analisando a geometria do dispositivo verifica-se
que a rea da massa ssmica muito maior que as reas das vigas, desse modo por
consequncia da lei das escalas as componentes de amortecimentos viscosos das vigas
so bem menores que o amortecimento viscoso associado massa ssmica e por isso so
desconsideradas nesse trabalho. Alm disso, o deslocamento das vigas distribudo ao
longo do seu comprimento (zero no engaste e mximo junto massa) e o amortecimento
viscoso efetivo nas vigas ainda menor do que o devido rea total das vigas,
fortalecendo esta desconsiderao.
A modelagem dinmica de fluidos pode ser dividida em duas grandes reas:
modelos de fluxos moleculares e modelos de fluxo contnuos. O primeiro mtodo
subdividido em mtodos determinsticos como, por exemplo: simulao Dinmica
Molecular Moderna, MD (Molecular Dynamic) e mtodos probabilsticos como, por
exemplo: Simulao Direta de Monte Carlo, DMSC (Direct Simulation Monte Carlo) e
as equaes de Boltzmann. Enquanto o segundo mtodo define a velocidade, a
densidade e a presso em todos os pontos no espao e no tempo e os princpios de
conservao de massa, de energia e de momento levam a uma configurao de equaes
diferenciais parciais no lineares, como por exemplo: as equaes de Euler, Navier-
Stokes e Burnett (Gad-el-Hak, 2006b).

92
A anlise de um fluido com comportamento newtoniano em condies de fluxo
laminar feita atravs das equaes de movimento de Navier-Stokes. Considerando o
eletrodo inferior e eletrodo mvel separados por uma fina camada de fluido, mostrado
na Figura 3-1, esse problema conhecido como amortecimento squeeze-film. O mesmo
problema vem sendo tratado h muito tempo na rea de lubrificao atravs de uma
derivao das equaes de Navier-Stokes conhecida como equao de Reynolds.
A obteno da equao de Reynolds a partir das equaes de Navier-Stokes e da
equao da Continuidade feita baseando-se em uma anlise de um elemento
infinitesimal do fluido. Essa equao tambm pode ser obtida diretamente das leis do
Fluxo Viscoso e do Princpio da Conservao da Massa. Em ambos os mtodos, os
termos de ordens superiores das foras inerciais e das foras viscosas so omitidos
(Bode, 2001).

Figura 3-1 - Eletrodos paralelos separadas por uma fina camada de fluido.

A forma mais geral da equao de Reynolds para um fluido compressvel
bidimensional uma equao diferencial no-linear dada por:

93

(3.14)

onde p
f
a presso do fluido,
f
a densidade do fluido,
f
o coeficiente de viscosidade do
fluido, h
f
a espessura do fluido, u
1
e u
2
so as velocidades do eletrodo mvel e do
eletrodo inferior na direo x, respectivamente, v
1
e v
2
so as velocidades dos dois
eletrodos na direo z, r
1
e r
2
so as velocidades do fluido atuando nos eletrodos 1 e 2,
respectivamente.
A importncia das foras inerciais em relao s foras viscosas em problemas
de fluxo em filmesfinos de fluidos pode ser julgada pelos nmeros de Reynolds
modificados.

(3.15)

e

(3.16)

onde V
x
a velocidade relativa do eletrodo mvel na direo x e a frequncia de
operao do eletrodo mvel. Os efeitos de inrcia podem ser ignorados quando os
nmeros de Reynolds modificados forem bem menos que uma unidade, ou seja, R
x
<<

94
1,0 e R
z
<< 1,0. Considerando o movimento apenas na direo z, tem-se que V
x
= 0,
portanto a primeira condio naturalmente satisfeita.
A densidade e a viscosidade do ar, em temperatura ambiente, so 1,184kg/m
3
e
18,192x10
-6
Pa.s, respectivamente, a frequncia de ressonncia obtida no captulo
anterior de 16.022,7rad/s, substituindo esses valores na Equao (3.16) tem-se R
z
=
0,0041, ou seja, a segunda condio tambm satisfeita.
Desconsiderando os efeitos de inrcia do fluido a equao de Reynolds reduz-se
para:

(3.17)

Considerando uma condio isotrmica, a densidade do gs diretamente
proporcional a sua presso, como mostrado na equao a seguir:

(3.18)

onde M
g
massa molecular, R
g
constante molar do gs e T a temperatura absoluta.
Logo, a Equao (3.17) torna-se (Veiojola, 2005):

(3.19)

onde a presso p consiste de duas componentes p
f
= p
a
+ p; p
a
a presso ambiente e
p o desvio de presso causado pelo efeito de squeeze-film; a espessura h
f
tambm

95
consiste de duas componentes h
f
= h
o
+ h; h
o
a espessura inicial e h variao na
espessura devido a uma perturbao externa.
Para movimentos normais do eletrodo mvel, a espessura h
f
e viscosidade
f
no
so funo das posies x e z, logo rearranjando a Equao (3.19), tem-se:

(3.20)

A Equao (3.20) a equao de Reynolds no-linear para amortecimento de
squeeze-film de um fludo compressvel isotrmico.
3.2.1 Coeficiente de amortecimento para pequenos deslocamentos
Considerando um pequeno deslocamento do eletrodo mvel e uma pequena
variao de presso em torno da presso ambiente, tem-se:

(3.21)

a Equao (2.20) pode ser linearizada como mostrado a seguir (Kampen et al., 1994) e
(Bao e Yang, 2007):

(3.22)

Assumindo que a distncia entre os eletrodos varia como mostrado na Equao
(3.23):

96

(3.23)

e que a presso tem um perfil parablico, como ilustrado na Figura 3-2, a soluo dessa
equao obtida por meio de sua expanso em sries de Fourier (Kampen e
Wolffenbuttel, 1998).
A soluo da Equao (3.22) para eletrodos retangulares composta por duas
componentes: uma delas est relacionada com o fluxo viscoso do ar quando o mesmo
espremido para fora (ou sugado para dentro da regio entre os eletrodos), essa
componente chamada de fora de amortecimento F
d
, e est em fase com a velocidade
e a outra est relacionada com a compresso do ar, chamada de fora de amortecimento
elstica, ou fora de mola, F
ed
, que est em fase com deslocamento, como mostrado a
seguir (Bao e Yang, 2007):

(3.24)

e

(3.25)

onde razo de aspecto do eletrodo retangular (W
m
/ L
m
) e nmero de squeeze
dado por:

97

(3.26)

onde W
m
largura do eletrodo;

Figura 3-2 - Perfil de distribuio de presso ao longo dos eletrodos.

Por meio da Equao (3.26) verifica-se que o nmero de squeeze diretamente
proporcional a frequncia de operao, o que possibilita fazer as seguintes anlises; em
baixas frequncias, ou seja, baixo nmero de squeeze, a fora viscosa domina o
amortecimento, pois nessas condies o ar tem tempo o suficiente para escapar pelas
laterais. No entanto, em altas frequncias a fora de mola aumenta. Pois h uma grande
placa de silcio movendo-se to rpido que o filme de ar no tem tempo suficiente para
escapar, ficando aprisionado, e gerando efeitos de compresso conhecidos como efeitos
de squeezed (Bao e Yang, 2007).
Igualando as Equaes (3.24) e (3.25) possvel obter o nmero de squeeze de
corte
c
, ou seja, onde os efeitos de compresso tornam-se maiores que o efeito de
amortecimento viscoso (Blech, 1983):

98

(3.27)

Para um eletrodo quadrado o nmero de squeeze de corte igual 21,635. No
grfico na Figura 3-3 tm-se as foras de amortecimento e de mola normalizadas pelo
deslocamento do eletrodo mvel em funo do nmero de squeeze.

Figura 3-3 - Foras normalizadas em funo do nmero de squeeze.

As solues das Equaes (3.24), (3.25) e (3.27) so obtidas utilizando o
software matemtico Maple. Por intermdio da Figura 3-3 verifica-se que para baixo
nmero de squeeze os efeitos de compresso do gs so praticamente desprezveis.
Porm, quando o nmero de squeeze aumenta a fora de amortecimento elstica
aumenta praticamente linearmente. Enquanto que quando o nmero de squeeze maior

99
que o nmero de squeeze de corte os efeitos de compresso do fludo tornam-se
superiores aos efeitos viscosos.
Analisando a Equao (3.26) conclui-se que por meio do nmero de squeeze de
corte possvel obter a frequncia de corte definida como:

(3.28)

ou seja, quando a frequncia de operao maior que a frequncia de corte os efeitos
de compresso do fludo tornam-se superiores aos efeitos viscosos.
Os coeficientes de amortecimento c
d
e de amortecimento elstico k
ed
podem ser
obtidos diretamente das Equaes (3.24) e (3.25), respectivamente:

(3.29)

e

(3.30)

Considerando um eletrodo quadrado, ou seja, = 1,0, os coeficientes tornam-se:

(3.31)

e

100

(3.32)

Essas solues podem ser incorporadas ao modelo dinmico do
microacelermetro para considerar os efeitos de compressibilidade do fludo. Contudo,
sua dependncia da frequncia de operao torna o modelo extremamente complicado.
Utilizando a frequncia de ressonncia na Equao (3.26) e substituindo os outros
parmetros obtm se um nmero de squeeze de 0,878, portanto pode se considerar que
os efeitos de compresso do fluido so desprezveis.
Para o nmero de squeeze calculado, o gs tem tempo suficiente para escoar e
no comprimido significativamente, e a Equao (3.22) torna-se,

(3.33)

A Equao (3.33) a equao de Reynolds linearizada para um fluido isotrmico
incompressvel, sua soluo normalmente dada em sries. Para um eletrodo retangular
o coeficiente de amortecimento dado por, (Andrews et al., 1993), (Kampen et al.,
1994), (Bao e Yang, 2007) e (Kaajakari, 2009):

(3.34)

onde () o fator de correo geomtrico.
O grfico da Figura 3-4 mostra a variao do fator de correo geomtrico em
funo da razo de aspecto do eletrodo.

101

Figura 3-4 - Fator de correo geomtrico em funo da razo de aspecto do eletrodo.

Na Figura 3-4 verifica-se que para um eletrodo estreito o fator de correo
geomtrico (W
m
<< L
m
) = 1,0 o que ocorre em microacelermetro do tipo Comb-
drive e para um eletrodo quadrado o fator de correo geomtrico igual (W
m
= L
m
) =
0,4271;
O modelo derivado anteriormente assume uma pequena variao de presso em
torno da presso ambiente. Contudo, quando a variao de presso muito grande
necessria uma correo na equao de Reynolds para modelar o fluxo de gs rarefeito
em microestruturas. A equao de Reynolds modificada para um gs rarefeito com
condies de escorregamento dada por (Veijola, 2004):

(3.35)

102
onde Q
pr
o coeficiente da taxa de fluxo relativo. O coeficiente da taxa de fluxo relativo
derivado da equao de Boltzmann linearizada e ajustado com dados experimentais
em Veijola et al. (1995):

(3.36)
onde K
n
nmero de Knudsen. A correo para incluir efeitos de escorregamento
p

dada por (Veijola et al., 1998):

(3.37)

onde
v
o coeficiente de acomodao tangencial. Para a maioria das superfcies o
coeficiente de acomodao poder ser considerado unitrio,
v
= 1,0. No entanto,
resultados experimentais mostraram que o silcio tem um coeficiente de acomodao em
torno 0,7 para vrios gases (Gad-el-Hak, 2006b).
O nmero de Knudsen dado por:

(3.38)

onde
g
livre caminho mdio das partculas dado por:

(3.39)

103
Por intermdio do nmero de Knudsen possvel estabelecer uma relao entre
o fluxo e o regime de operao como mostrado na Tabela 3-1 (Gad-el-Hak, 2006b).

Tabela 3-1 Relao entre o nmero de Knudsen e o regime de operao.
Regimes de Fluxo Faixa do nmero de Knudsen
Fluxo contnuo K
n
< 0,01
Fluxo de escorregamento 0,01 < K
n
< 0,1
Fluxo de transio 0,1 < K
n
< 10,0
Fluxo molecular K
n
> 10,0

A aproximao obtida na Equao (3.36) vlida em um intervalo de (0 Kn
880,0), entendendo a aplicao da equao de Reynolds at o regime molecular com
uma preciso de 5,0% em relao ao equao de Boltzmann linearizada. Porm, em
superfcies com coeficiente de acomodao diferentes de um, ou seja, (
v
1,0) como
o caso do silcio, a aproximao descrita na Equao (3.37) vlida apenas no intervalo
de (0 Kn 0,1), com isso limitando a aplicao de equao de Reynolds modificada
considerando efeitos de escorregamento at o regime de fluxo de escorregamento
(Veijola, 2004).
O coeficiente de amortecimento linear para presses inferiores a presso
ambiente dado por (Kaajakari, 2009):

(3.40)

104
Em alguns trabalhos a razo entre
f
e Q
pr
(p
f
) chamada de viscosidade efetiva,
porm o conceito de viscosidade efetiva contestado quando a presso p
f
muito
inferior a presso ambiente e a condio de fluxo contnuo no se aplica mais, (Gad-el-
Hak, 2006b). Substituindo a Equao (3.39) na Equao (3.38), e em seguida as
Equaes (3.38) e (3.37) na Equao (3.36) possvel descrever o coeficiente da taxa de
fluxo relativo em funo da presso. Por fim, substituindo a Equao (3.36) na Equao
(3.40) tem-se o coeficiente de amortecimento viscoso em funo da presso interna do
dispositivo.
Quando a presso do gs entre os eletrodos de silcio a presso ambiente o
coeficiente da taxa de fluxo relativo igual a 1,060 desse modo, a Equao (3.40) torna-
se praticamente a Equao (3.34). Para grandes deslocamentos o coeficiente da taxa de
fluxo relativo torna-se dependente do deslocamento e a soluo obtida no mais
vlida, (Veijola et al., 1999). A Equao (3.40) foi utilizada para modelar o
amortecimento viscoso de micro-estruturas em Andrews et al. (1993), Kampen e
Wolffenbuttek, (1998) e Yeh e Najafi (1997).
O coeficiente de amortecimento equivalente do dispositivo obtido pela soma
do amortecimento entre o eletrodo superior e o eletrodo mvel mais o amortecimento
entre o eletrodo mvel e o eletrodo inferior, com ilustrado na Figura 3-5.

105

Figura 3-5 - Configurao dos eletrodos para pequenos deslocamentos.

O amortecimento equivalente dado por:

(3.41)

Substituindo a Equao (3.40) na Equao (3.41) tem-se o amortecimento viscoso
equivalente para pequenos deslocamentos,

(3.42)

3.2.2 Coeficiente de amortecimento para grandes deslocamentos
As solues das equaes so obtidas considerando pequenos deslocamentos,
alguns modelos foram derivados na literatura para quando esta condio no mais
vlida, (Sadd e Stiffler, 1975); (Zhang et al., 2004), (Peeters et al., 1991). O modelo
mais simples obtido avaliando a estrutura diferencial ilustrada na Figura 3-6,

106

Figura 3-6 - Configurao dos eletrodos para grandes deslocamentos.

O coeficiente de amortecimento entre os eletrodos superior e mvel dado por:

e o coeficiente de amortecimento entre os eletrodos mvel e inferior dado por:

Substituindo as Equaes (3.43) e (3.44) na Equao (3.41) tem-se que o
coeficiente de amortecimento equivalente para grandes deslocamentos em funo da
presso:

(3.43)

(3.44)

(3.45)

107

Por meio da Equao (3.45) possvel mostrar que quando o deslocamento
tende a zero a equao tende Equao (3.42). A equao (3.45) foi utilizada para
modelar o amortecimento viscoso em microestruturas diferenciais (Figura 3-6) em
Peeters et al. (1991), Kraft (1997) e Grigorie (2008a,b).
3.2.3 Comparao entre os coeficientes de amortecimento equivalente
para pequenos e grandes deslocamentos
A Figura 3-7 mostra uma comparao entre o comportamento do coeficiente de
amortecimento equivalente para os casos linear e no-linear em funo do deslocamento
do eletrodo mvel.

Figura 3-7 - Comparao entre os modelos de coeficientes de amortecimento equivalente em funo
do deslocamento.

108
Por meio do grfico da Figura 3-7 nota-se que o modelo para pequenos
deslocamentos independente do deslocamento do eletrodo mvel. No entanto, o
modelo para grande deslocamento tende a infinito quando o deslocamento tende a
dimenso nominal do gap. Esses modelos so equivalentes para uma determinada faixa
de deslocamento.
No Figura 3-8 tem-se a comparao entre os modelos de coeficientes de
amortecimento com uma magnificao na regio de 0 - 2,0m de deslocamento,

Figura 3-8 - Comparao entre os modelos de coeficientes de amortecimento em funo do
deslocamento com uma magnificao.

Na Figura 3-8 nota-se que os modelos comeam divergir significativamente a
partir de 0,3m. Por meio dos dados obtidos na modelagem esttica verifica-se que esse
deslocamento corresponde a um valor de acelerao dentro da faixa dinmica proposta.
Dessa forma conclui-se que o modelo do coeficiente de amortecimento equivalente para
grandes deslocamentos deve ser utilizado na modelagem dinmica do dispositivo.

109
O modelo dinmico do microacelermetro pode ser obtido por meio de vrios
mtodos diferentes, entre eles esto: aplicao da segunda lei do movimento de Newton,
princpio de D'Alembert, princpio dos deslocamentos virtuais e o princpio da
conservao de energia (Rao, 2003); Neste ltimo, a modelagem baseada na
minimizao da energia do sistema, e suas duas principais abordagens so as equaes
de Hamilton e Lagrange (Bishop, 2002).
As equaes de Lagrange so equaes diferenciais do movimento do
dispositivo expressas em termos de coordenadas generalizadas, as quais descrevem
completamente a dinmica do sistema. Esse mtodo extremamente poderoso para
modelagem dinmica dos sistemas multifsicos e/ou com mltiplos graus de liberdade
(Allen, 2005). Nesse trabalho o modelo dinmico do microacelermetro obtido por
meio do uso das equaes de Lagrange, pois embora o dispositivo contenha apenas um
grau de liberdade, ele contm iteraes entre diferentes domnios fsicos justificando o
uso do mtodo.
As equaes de Lagrange para um sistema dinmico contendo foras no-
potenciais e foras no-conservativas dado por:

onde q
i
a i-sima coordenada generalizada,
i
a i-sima velocidade generalizada, T
k

a energia cintica total, U
p
a energia potencial total, D
r
a funo de dissipao de
Raleigh e Q
i
i-sima fora generalizada no-potencial.
A funo de dissipao de Raleigh dada por:

(3.46)

110

onde c
rs
coeficiente de amortecimento de Raleigh. A i-sima fora generalizada no-
potencial que atua sobre um deslocamento infinitesimal da coordenada generalizada q
i

dado por:

onde W
v
o trabalho virtual.
A representao idealizada do microacelermetro capacitivo diferencial
mostrada na Figura 3-9,

Figura 3-9 - Representao idealizada do microacelermetro capacitivo diferencial.

(3.47)

(3.48)

111
Analisando a representao idealizada descrita na Figura 3-9 e considerando as
coordenadas generalizadas do sistema como sendo as cargas eltricas acumuladas nos
capacitores e o deslocamento da massa ssmica z em relao aos eletrodos fixos (o
deslocamento mximo da viga) dado por:

onde z
m
o deslocamento da massa ssmica em relao ao referencial inercial z
v
o
deslocamento do veculo em relao ao referencial inercial. Assim, obtm-se as
seguintes funes de energias:
A energia cintica total do sistema dada pela energia cintica da massa ssmica
em relao ao referencial inercial,

A energia potencial dada pela energia armazenada nas vigas mais a energia
potencial armazenada nos capacitores devido ao acmulo de cargas eltricas,

onde Q
S
e Q
I
so as cargas armazenadas nos capacitores superior e inferior,
respectivamente, dadas por:

(3.49)

(3.50)

(3.51)

112
e

Portanto, substituindo as Equaes (3.52) e (3.53) na Equao (3.51) tem-se a energia
potencial total em funo do deslocamento:

A funo de dissipao de Raleigh dada por:

E a funo trabalho virtual infinitesimal soma das foras no-potenciais
infinitesimais fornecidas pelas duas fontes de alimentao:

onde Q
S
e Q
I
so as cargas infinitesimais superior e inferior, respectivamente.
Considerando que:

(3.52)
(3.53)

(3.54)

(3.55)
(3.56)

113

e

onde z o deslocamento da ssmica infinitesimal.
Substituindo as Equaes (3.57) e (3.58) na Equao (3.56) tem-se a funo
trabalho virtual em funo do deslocamento infinitesimal do deslocamento da massa
ssmica:

Aps a obteno das funes de energia pode-se obter o modelo dinmico para
cada uma das coordenadas generalizadas. Analisando as equaes de Lagrange para o
deslocamento (z = q
1
), tem-se que:

substituindo as funes de energia na Equao (3.60) tem-se a seguinte equao de
movimento:

(3.57)

(3.58)

(3.59)

(3.60)

114

rearranjando algebricamente a Equao (3.61), tem-se:

Por fim, substituindo o coeficiente de amortecimento equivalente na Equao (3.62)
tem-se a equao geral do deslocamento da massa ssmica em funo da acelerao de
entrada:

Por meio da Equao (3.63) verifica-se que a equao geral do deslocamento da
massa ssmica uma equao diferencial ordinria de 2
a
ordem no-linear com
coeficientes variantes no tempo.

(3.61)

(3.62)

(3.63)

115
3.3.1 Modelo linearizado
Para analisar a influncia da presso interna na dinmica do dispositivo a fora
eletrosttica foi desconsiderada fazendo com que as tenses de alimentao sejam nulas
(V
s
= 0) na Equao (3.63), logo:

Nota-se que a Equao (3.64) ainda uma equao diferencial ordinria de 2
a

ordem no-linear com coeficiente variante no tempo. Para fazer uso das ferramentas de
anlise de sistemas lineares necessrio linearizar o sistema em torno de um ponto de
operao (Ogata, 2003). A linearizao pode ser feita tornando o coeficiente de
amortecimento equivalente independente do deslocamento, e por consequncia
independente do tempo. Para tal utiliza-se a expanso em srie de Taylor em torno de
um ponto de equilbrio, logo:

onde c
eql
o coeficiente de amortecimento equivalente linearizado. A Equao (3.65)
exatamente o mesmo resultado obtido para o coeficiente de amortecimento viscoso
equivalente avaliado para pequenos deslocamentos.
Substituindo a Equao (3.65) na Equao (3.64), tem-se que:

(3.64)

(3.65)

116

onde a
z
acelerao do veculo na direo z, ou seja d
2
z
v
/dt
2
. A Equao (3.66) um
sistema-padro de segunda ordem, dessa forma sua anlise pode ser feita aplicando a
transformada de Laplace e assumindo condies iniciais nulas, logo:

onde H
M
(s) a funo de transferncia mecnica. Rearranjando a Equao (3.67), tem-
se:

A razo de amortecimento definida como a razo entre o amortecimento linear
e amortecimento crtico, dado por (Rao, 2003):

e o fator de qualidade do dispositivo definido como:

(3.66)

(3.67)

(3.68)

(3.69)

(3.70)

117

Substituindo as Equaes (3.69) e (3.70) na Equao (3.68) obtm-se a funo de
transferncia do sistema em funo do fator de qualidade:

O deslocamento da massa ssmica z(t), em termos do fator de qualidade, para
uma entrada degrau com amplitude a
z
dada por, (Rao, 2003) e (Ogata, 2003):

onde
d
a frequncia amortecida, dada por:

Por meio das Equaes (3.72) e (3.73) possvel realizar a seguinte anlise:

Para Q > 1/2 o sistema subamortecido e a frequncia amortecida um nmero
real positivo, logo a Equao (3.72) pode ser reescrita como:

(3.71)

(3.72)

(3.73)

118

A Equao (3.74) mostra que o sistema subamortecido exibe uma oscilao
peridica na frequncia amortecida, antes da sua acomodao no valor final. A
constante de tempo subamortecido
u
dada por:

e o tempo de acomodao subamortecido para um erro percentual de 2,0% entre o valor
atingido e o valor final dado por:

Por meio da equao (3.76) nota-se que o aumento do fator de qualidade torna a
reposta inicial do sistema mais rpida, por outro lado, causa aumento nas oscilaes do
sistema.

Para o caso criticamente amortecido (Q = 1/2), a frequncia amortecida zero e
a Equao (3.72) reduzida para:

(3.74)

(3.75)

(3.76)

(3.77)

119

A Equao (3.77) mostra que o sistema criticamente amortecido no apresenta
sobre-sinal (
d
= 0), logo, o valor final obtido com uma constante de tempo
criticamente amortecido de aproximadamente:

e o tempo de acomodao criticamente amortecido para um erro percentual de 1,5%
aproximadamente,

O tempo de acomodao descrito na Equao (3.79) menor tempo possvel
sem a existncia de sobre-sinal.

Finalmente, para o caso sobreamortecido (Q < 1/2), a frequncia amortecida
um nmero imaginrio e a Equao (3.72) pode ser reescrita como:

Assim como no caso do sistema criticamente amortecido o sistema
sobreamortecido no tem sobre-sinal, contudo apresenta uma resposta mais lenta. A
constante de tempo sobreamortecido aproximadamente:

(3.78)

(3.79)

(3.80)

120

e o tempo de acomodao sobreamortecido, quando (Q << 1/2), para um erro percentual
de 2,0% pode ser determinado aproximadamente por:

Analisando a constante de tempo e o tempo de acomodao para os trs casos
nota-se que o menor tempo de resposta obtido para o sistema subamortecido, seguido
pelo sistema criticamente amortecido e, por fim, o sistema mais lento o
sobreamortecido. Em todos os casos, verifica-se que medida que o tempo tende ao
infinito a resposta tende ao valor final, ou seja, a sensibilidade esttica do
microacelermetro, como pode ser demonstrado por meio do teorema do valor final
(Ogata, 2003):

A resposta do elemento sensor elstico a uma entrada degrau unitrio (amplitude
de 1,0m/s
2
) para trs valores diferentes de presso mostrada a seguir na Figura 3-10, a
seguir:

(3.81)

(3.82)

(3.83)

121

Figura 3-10 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio para diferentes valores de presso.

O grfico da Figura 3-10 mostra que o microacelermetro operando em presso
ambiente apresenta um comportamento sobreamortecido, com fator de qualidade de
0,037 e um tempo de acomodao de 5,0ms. medida que a presso diminui para
12624,748Pa o sistema torna-se um pouco mais rpido com tempo de acomodao de
2,2ms. Quando a presso de 1883,1710Pa tem-se um fator de qualidade de 0,5; o que
torna o sistema criticamente amortecido, com um tempo de acomodao de 0,4ms.
Na Figura 3-11 tem-se o grfico para uma entrada degrau unitrio (amplitude de
1,0m/s
2
) com uma variao de presso em torno do ponto timo, (Q = 1/2).

122

Figura 3-11 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio para variaes de presses em torno
da presso otimizada.

No grfico da Figura 3-11 verifica-se que uma variao de 50,0% no fator de
qualidade pode fazer com o sistema mude suas caractersticas para subamortecido (com
uma variao de -50,0%) e para sobreamortecido (com uma variao de +50,0%).
Nota-se tambm que a relao entre o fator de qualidade e a presso altamente no-
linear, ou seja, uma variao de -50,0% no fator de qualidade timo (Q = 1/2)
corresponde a um aumento de presso de aproximadamente 100,0%, j uma variao de
+50,0% corresponde a uma reduo de presso de aproximadamente 31,0%.
A resposta em frequncia do dispositivo pode ser obtida considerando uma
entrada harmnica do tipo,

onde a
zc
a amplitude do sinal de entrada harmnico.
(3.84)

123
O deslocamento em regime permanente na sada, ou seja, aps o tempo de
acomodao, dado por:

onde z
c
e so a amplitude e a fase do deslocamento para uma entrada harmnica.
A razo entre a amplitude do deslocamento e a amplitude da acelerao de
entrada, ou seja, a magnitude do sinal em funo da frequncia dada por:

Considerando a relao descrita na Equao (3.86) possvel realizar a seguinte
anlise:

Para uma frequncia de operao muito menor que a frequncia de ressonncia,
tem-se que:

Por intermdio da relao descrita na Equao (3.87) verifica-se que nessas
condies de operao a sensibilidade constante, dependendo apenas dos parmetros
estruturais do microacelermetro.

(3.85)

(3.86)

(3.87)

124
Para uma frequncia de operao prxima da frequncia de ressonncia do
dispositivo, tem-se que:

Na relao descrita na Equao (3.88) observa-se que prximo da ressonncia a
sensibilidade do dispositivo passa a depender do fator de qualidade. Portanto, se o fator
de qualidade maior que um (Q > 1), haver um pico na ressonncia maior que a
sensibilidade do dispositivo e para um fator de qualidade menor que um (Q < 1) haver
uma reduo na sensibilidade do dispositivo.

Por fim, para uma frequncia de operao acima da frequncia de ressonncia,
tem-se que:

Na relao descrita na Equao (3.89) nota-se que acima da frequncia de
ressonncia do dispositivo a sensibilidade decai com quadrado da frequncia de
operao. Essa faixa de operao totalmente indesejada para acelermetros, porm
usada em microssensores ssmicos (Kajaakari, 2008).
A frequncia de pico obtida derivando a Equao (3.86) e igualando a zero
como mostrado a seguir:

(3.88)

(3.89)

125

Resolvendo a Equao (3.90) tem-se que a frequncia de pico
p
dada por:

No grfico da Figura 3-12 tem-se as magnitudes do deslocamento em funo da
frequncia para diferentes fatores de qualidade.

Figura 3-12 - Magnitudes do deslocamento em funo da frequncia para diferentes valores de
presso.

Pode-se perceber no grfico da Figura 3-12 que quando o microacelermetro
est operando em presso ambiente sua faixa de frequncia reduzida. Para presses

(3.90)

(3.91)

126
internas menores que a presso ambiente a faixa de frequncia aumenta at atingir a
mxima faixa plana de frequncia, com fator de qualidade de Q = 1/.
A fase descrita na Equao (3.85) em funo da frequncia devido excitao
harmnica dada por:

Considerando a relao descrita na Equao (3.92) possvel fazer a seguinte
anlise:

Para uma frequncia de operao muito menor que a frequncia de ressonncia,
tem-se que:

Por intermdio da relao descrita na Equao (3.93) verifica-se que abaixo da
frequncia de ressonncia no h defasagem entre o deslocamento e a acelerao.

Para uma frequncia de operao prxima da frequncia de ressonncia do
dispositivo, tem-se que:

(3.92)
(3.93)

(3.94)

127

Na relao descrita na Equao (3.94), nota-se que na frequncia de ressonncia
o deslocamento e a acelerao esto defasados de 90.

Para uma frequncia de operao acima da frequncia de ressonncia, tem-se
que:

Por meio da relao descrita na Equao (3.95) observa-se que acima da
frequncia de ressonncia o deslocamento e a acelerao esto defasados de 180.
No grfico da Figura 3-13 tem-se a fase do deslocamento em funo da
frequncia para diferentes fatores de qualidade.

Figura 3-13 - Fase do deslocamento em funo da frequncia para diferentes valores de presso.
(3.95)

128

Na Figura 3-13 verifica-se que quando o microacelermetro est operando em
presso ambiente a defasagem entre o deslocamento da massa ssmica e a acelerao
ocorre em uma frequncia menor que a frequncia de ressonncia. Para uma presso de
1883,1710Pa, que otimiza a resposta no domnio do tempo (Q = 1/2), a defasagem
ocorre em um valor de frequncia maior.
Por intermdio da Equao (3.91), verifica-se que para obter uma frequncia de
pico nula e uma mxima faixa de frequncia plana o fator de qualidade correspondente
deve ser igual 1/. Os grficos das Figuras 3-14 e 3-15 apresentam a magnitude e a
fase do deslocamento, respectivamente, em funo da frequncia para os dois valores do
fator de qualidade.
Nos grficos das Figuras 3-14 e 3-15 pode-se observar que a otimizao da
resposta do dispositivo no domnio do tempo (Q = 1/2) e a otimizao no domnio da
frequncia (Q = 1/) geram resultados ligeiramente diferentes. Um fator de qualidade
de 1/ gera um pequeno sobre-sinal de 4,3% na resposta temporal, como pode ser
observado no grfico da Figura 3-16 para uma entrada degrau unitrio (amplitude de
1,0m/s
2
).

129

Figura 3-14 - Magnitude do deslocamento em funo da frequncia para dois valores do fator de
qualidade.

Figura 3-15 - Fase do deslocamento em funo da frequncia para dois valores do fator de
qualidade.

130

Figura 3-16 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio para os dois valores do fator de
qualidade.

Dessa forma conclui-se que existe uma relao de compromisso entre a
otimizao por controle de presso no domnio do tempo e no domnio de frequncia.
Na prtica realizada a otimizao no domnio da frequncia (Q = 1/) j que o ganho
na faixa frequncia de operao mais significativo quando comparado ao pequeno
sobre-sinal gerado no domnio do tempo, alm disso, o tempo de acomodao diminui
(Peeters et. al. 1991 e Andrews et. al. 1993).
At o momento, a anlise foi feita desconsiderando a fora eletrosttica e sua
influncia na dinmica do sensor. A influncia da fora eletrosttica pode ser analisada
estabelecendo uma relao entre a rigidez mecnica e a rigidez eletrosttica, definida
como a rigidez efetiva do sistema.

131
A rigidez eletrosttica do sistema obtida por meio da razo entre a variao da
fora eletrosttica total pela variao do deslocamento, como representado na equao a
seguir:

substituindo a fora eletrosttica na Equao (3.96) tem-se:

e derivando em relao ao deslocamento z, tem-se,

Por meio da Equao (3.98) verifica-se que a rigidez eltrica no-linear. Sua
linearizao pode ser feita utilizando o mesmo procedimento utilizado no coeficiente de
amortecimento. Portanto, considerando o ponto de operao como sendo o ponto de
equilbrio do sistema, tem-se a rigidez eltrica linearizada:

(3.96)

(3.97)

(3.98)

(3.99)

132
A rigidez efetiva do sistema definida como a rigidez mecnica equivalente
menos a rigidez eletrosttica linearizada, como descrito a seguir:

Como pode ser observado na Equao (3.100) a rigidez eletrosttica reduz a
rigidez efetiva do sistema em um fenmeno que conhecido como electrostatic spring
softening, o qual configura-se um dos principais efeitos em microdispositivos
eletrostticos.
A frequncia de ressonncia modificada para incluir a fora eletrosttica
r

dada por:

O efeito da rigidez eletrosttica na dinmica do sistema pode ser analisado
substituindo a Equao (3.101) na Equao (3.71), logo:

O grfico da Figura 3-17 mostra uma comparao entre a resposta dinmica do
sensor elstico com e sem a fora eletrosttica no domnio do tempo para uma entrada
degrau unitrio (amplitude de 1,0m/s
2
), a presso ambiente.
(3.100)

(3.101)

(3.102)

133

Figura 3-17 - Deslocamento para uma entrada degrau unitrio com e sem a influncia da fora
eletrosttica.

Como revela o grfico da Figura 3-17 a fora eletrosttica, para uma tenso de
alimentao de 5,0V, gera um pequeno aumento na amplitude do sinal.
Os grficos das Figuras 3-18 e 3-19 apresentam a magnitude e a fase do
deslocamento, respectivamente, em funo da frequncia, em presso ambiente.

134

Figura 3-18 - Magnitude do deslocamento em funo da frequncia com e sem a influncia da fora
eletrosttica.

Figura 3-19 - Fase do deslocamento em funo da frequncia com e sem a influncia da fora
eletrosttica.

135
Por meio dos grficos apresentados nas Figuras 3-18 e 3-19 observa-se que, para
uma tenso de alimentao de 5,0V, a presso ambiente, no h influncia da fora
eletrosttica no domnio da frequncia, j que o deslocamento normalizado pela
amplitude sinal, como descrito na Equao (3.86).
3.3.2 Modelo no-linearizado
As anlises realizadas at o momento foram feitas considerando pequenos
deslocamentos e linearizando as foras de amortecimento e eletrosttica, porm para
grandes aceleraes de entrada o sistema produz uma resposta no-linear. Para avaliar o
comportamento dinmico do elemento sensor elstico, descrito na Equao (3.63), foi
utilizado o pacote Edo45 do programa Simulink/Matlab que resolve equaes
diferenciais ordinrias no-lineares de forma numrica iterativa, por meio de um dos
mtodos de Runge-Kutta denominado de Dormand-Prince (Butcher, 2003).
A representao esquemtica do diagrama de bloco utilizado para simular o
elemento sensor elstico apresentada na Figura 3-20.

z
1/m
c(z)
k
Fel1(z)

m
Fel2(z)
+Vs
-Vs
-
-
-
+
+
az

Figura 3-20 - Diagrama de blocos do elemento sensor elstico.

136

Por meio do diagrama de blocos da Figura 3-20 verifica-se que a dinmica do
dispositivo dada pelo balano das foras inercial, eletrosttica, elstica e de
amortecimento.
No grfico da Figura 3-21 tem-se o deslocamento da massa ssmica em funo
do tempo para uma entrada degrau com amplitude de 5,0g transladada de 0,001s.

Figura 3-21 Deslocamento em funo do tempo para uma entrada degrau com amplitude de 5,0g
transladada de 0,001s.

Por meio do grfico da Figura 3-21 observa-se que para uma entrada degrau de
5,0g o sistema apresenta o mesmo comportamento obtido para um degrau unitrio, ou
seja, mantendo a mesma constante de tempo.
O grfico da Figura 3-22 apresenta o comportamento das foras em funo do
tempo para uma entrada degrau com amplitude de 5,0g transladadas de 0,001s.

137

Figura 3-22 - Comportamento das foras em funo do tempo para uma entrada degrau com
amplitude de 5,0g transladadas de 0,001s.

Por intermdio do grfico apresentado na Figura 3-22 nota-se que durante
aplicao da acelerao, assim com era esperado, a fora inercial seguiu o mesmo
padro. A fora de amortecimento atinge o valor mximo e em seguida diminui at
torna-se nula, o que ocorre exatamente no mesmo instante que o deslocamento atinge
seu valor final, como apresentado na Figura 3-21, tornando a velocidade da massa
ssmica nula. Observa-se tambm que a fora eletrosttica e a fora elstica exibem um
comportamento semelhante, porm a fora eletrosttica aproximadamente 70,0 vezes
menor.
Nos grficos das Figuras 3-23 e 3-24, observa-se uma onda quadrada de entrada
com diferentes amplitudes de acelerao e o deslocamento da massa ssmica na sada,
respectivamente.

138

Figura 3-23 - Onda quadrada de entrada em funo do tempo com diferentes amplitudes de
acelerao.

Figura 3-24 - Deslocamento na sada em funo do tempo para uma onda quadrada de entrada com
diferentes amplitudes de acelerao.

139
O grfico ilustrado na Figura 3-24 mostra que o sistema responde perfeitamente
o perfil da entrada (mesma amplitude e mesmo perodo), porm com sua constante de
tempo caracterstica de um sistema sobreamortecido.
Nos grficos das Figuras 3-25 e 3-26 observa-se um sinal entrada senoidal com
amplitude de 1,0g e uma frequncia de 10,0Hz (perodo de 0,1s) e os deslocamentos da
massa ssmica na sada para diferentes amplitudes, respectivamente.

Figura 3-25 - Onda senoidal de entrada em funo do tempo com amplitude de 1,0g e uma
frequncia de 10,0Hz.

140

Figura 3-26 - Deslocamento na sada em funo do tempo para entradas senoidais com diferentes
amplitudes e uma frequncia de 10,0Hz.

Observa-se que a acelerao de entrada est praticamente em fase com o
deslocamento da massa ssmica como mostra os grficos das Figuras 3-25 e 3-26.
Comparando a amplitude do deslocamento obtido para a entrada degrau de 5,0g (Figura
3-21), com a amplitude do deslocamento obtido para a entrada senoidal de 5,0g (Figura
3-26) conclui-se que no houve atenuao na sada do dispositivo.
Nos grficos das Figuras 3-27 e 3-28 tem-se um sinal entrada senoidal com
amplitude de 1,0g e uma frequncia de 150,0Hz (perodo de 0,0066s) e os
deslocamentos da massa ssmica na sada para diferentes amplitudes, respectivamente.

141

Figura 3-27 - Onda senoidal de entrada em funo do tempo com amplitude de 1,0g e frequncia de
150,0Hz.

Figura 3-28 - Deslocamento na sada em funo do tempo para entradas senoidais com diferentes
amplitudes e uma frequncia de 150,0Hz.

142
Enquanto que nos grficos das Figuras 3-27 e 3-28, observa-se por meio do
perodo que o deslocamento da massa ssmica est defasado em relao acelerao de
entrada. Comparando a amplitude do deslocamento obtido para a entrada degrau de 5,0g
(Figura 3-21) com a amplitude do deslocamento obtido para a entrada senoidal de 5,0g
(Figura 3-28), conclui-se que tambm houve atenuao na sada do dispositivo.
Os resultados obtidos para as entradas senoidais com diferentes frequncias
podem ser analisados observando o comportamento do deslocamento no domnio da
frequncia apresentados nas Figuras 3-18 e 3-19. Por meio desses grficos verifica-se
que para uma frequncia de 10,0Hz h uma pequena atenuao da amplitude do
deslocamento e no h defasagem do mesmo em relao acelerao de entrada,
todavia para uma frequncia de 150,0Hz ocorre tanto a atenuao da sada como sua
defasagem em relao ao sinal de entrada.
A sensibilidade dinmica do microacelermetro definida como razo da
variao do deslocamento da massa ssmica em funo do tempo pela variao da
acelerao de entrada em funo do tempo, depois de atingir o regime permanente. No
grfico da Figura 3-29 tem-se o resultado de deslocamento da massa ssmica para
entradas degraus com amplitudes de -10,0g a +10,0g, em funo do tempo, transladadas
de 0,001s.

143

Figura 3-29 - Deslocamentos na sada em funo do tempo para entradas degraus com diferentes
amplitudes transladadas de 0,001s.

O comportamento simtrico do microacelermetro para entradas com amplitudes
de +10,0g e -10,0g mostrado na Figura 3-29. Observa-se tambm, que nessa faixa de
operao o sistema mantm a mesma constante de tempo, gerando a mesma variao de
deslocamento para a mesma variao da acelerao.
No grfico da Figura 3-30 tem-se uma comparao entre o deslocamento da
massa ssmica em regime permanente dos modelos linearizado e no-linearizado em
funo da acelerao para pequenas amplitudes.

144

Figura 3-30 - Comparao entre os deslocamentos em regime permanente para o modelo no-linear
e o modelo linearizado em funo da acelerao para pequenas amplitudes.

Os resultados apresentados na Figura 3-30 mostram que, para o intervalo de
acelerao de -10,0g a +10,0g, o modelo no-linear exibe um comportamento
praticamente linear. A no-linearidade para o intervalo de acelerao de -10,0g a +10,0g
de 0,5%. Os coeficientes angulares das retas apresentadas no grfico da Figura 3-30
so a sensibilidade mecnica dinmica do sensor de acelerao.
O grfico da Figura 3-31 mostra os resultados do deslocamento em regime
permanente para entradas degraus com amplitudes de acelerao de -100,0g a +100,0g.

145

Figura 3-31 - Comparao entre os deslocamentos em regime permanente para o modelo no-linear
e o modelo linearizado em funo da acelerao para grandes amplitudes.

Por meio da Figura 3-31 verifica-se que para grandes aceleraes de entrada o
modelo no-linearizado apresenta uma no-linearidade do tipo saturao nas
extremidades. A no-linearidade para o intervalo de acelerao de -100,0g a +100,0g
de 20,0% e causada pelas foras de amortecimento e eletrosttica.
Considerando os resultados obtidos anteriormente pode-se afirmar que para
baixos valores de acelerao de entrada, aps o tempo de acomodao, a sensibilidade
mecnica dinmica tende a sensibilidade mecnica esttica.
3.4 Elemento Sensor Capacitivo
Analisando as equaes de Lagrange para coordenada generalizada carga no
capacitor superior (Q
S
= q
2
) tem-se que:

146

Substituindo as Equaes (3.50), (3.51), (3.55) e (3.56) na Equao (3.103), tem-se que:

Similarmente para a coordenada generalizada, a carga no capacitor inferior (Q
I
=
q
3
),

Substituindo as Equaes (3.50), (3.51), (3.55) e (3.56) na Equao (3.105), tem-se que:

As Equaes (3.104) e (3.106) so exatamente iguais as Equaes (3.52) e
(3.53), respectivamente. A variao de deslocamento em funo do tempo medida por
meio da variao das capacitncias superior e inferior em funo do tempo:

(3.103)

(3.104)

(3.105)

(3.106)

(3.107)

147
A Equao (3.107) mostra que a diferena de capacitncia varia no-linearmente
com o deslocamento da massa ssmica, que por sua vez, varia no-linearmente com a
acelerao de entrada, como descrita na Equao (3.63).
3.4.1 Modelo linearizado
A diferena de capacitncia pode ser linearizada utilizando o mesmo
procedimento adotado anteriormente, considerando o ponto de equilbrio do dispositivo,
logo tem-se que:

onde C
l
a diferena de capacitncia linearizada. Aplicando transformada de Laplace
na Equao (3.108), tem-se:

onde H
E
a funo de transferncia eltrica. A funo de transferncia eletromecnica
H
EM
dada por:

Substituindo as Equaes (3.102) e (3.108) na Equao (3.110) tem-se a funo
de transferncia eletromecnica,

(3.108)

(3.109)

(3.110)

148

No grfico da Figura 3-32 observa-se a diferena de capacitncia para uma
entrada degrau unitrio (amplitude de 1,0m/s
2
) em funo do tempo.

Figura 3-32 - Diferena de capacitncia em funo do tempo para uma entrada degrau unitrio.

Por meio da Figura 3-32 verifica-se que o dispositivo mantm a mesma
constante de tempo do elemento sensor elstico. Portanto, conclui-se que para uma onda
quadrada de entrada com diferentes amplitudes de entrada, ilustrada na Figura 3-24, a
sada em termos de diferena de capacitncia apresenta o mesmo perfil de resposta.

(3.111)

149

Figura 3-33 - Magnitude em funo da frequncia.

Figura 3-34 - Fase em funo da frequncia.
Nos grficos das Figuras 3-33 e 3-34 tem-se a magnitude e a fase em funo da
frequncia, respectivamente.
Por intermdio das Figuras 3-33 e 3-34 nota-se que o elemento sensor capacitivo
apresenta uma resposta em frequncia com mesmo padro do elemento sensor elstico,

150
com diferena apenas na amplitude. Portanto, as respostas da diferena de capacitncia
para entradas de aceleraes senoidais com diferentes amplitudes e frequncias de
10,0Hz e 150,0Hz, ilustradas nas Figuras 3-25 e 3-27, resultaro nas mesmas concluses
do elemento sensor elstico, com diferena apenas nas amplitudes.
3.4.2 Modelo No-Linear
A Figura 3-35 apresenta o diagrama de bloco utilizado para simulao do
elemento sensor elstico e do elemento sensor capacitivo no programa Simulink/Matlab.

z
1/m
c(z)
k
Fel1(z)

m
Fel2(z)
+Vs
-Vs
-
-
-
+
+
az
C1(z)
C2(z)
C
+
-

Figura 3-35 - Diagrama de blocos do elemento sensor elstico e elemento sensor capacitivo.

Nota-se que foi adicionado o sensor de deslocamento capacitivo diferencial ao
sensor de acelerao elstico para simular o comportamento de todo o dispositivo. No
grfico da Figura 3-36 tem-se o resultado da diferena de capacitncia na sada para
entradas degraus com amplitudes de -10,0g a +10,0g, em funo do tempo, transladadas
de 0,001s.

151

Figura 3-36 - Diferena de capacitncia na sada em funo do tempo para entradas degraus com
diferentes amplitudes transladadas de 0,001s.

No grfico mostrado na Figura 3-36 observa-se o comportamento simtrico da
diferena de capacitncia para entradas de acelerao com amplitudes de +10,0g a -
10,0g. Observa-se tambm, que nessa faixa de operao o sistema mantm a mesma
constante de tempo.
Uma comparao entre o modelo no-linear e o modelo linearizado em regime
permanente, em funo da acelerao de entrada mostrada no grfico da Figura 3-37.

152

Figura 3-37 - Comparao entre as diferenas de capacitncia em regime permanente para o
modelo no-linear e o modelo linearizado em funo da acelerao para pequenas amplitudes.

O resultado apresentado na Figura 3-37 mostra que para o intervalo de
acelerao de -10,0g a +10,0g o modelo no-linear exibe um comportamento
praticamente linear, apresentando uma no-linearidade de 0,42%. Os coeficientes
angulares das retas apresentadas no grfico da Figura 3-37 so sensibilidade eltrica
linearizada e no-linearizada do sensor de deslocamento.
O grfico da Figura 3-38 mostra o resultado da diferena de capacitncia em
regime permanente em funo da acelerao para grandes amplitudes.

153

Figura 3-38 - Comparao entre as diferenas de capacitncia em regime permanente para o
modelo no-linear e o modelo linearizado em funo da acelerao para grandes amplitudes.

Na Figura 3-38 verifica-se que para grandes aceleraes de entrada a diferena
de capacitncia apresenta uma no-linearidade nas extremidades de 80,0%, ou seja,
muito maior do que a observada no deslocamento da massa ssmica (20,0%) Analisando
a Equao 3-68 conclui-se que esse aumento na no-linearidade devido a diferena de
capacitncia ser inversamente proporcional ao quadrado do deslocamento.
A sensibilidade eltrica dinmica do dispositivo definida como a variao da
diferena de capacitncia na sada em funo do tempo pela variao do deslocamento
de entrada em funo do tempo. Assim, como no elemento sensor elstico verifica-se
que no elemento sensor capacitivo a sensibilidade dinmica aps o tempo de
acomodao para pequenos deslocamentos tende a sensibilidade eltrica esttica.
Portanto, a sensibilidade eletromecnica dinmica aps o tempo de acomodao tende a
sensibilidade eletromecnica esttica:

154
3.5 Circuito de Condicionamento de Sinal
Os circuitos de condicionamento de sinal utilizados para medidas de
capacitncias variveis so baseados na deteco da variao de carga eltrica no
tempo, ou seja deteco da corrente dos capacitores. A variao temporal da carga no
capacitor superior dada por:

De maneira anloga, a variao temporal da carga no capacitor inferior dada por:

Portanto, a carga total obtida por meio da variao temporal da carga no capacitor
superior mais a variao temporal da carga no capacitor inferior:

A Equao (12) pode ser representada em termos da variao de capacitncia
como expresso nas Equaes (12) e (13), a seguir:

(3.112)

(3.113)

(3.114)

(3.115)

155

ou

O primeiro termo do lado direito da equao (3.115) representa a corrente
devido a variao temporal da diferena de capacitncia e o segundo termo representa a
corrente devido a variao temporal da tenso. O segundo termo da Equao (3.115)
um termo familiar da anlise de circuitos eltricos convencionais, onde o primeiro
termo (a variao temporal da capacitncia) desprezado ao se considerar a
capacitncia constante.
Geralmente, nas medidas de capacitncia varivel um dos dois termos na
Equao (3.115) muito superior ao outro. A medida de capacitncia baseada no
primeiro termo chamada de medida da velocidade (velocity measurement), pois mede
a variao da diferena de capacitncia no tempo, que proporcional a velocidade da
massa ssmica como apresentado na Equao (3.116). J a medida de capacitncia
baseada no segundo termo chamada de medida de deslocamento (displacement
measurement), pois a diferena de capacitncia a forma utilizada para medir o
deslocamento da massa ssmica (kaajakari, 2009).
Se a tenso de alimentao constante, a corrente total nos capacitores ser
proporcional a variao temporal da diferena de capacitncia, sendo assim, o
microacelermetro no poder ser utilizado para medir deslocamentos estticos. Alm
disso, o sinal gerado ser muito pequeno, j que o dispositivo opera em baixa
frequncia. Devido essas limitaes a medida de capacitncia baseada na medida de
velocidade (com a tenso de alimentao constante) raramente utilizada para medir

(3.116)

156
sinais em dispositivos capacitivos de baixa frequncia, como o caso dos
microacelermetros. No entanto, essa tcnica amplamente empregada em microfones
e microressonadores capacitivos de alta frequncia (Senturia, 2001).
Em microacelermetros capacitivos, a medida da diferena de capacitncia
feita baseada na medida de deslocamento. Nesse caso, utiliza-se uma tenso de
alimentao alternada com uma frequncia muito superior a frequncia do sinal de
acelerao (Senturia, 2011). Esse mtodo pode ser implementado de duas maneiras
distintas: a primeira aplicando uma tenso alterada do tipo senoidal nos capacitores
superior e inferior, contendo a mesma amplitude e a mesma frequncia, porm com
sinais opostos. A segunda opo aplicando uma tenso contnua (como simulado at o
momento) em conjunto com um arranjo de chaves de alta frequncia, alternando seus
estados entre ligado e desligado.
As chaves so transistores de efeito de campo, MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect Transistors) e seus estados ligado e desligado so
controlados ajustando as tenses de fonte, dreno e porta por meio de dois (ou mais)
geradores de sinais de clock de alta frequncia, defasados e no-sobrepostos (non-
overlapping) (Senturia, 2001). O circuito baseado em chaves de alta frequncia
utilizando dois sinais de clock mostrado na Figura 03, a seguir:

157

Figura 3-39 - Circuito de condicionamento de sinais baseados em chaves de alta frequncia.

O circuito de condicionamento de sinal apresentado na Figura 3-39 tm duas
fases distintas. Na primeira fase, as chaves T
1
esto fechadas (conduzindo) e as chaves
T
2
esto abertas (no esto conduzindo). Nessa fase, os capacitores superior e inferior
so carregados com os potenciais +V
s
e -V
s
, respectivamente. J na segunda fase, as
chaves T
2
so fechadas e as chaves T
1
so abertas, forando a carga armazenada nos
capacitores superior e inferior transferir-se para o capacitor de retroalimentao C
f
.
A amplitude mxima da tenso de sada V
o
(Figura 2-6), por perodo de clock,
considerando uma frequncia de operao da chaves muito superior a frequncia do
sinal de acelerao dada por:

A sensibilidade do circuito de condicionamento de sinal dada por:

(3.117)

158

Logo, a sensibilidade global do dispositivo S
G
dada por:

Substituindo as Equaes (2.87) , (2.115) e (3.118) na Equao (3.119) tem-se a
sensibilidade global do microacelermetro:

Substituindo os respectivos parmetros na Equao (3.120), para uma
capacitncia de retroalimentao C
f
de 1,103pF, tem-se uma sensibilidade global
0,49V/g.
Aplicando transformada de Laplace na Equao (3.117) tem-se:

onde H
A
a funo de transferncia do circuito de condicionamento de sinal. A funo
de transferncia global do dispositivo H
G
dada por:

(3.118)

(3.119)

(3.120)

(3.121)

159

Substituindo as Equaes (3.102), (3.109) e (3.121) na Equao (3.122) tem-se a funo
de transferncia global do microacelermetro:

No grfico da Figura 3-40 tem-se a tenso de sada em funo da acelerao de
entrada para um faixa de -10g a +10g.

Figura 3-40 - Tenso de sada em funo da acelerao de entrada.

Nas Figuras 3-41 e 3-42 tm-se a magnitude e a fase da tenso do circuito de
condicionamento de sinal em funo da frequncia.

(3.122)

(3.123)

160

Figura 3-41 - Magnitude da tenso eltrica em funo da frequncia.

Figura 3-42 - Fase da tenso eltrica em funo da frequncia.

Por meio dos grficos da Figuras 3-41 e 3-42 verifica-se que a resposta em
frequncia do microacelermetro continua com as mesmas caractersticas observadas
nos resultados anteriores. Esse resultado j era esperado, j que a funo de

161
transferncia do circuito de condicionamento de sinal apenas um ganho. Dessa forma,
conclu-se que no h necessidade de expandir essa anlise para grandes deslocamentos,
pois as caractersticas das respostas sero praticamente as mesmas obtidas
anteriormente.
Utilizando o princpio de energia de Rayleigh foi possvel obter a massa
equivalente das vigas biengastadas do microacelermetro quando o mesmo submetido
a uma entrada dinmica. A massa efetiva do microacelermetro foi obtida pela soma da
massa equivalente das vigas com a massa ssmica, calculada anteriormente.
O coeficiente de amortecimento equivalente foi obtido analisando a equao de
Reynolds para filmesfinos. A anlise baseada na equao de Reynolds parte do
princpio que os efeitos inerciais so desprezveis quando comparados com aos efeitos
viscosos, essa hiptese foi comprovada por meio dos nmeros de Reynolds
modificados. Quando a frequncia de operao do dispositivo muito alta e/ou o gap
muito pequeno essa hiptese no mais vlida e outro modelo deve ser utilizado
(Veijola et al., 1999).
A outra hiptese assumida como verdadeira foi que o fluido isotrmico. Essa
hiptese baseada no pequeno volume da estrutura e em sua grande rea superficial o
que gera um bom contanto trmico com o gs a sua volta. Alm do mais, o silcio um
excelente condutor trmico (Gad-el-Hak, 2006b).
A equao de Reynolds foi linearizada considerando pequenos deslocamentos
em torno da espessura nominal do gap e pequenas variaes de presso em torno da
presso ambiente. Quando o deslocamento torna-se maior um modelo para grandes
deslocamentos deve ser utilizado. Alm disso, quando a presso menor que a presso

162
ambiente o efeito modelado por meio da equao de Reynolds modificada com adio
do coeficiente relativo da taxa de fluxo.
Os efeitos de compresso do gs so considerados na soluo da equao de
Reynolds linearizada assumindo uma distribuio de presso parablica. A importncia
desses efeitos medida pela anlise do nmero de squeeze. O clculo para a estrutura do
microacelermetro em estudo mostrou que o nmero de squeeze pequeno e os efeitos
de compresso do gs podem ser desprezados; assim, a equao de Reynolds isotrmica
para fluidos incompressveis pode ser utilizada. Alm disso, ressalta-se que tanto o
clculo do nmero de Reynolds quanto o clculo do nmero de squeeze foram
superdimensionados utilizando a frequncia de ressonncia no lugar da frequncia de
operao, que naturalmente deve ser menor.
A soluo da equao de Reynolds isotrmica para um fluido incompressvel
dada por sua expanso em sries trigonomtricas, porm a soluo para um eletrodo
retangular resulta em uma simples expresso que dependente do coeficiente da taxa de
fluxo relativo. Como este dependente do nmero de Knudsen, que por sua vez,
dependente da presso pode-se expressar o coeficiente de amortecimento em funo da
presso ao redor do dispositivo.
Um modelo simples para grandes deslocamentos foi derivado e comparado com
modelo para pequenos deslocamentos. Os resultados da comparao mostraram que o
modelo no-linear deve ser utilizado para o dispositivo simulado. Outros modelos no-
lineares para grandes deslocamentos foram derivados na literatura (Sadd e Stiffler,
1975). Contudo, o modelo utilizado mais conservador.
Utilizando a massa efetiva, a rigidez mecnica equivalente e coeficiente de
amortecimento viscoso equivalente foi possvel obter a equao dinmica do elemento
sensor elstico por meio das Equaes de Lagrange. A equao dinmica do elemento

163
sensor elstico consiste em uma equao diferencial ordinria no-linear com
coeficientes variantes no tempo.
Primeiramente, foi desconsiderada a fora eletrosttica para fazer uso das
ferramentas de anlise de sistema lineares a equao dinmica do elemento sensor foi
linearizada. Aps a linearizao do coeficiente de amortecimento foi possvel obter a
funo de transferncia e estudar a dinmica do dispositivo tanto no domnio do tempo
quanto no domnio da frequncia variando a presso. Os resultados mostraram que
existe uma relao de compromisso entre a otimizao no domnio do tempo e no
domnio da frequncia. Porm, geralmente prefervel a otimizao no domnio da
frequncia.
Para estudar a influncia da fora eletrosttica na dinmica do dispositivo
definiu-se a rigidez equivalente do sistema. A rigidez eletrosttica foi linearizada para
ser introduzida na funo de transferncia. Os resultados mostraram que para uma
tenso de alimentao de 5,0V e para pequenas aceleraes de entrada o efeito da fora
eletrosttica desprezvel.
O modelo completo do elemento sensor elstico foi estudado utilizando o
Simulink/Matlab. Uma comparao entre os resultados dos modelos linearizado e no-
linear mostraram que para pequenas aceleraes de entrada o modelo no-linear se
comporta linearmente. Alm disso, aps o tempo de acomodao a sensibilidade
dinmica do dispositivo tende a sensibilidade mecnica esttica.
O modelo dinmico para o elemento sensor capacitivo foi obtido introduzindo a
dependncia temporal do deslocamento da massa ssmica no clculo da diferena entre
os capacitores superior e inferior. Para obter a funo de transferncia desse mdulo o
elemento sensor capacitivo foi linearizado. A resposta no domnio do tempo tem a

164
mesma constante de tempo do elemento sensor elstico, alm disso, o perfil da resposta
no domnio da frequncia o mesmo.
A dinmica do modelo completo foi estudada por meio do Simulink/Matlab. Os
resultados da simulao mostraram que para pequenos deslocamentos de entrada a
sensibilidade eltrica dinmica tende a sensibilidade eltrica esttica. De forma similar,
verificou-se que aps o tempo de acomodao, para baixas aceleraes de entrada, a
sensibilidade eletromecnica dinmica tende a sensibilidade eletromecnica esttica.
A anlise do circuito de condicionamento de sinal foi feita para o circuito
amplificador de cargas em conjunto com chaves de alta frequncia. A funo de
transferncia do circuito foi obtida considerando que frequncia de operao das chaves
muito superior a frequncia do sinal de acelerao. Porm, caso essa condio seja
violada outra anlise deve ser feita considerando a teoria de sinais discretos no tempo
(Ogata, 2003).
Para o caso analisado, a funo de transferncia do circuito apenas um ganho,
e no modificou as caractersticas das respostas obtidas nos elementos sensores elstico
e capacitivo. Relacionando as funes de transferncia do elemento sensor elstico, do
elemento sensor capacitivo e do circuito de condicionamento de sinal foi possvel obter
a funo de transferncia global do microacelermetro. Da mesma forma, obteve-se a
sensibilidade global do dispositivo.
Nesse captulo abordou-se o comportamento dinmico do dispositivo para
diferentes amplitudes de acelerao, porm, necessrio verificar quais so os limites
mximo e mnimo de acelerao que podem ser medidos pelo microacelermetro, ou
seja, sua faixa dinmica conforme ser abordado no prximo captulo.

165
4 FAIXA DINMICA
Nesse captulo feita uma anlise da faixa dinmica do microacelermetro,
assim como, um estudo dos efeitos da instabilidade eletromecnica nesta faixa. Por fim,
feita uma anlise dos principais resultados obtidos.
4.1 Mnima Acelerao
O rudo termomecnico configura o limite fundamental para o menor valor de
acelerao que pode ser medido pelo dispositivo. As vibraes trmicas dos tomos e
molculas do gs resultam em flutuaes aleatrias da posio da massa ssmica
gerando o rudo termomecnico. Essas flutuaes aleatrias so conhecidas como
movimento browniano.
O teorema da equipartio mostra que a energia potencial armazenada nas vigas
devido s flutuaes trmicas na posio da massa ssmica definida por (Gabrielson,
1993):

(4.1)

onde z
rms
o valor mdio quadrtico do deslocamento da massa ssmica, k
B
a
constante de Boltzmann que igual a 1,38x10
-23
J/K. O valor mdio quadrtico do
deslocamento da massa ssmica devido a esse rudo obtido diretamente da Equao
(4.1) como expresso a seguir:

(4.2)

166
possvel associar esse deslocamento na sada a um valor mdio quadrtico de
acelerao equivalente na entrada (uma acelerao de entrada que acarretaria um
deslocamento de sada equivalente ao produzido pelo rudo termomecnico) por meio
da funo de transferncia mecnica do sistema, como mostrado a seguir:

(4.3)

Para um tempo de medida igual ou superior ao tempo de acomodao e uma
frequncia de operao muito menor que a frequncia de ressonncia a funo de
transferncia torna-se:

(4.4)

Logo, o valor de mdio quadrtico da acelerao equivalente dado por:

(4.5)

Essa acelerao configura o menor limite a ser medido, ou seja, (a
zrms
= a
zmin
).
Considerando o microacelermetro operando em temperatura ambiente (T = 298,0K)
tem-se uma acelerao mnima equivalente de 50,9g, portanto, para valores de
acelerao na entrada menores que esse valor acarretaria em deslocamentos na sada
indistinguveis devido ao rudo termomecnico. Na Equao (4.5) verifica-se que
quanto menor a massa ssmica do microacelermetro maior o seu rudo mecnico e

167
menor sua sensibilidade, essa relao estabelece um dos limites prticos para o no
desenvolvimento de nanoacelermetros (Kaajakari, 2009).
O sinal de entrada a ser medido deve ser maior que o nvel de rudo do sistema,
portanto, para quantificar o desempenho do microacelermetro necessrio observar a
razo sinal-rudo, SNR (Signal-to-Noise Ratio), que caracteriza a qualidade do sinal
(Kaajakari, 2009).

(4.6)

Considerando uma acelerao de entrada de 1,0g e o rudo de 50,9g a razo
sinal rudo de 85,87dB.
No domnio da frequncia o rudo mecnico depende do amortecimento do
sistema e analisado por meio da relao de Nyquist. O valor mdio da funo
densidade espectral de potncia do rudo est relacionada com o amortecimento
equivalente linear por, (Gabrielson, 1993) e (Kaajakari, 2009):

(4.7)

onde

dada em [N
2
/Hz]. Esse resultado fisicamente anlogo ao valor mdio da
funo densidade de potncia devido ao rudo de Johnson em uma resistncia eltrica. O
valor mdio da densidade espectral potncia e o valor mdio quadrtico do
deslocamento esto relacionados por:

168

(4.8)

onde H
M
(j2f) a funo de resposta em frequncia que obtida fazendo s = j na
funo de transferncia H(s), logo:

(4.9)

onde = 2f, sendo que f a frequncia de operao Considerando a entrada como
sendo um rudo branco, a frequncia de operao muito menor que a frequncia de
ressonncia e substituindo a Equao (4.9) na Equao (4.8), tem-se que:

(4.10)

O valor mdio do deslocamento de sada descrito na Equao (4.10) est
relacionado a um valor mdio de acelerao de entrada equivalente por meio da funo
de transferncia, como expresso a seguir:

(4.11)

Portanto, substituindo as Equaes (4.7) e (4.10) na Equao (4.11) tem-se:

169

(4.12)

Essa a acelerao equivalente ao rudo termomecnico conhecido como TNEA
(Total Noise Equivalent Acceleration) dada em [m/s
2
] (Yazdi e Najafi, 2000).
Considerando que o microacelermetro opera a presso e temperatura ambiente tem-se
uma acelerao equivalente ao rudo de 41,4g/. Para o caso criticamente
amortecido (Q = 1/2) tem-se uma acelerao equivalente ao rudo de 11,2g/.
Considerando um filtro eletrnico passa-baixa ideal de primeira ordem com uma
largura de banda exatamente igual a frequncia de ressonncia (BW = 2.550,1Hz) tem-
se uma acelerao equivalente de 262,0g, valor este maior que obtido anteriormente.
Dessa forma nota-se que filtros eletrnicos com largura de banda menores podem ser
utilizados para diminuir a mnima acelerao equivalente detectvel aumentando assim
razo entre o sinal e o rudo (Kampen e Wolffenbuttel, 1995).
4.2 Mxima Acelerao
A acelerao mxima de entrada que pode ser medida obtida pela anlise do
deslocamento mximo da massa ssmica, (Gabrielson, 1993) e (Kampen e
Wolffenbuttel, 1995):

(4.13)

onde z
max
= h
o
, desde que os efeitos parasitrios sejam desconsiderados. Substituindo os
respectivos valores na Equao (4.13) tem-se uma acelerao mxima de 130,9g.

170
A faixa dinmica do microacelermetro DNR (Dynamic Range) definida pela
razo entre a acelerao mxima de entrada e a acelerao mnima de entrada
(Kaajakari, 2009).

(4.14)

Considerando uma acelerao mnima de 262,0g e uma acelerao mxima de
130,9g tem-se uma faixa dinmica de 113,9dB.
Por meio da Equao (4.14) verifica-se que a faixa dinmica do dispositivo pode
ser melhorada aumentando o fator de qualidade, diminuindo a frequncia de ressonncia
ou aumentando a massa efetiva (o que tambm reduz a frequncia de ressonncia).
Aumentar a massa ssmica vai contra a miniaturizao do dispositivo, diminuir muito a
frequncia de ressonncia tambm no uma boa alternativa, pois pode causar
atenuao no sinal de sada. Aumentar muito o fator de qualidade pode causar oscilao
na sada. Portanto, conclui-se que existe uma grande relao de compromisso
envolvendo diferentes parmetros dos dispositivos (Gabrielson, 1993).
4.3 Instabilidade Eletromecnica
Em microssistemas eletromecnicos a instabilidade pode ocorrer quando a fora
eletrosttica atingir uma magnitude superior a fora elstica fazendo com que a rigidez
equivalente do sistema se torne positiva (Kaajakari, 2009).
Intuitivamente o que ocorre que medida que a distncia entre o eletrodo
mvel do capacitor e o eletrodo fixo do capacitor tende zero a fora eletrosttica tende
infinito atraindo o eletrodo mvel cada vez mais na direo do eletrodo fixo. Em uma

171
determinada faixa de deslocamento a fora eletrosttica contrabalanceada pela fora
elstica exercida pelas vigas do dispositivo, porm com um aumento da tenso de
alimentao passa a existir um ponto no qual a fora eletrosttica e a fora elstica se
anulam, esse ponto conhecido como ponto de equilbrio e a tenso onde esse ponto
ocorre chamada de tenso de pull-in (Senturia 2001).
Para deslocamentos maiores que o ponto de equilbrio a rigidez equivalente do
sistema torna-se positiva fazendo com que o eletrodo mvel seja fortemente deslocado
no sentido do eletrodo fixo colidindo e gerando um curto-circuito. Esse fenmeno foi
estudado extensivamente em microatuadores eletrostticos para aplicao em chaves de
alta frequncia (RF MEMS) (Pamidighantam et al. 2002). Mais recentemente, esse
fenmeno comeou a ser estudado como um dos mecanismos de testes para
caracterizao de dispositivos e de seus processos de microfabricao (Rocha et al.
2008).
O fenmeno estudado considerando que o deslocamento do eletrodo mvel
causado pelo aumento da tenso de alimentao, ou seja, desconsiderando entradas
externas. Primeiro, considera-se apenas que o capacitor superior esteja alimentado
enquanto que as foras inercial e de amortecimento so desconsideradas, logo possvel
definir uma fora de equilbrio F
net
dada por:

(4.15)

Quando o deslocamento do eletrodo mvel z atinge o deslocamento de equilbrio
z
o,
as foras eltrica e elstica equilibram-se gerando uma fora equivalente nula, como
mostrado na equao a seguir;

172

(4.16)

onde V
pu
e a tenso de pull-in para o caso assimtrico de alimentao do capacitor
superior e pode ser determinada diretamente da Equao (4.16) como:

(4.17)

A soluo da Equao (4.17) um polinmio de terceiro grau (Senturia, 2001).
As foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento z apresentada no grfico
da Figura 4-1.

Figura 4-1 - Foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento.

173
Nesse grfico podem ser observados trs pontos de interseco entre as duas
foras correspondendo as trs razes do polinmio de terceiro grau descrito na Equao
(4.17). No entanto, deve-se ressaltar que o terceiro ponto, embora correto
matematicamente, no tm sentido fsico j que no possvel um deslocamento maior
que o gap. No intervalo entre o primeiro e o segundo ponto o sistema estvel j que a
fora elstica maior que a fora eletrosttica, fazendo com que para pequenos
deslocamentos do eletrodo mvel a fora elstica atue fortemente para coloc-lo na
posio de repouso. A partir do segundo ponto, o sistema torna-se instvel pois a fora
eletrosttica torna-se maior que a fora elstica fazendo com que o eletrodo mvel seja
fortemente atrado de encontro do eletrodo fixo.
Segundo Kaajakari (2009) a maneira mais fcil de encontrar a tenso de pull-in
determinar o ponto de equilbrio. Desse modo, derivando a fora de equilbrio em
relao ao deslocamento tem-se que:

(4.18)

Aplicando o ponto de equilbrio na Equao (4.18) e igualando a zero tem-se:

(4.19)

Resolvendo a Equao (4.19) tem-se que o ponto de equilbrio para o caso
assimtrico dado por:

174

(4.20)

Substituindo a Equao (4.20) na Equao (4.17) tem-se que a tenso de pull-in para o
caso assimtrico do capacitor superior dada por:

(4.21)

Realizando a mesma anlise para o capacitor inferior tem-se que a tenso de
pull-in para caso assimtrico V
pl
dada por:

(4.22)

Substituindo os respectivos valores nas equaes tem-se que V
pu
= V
pl
= 33,65V, logo
pode-se definir que o sistema estvel para V
s
< 33,65V. A Figura 4-2 mostra o
grfico das foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento, na regio de
interesse z [0, h
o
], para vrios valores de tenso, no caso assimtrico;

175

Figura 4-2 - Foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento para vrios valores de tenso
no caso assimtrico.

Por meio do grfico da Figura 4-2 verifica-se que para uma tenso de
alimentao de 5,0V a instabilidade ocorre para deslocamentos acima de 4,5m.
Contudo, a medida que a tenso de alimentao vai aumentando esse ponto de equilbrio
vai diminuindo at chegar ao valor de h
o
/3, ou seja (1,66m), quando ocorre a tenso de
pull-in. Para tenses maiores que a tenso de pull-in o sistema totalmente instvel
independentemente do valor de deslocamento.
Considerando o caso simtrico, onde os capacitores superior e inferior so
alimentados simultaneamente, tem-se que a fora de equilbrio dada por:

(4.23)

Derivando a fora equilbrio em relao ao deslocamento z tem-se:

176

(4.24)

Aplicando o ponto de equilbrio na Equao (4.24), para o caso simtrico igual a zero,
tem-se:

(4.25)
Logo, a tenso de pull-in para o caso simtrico dada por,

(4.26)

Pela Equao (4.26) verifica-se que quando os dois capacitores esto
alimentados simultaneamente, a tenso de pull-in no depende do deslocamento de
equilbrio. Substituindo os respectivos valores na Equao (4.26), verifica-se que o
sistema tem uma faixa dinmica estvel para uma tenso de alimentao Vs <
43,71V.
O grfico da Figura 4-3 mostra as foras elstica e eletrosttica em funo do
deslocamento, para vrios valores de tenso, no caso simtrico.

177

Figura 4-3 - Foras elstica e eletrosttica em funo do deslocamento para vrios valores de tenso
no caso simtrico.

Na Figura 4-3 nota-se que para uma tenso de alimentao de 5,0V a faixa de
operao estvel praticamente a mesma do caso assimtrico. Porm, quando a tenso
de alimentao atinge a tenso de pull-in o sistema torna-se instvel independente do
deslocamento. Verifica-se tambm, que a tenso de pull-in maior para o caso
simtrico quando comparado com o caso assimtrico, pois as foras eletrostticas tm
sentidos opostos fazendo que a tenso necessria para que ocorra o pull-in seja
ligeiramente maior.
A anlise feita at o momento desconsidera entradas externas e bastante
difundida na literatura para anlise de microatuadores eletrostticos. Contudo, esse
efeito tambm pode ocorrer em microssensores eletrostticos, onde se tem uma baixa
tenso de alimentao, logo o deslocamento de equilbrio grande, mas pode ser
perfeitamente alcanando quando se tm grandes sinais de entradas.

178
possvel estender essas anlises para o microacelermetro considerando uma
entrada de acelerao degrau e analisando o sistema aps o tempo de acomodao, o
que permite desconsiderar a fora de amortecimento. Portanto, considerando a fora
inercial para o caso assimtrico, onde apenas o capacitor superior est alimentado, a
fora de equilbrio pode ser reescrita como:

(4.27)

Aplicando o ponto de equilbrio na Equao (4.27) e igualando a zero tem-se:

(4.28)

Dessa forma a tenso de pull-in em funo do ponto de equilbrio obtida
diretamente da Equao (4.28):

(4.29)

Derivando a fora de equilbrio, aplicando o ponto de equilbrio e igualando o
resultado zero tem-se:

(4.30)

179

Substituindo a Equao (4.29) na Equao (4.30) e resolvendo para o ponto de
equilbrio tem-se:

(4.31)

Logo, substituindo a Equao (4.31) na Equao (4.29) tem-se que a tenso de pull-in,
para o capacitor superior, considerando a fora inercial dada por,

(4.32)

Fazendo a mesma anlise para o capacitor inferior pode-se definir sua tenso de
pull-in considerando a fora inercial por:

(4.33)

Por meio das Equaes (4.32) e (4.33) verifica-se que medida que a acelerao
tende a zero essas equaes tornam-se as Equaes (4.21) e (4.22), respectivamente.
Nota-se tambm que a tenso necessria para que ocorra o fenmeno de pull-in
diferente para os dois casos pois o deslocamento do eletrodo mvel em funo da
acelerao aplicada tende a facilitar o encontro das placas em um caso, e a tende
dificultar no outro.

180
Substituindo seus respectivos os valores nas Equaes (4.32) e (4.33), verifica-se
que a tenso de pull-in para os eletrodos inferior e superior considerando que uma
acelerao de -1,0g dada por V
pu
= 34,03V e V
pl
= 33,26V, respectivamente.
Comparando esses resultados com os obtidos nos casos onde foi considerada a fora
inercial verifica-se que a diferena na tenso de pull-in devido ao peso prprio da massa
de aproximadamente 1,2%, ou seja, praticamente desprezvel.
O grfico da Figura 4-4 mostra a tenso de pull-in para o capacitor inferior para
vrios valores de entradas degraus de aceleraes.

Figura 4-4 - Tenso de pull-in em funo da acelerao de entrada no caso assimtrico.

No grfico da Figura 4-4 verifica-se que conforme a acelerao de entrada
aumenta a tenso de pull-in diminui. Para uma acelerao de entrada superior a 95,0g, a
tenso de pull-in inferior a 5,0V que justamente a tenso de alimentao do
dispositivo. Esse resultado mostra que a mxima de acelerao de entrada de 130,9g,
obtida anteriormente, diminui para 95,0g quando o fenmeno de pull-in considerado.

181
Por fim, analisando o caso simtrico e considerando uma acelerao de entrada
do tipo degrau a fora de equilbrio dada por:

(4.34)

Igualando a fora de equilbrio a zero e aplicando o ponto de equilbrio, tem-se

(4.35)

isolando a tenso de pull-in, tem-se:

(4.36)

Derivando a Equao (4.35), aplicando o ponto de equilbrio e igualando a zero tem-se:

(4.37)

182
Substituindo a Equao (4.36) na Equao (4.37) e fazendo algumas manipulaes
algbricas tem-se:

(4.38)

A Equao (4.38) um tipo especial de equao do terceiro grau pode ser
resolvida utilizando o mtodo de Cardano (Rechtschaffen, 2008). No entanto, devido
aos sinais de cada um dos coeficientes verifica-se que essa equao no solvel por
um radical real. Isso pode ser contornado considerando que acelerao de entrada
negativa, logo e a Equao (4.38) torna-se:

(4.39)

e sua soluo real dada por:

183

(4.40)

Substituindo z
o
na Equao (4.36) tem-se a tenso de pull-in para o caso simetricamente
alimentado V
ps
considerando a fora inercial. Substituindo os seus respectivos valores
verifica-se que V
ps
= 41,69V, o que resulta em uma diferena de 4,6% quando
comparado com valor obtido para o caso simtrico onde desconsiderada a fora
inercial.
No grfico da Figura 4-5 tem-se uma comparao da variao de tenso de pull-
in, para diferentes valores de aceleraes de entrada, no caso assimtrico e simtrico.

Figura 4-5 - Tenso de pull-in em funo da acelerao de entrada no caso simtrico.

184
Por meio da Figura 4-5 verifica-se que embora as tenses de pull-in para os dois
casos sejam diferentes para uma acelerao nula os valores se convergem quando a
acelerao aumenta. Dessa forma, nota-se que o estudo do efeito de pull-in mesmo para
um sensor continua sendo importante, pois ele determina a dinmica do microssensor
limitando a acelerao mxima de entrada.
Uma anlise mais completa de fenmeno de pull-in no microacelermetro
considerando uma entrada de acelerao qualquer e sua respectiva fora de
amortecimento pode ser feita por meio da representao em retrato de fase ou por
simulao numrica.
Nessa seo avaliou-se a faixa dinmica do dispositivo estabelecendo a mnima
e a mxima acelerao de entrada. A acelerao mnima de entrada equivalente foi
analisada por meio do teorema da equipartio e sua resposta em frequncia pela
relao de Nyquist. Na resposta em frequncia a acelerao mnima de entrada
dependente do frequncia de ressonncia, da massa efetiva e do fator de qualidade
estabelecendo uma relao de compromisso entre diferentes parmetros do dispositivo.
Por meio da mnima acelerao equivalente de entrada possvel caracterizar o
desempenho do sensor estabelecendo a razo entre o sinal de entrada e o rudo. Filtros
eletrnicos podem ser utilizados para diminuir o rudo termomecnico.
A acelerao mxima de entrada obtida por meio do mximo deslocamento da
massa ssmica. A faixa dinmica do dispositivo foi obtida pela razo entre as
aceleraes mxima e mnima de entrada. Por meio da sensibilidade eletrosttica
possvel determinar a mnima e a mxima capacitncia correspondente. No entanto,
deve-se levar em conta que o circuito de condicionamento de sinal pode influenciar na

185
faixa dinmica, estabelecendo novos limites de mnima e mxima aceleraes
detectveis.
A influncia da instabilidade eletromecnica na faixa dinmica do dispositivo foi
estudada por meio do fenmeno de pull-in. Foram avaliados seis casos diferentes: os
casos assimtricos para os capacitores superior e inferior e os casos simtricos, ambos
considerando e desconsiderando a influncia da fora inercial.
Analisando os resultados obtidos nesses casos verificou-se que o fenmeno de
pull-in diminui a faixa dinmica do dispositivo e portanto deve ser evitado. Isso pode
ser feito de duas maneiras: uma delas a introduo de barreiras mecnicas entre os
eletrodos, conhecido como stoppers, que podem ser criadas durante o processo de
fabricao do dispositivo. Por exemplo, considerando que o fenmeno ocorre com uma
acelerao de 95,0g, o deslocamento correspondente de 3,63m, logo, para evitar o
pull-in os stoppers devem ser maiores que 1,37m. Outra alternativa o fechamento da
malha do sensor utilizando como retroalimentao a prpria fora eletrosttica e dessa
forma manter a massa em uma posio fixa.

186
5 MODELAGEM NUMRICA
Esse captulo descreve a simulao numrica do microacelermetro utilizando o
software COMSOL Multiphysics. Os resultados obtidos na simulao numrica so
comparados com os resultados analticos. Por fim, feita uma discusso desses
resultados.
O modelo do dispositivo foi criado na ferramenta de 3D CAD (3 Dimensional
Computer-Aided Design) SolidWorks e importado para rea de trabalho do COMSOL.
Apesar do COMSOL tambm possuir uma ferramenta de construo geomtrica, essa
ferramenta apresenta algumas limitao em termos de praticidade principalmente
quando se trata de geometrias complexas. Alm disso, o COMSOL permite a
atualizao simultnea de eventuais mudanas na geometria feita no SolidWorks. A
Figura 5-1 mostra a geometria da lmina central criada em SolidWorks e importada para
rea de trabalho do COMSOL.

Figura 5-1 - Geometria da lmina central criada em SolidWorks e exportada para o COMSOL.

187
O modelo geomtrico do microacelermetro foi projetado respeitando-se os
planos cristalogrficos assim como seus respectivos ngulos formados durante o
processo de fabricao, como ilustrado na Figura 5-1. Nas simulaes do elemento
sensor elstico as duas lminas externas no foram inclusas, pois as mesmas
aumentariam significativamente o custo computacional sem influenciar nos resultados.
Em seguida, o silcio monocristalino (100) foi configurado como o material que
constitui a estrutura. No COMSOL as propriedades anisotrpicas desse material podem
ser configuradas de duas maneiras distintas: a mais simples calcular analiticamente
(ou consultar na literatura) o mdulo de Young e a razo de Poisson e inser-los no
banco de dados do material a outra introduzir a matriz de rigidez e configurar as
coordenadas para o tensor de tenso de acordo com a direo cristalogrfica. As duas
maneiras foram testadas e assim como esperado forneceram o mesmo resultado: mdulo
de Young de 168,9GPa e razo de Poisson de 0,0625.
Aps o desenho da geometria e a configurao do material iniciou-se o processo
de criao e anlise da malha. Para a simulao do elemento sensor elstico utilizou-se
um algoritmo livre de malha no-estruturada com elementos tetradricos. Uma das
vantagens desse algoritmo no impor restries a estrutura geomtrica, ou seja,
adapta-se a estruturas geomtricas arbitrrias.

188
A Figura 5-2 mostra a lmina central com uma malha tetradrica com 1.132,00
elementos.

Figura 5-2 - Lmina central com uma malha tetradrica com 1.132,00 elementos.

Na Figura 5-3 tem-se uma anlise da qualidade mdia dos elementos da malha
ao longo da estrutura, em uma escala que varia de 0 a 1,0, sendo 0 para indicar um
elemento achatado e 1,0 para um elemento isotrpico.

Figura 5-3 - Anlise da qualidade mdia dos 1.132,00 elementos da lmina central.

189
A qualidade mdia dos 1.132,00 elementos de 0,029, ou seja, muito abaixo do
valor mximo, indicando que esse nmero de elementos insuficiente para esta
estrutura. As Figuras 5-4 e 5-5 mostram a geometria da lmina central com uma malha
tetradrica utilizando 113.600,00 elementos e a anlise de sua qualidade mdia,
respectivamente.

Figura 5-4 - Lmina central com uma malha tetradrica com 113.600,00 elementos.

Figura 5-5 - Anlise da qualidade mdia dos 113.600,00 elementos da lmina central.

190
A qualidade mdia dos 113.600,00 elementos de 0,834, ou seja, muito prximo
do valor mximo. No grfico da Figura 5-6 tem-se a qualidade mdia dos elementos da
malha tetradrica na lmina central em funo do nmero de elementos.

Figura 5-6 - Qualidade mdia dos elementos da malha tetradrica na lmina central em funo do
nmero de elementos.

Por meio da Figura 5-6 nota-se que existe uma grande variao na qualidade
mdia dos elementos da malha, porm a partir de um certo nmero de elementos a
qualidade mdia tende a um valor estvel.
A anlise estrutural foi feita considerando as seguintes condies de contornos:
as bordas da lmina central so fixas enquanto que a massa ssmica e as vigas esto
livres. A condio inicial que o deslocamento inicial nulo. Por fim, aplicada uma
acelerao vertical de 1,0g sobre a estrutura. A Figura 5-7 mostra o deslocamento da
massa ssmica em funo do nmero de elementos da malha.

191

Figura 5-7 - Deslocamento da massa ssmica em funo do nmero de elementos da malha
tetradrica.

O grfico da Figura 5-7 mostra que a diferena entre os deslocamentos obtidos
nas malhas com 1.132,00 elementos e com 113.600,00 elementos de 16,0%. Verifica-
se tambm que, a partir de determinado nmero de elementos o deslocamento comea
convergir para seu valor final.
A princpio, como consequncia da definio do prprio mtodo, o resultado
converge para um nmero infinito de elementos, portanto deve-se encontrar uma relao
de compromisso entre a preciso do resultado e o tempo de execuo. As simulaes
desse trabalho foram executadas em um computador porttil com um processador
Intel Core vPro
Tm
i7, memria de 4Gbytes SDRAM Dual Channel DDR3 e um disco
rgido com capacidade de armazenamento de 3.000,0MBytes a uma velocidade de
5.400,0RPM. O grfico do tempo de execuo em funo do nmero de elementos
ilustrado na Figura 5-8.

192

Figura 5-8 - Tempo de execuo em funo do nmero de elementos.

A Figura 5-8 mostra que o tempo de processamento aumenta significativamente
com o aumento do nmero de elementos. Para 1.132,00 elementos tem-se um tempo de
execuo de 4,0s, j para 113.600,00 elementos obtm-se 115,0s. Como volume de
simulaes relativamente pequeno optou-se por uma malha contendo 113.600,0
elementos, que embora consuma um tempo maior de execuo, garante a qualidade
mdia da malha por consequncia a convergncia dos resultados.
As Figuras 5-9 e 5-10 apresentam o deslocamento da massa ssmica, dado em
metros [m], quando a mesma submetida s aceleraes verticais de 0g e 1,0g,
respectivamente.

193

Figura 5-9 - Deslocamento da massa ssmica quando a estrutura submetida acelerao vertical
de 0g.

Figura 5-10 - Deslocamento da massa ssmica quando a estrutura submetida acelerao vertical
de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0 vezes.

194
Na Figura 5-11 apresentada a vista lateral do deslocamento da massa ssmica
quando a estrutura submetida a uma acelerao vertical de 1,0g.

Figura 5-11 - Vista lateral do deslocamento da massa ssmica quando a estrutura submetida
acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0 vezes.

Observa-se que a distribuio das vigas de forma simtrica na estrutura permite
que a massa ssmica desloque-se uniformemente, evitando assim a ocorrncia de alguns
efeitos parasticos.
No grfico da Figura 5-12 tem-se uma comparao entre os resultados do
deslocamento da massa ssmica em funo da acelerao obtidos nos modelos analtico
e numrico.

195

Figura 5-12 - Comparao entre os resultados de deslocamento da massa ssmica em funo da
acelerao obtidos nos modelos analtico e numrico.

Nota-se que o resultado analtico est bem coerente com o numrico. A
diferena entre as sensibilidades mecnicas esttica obtidas pelos dois mtodos de
0,5%.
A Figura 5-13 apresenta a distribuio da tenso normal mxima sobre a
estrutura, dada em Pascal [Pa], quando a mesma submetida acelerao vertical 1,0g.

196

Figura 5-13 - Distribuio da tenso normal mxima sobre a estrutura quando a mesma
submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0 vezes.

As Figuras 5-14 e 5-15 apresentam as vistas superior e inferior, respectivamente,
da distribuio da tenso normal mxima sobre a estrutura quando a mesma submetida
acelerao de 1,0g.

Figura 5-14 - Vista superior da distribuio de tenso normal mxima sobre a estrutura quando a
mesma submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0 vezes.

197

Figura 5-15 - Vista inferior da distribuio de tenso normal mxima sobre a estrutura quando a
mesma submetida acelerao vertical de 1,0g, com uma magnificao de 8.000,0 vezes.

Analisando as Figuras 5-14 e 5-15 possvel verificar exatamente onde ocorrem
os pontos de mxima tenso na estrutura. No modelo analtico sabe-se que esses pontos
de mxima tenso ocorrem nas extremidades das vigas, mas no se sabe exatamente
onde. No grfico da Figura 5-16 tem-se a comparao entre os resultados da tenso
normal mxima sobre a estrutura obtidos nos modelos analtico e numrico em funo
da acelerao.

198

Figura 5-16 - Comparao entre os resultados de tenso normal mxima funo da acelerao
obtidos nos modelos analtico e numrico.

Como pode ser observado na Figura 5-16, o resultado obtido analiticamente para
tenso normal mxima est de acordo com o resultado numrico. A diferena entre os
dois coeficientes angulares de 2,46%. Esses resultados indicam que apesar do modelo
analtico no mostrar a localizao exata dos pontos de mxima tenso o modelo
fornece uma excelente aproximao da amplitude de efeito.
O prximo passo da simulao numrica foi obter os valores das auto-
frequncias da estrutura, assim como, seus modos vibracionais. O primeiro modo de
vibrao da estrutura em uma frequncia de 2.567,7Hz apresentado na Figura 5-17.

199

Figura 5-17 - Primeiro modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 2.567,7Hz.

A frequncia de ressonncia do primeiro modo de vibrao obtida
analiticamente de 2.550,1Hz, que d uma diferena de 0,68% quando comparada com
o resultado obtido numericamente. Nas Figuras 5-18, 5-19, 5-20 e 5-21 tm-se o
segundo (5.545,82Hz), o terceiro (5.545,90Hz), o quarto (54.562,75Hz) e o quinto
modo de vibrao (55.088,07Hz), respectivamente.

Figura 5-18 - Segundo modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 5.545,82Hz.

200

Figura 5-19 - Terceiro modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 5.545,90Hz.

Figura 5-20 - Quarto modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 54.562,75Hz.

201

Figura 5-21 - Quinto modo de vibrao da estrutura em uma frequncia de 55.088,07Hz.

Por meio das Figuras 5-18 e 5-19 e das Figuras 5-20 e 5-21 nota-se que as auto-
frequncias vo ocorrendo aos pares gerando os mesmos movimentos de vibrao,
porm com vigas diferentes. Esse efeito ocorre devido simetria existente na disposio
das vigas ao longo da estrutura. Alm disso, verifica-se tambm que h um aumento
significativo no valor da auto-frequncia a partir do terceiro modo de vibrao. Foram
feitas simulaes at o 50 modo de vibrao onde foi verificado que as auto-
frequncias continuam aumentado e o padro de repetio por pares se mantm.
Em seguida, adicionou-se o mdulo de dinmica dos fluidos para estudar o
amortecimento da estrutura em funo da presso. O submdulo utilizado foi o de
amortecimento de filmefino, este submdulo utiliza a equao de Reynolds modificada
para obter o amortecimento. O ar foi configurado como sendo o fluido entre os
eletrodos e a opo que considera os efeitos de escorregamento entre as interfaces
fluido-estrutura foi ativada.

202
As Figuras 5-24 e 5-25 mostram os perfis de distribuio de presso, dado em
[Pa], sobre as faces superior e inferior da massa ssmica, respectivamente. A simulao
foi feita considerando uma entrada de acelerao do tipo degrau unitrio (amplitude de
1,0m/s
2
), presso atmosfrica e tempo de 0,01s.

Figura 5-22 - Distribuio de presso na face superior da massa ssmica.

Figura 5-23 - Distribuio de presso na face inferior da massa ssmica.

203
Como pode ser observado nas Figuras 5-22 e 5-23, a distribuio de presso
sobre a superfcie da massa ssmica segue um perfil parablico que uma das condies
de contornos imposta para a soluo da equao de Reynolds. No grfico da Figura 5-24
tem-se a comparao entre os resultados analticos e numricos do deslocamento da
massa ssmica em funo do tempo, para uma entrada degrau unitrio e para diferentes
valores de presso.

Figura 5-24 - Deslocamento da massa ssmica em funo do tempo, para uma entrada degrau
unitrio e para diferentes valores de presso.

Como ilustrado na Figura 5-24, os resultados analticos seguem o mesmo regime
de operao dos resultados numricos, ou seja, em presso ambiente tem-se o regime
sobreamortecido e para uma presso de 1.883,1710Pa tem-se o regime criticamente
amortecido, em ambos modelos. Nota-se tambm que existe uma pequena diferena de
4,0% nas amplitudes dois modelos, porm os tempos de acomodao so praticamente
os mesmos.

204
As Figuras 5-25 e 5-26 mostram a magnitude e a fase em funo da frequncia,
respectivamente, para diferentes valores de presso. Nota-se que os resultados obtidos
analiticamente no domnio da frequncia esto em excelente concordncia com os
resultados obtidos numericamente. A diferena observada nas amplitudes no domnio
do tempo no aparecem no domnio da frequncia, j que o sinal de sada normalizado
pelo sinal de entrada.

Figura 5-25 - Comparao entre os resultados da magnitude em funo da frequncia obtidos nos
modelos analtico e numrico.

205

Figura 5-26 - Comparao entre os resultados da fase em funo da frequncia obtidos nos modelos
analtico e numrico.

Nesse captulo, o software COMSOL Multiphysics foi utilizado para realizar a
modelagem numrica do microacelermetro. As geometrias utilizadas foram criadas em
SolidWorks e em seguida importadas para o COMSOL. A malha utilizada nas
simulaes foi analisada e discutida de acordo com sua qualidade e funcionalidade.
Primeiro, realizou-se a modelagem esttica do elemento sensor elstico obtendo
a sensibilidade mecnica esttica e a tenso normal mxima sobre a estrutura do
microacelermetro, para uma dada acelerao. Os resultados obtidos numericamente
foram comparados com os analticos e mostraram uma excelente concordncia, o que
valida no s esses dois parmetros diretos, mas tambm a rigidez mecnica equivalente
e o limite de resistncia de choque mecnico do microacelermetro.

206
Na simulao dinmica do elemento sensor elstico obteve-se a frequncia de
ressonncia e o coeficiente de amortecimento viscoso equivalente. Esses resultados
tambm mostraram uma boa concordncia quando comparados aos analticos, tanto no
domnio do tempo quanto no domnio da frequncia. Validando no s a faixa de
frequncia, mas tambm o tempo de resposta do dispositivo.

207
6 CONCLUSO
Os microssensores inerciais apresentam grandes vantagens como: baixo custo,
tamanho reduzido, baixo consumo de potncia, alta confiabilidade e um desempenho
promissor, alm da possibilidade de fabricao em grande escala. Essas vantagens tm
possibilitado inmeras aplicaes desses dispositivos, que vo desde aplicaes de
baixo-nvel (Low-end Applications) at aplicaes de alto-nvel (High-end
Applications). O que determina a aplicao desses sensores so suas especificaes, ou
seja, o seu desempenho em funo de suas caractersticas.
A modelagem e simulao desses microssistemas no so tarefas das mais
simples, dado o acoplamento inerente de diferentes domnios fsicos. Porm, estas
tarefas so extremamente necessrias para atingir as especificaes de projeto, j que a
prototipagem desses dispositivos cara. Ciente disso, esse trabalho props-se aos
seguintes objetivos: realizar a modelagem analtica e a simulao de um
microacelermetro capacitivo, relacionar os resultados obtidos com as principais
especificaes do dispositivo e validar esses resultados por meio da comparao com
mtodos numricos.
Primeiramente, realizou-se a identificao das funcionalidades dos elementos
fsicos do dispositivo por meio da metodologia de descrio generalizada. O uso dessa
metodologia possibilitou a compreenso detalhada do princpio de funcionamento do
dispositivo, assim como, seu particionamento em subsistemas, o que foi bastante til
nas etapas seguintes de modelagem e simulao.
Feito isso, utilizou-se clculo diferencial e integral, assim como relaes
trigonomtricas simples para obter a massa ssmica e o momento de inrcia das vigas,
ambos levando em conta as alteraes geomtricas causadas pelo processo de
fabricao. O mdulo de Young e a razo de Poisson tambm foram obtidos

208
considerando as direes das vigas em relao a orientao cristalogrfica do silcio.
Por meio da aplicao de teoria clssica de resistncia dos materiais obteve-se a rigidez
mecnica do dispositivo.
Com a massa ssmica e a rigidez mecnica, foi possvel obter a frequncia de
ressonncia e sensibilidade mecnica esttica. O critrio de falha utilizado permitiu
obter a tenso normal mxima do dispositivo, essa por sua vez foi relacionada ao limite
de tenso mxima do silcio fornecendo o limite de resistncia de choque mecnico para
um dado coeficiente de segurana.
As altas condutividades das lminas degeneradas foram comprovadas, o que
permitiu o uso da teoria eletrosttica de condutores. Sendo assim, obteve-se as
capacitncias e por meio delas a capacitncia diferencial. Ao relacionar a capacitncia
diferencial com o deslocamento estabeleceu-se a sensibilidade eltrica esttica, que por
sua vez, resultou na sensibilidade eletromecnica esttica do dispositivo.
Utilizando equaes de dinmica dos fludos obteve-se o coeficiente de
amortecimento em funo da presso interna do gs. A mecnica clssica foi usada para
obter a equao dinmica do dispositivo, que uma equao diferencial no-linear com
coeficientes variantes no tempo. A linearizao dessa equao permitiu obter o tempo
de resposta e a faixa de frequncia do dispositivo, para uma dada presso do gs. A
comparao entre as equaes dinmica no-linear e a linearizada permitiu o estudo da
linearidade do dispositivo.
O circuito de condicionamento de sinal foi simulado analisando um amplificador
de cargas em conjunto com chaves de alta frequncia. Considerando a frequncia de
operao das chaves muito superior a frequncia do sinal de acelerao foi possvel
obter a sensibilidade do circuito de condicionamento de sinal. Relacionando essa

209
sensibilidade com a sensibilidade eletromecnica obteve-se a sensibilidade global do
microacelermetro.
A faixa dinmica do dispositivo foi estudada considerando a mxima e a mnima
acelerao de entrada, sendo que esta ltima limitada pelo rudo trmico, o qual
tambm estabelece a mnima resoluo do dispositivo. Os estudos mostraram que o
efeito de instabilidade eletromecnica, conhecido como pull-in, limita a mxima
acelerao de entrada, reduzindo a faixa dinmica do dispositivo.
O modelo geomtrico do microacelermetro em 3D foi simulado numericamente
e seus principais resultados foram comparados com os analticos e apresentaram uma
excelente concordncia. Destaca-se tambm que a metodologia usada no
particionamento do dispositivo em sub-dispositivos foi essencial nessa etapa, pois
permitiu economizar tempo e recursos computacionais.
Finalmente, com base no que foi exposto anteriormente conclu-se que os
principais objetivos propostos nesse trabalho foram plenamente alcanados. Os
resultados obtidos podem ser utilizados na anlise do comportamento do dispositivo
operando em malha fechada, nas otimizaes paramtrica e estrutural do
microacelermetro e no desenvolvimento de novos dispositivos.

210
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FOLHA DE REGISTRO DO DOCUMENTO

1.
CLASSIFICAO/TIPO

DM
2.
DATA

26 de setembro de 2011
3.
REGISTRO N

DCTA/ITA/DM-041/2011
4.
NDE
PGINAS
219
5.
TTULO E SUBTTULO:
Modelagem e simulao de microacelermetro capacitivo

6.
AUTOR(ES):
7. INSTITUIO(ES)/RGO(S) INTERNO(S)/DIVISO(ES):

Instituto Tecnolgico de Aeronutica - ITA
8.
PALAVRAS-CHAVE SUGERIDAS PELO AUTOR:

Microacelermetro; Microssistemas Eletromecnicos; Modelagem; Simulao
9.PALAVRAS-CHAVE RESULTANTES DE INDEXAO:

Acelermetros; Sistemas microeletromecnicos; Dispositivos eletromecnicos; Modelos
matemticos; Simulao computadorizada; Engenharia mecnica; Engenharia eletrnica.

10.
APRESENTAO: X Nacional Internacional
ITA, So Jos dos Campos. Curso de Mestrado. Programa de Ps-Graduao em Engenharia.
Aeronutica e Mecnica. rea de Sistemas Aeroespaciais e Mecatrnica. Orientador: Prof. Dr. Luiz
Sandoval Ges; co-orientador: Dr. Carlos Fernando Rondina Mateus. Defesa em 29/08/2011. Publicada
em 2011.

11.
RESUMO:

Este trabalho apresenta a modelagem e simulao de um microacelermetro capacitivo de silcio
produzido pela tcnica de fabricao em substrato. O princpio de funcionamento do dispositivo
apresentado, assim como, suas caractersticas geomtricas oriundas do processo de microfabricao.
Utilizou-se a descrio generalizada para identificar e subdividir os elementos fsicos do dispositivo em
termos de suas funcionalidades. Por meio dessa metodologia identificou-se o elemento sensor elstico, o
elemento sensor capacitivo e o condicionamento de sinal. As modelagens analticas esttica e dinmica
dos elementos sensores so apresentadas e os modelos obtidos so simulados utilizando o programa
Matlab/Simulink. A validade de cada modelo discutida e os resultados obtidos so relacionados s
principais especificaes do dispositivo. O modelo geomtrico tridimensional do microacelermetro
simulado numericamente utilizando o programa COMSOL Multiphysics. Os resultados obtidos
numericamente so comparados com os analticos e mostram uma excelente concordncia, validando os
modelos analticos.

12.
GRAU DE SIGILO:

(X) OSTENSIVO ( ) RESERVADO ( ) CONFIDENCIAL ( ) SECRETO

Tese - Janderson Rocha Rodrigues

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