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MOSFET de Potencia

MOSFET de Potencia

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ESCUELA POLITECNICA NACIONAL DISPOSITIVOS ELECTRONICOS TEMA: 
FET de potencia “
MOSFET de potencia
 
Objetivo: Conocer más a fondo acerca de los diversos tipos de FET de potencia.
Desarrollo:
F T de potencia
Historia:
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil en 1934, pero los dispositivos semiconductores fueron desarrollados en la práctica mucho después, en 1947 en los Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo ser observado y explicado. El equipo detrás de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por  Van Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 80's.
Clasificación:
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) dentro de los MOSFET tenemos los MOSFET de enriquecimiento y los MOSFET de empobrecimiento y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
FET de potencia:
En electrónica el
MOSFET de enriquecimiento
 se denomina
FET de potencia
. Los fabricantes producen distintos tipos de dispositivos, tales como VMOS, TMOS, hexFET, trench MOSFET y waveFET. Todos estos FET de potencia emplean diferente geometría del canal para aumentar sus limitaciones máximas. Estos dispositivos tienen limitaciones de comente desde 1 A hasta más de 200 A, y limitaciones de potencia desde 1 W a más de 500 W. El análisis de un circuito FET de potencia es igual que para dispositivos de pequeña señal.
 
 MOSFET de potencia:
Historia:
El principio básico de operación de este tipo de transistor fue patentado por primera vez por el austrohúngaro Julius Edgar Lilienfeld en 1925. Debido a los requerimientos de carácter tecnológico para la fabricación de la intercara lisa y libre de defectos entre el sustrato dopado y aislante, este tipo de dispositivos no se logró fabricar hasta décadas más tarde, pero los fundamentos teóricos estaban contenidos en la patente original. Veinticinco años después, cuando la Bell Telephone Company intentó patentar el transistor de unión, encontraron que Lilienfeld tenía registrada a su nombre una patente que estaba escrita de una forma que incluía todos los tipos de transistores posibles. Los Laboratorios Bell lograron llegar a un acuerdo con Lilienfeld, quien todavía vivía en esa época (no se sabe si le pagaron por los derechos de la patente o no).
[
]
 Fue en ese momento cuando los Laboratorios Bell crearon el transistor de unión bipolar, o simplemente transistor de unión, y el diseño de Lilienfeld's fue conservado con el nombre de transistor de efecto de campo. En 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla en los Laboratorios Bell inventaron el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) como un avance y mejora sobre el diseño del transistor FET patentado. Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y luego colocando un electrodo metálico de compuerta sobre el aislante. Se utiliza silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada a través de oxidación térmica, que se utiliza como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por este motivo se veía libre de la dispersión y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeño de los transistores de efecto de campo anteriores. Después del desarrollo de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminación, y del desarrollo de la fotolitografía así como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos pasos, el sistema Si-SiO
2
 obtuvo gran
 
importancia debido a su bajo costo de producción por cada circuito, y la facilidad de integración. Adicionalmente, el método de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P) en un interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implicó que los circuitos digitales disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo utilizado más ampliamente en la construcción de circuitos integrados. 
Aproximaciones:
En la práctica, al igual que se hizo para los transistores JFETs, para los MOSFET de enriquecimiento se suelen utilizar expresiones aproximadas de las siguientes ecuaciones, sobre todo para el caso de funcionamiento en óhmica. Como ya se ha comentado, los transistores MOSFET pueden funcionar básicamente de tres formas diferentes (regiones de funcionamiento): 1.
Región de corte 
: Es aquella en la que ID=0. 2.
Región de Saturación (Activa):
Es aquella en la que el canal está estrangulado, esto es, ID= IDsat. Esta zona de funcionamiento es equivalente a la región activa en los transistores bipolares y por ello nos referiremos a ella también como región activa. 3.
Región óhmica:
Es aquella en la que funciona el transistor antes de alcanzar el estrangulamiento del canal.  Al igual que en los JFET, en óhmica se han supuesto dos posibles aproximaciones. La segunda de ellas es el resultado de suponer que mientras el canal no se estrangula la relación entre la corriente de drenador y la tensión VDS es una constante, lógicamente diferente para cada VGS. Esta constante se denomina RDSON y su valor se puede obtener fácilmente observando las curvas de salida de la figura 2.35 (donde se ha supuesto que en óhmica la relación entre ID y VDS es lineal). RDSON se puede obtener como el cociente entre el valor de VDS para el cual se produce el estrangulamiento del canal: VDS = VGS-VT, y la corriente de saturación para la VGS dada. Esto es:

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->