Elemente de fizica strii solide

Reeaua cristalin


Corpul solid (caracterizat macroscopic prin form geometric proprie i
volum determinat) se manifest prin dou forme sau stri de existen:
Starea amorf obinut prin rcirea strii lichide a unor corpuri care nu au o
temperatur de topire bine determinat (de exemplu, sticla, masele plastice,
cauciucul, unele aliaje metal nemetal etc.) i care, prin rcire, devin din ce
n ce mai vscoase. Acestei stri i corespunde un minim relativ al energiei
interne, deci starea amorf este o stare de echilibru metastabil. Corpurile
amorfe prezint numai o ordine apropiat, corespunztoare distanelor mici
dintre atomi sau molecule.
Starea cristalin este starea care prezint o aranjare a unitilor structurale
ale sistemului (ioni, atomi, molecule) ntr-o ordine bine definit n cele 3
dimensiuni spaiale. Aceast aezare ordonat are loc att n cadrul unui grup
limitat de uniti structurale (ordonare local sau apropiat), ct i pe domenii
mai extinse (ordonare global sau deprtat).
Acest grup limitat de uniti structurale se numete celul elementar sau
structur cristalin.
Elemente de fizica strii solide
Reeaua cristalin


Muchiile celulei elementare se numesc axe cristalografice, iar vectorii sunt
vectorii de baz ai reelei cristaline (cristalografice), modulul i orietarea lor
determinnd n mod univoc caracteristicile reelei cristalografice.
c b a

, ,
Constantele reelei (6 numere), determin n mod univoc caracteristicile celulei
elementare a cristalului.
n funcie de forma paralelipipedului care constituie celula elementar, cristalele se
mpart n 7 sisteme cristalografice numite singonii (triclinic, monoclinic, ortorombic,
tetragonal sau ptratic, cubic, hexagonal i romboedric sau trigonal).

l.
Elemente de fizica strii solide
Un cristal are o astfel de structur geometric periodic nct, dac pornim dintr-o
origine i efectum o translaie n orice direcie, vectorul de poziie al oricrui atom
(sau ion) situat ntr-un nod oarecare al reelei cristaline va putea fi scris astfel:
-numere ntregi
c n b n a n r

3 2 1
+ + = 3 2 1
n , n , n
Trei puncte necoliniare ale reelei spaiale determin planul cristalin sau nodal. Planul
cristalografic s fie specificat cu ajutorul a trei numere ntregi h, k, l numite indici Miller.
Indicii Miller se pun n paranteze acolade {h k l} i se obin lund valorile inverse ale
numerelor m, n, p (m=2, n=2, p=3. ) i reducerea acestora la trei numere ntregi h, k, l
astfel nct s avem egalitatea rapoartelor:
h:k:l=1/m :1/n : 1/p.
Elemente de fizica strii solide
Distana dintre dou plane ale familiei {hkl} este:

2 2 2
l k h
a
d
hkl
+ +
=
Mrimea dhkl este constanta reelei cristaline, se msoar n (angstrm).
reea + baz = structur cristalin
(reea) (baz) (structur cristalin).
Structura cristalin poate fi studiat prin: - microscopia electronic;
- difracia de neutron;
- difracia radiaiilor X:
u n d = sin 2
legea Wulf Bragg
Proprieti electrice ale corpurilor solide
Conductibilitatea electric
Electronii liberi din metale, n absena unui cmp electric exterior, se mic
haotic i dezordonat, cu viteza medie de agitaie termic :
> < v
> <
> <
>= <
t

v
Sub aciunea unui cmp electric exterior fiecare electron liber va ncepe s se
mite accelerat n direcia cmpului electric exterior, cu viteza de drift:
E
m
e
a
d

> <
> <
>= t < =
v
v
Dac concentraia electronilor liberi (numrul de electroni liberi din unitatea de
volum) este n , va apare un curent de conducie cu densitatea superficial:
E v e n
dt
dQ
S d
d
S d
dI
j
d

o = =
|
.
|

\
|
= =
Conductivitatea electric :
> <
> <
=
t

o
m
ne
2
legea vectorial a
lui Ohm
Proprieti electrice ale corpurilor
solide
Mobilitatea electronilor- raportul modulelor vitezei de drift i a intensitii
cmpului electric exterior:
> <
> <
= =
v m
e
E
v
d
= o ne
Conductivitatea electric se poate calcula astfel, cunoscnd doar mobilitatea i
concentraia purttorilor, depinznd de temperatur.
| |
s V
m
SI

=
2
Formarea benzilor de energie
ntre atomii constitueni ai corpurilor solide, cristaline sau amorfe, se
exercit fore de atracie sau de respingere, fore care se gsesc n stare de
echilibru pentru o anumit distan de echilibru caracteristic fiecrei
substane.
r
r
r
U
r U F

c
c
= V = ) (
Condiia de echilibru ntr-un punct corespunztor poziiei de echilibru se obine dac
derivata energiei poteniale se anuleaz n acel punct :
0 ) (
0
0
=
|
.
|

\
|
c
c
=
=
r
r
r
U
r F
r r

U
Atracie
Respingere
U(r)
r
n m
r
B
r
A
r U = ) (
m n
nB
mA
r

|
.
|

\
|
=
1
0
Formarea benzilor de energie
Cauza fizic ce determin deplasarea nivelelor energetice ale atomilor n
procesul de formare al cristalului, precum i apariia benzilor de energie
permis este interaciunea dintre electronii diferiilor atomi, a crei
intensitate crete odat cu apropierea atomilor.
Fiecrei subpturi de electroni ai atomilor individuali i corespunde n cristalul nou format
o band de energie permis (BP). Benzile de energie permis sunt separate prin benzi
de energie interzise (BI).

B.P.
B.I.
B.P.
B.I.
B.P.
E
E
0
a r
1s
2s
2p
Clasificarea corpurilor solide din punct
de vedere al structurii de benzi
Banda de energie permis ocupat (parial sau total) de electroni de valen se numete
band de valen (BV) sau band fundamental.
Urmeaz banda interzis (BI), a crei lrgime se noteaz cu i se msoar n
eV (1 eV = 1,6 10-19 J).
Banda de energie permis, situat deasupra acestei benzi interzise, se numete
band de conducie (BC).
Din analiza structurii i a lrgimii benzilor energetice permise i interzise, corpurile
solide se mpart n: conductori, semiconductori i izolatori.
g
E
g
E
mono
valente
valen
superioar
. .C B
. .C B
. .C B
. .C B
. .V B . .V B . .V B
Metal tor Semiconduc Izolator
( )eV E
g
3 1 , 0 ~
eV E
g
3 >
Semiconductorii
semiconductori intrinseci (fr impuriti), a cror conducie electric se datoreaz doar
trecerii electronilor din BV n BC;
semiconductori extrinseci (cu impuriti), la care conducia electric se datoreaz, n
plus, i unui numr foarte mic de atomi strini.
Perioad
a
Ptura Grupa
III IV V VI VII
2
L
K
Z
E
g
(eV)

5
B
(1,1)
6
C
(1,2)
3
M
L
K
14
Si
(1,1)
15
P
(1,5)
16
S
(2,5)

4
N
M
L
K
32
Ge
(0,67)
33
As
(1,2)
34
Se
(1,7)

5
O
N
M
L
K
50
Sn
(0,1)
51
Sb
(0,12)
52
Te
(0,36)
53
I
(1,25)
Semiconductori intrinseci
La temperaturi sczute, toi electronii sunt ataai de atomii de care aparin.
Atomii n reeaua cristalin sunt legai prin legturi covalente, nu exist
electroni liberi, la T=0.
Dac temperature crete, datorit agitaiei termice, o parte din legturi
slbesc i unii electroni pot trece din BV n BC, avnd energie suficient s
treac peste banda interzis (BI).
Prin plecarea unui electron, n locul lui rmne un gol. Deoarece n
ansamblu materialul semiconductor este neutru, golul din legtura chimic
se manifest ca o sarcin electric pozitiv, egal n valoare cu sarcina
electronului.
-generare a golurilor, prin
trecerea unui electron din
BV n BC;
- recombinare a
electronilor cu golurile,
prin trecerea electronilor
din BC n BV.
Semiconductori extrinseci
n funcie de raportul dintre valena dopantului i valena
semiconductorului de baz se pot deosebi:
- Semiconductori de tip n, dac , de tip donor. baza dop
v v >
- Semiconductori de tip p, dac
baza dop
v v <
, de tip acceptor.
e
- As;
e -electron
Semiconductorul de baz (gr. A IV-a) i o impuritate din gr. a V-a (As), de tip n.
E
F
Nivel donor
E
d
~0,01 eV
E
g
~1 eV
Banda de
valen
Banda de
conducie
Semiconductori extrinseci







Nivele energetice n semiconductorul p.

Nivel acceptor
E
a
~0,01 eV
E
g
~1 eV
Banda de
valen
Banda de
conducie
E
F
In semiconductorii extrinseci dopai cu impuriti acceptoare, purttorii majoritari de
sarcin sunt golurile din BV datorate impuritilor acceptoare i a celor creai prin
trecerea electronilor semiconductorului de baz din BV n BC. Purttorii minoritari sunt
electronii semiconductorului de baz trecui din BV n BC.
In semiconductorii dopai cu impuriti donoare, purttorii de sarcin sunt electronii, de
aceea semiconductorii acetia extrinseci se numesc de tip n. Purttorii majoritari sunt
electronii, iar purttorii minoritari - golurile, create de electronii semiconductorului de
baz.
Jonciunea p-n
V
mA
+
polarizare
directa
I
n p
Eo
a
n
n
n
d
p
n
n p
n
n
p p
p
p
p
n n
p
n
p
n
) )
U
Uo
l l
p
n

) )
o
o
o
p n
Jonciunea p-n
Caracteristica diodei
Polarizare
inversa
I
S
V
I
Polarizare
directa
| | 1 = ) kT / eU exp( I I
s
- curentul invers de saturaie.
s
I
Caracteristica curent-tensiune a diodelor
reale, este ntr-un anume fel diferit fa
de cea a diodei ideale, descrise de
ecuaia de mai sus. Diodele reale se
caracterizeaz printr-o tensiune invers
de strpungere US la care curentul
invers crete brusc.
DIODA SEMICONDUCTOARE
Dioda electroluminiscent (LED)

Este o jonciune p-n care emite lumin. Cnd jonciunea este polarizat direct, sunt
injectate spre jonciune un mare numr de goluri din regiunea p i electroni din
regiunea n. n jonciune electronii se recombin cu golurile, iar n urma recombinrii
unei perechi electron-gol se emite un foton cu energie aproximativ egal cu lrgimea
benzii interzise.
Efectul fotovoltaic
Semiconductorul absoarbe fotoni ai radiaiei cu care este iluminat, se creaz perechi
electron-gol. Perechile create n jonciune sau destul de aproape de aceasta ca s
poat migra fr recombinare sunt separate de ctre cmpul electric al jonciunii, care
antreneaz electronii spre regiunea n i golurile spre regiunea p . Astfel dioda se
comport ca o surs de tensiune electromotoare i poate menine un curent printr-o
rezisten de sarcin conectat la bornele sale. Dispozitivul este numit adesea celul
solar dei el poate funciona cu lumina oricrei surse, cu condiia ca energia fotonilor
emii de aceasta s fie mai mare ca lrgimea benzii interzise.
Bibilografie selectiv
[1] Duan POPOV, Ioan DAMIAN, Elemente de Fizic general, Editura Politehnica, Timioara, 2001.

[2] Minerva CRISTEA, Duan POPOV, Floricica BARVINSCHI, Ioan DAMIAN, Ioan LUMINOSU, Ioan
ZAHARIE, Fizic Elemente fundamentale, Editura Politehnica, Timioara, 2006.

[3] I. Luminosu, Fizica elemente fundamentale, Editura Politehnica, 2002.

[4] O. Aczel, Mecanic fizic. Oscilaii i unde, Ed. Universitii Timioara, 1975.

[5] A. Hristev , Mecanic i acustic, Ed. Did. i Pedag., Bucureti, 1982

[6] H. Kittel, Cursul de fizic Berkeley, Vol. I, II, Ed. Did. i Pedag., Bucureti, 1982.

[8] E. Luca, Gh. Zet i alii Fizic general, Ed. Did. i Pedag., Bucureti, 1981.

[9] T. Creu Fizic general, Vol. I i Vol.II, Ed. Tehnic, Bucureti, 1984 i 1986.