Curs de Dispozitive Electronice

Facultatea de Electronica Telecomunicatii si Tehnologia Informatiei, Bucuresti An II, Licenta

Titular curs: Prof. Cristian RAVARIU

Organizare
Curs DE 3 ore / sapt. sala: A03 ziua/orele: Seminar DE 2 ore/sapt. conform orar. Laboratorul in cadrul unei discipline separate, cu notare separata: MDE; Sali A412, A414. Nota la DE compusa din: 20% activitati (C+S), 40% verificare pe parcurs, 40% examen final. Contact: Cristian Ravariu birou B108 corp B Leu, tel. 021-402.4840.

Resurse bibliografice
Dispozitive si circuite electronice D. Dascalu, si colab., Ed. Didactica 1982 (cartea albastra). Dispozitive si circuite electronice probleme D. Dascalu, si colab., Ed. Didactica 1982 (cartea rosie). Dispozitive Electronice C. Ravariu, 2004. Dispozitive Electronice, probleme F. Draghici, G. Brezeanu s.a. www.arh.pub.ro\cravariu sau www.dce.pub.ro

Cuprins
Capitolul I. NOIUNI INTRODUCTIVE

Capitolul II. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR Capitolul III. JONCIUNEA pn; DIODE
Capitolul VI. TRANZISTORUL TEC-J ++++++++++ Partial +++++++++++++ Capitolul V. TRANZISTORUL MOS Capitolul IV. TRANZISTORUL BIPOLAR Capitolul VII. ALTE DISPOZITIVE ELECTRONICE

Capitolul I. NOIUNI INTRODUCTIVE

Dispozitivele electronice conin o component activ. Componenta activ este o structur fizic ce prezint mcar una din urmtoarele funcii electronice: (1) conducia electric neliniar, in particular: (2) conducia electric unidirecional (3) amplificarea de putere a semnalului In plus: (4) caracterul parametric.

Capitolul I.
Spre exemplu, Parametrul Rezistena sursadrena a unui tranzistor TECJ sau TECMOS, poate fi controlat de tensiunea aplicat pe un alt terminal poarta. De exemplu, o diod este un dispozitiv electronic i conine: componenta activ realizat din monocristalul de siliciu dopat n i p, apoi fire de conectare, terminale metalice, rina ce umple capsula, capsula.

Capitolul I.
Clasificari
A) Dispozitive : Unipolare (TEC), Bipolare (TB) B) Dispozitive: Diport, Triport, n-port

Caracteristica statica: dependena ii ii v j v ct Dispozitivele electronice au caracteristici statice neliniare *

k

* Teoria conduciei electrice neliniare dezvoltata de Prof. Adrian Rusu, mb. al Academiei Romane

Capitolul I.
Functii
Scopul DE: realizeaza funcii specifice, cum ar fi: redresarea (cu diode), amplificarea (cu tranzistoarelor), generarea de oscilaii armonice, stabilizarea tensiunii, modularea demodularea semnalelor, stocarea, prelucrarea i transmiterea informaiei. Dac tranzistorul bipolar rmne nca o provocare pentru amplificatoare, tranzistorul MOS a devenit liderul absolut n circuitele integrate digitale.

Capitolul I.
Repere istorice
1947 primele dispozitive pe Ge 1954 - primul tranzistor pe siliciu produs la Texas Instruments in lab de creterea cristalelor 1960 - primul tranzistor Si-MOS realizat n laboratoarele Bell de Kahng si Atalla, [2]. 2000 CID cu 1mil. Tranz. MOS/chip (100m2) 2010 CID cu 9mil. Tranz. MOS/chip 20132014 MOS cu L~32nm 18nm, Xox~2nm 1nm. Un atom are cca. 0.3nm diametrul

Capitolul I.
Zona de fabricatie
Industria semiconductoarelor Microelectronica camera alba