Prcticas 2004-05_ Electrnica I

PRCTICA N 1: CARACTERIZACIN ELECTRO-PTICA DE UNA CLULA SOLAR

1. EFECTO FOTOVOLTAICO. CONSIDERACIONES BSICAS

Eg INL Efv Efc IPL + E

Figura 1.1

h > E g

Cuando un haz de luz suficientemente energtico (ha de ser tal que la energa asociada a su longitud de onda sea mayor que el GAP) ilumina una unin PN o un punto muy prximo a ella, se pueden generar pares electrn-hueco en la zona de carga espacial que son separados por el campo elctrico existente en ella; y por accin del mismo los electrones derivan hacia la zona n y los huecos hacia la p. Si el circuito exterior se cierra mediante una carga resistiva de valor RL, sobre sta se libera una potencia elctrica P = IL VL donde IL=INL+IPL es la corriente total generada por la iluminacin y VL = (EFn - EFp)/q es la tensin directa generada y es debida al desdoblamiento del nivel de Fermi en la Z.C.E. debida a la iluminacin. Ntese que, segn el criterio habitual de signos para las corrientes y las tensiones, IL< 0 y VL> 0, por lo que la clula bajo iluminacin trabaja en el cuarto cuadrante de su caracterstica I-V, condicin imprescindible para actuar como generador de potencia elctrica. Tanto IL como VL son independientes de la polarizacin del diodo, no necesitando la clula en esta circunstancia ninguna fuente externa de alimentacin para generar ambas. Evidentemente, los valores de IL y de VL sern funcin del nivel de iluminacin que reciba la clula.

2. ESTRUCTURA DE UNA CELULA SOLAR. CIRCUITO EQUIVALENTE 2.1 Clulas solares de Si Una clula solar es una unin PN de gran rea capaz de convertir la radiacin solar en energa elctrica. Aunque hay infinidad de tipos de clulas solares, las ms corrientes y hoy en

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Prcticas 2004-05_ Electrnica I da casi las nicas comerciales son las de Silicio, cuya estructura bsica se muestra en la figura 5.2

ELECTRODO SUPERIOR n-Si

p-Si ELECTRODO

Figura 1.2

Desde la base hasta la parte superior nos encontramos un electrodo colector de corriente, que hace contacto no rectificante con la zona p del diodo, la zona Si-n de la unin, que es muy delgada a fin de permitir el paso de la radiacin solar hasta la unin, y por ltimo el electrodo colector de corriente de la zona n que tiene forma de rejilla y suele ocupar un 10% del rea total del dispositivo. La forma peculiar de este electrodo facilita la iluminacin de la mayor parte del dispositivo, al mismo tiempo que permite recoger la corriente generada en la unin sin prdidas resistivas apreciables. As pues, a la vista de la estructura que tiene la clula resulta claro que se trata simplemente de una unin P-N en la que una de sus zonas (la n) es muy delgada. Por tal motivo, la ecuacin caracterstica de una clula ideal en oscuridad ser la de un diodo, es decir: qV AkT 1 I = Io e (1.1) Hay otras estructuras diferentes de la anterior, muy similares a los fotodiodos P-I-N, siendo el principio de operacin de stas ltimas anlogas a las clulas P-N. En general, la utilizacin mas comn de las clulas solares es en forma de paneles, donde un numero elevado de clulas se conectan en serie y/ en paralelo para suministrar tanto corrientes como tensiones adecuadas para su utilizacin en instalaciones de cierta envergadura. En el laboratorio se realizara la caracterizacin de minipaneles de diferente nmero de clulas de Si. Los detalles concretos de estos minipaneles se vern mas adelante en este guin. En la prctica, sin embargo se observa que ningn dispositivo obedece realmente a esta ecuacin. Esto es debido a que realmente, no toda la potencia que suministra el dispositivo podr alcanzar el circuito exterior debido a que parte de ella se perder en la propia resistencia interna de la clula. Adems, en polarizacin inversa el dispositivo no se comporta como un circuito abierto ideal, sino que siempre presenta ciertas fugas de corriente. Todo ello hace que una representacin ms adecuada a la realidad del comportamiento de la clula pueda realizarse mediante un circuito equivalente que tenga en cuenta los procesos fsicos antes citados, como el de la figura 1.3

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Imedida

RS Clula ideal RSH Vmedida

Figura 1.3

En dicho circuito, el diodo representa la unin P-N ideal, RS tiene en cuenta las prdidas resistivas internas y RSH las fugas de corriente en polarizacin inversa. El anlisis de tal circuito conduce a la siguiente expresin q ( V R SI ) V R S I AkT I = Io 1 e + R SH (1.2)

que evidentemente tiende a la expresin (1.1) cuando RS tiende a 0 y RSH a infinito. Si iluminamos la clula solar, esto equivale, segn hemos visto, a la aparicin de una corriente IL independiente de la polarizacin. Adems, esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente inversa de saturacin, y por tanto podremos simular la iluminacin con una fuente de corriente que suministra IL amperios con el mismo sentido que la corriente inversa, tal y como se muestra en la figura 1.4

RS RSH V

Figura 1.4

La ecuacin caracterstica ser ahora q ( V R SI ) V R S I AkT I = Io 1 IL e + R SH

(1.3)

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Es decir, la iluminacin nicamente desplaza en el sentido de la corriente negativa la caracterstica en oscuridad IL amp, tal y como se muestra en la figura 5.5

OSCURIDAD

ILUMINACION

IL

Figura 1.5

3.- CARACTERIZACIN DE LA CLULA SOLAR EN OSCURIDAD

Caracterizar la clula solar en oscuridad equivale a determinar los parmetros que definen su comportamiento. Estos, conforme se puede ver en la ecuacin (1.2), son Io, A, RS y RSH. La obtencin de cada uno puede hacerse de acuerdo con el siguiente mtodo: Cuando se polariza la clula en directa, para valores de la polarizacin moderadamente elevados, la ecuacin (1.2) se puede aproximar por la siguiente:
I = Io
qV AkT e

ya que los dems trminos de la ecuacin son despreciables. Operando en esta ecuacin,
ln I = ln I o + qV AkT

Ajustando entonces los puntos experimentalmente determinados (I, V) podremos obtener tanto A como Io, ya que la representacin grfica de ln I frente a V nos dar una lnea recta de pendiente q/(AkT) y corte en el orgen ln Io. La determinacin de RSH se realizar al polarizar el dispositivo en inversa. En efecto, para esta situacin, de la ecuacin (1.2) se deduce que la ecuacin de la clula es, aproximadamente,
I= R SH 1 1 Io V V R S + R SH R S + R SH R S + R SH

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La pendiente de tal funcin es 1/(RS+RSH), y como en general RS << RSH, se obtendr directamente el valor de RSH. La determinacin de RS es ms conflictiva, pero puede suponerse que viene determina por la pendiente de la caracterstica I-V en directa para polarizaciones altas, como se muestra en la figura 1.6

1/R s

V
Figura 1.6

4. CARACTERIZACIN DE LA CLULA SOLAR EN ILUMINACIN

Segn se ha visto en los apartados anteriores, la iluminacin de una clula solar se traduce en que su caracterstica se desplace IL amperios en direccin de las corrientes negativas, mantenindose la forma de la misma. La nica diferencia significativa frente a la oscuridad es pues que el dispositivo tiene parte de su caracterstica en el 4 cuadrante. Bastar entonces con definir y determinar los parmetros de este 4 cuadrante para realizar la caracterstica en iluminacin. Estos son los siguientes:

VOC : Tensin en circuito abierto. Aparece en condiciones tales que I=0 ISC :

Corriente en corto circuito. Es la corriente que genera la luz y se determina cuando V=0

Pm : Potencia mxima de salida. Es la potencia ms alta que puede suministrar el dispositivo. Se obtiene iluminando el dispositivo y hacindolo trabajar para diferentes resistencias de carga. Representando entonces grficamente Pm frente a RL obtendremos el punto de mxima potencia y la RL para la cual ocurre. Grficamente:

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I V1 I3 V2 V3 V R L3

I2 I1 R L2

R L1
Figura 1.7

La relacin entre la potencia que suministra la clula y la resistencia de carga se presenta en la figura 1.8:
V I
2 2

V I1 1 V3 I 3

RL1 RL2

RL3

RL

Figura 1.8

F.F : Factor de curva. Se define como

FF =

VmI m Voc I sc

Rendimiento. Se define como

PGEN / cm 2 PIN / cm 2

PGEN: Potencia generada PIN: Potencia incidente Ambos parmetros suelen expresarse en %

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El clculo de PIN esta realizado a partir de la medida de la corriente en cortocircuito de una celula patrn calibrada. El valor de la PIN suministrada por cada sistema de iluminacin es un dato del que se dispondr en el Laboratorio. Las distintas clulas que se utilizan en sta prctica tienen las siguientes caractersticas:
1. Clulas P-N de Si: Area de las clulas: 3.5 cm2. 2. Minimodulos de Si de 2 clulas: Area activa de cada clula: 9.6 cm2 Numero de clulas: 2 3. Minimodulos de Si de 3 clulas: Area activa de cada clula: 1.75 cm2 Nmero de clulas: 3

Hay informacin adicional acerca de practicas de laboratorio con clulas solares en las referencias.
5. REALIZACIN PRCTICA

A) Caracterizacin en iluminacin

Se obtendr solamente la caracterstica I-V del dispositivo en el 4 cuadrante, pues el resto de la misma no aporta ninguna informacin adicional. Procdase del siguiente modo: 1. Determinar VOC. 2. Determinar ISC. 3. En funcin de los valores obtenidos para VOC e ISC, identifquese que muestra se esta midiendo. 4. Obtngase la caracterstica I-V en el cuarto cuadrante completa. Para ello, se acoplar a los terminales de la clula una resistencia variable. Seleccionando sta de forma adecuada, podremos ir desde el cortocircuito al circuito abierto. Tmense al menos 15 puntos de sta caracterstica para determinarla lo mas exactamente posible. En todas las medidas, la iluminacin se mantendr fija. El circuito a montar para efectuar sta caracterizacin se puede ver en la figura 1.9.

Figura 1.9

Figura 1.10

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Prcticas 2004-05_ Electrnica I B) Caracterizacin en oscuridad

En esta parte se obtendr la caracterstica I -V en oscuridad de la clula solar, que se reduce a la de un diodo real, segn hemos indicado anteriormente. El circuito con el que se podr obtener esta caracterstica ser el que se muestra en la figura 1.10.

Con objeto de obtener un conjunto de datos apropiado para realizar los anlisis posteriores, tmense los datos de la caracterstica de la siguiente manera:

i) Polarizacin directa

Midiendo la corriente que circula por la clula, teniendo presente los siguientes valores mnimos: Corriente mnima: 10-6 Amp. Tmense 10 valores de corriente por cada dcada: (1.5, 2, 3,10)x10-n, donde N es la dcada en la que se esta efectuando la medida.
ii) Polarizacin inversa

Observando la tensin que cae, tanto en las clulas de Si como en los minimdulos, tmense datos a intervalos de 0.25 V de tensin, hasta un valor que nunca ser inferior a -2.5 V

6. RESULTADOS A OBTENER

1. De las caractersticas en iluminacin VOC, ISC, Pm, R de carga para Pm, y FF 2.- De las caractersticas en oscuridad Io, A, RS, RSH. Los valores de RS y RSH se obtendrn normalizados al rea de la clula, es decir, en unidades de /cm2.

8. REFERENCIAS

[1] [2] [3]

I Mrtil y G. Gonzlez, Eur. J. Phys 13 (1992) 193 D. A. Neamen, "Semiconductor Physics and Devices". Irwin (1992). M. S. Tyagi, "Introduction to Semiconductor Materials and Devices". J. Wiley (1991).

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