可靠度工作簡介

前言：可靠度是一個可以數量化的機率函數，可以在設計時預估，可用試驗量度，可在生產保證，
在市場上可以維護。
如是我聞：亮不亮沒關係 — 沒有品質尺度
亮不亮有關係 — 品質，功能的要求，零時品質，"開始用的品質"
能亮多久？ — 可靠度，耐用的程度，使用期間的品質→出貨以後市場使用狀況

1.產品的壽 命特性：浴 缸曲線

一般而言，對電子設備整個生命週期中，其失效分佈可以區分為品質失效，可靠度失效，磨耗失效及
設計失效，參照下表
四種失效型態
品質 與應力無關 用檢驗來消除
可靠度 與應力有關 用篩選來降低
磨耗 與時間有關 用更換來消除
設計 應力及/或時間有關 用適當的用料減額定測試及失效數據分析來消除
以上各失效型態組合形成早夭期，可用生命期及磨耗期，即所謂浴缸曲線

Ⅰ Ⅱ Ⅲ
失 早夭期 可用生命期 磨耗期
效
率 Infant Useful Life Wear-out
Mortality
λ（ｔ）
與應力相關的可靠度失效

總特性曲線
磨耗
失效

t
TB Tw 使用時間
品質失效
固定失效率
其中早夭期失效率為漸減，可用生命期失效率是常數，磨耗期失效率為漸增

2.設計階段 產品可靠度
注意零件的選用，應力及溫度的減額定（De-rating)，編修De-rating guide line或沿用其他規定（如客戶要
求）作為設計過程之依據，依此選定零件或修訂線路。

2.1測試分 析項目 ：（1）線路分析（2）溫度量測（3）電壓量測（4）動作功能檢視（5）其他結構，外觀，

安全性等。 DQE會量測主要元件，若較低功率零件在設計時有特別考量而接近
元件額定值者 請設計工程師事先宣告。
實驗室項目：（1）溫濕度（2）EMI（3）加速試驗（4）振動試驗（5）落下試驗（6）安規認可
（7）裝運及儲存試驗。
量產驗證：燒機時間建立，可靠度最後驗證。
2.2可靠度 預估（ MIL-STD-785 工作203）
（1）零件計數法：若元件的形式及數量為唯一可用之資料，可使用MIL-HDBK-217第三段中之預估程序或
顧客認可或顧客提供之方法。
（2）應力分析法：個別元件操作條件經定義後可用MIL-HDBK-217第二階段中之預估程序或顧客認可之
替用方法。
零件計數法通常用於競標階段，因缺乏設計之詳細資料原本就不夠精密，但其對達成可靠度要求之可行性
，可提供給設計者與管理人員有用的回饋。
當大部份設計完成，詳細零件表，零件應力可得到，就可用應力分析法，其數據亦可用來做日後可靠度選
料與應力適配（Trade-off）之用
當設計向前進行時，依前面資料產生所做的預估及依計畫測試資料所做的評估是作為配置要求是否可以完
成之表示工具。
*所做之預估不可被用作決定可獲取可靠度要求之基礎，要求可達成基於 "具有代表性之測試結果" 而定。
*電子元件失效率預估技術可在最新版之MIL-HDBK-217裡找到，預估有關機械與電氣機械的裝備失效率之
技術並不容易找到，因此，可靠度人員與設計工程師之間的會商是很重要的。
機械，電機等預估（或電子預估）可使用承包商數據或替用方法，須經顧客認可。

2.3可靠度 驗證試 驗， 應先 訂定信賴 水準 及試驗 計劃

（1）固定試驗時間之試驗
a.故障後不修理或更換
b.故障後修理，再試驗
（2）固定失效數之試驗
通常採用固定時間，故障後不修理的試驗

3.製程篩選 （Burn-in)
從浴缸曲線中去除早夭其的高失效率
篩選時間的決定…依顧客的要求
…依數據分析的結果
通常使唉選時間用韋氏（Weibull)分配數據分析來決定
Burn-in目的在剔除早期的故障，並非提昇產品可靠度。若能收集數據，回饋及改善，使早期故障率趨近於
有用期的故障率→就不必篩選
*早期的壽命試驗除有篩選時間研究目的之外亦在找尋畸型母體分佈並求解決之道
（簡單的產品或許無畸型母體存在）
*篩選後之失效率要小於（1/MTBF目標）否則要修訂設計
MTBF : 平均失效時間

4.量產階段 之可靠度試 驗及分 析

4.1觀察的 MTBF值與實際 MTBF值之差別

由機率的觀念引入信賴水準（Confidence Level)

4.2泛指數 模式（ GEM table)之介 紹

General Exponential Model
GEM table 係源自卜氏分配（Poisson Distribution)的累積機率值…IBM所用的方法

4.3MTBF區間 推定
使用卡方分配（chi-square)來求上下限，目前幾乎很少商用產品做區間推定，僅保證至少MTBF值
GEM table 亦可用作區間推定

5.韋氏分配 於可靠度方 面之應 用（WEIBULL）

韋氏分配是可以用來描述整個壽命週期的一種通式，討論可靠度不可不研究，
一般有2參數及3參數二種型，在電子工業界使用2參數韋氏分配
Table A13 Table of χ2 Values
Degrees
PROBABILITY OF A DEVIATION GREATER THAN χ2
of
Freedom ────────────────────────────
df 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 0.30 0.50
1 6.635 5.412 3.841 2.706 1.642 1.074 0.455
2 9.210 7.824 5.991 4.605 3.219 2.408 1.386
3 11.341 9.837 7.815 4.642 3.665 3.665 2.366
4 13.277 11.668 9.488 7.779 5.989 4.878 3.357
5 15.086 13.388 11.070 9.236 7.289 6.064 4.315
6 16.812 15.033 12.592 10.645 8.558 7.231 5.348
7 18.475 16.622 14.067 12.017 9.803 8.383 6.346
8 20.090 18.168 15.507 13.362 11.030 9.524 7.344
9 21.666 19.679 16.919 14.684 12.242 10.656 8.343
10 23.209 21.161 18.307 15.987 13.442 11.781 9.342
11 24.725 22.618 19.675 17.275 14.631 12.899 10.341
12 26.217 24.054 21.026 18.549 15.812 14.011 11.340
13 27.688 25.472 22.362 19.812 16.985 15.119 12.340
14 29.141 26.873 23.685 21.064 18.151 16.222 13.339
15 30.578 28.259 24.996 22.307 19.311 17.322 14.339
16 32.000 29.633 26.296 23.542 20.465 18.418 15.338
17 33.409 30.995 27.587 24.769 21.615 19.511 16.338
18 34.805 32.316 28.869 25.989 22.760 20.601 17.338
19 36.191 33.687 30.144 27.204 23.900 21.689 18.338
20 37.566 35.020 31.410 28.412 25.038 22.775 19.337
21 38.932 36.343 32.671 29.615 26.171 23.858 20.337
22 40.289 37.659 33.924 30.813 27.301 24.939 21.337
23 41.638 38.968 35.172 32.007 28.429 26.018 22.337
24 42.980 40.270 36.415 33.196 29.553 27.096 23.337
25 44.314 41.566 37.652 34.382 30.675 28.172 24.337
26 45.642 42.856 38.885 35.563 31.795 29.246 25.336
27 46.963 44.140 40.113 36.741 32.912 30.319 26.336
28 48.278 45.419 41.337 37.916 34.027 31.391 27.336
29 49.588 46.693 42.557 39.087 35.139 32.461 28.336
30 50.892 47.962 43.77 40.256 36.250 33.530 29.336
This table is adapted from Table IV of Fisher and Yates, Statistical Tables for Biological,
Agricultural and Medical Research, published by Longman Group Lid, London (previously
published by Oliver & Boyd. Edinburgh), and by permission of the authors and publishers.
 MTBF之計算 單邊界限
1.固定時間 試驗 T : 總共測試時間, T = nt
2T n : 樣本數
MTBF > ──── r : 失效數
χ22r+2;α χ2 : 卡方分配數值
α : 生產者冒險率
t : 測試時間
信賴水準 (Confidence Level) = 1-α

2.固定失效 數r之試 驗
2T T : 總共測試時間
MTBF > ──── T=Σ ti + (n-r)t
χ22r;α ti : 第i個失效時間

3.GEM表介紹
在可用壽命期中，電子線路失效率
f(t)
λ(t) = ── 是常數
R(t)
f(t) =λ∙ e-λ∙t
在固定時間之試驗中第r個失效可依卜氏分配求得
Pr : 失效機率
e-λ∙T (λ∙T)r r : 失效數
Pr = ───── T : 總共測試時間
r! λ : 失效率

1 T
MTBF = ── 令 M =λ∙T = ────
λ MTBF

e-M M r
Pr = ────
r!
所以累積失效率
e-M (M)2 e-M (M)r
= e-M + e-M(M) + ──── + ∙ ∙ ∙ + ────
2! r!

r Mi
= e-M ( Σ ──── ) = α
i=0 i!
Confidence Level = 1-Pr(cum) = 1-α
例如已知要求信賴水準1-α= 90%, 且無失效出現（r=0）
P0 = e-M = 1-90% = 0.1
M = ln10 = 2.3026
意即在90%信賴水準之下，且無失效至少要測試MTBF目標的2.3倍才足以保證
 G.E.M. TABLE
GENERAL EXPONENTIAL MODEL (FOR TIME TERMINATED TESTS)

NUMBER OF FAILURES
CONFIDENCE ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- ---------- -----------
LEVEL 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
95.00% 2.9957 4.7439 6.2958 7.7537 9.1535 10.5130 11.8424 13.1481 14.4347 15.7052 16.9622
90.00% 2.3026 3.8897 5.3223 6.6808 7.9936 9.2747 10.5321 11.7709 12.9947 14.2060 15.4066
85.00% 1.8971 3.3724 4.7231 6.0135 7.2670 8.4947 9.7031 10.8965 12.0777 13.2488 14.4112
80.00% 1.6094 2.9943 4.2790 5.5151 6.7210 7.9060 9.0754 10.2325 11.3798 12.5188 13.6507
75.00% 1.3863 2.6926 3.9204 5.1094 6.2744 7.4227 8.5585 9.6844 10.8024 11.9138 13.0196
70.00% 1.2040 2.4392 3.6156 4.7622 5.8904 7.0056 8.1111 9.2090 10.3007 11.3873 12.4695
65.00% 1.0498 2.2188 3.3474 4.4547 5.5486 6.6331 7.7105 8.7823 9.8497 10.9132 11.9736
63.21% 1
60.00% 0.9163 2.0233 3.1054 4.1753 5.2366 6.2919 7.3427 8.3898 9.4340 10.4757 11.5153
55.00% 0.7985 1.8436 2.8826 3.9163 4.9461 5.9732 6.9981 8.0212 9.0430 10.0636 11.0832
50.00% 0.6931 1.6783 2.6741 3.6721 4.6709 5.6702 6.6696 7.6693 8.6690 9.6687 10.6685
40.00% 0.5108 1.3764 2.2851 3.2113 4.1477 5.0910 6.0392 6.9914 7.9466 8.9044 9.8644
30.00% 0.3567 1.0973 1.9138 2.7637 3.6336 4.5171 5.4107 6.3122 7.2199 8.1329 9.0504
26.42% 1
20.00% 0.2231 0.8244 1.5350 2.2968 3.0895 3.9036 4.7337 5.5761 6.4285 7.2892 8.1570
10.00% 0.1054 0.5318 1.1021 1.7448 2.4326 3.1519 3.8948 4.6561 5.4325 6.2213 7.0208
5.00% 0.0513 0.3554 0.8177 1.3663 1.9702 2.6130 3.2853 3.9809 4.6952 5.4254 6.1690
TEST RATIO (For time terminated test)

TOTAL TEST TIME

T.R. : TEST RATIO =
MTBF
6.加速試驗
為了在短期間能得知產品可靠度數據，通常使用加速以達到這目的，然而加速因子的求取卻是一大問題，
目前最長被使用的係Arrhenious Model，而且伴隨做一系列的實驗而求得。業界通常採用Ea=0.7ev來估計
，即每溫度上昇10℃壽命減半之原則，也有顧客指定早期的故障Ea=0.4ev ( 例：NCR）

7.可靠度工 程規劃
在正規的產品開發過程中，可靠度應在設計初期即妥善規劃，逐步施行，每一階段均收集資料，將可靠度
設計在產品之中，配合各種試驗，早期挑出產品的問題。目前有美軍標準 MIL-STD-785B可以沿用

加速壽命試驗
Arrenhious Model ：
λ = A‧ｅ-Εａ／ＫＴ
A : 常數
Ea : 活化能（ev）
K : 波玆曼常數（8.63×10-5ev/°K）
T : 凱氏溫度
假設保守的估計活化能為0.6ev，則每溫升10℃失效率倍增，通常早期壽命Ea較低而可用期Ea較高
約0.6~0.7ev，可能之情況，加速因素要配合試驗求得

MIL-STD-781的試 驗計劃
分固定時間，機率比率逐次，全裝備生產可靠度

（a）固定測試時間：試驗計劃 IX-D~XVII-D
試驗計劃XIX-D~XXI-D（高風險）
要知道MTBF估計值或試驗時間，試驗成本需事前知道，選用固定測試時間之試驗計劃
應用於生產前之可靠度鑑定。

（b）機率比例逐次（PRST：Probability Ratio Sequential Tests)

試驗計劃 I-D~VI-D
試驗計劃 VII-D.VIII-D（高風險）
當必須在誤差之預定風險下，判定允收或拒收總測試時間和MTBF值不是很重要時，使用PRST計劃，
不能提供真實的MTBF估計值，在交貨期使用。

（c）全裝備生產可靠度：試驗計劃 XVIII-D
當欲使每一裝備皆能施以可靠度允收試驗時，用全裝備生產可靠度允收試驗計劃。
名詞.須求 條件：
θ0：較高的MTBF試驗值
θ1：較低的MTBF試驗值
d ：鑑別比率 d = θ0/θ1
α：生產者冒險率;真實的MTBF=θ0時裝備被拒收之機率
β：消費者冒險率;真實的MTBF=θ1時裝備被允收之機率
﹡α、β、ｄ相同時，PRST試驗計劃比固定測試時間試驗計劃，可較快決定允收或拒收。
﹡風險較低的試驗計劃，相對的試驗時間較長
﹡每一個PRST試驗計劃均可推導出全裝備生產可靠度允收試驗計劃（代替XVIII-D試驗計劃）
例：某系統生產可靠度接收試驗，採用MIL-STD-781D II-D試驗計劃，其θ1=2000小時，若總測試時間
10000小時內發生5次失效
Q1：該批產品是否符合允收水準？
Q2：若試驗繼續進行，且無失效在發生仍需是多少時間，才可判定允收？
 MTBF之用
x→0, 1 - e-x→ x
λ = 1 / MTBF
在時間 t 時可靠度 R(t)
R(t) = e-λ t = e- t / MTBF
在已知時間 t 折損率 ( if t << MTBF )
1 - R(t) = 1- e-λt = 1- e- t / MTBF = t / MTBF
如果將 t 代入 保證期限 (例如一年 ) 可求 得 RMA 之比 率
若MTBF值為 正確 , Return Rate 即可知 . 可據 此估算維修 比例 /成本 .

MTBF 預估 1. Parts count

在新機種設計初期競標階段,BOM 為唯一可用資料時
在不違背MIL-HDBK-217E Notice 2 Derating規定情形
可用第三部份的預估方法, 依零件類別直接查表求得各零件之失效率

2. Stress analysis
當實體樣品可以取得, 依 MIL-HDBK-217E Notice 2第二部份的預估方法
電壓/電流/功率及溫度測量必須實際執行.
每一零件操作情況測量,比較結果與零件規格各查表找出失效率
資料整理有現成軟體以節省時間, 需依料號主檔建立零件庫.

MTBF驗證 MTBF Demonstration可分固定時間試驗及固定失效數試驗

為節省測試時間可增加樣品數, 提高試驗溫度,根據Arrhenious Model
溫度每上升10℃產品壽命減半,因此試驗時間得以減半
試驗計劃含樣品數量 / 試驗時間 / 產品操作條件 與 設備需求
共同討論決定

MTBF vs. AFR

AFR : Annual Failure Rate
(Estimate)AFR = Quality + Failure rate
= DOA + (1 - Reliability)
(Dead on Arrival)

Reliability = e- t / MTBF ( e- x = 1- x + x2 / 2! - x3 / 3! + · · · )
= 1 - t / MTBF + 1/2 (t / MTBF)2
- 1/3! (t / MTBF)3 + ∙ ∙ ∙

Assumption
1. DOA rate is low
2. Annual usage time is 2500 hours
∴ AFR = DOA + 1 - ( 1- t/MTBF)
= 2500/MTBF
 Power supply MTBF = 147,976 Hours
Base on MIL-HDBK-217F Notice 2 R800 9.1
For Resistor λp = λb πTπPπSπQπE
Ckt# Description Voltage Current Power Stress Temp. λb πT πP πS πQ πE λp System %
R 801 Thermister 5Ohm/8A 76.5 0 1 1 1.0 10 1.0 0.019000 0.28%
R 802 CF 120,000 0.5 W 148.3 0.1833 W 0.37 53.8 0 1.3 0.52 1.1 10 1.0 0.026371 0.39%
R 803 CF 120,000 0.5 W 148.3 0.1833 W 0.37 53.8 0 1.3 0.52 1.1 10 1.0 0.026371 0.39%
R 804 MOF 47,000 1W 141.7 0.4272 W 0.43 78.4 0 1.6 0.72 1.1 10 1.0 0.048264 0.71%
R 805 MOF 47,000 1W 138.2 0.4064 W 0.41 42.2 0 1.2 0.7 1.1 10 1.0 0.034694 0.51%
R 806 CEM 47,000 5W 147.25 0.4613 W 0.09 78.4 0 1.6 0.74 0.7 10 1.0 0.018511 0.27%
R 807 CEM 820 10 W 39.4 1.8931 W 0.19 69.1 0 1.45 1.28 0.8 10 1.0 0.035465 0.52%
R 808 CF 47 0.25 W 0.01 0.0074 W 0.03 45.2 0 1.3 0.15 0.7 10 1.0 0.005207 0.08%
R 809 CF 100,000 0.25 W 0.35 0.0000 W 0.00 49.1 0 1.3 0 0.7 10 1.0 0.000167 0.00%
R 810 CF 47 0.25 W 0.02 0.0223 W 0.09 48.1 0 1.3 0.23 0.8 10 1.0 0.008555 0.13%
R 811 CF 1,000 0.25 W 0.4 0.0002 W 0.00 55.4 0 1.4 0.03 0.7 10 1.0 0.001210 0.02%
R 812 CF 22,000 0.25 W 6.85 0.0021 W 0.01 48.1 0 1.3 0.09 0.7 10 1.0 0.003132 0.05%
R 813 MOF 0.33 2W 0.3 0.0287 W 0.01 42.2 0 1.2 0.25 0.7 10 1.0 0.008020 0.12%
R 814 CF 2,700 0.25 W 2.03 0.0015 W 0.01 45.8 0 1.3 0.08 0.7 10 1.0 0.002741 0.04%
R 815 CF 120 0.25 W 1.96 0.0320 W 0.13 44.1 0 1.2 0.26 0.8 10 1.0 0.009482 0.14%
R 816 CF 22,000 0.25 W 2.5 0.0003 W 0.00 45.8 0 1.3 0.04 0.7 10 1.0 0.001415 0.02%
R 817 CF 2,200 0.25 W 2.14 0.0021 W 0.01 38.8 0 1.2 0.09 0.7 10 1.0 0.002863 0.04%
R 818 CF 560 0.25 W 0.83 0.0012 W 0.00 70.9 0 1.5 0.07 0.7 10 1.0 0.002912 0.04%
R 819 CF 12,000 0.25 W 13.25 0.0146 W 0.06 67.9 0 1.5 0.19 0.8 10 1.0 0.008090 0.12%
R 820 CF 150,000 0.5 W 189.4 0.2391 W 0.48 67.9 0 1.5 0.57 1.2 10 1.0 0.038170 0.56%
R 821 CF 560 0.25 W 0.04 0.0000 W 0.00 59.9 0 1.4 0.01 0.7 10 1.0 0.000241 0.00%
R 822 CF 5,100 0.25 W 17.83 0.0623 W 0.25 60.3 0 1.4 0.34 0.9 10 1.0 0.016393 0.24%
R 823 VR 200 0.5 W 0.08 0.0002 W 0.00 57.4 0 1.4 0.04 0.5 10 1.0 0.000980 0.01%
R 824 CF 1,000 0.25 W 2.41 0.0058 W 0.02 57.4 0 1.4 0.13 0.7 10 1.0 0.005066 0.07%
R 825 CF 12,000 0.25 W 0.44 0.0000 W 0.00 60.3 0 1.4 0.01 0.7 10 1.0 0.000498 0.01%
R 826 CF 12,000 0.25 W 6.61 0.0036 W 0.01 63.5 0 1.4 0.11 0.7 10 1.0 0.004182 0.06%
R 827 CF 300,000 0.25 W 5.71 0.0001 W 0.00 54.3 0 1.3 0.03 0.7 10 1.0 0.000972 0.01%
R 828 CF 390,000 0.25 W 7.65 0.0002 W 0.00 54.3 0 1.3 0.03 0.7 10 1.0 0.001103 0.02%
R 829 CF 1000000 0.25 W 0.24 0.0000 W 0.00 54.3 0 1.3 0 0.7 10 1.0 0.000051 0.00%
R 830 CF 6,800 0.25 W 4.64 0.0032 W 0.01 56.0 0 1.4 0.11 0.7 10 1.0 0.003952 0.06%
R 831 VR 5,000 0.2 W 2.78 0.0019 W 0.01 55.2 0 1.4 0.09 0.6 10 1.0 0.002500 0.04%
R 832 CF 6,800 0.25 W 4.61 0.0031 W 0.01 56.0 0 1.4 0.11 0.7 10 1.0 0.003932 0.06%
R 833 CF 120,000 0.25 W 0.23 0.0000 W 0.00 55.3 0 1.4 0 0.7 10 1.0 0.000121 0.00%
R 834 CF 2000000 0.25 W 0.04 0.0000 W 0.00 56.0 0 1.4 0 0.7 10 1.0 0.000010 0.00%
R 835 CF 47,000 0.25 W 0.11 0.0000 W 0.00 55.3 0 1.4 0 0.7 10 1.0 0.000096 0.00%
R 836 CF 1000000 0.25 W 1.83 0.0000 W 0.00 55.3 0 1.4 0.01 0.7 10 1.0 0.000270 0.00%
R 837 CF 5,100 0.25 W 16.99 0.0566 W 0.23 56.8 0 1.4 0.33 0.9 10 1.0 0.015394 0.23%
R 838 CF 22,000 0.25 W 0.03 0.0000 W 0.00 55.0 0 1.4 0 0.7 10 1.0 0.000046 0.00%
R 839 CF 39,000 0.25 W 20.7 0.0110 W 0.04 56.8 0 1.4 0.17 0.7 10 1.0 0.006645 0.10%
R 840 CF 7,500 0.25 W 4.04 0.0022 W 0.01 61.0 0 1.4 0.09 0.7 10 1.0 0.003400 0.05%
R 841 CF 150 0.25 W 3.6 0.0864 W 0.35 60.4 0 1.4 0.38 1.0 10 1.0 0.020698 0.31%
R 842 CF 6,200 0.25 W 10.55 0.0180 W 0.07 76.8 0 1.6 0.21 0.8 10 1.0 0.009484 0.14%
R 843 MOF 4.7 1W 0.14 0.0934 W 0.09 75.2 0 1.6 0.4 0.8 10 1.0 0.018481 0.27%
R 848 Thermister 270Ohm/270V 102.3 0 1 0.76 1.0 10 1.0 0.014440 0.21%
R 850 CF 2.2 0.25 W 0.06 0.0067 W 0.03 51.4 0 1.3 0.14 0.7 10 1.0 0.004979 0.07%
SUMMARY Resistor 800 0.43457 6.43%

C800 10.1
For capacitor λp = λb πTπCπVπSRπQπE
Ckt# Description Voltage Stress Temp. λb πT πC πV πSR πQ πE λp System %
C 801 MEF 0.47u 250 V 230 0.92 42.4 0 1.3 0.94 9.48 1 10 1.0 0.059055 0.87%
C 802 CD 3300p 400 V 112.44 0.28 50.7 0 1.6 0.54 1.1 1 10 1.0 0.009433 0.14%
C 803 CD 3300p 400 V 114.12 0.29 50.7 0 1.6 0.54 1.11 1 10 1.0 0.009473 0.14%
C 804 MEF 0.1u 250 V 230 0.92 42.1 0 1.3 0.81 9.48 1 10 1.0 0.050888 0.75%
C 805 MEF 0.1u 250 V 230 0.92 57.6 0 1.8 0.81 9.48 1 10 1.0 0.070460 1.04%
C 806 CD 4700p 400 V 56.8 0.14 53.9 0 1.6 0.54 1.01 1 10 1.0 0.008667 0.13%
C 807 CD 4700p 400 V 54.7 0.14 59.4 0 1.8 0.54 1.01 1 10 1.0 0.009737 0.14%
C 808 ALU 330u 250 V 152.6 0.61 58.0 0 4.2 4.9 2.09 1 10 1.0 0.051608 0.76%
C 809 ALU 330u 250 V 154 0.62 61.7 0 4.2 4.9 2.14 1 10 1.0 0.052865 0.78%
C 810 CD 0.001u 1000 V 465 0.47 75.1 0 2.5 0.54 1.47 1 10 1.0 0.019586 0.29%
C 811 CD 0.02u 1000 V 160 0.16 75.1 0 2.5 0.54 1.02 1 10 1.0 0.013618 0.20%
C 812 ALU 100u 25 V 17.4 0.70 45.9 0 2.9 2.3 3.1 1 10 1.0 0.024815 0.37%
C 813 CD 0.01u 50 V 5.1 0.10 55.4 0 1.8 0.66 1 1 10 1.0 0.011819 0.17%
C 814 CD 0.1u 50 V 5 0.10 45.2 0 1.6 0.81 1 1 10 1.0 0.012890 0.19%
C 815 CD 1000p 500 V 0.6 0.00 45.2 0 1.6 0.54 1 1 10 1.0 0.008554 0.13%
C 816 PPN 0.0056u 100 V 2.36 0.02 45.8 0 1.6 0.54 1 1 10 1.0 0.004406 0.07%
C 817 PPN 0.01u 100 V 2.4 0.02 38.8 0 1.3 0.66 1 1 10 1.0 0.004376 0.06%
C 818 CD 0.1u 50 V 0.25 0.00 49.1 0 1.6 0.81 1 1 10 1.0 0.012830 0.19%
C 819 PPN 0.01u 100 V 2.28 0.02 38.8 0 1.3 0.66 1 1 10 1.0 0.004376 0.06%
C 820 CD 27p 500 V 8.65 0.02 60.3 0 1.8 0.35 1 1 10 1.0 0.006237 0.09%
C 821 PPN 0.001u 100 V 6.85 0.07 55.4 0 1.8 0.54 1 1 10 1.0 0.004957 0.07%
C 822 CD 180p 500 V 7.55 0.02 54.3 0 1.3 0.44 1 1 10 1.0 0.005663 0.08%
C 823 ALU 47u 35 V 18.15 0.52 57.3 0 4.2 2.3 1.48 1 10 1.0 0.017182 0.25%
C 824 MEF 0.022u 63 V 11.3 0.18 60.4 0 1.8 0.66 1 1 10 1.0 0.006073 0.09%
C 825 PEN 0.1u 50 V 1.78 0.04 53.5 0 1.6 0.81 1 1 10 1.0 0.006610 0.10%
C 826 ALU 47u 200 V 120.4 0.60 41.4 0 1.9 2.3 2.02 1 10 1.0 0.010576 0.16%
C 827 ALU 47u 200 V 119.8 0.60 43.4 0 1.9 2.3 1.99 1 10 1.0 0.010444 0.15%
C 828 CD 1000p 500 V 176.83 0.35 75.2 0 2.5 0.54 1.2 1 10 1.0 0.016102 0.24%
C 830 ALU 470u 100 V 77.6 0.78 63.5 0 4.2 3.4 4.62 1 10 1.0 0.079146 1.17%
C 831 ALU 220u 100 V 77 0.77 55.5 0 4.2 3.4 4.48 1 10 1.0 0.076786 1.14%
C 832 ALU 680u 25 V 15.85 0.63 64.7 0 6 4.9 2.32 1 10 1.0 0.081755 1.21%
C 833 ALU 1000u 25 V 15.87 0.63 63.4 0 4.2 4.9 2.33 1 10 1.0 0.057434 0.85%
C 834 ALU 1000u 10 V 7.72 0.77 60.3 0 4.2 4.9 4.53 1 10 1.0 0.111784 1.65%
C 835 ALU 1000u 10 V 7.7 0.77 53.8 0 2.9 4.9 4.48 1 10 1.0 0.076409 1.13%
C 836 ALU 470u 35 V 25.1 0.72 68.3 0 6 3.4 3.44 1 10 1.0 0.084195 1.25%
C 837 ALU 470u 35 V 24.75 0.71 62.2 0 4.2 3.4 3.27 1 10 1.0 0.056102 0.83%
C 838 ALU 100u 250 V 193.5 0.77 49.7 0 2.9 3.4 4.57 1 10 1.0 0.054100 0.80%
C 839 ALU 22u 250 V 193.5 0.77 46.9 0 2.9 2.3 4.57 1 10 1.0 0.036597 0.54%
C 840 ALU 220u 10 V 1.38 0.14 54.8 0 4.2 3.4 1 1 10 1.0 0.017147 0.25%
C 841 ALU 220u 10 V 1.04 0.10 76.7 0 8.4 3.4 1 1 10 1.0 0.034277 0.51%
C 843 ALU 1u 50 V 14 0.28 54.4 0 2.9 1 1.02 1 10 1.0 0.003557 0.05%
C 844 CD 0.1u 50 V 6.26 0.13 53.5 0 1.6 0.81 1.01 1 10 1.0 0.012947 0.19%
SUMMARY Capacitor 800 1.30554 19.32%

L800 11.2 THS 15

For inductor λP = λbπTπQπE
Ckt# Description Temp. λb πT πQ πE λp System %
L 801 15 uH 50.9 0.00003 1.7 3.0 1.0 0.000151 0.00%
L 802 3.5 mH 68.2 0.00003 2.0 3.0 1.0 0.000181 0.00%
L 803 15 uH 59.9 0.00003 1.8 3.0 1.0 0.000166 0.00%
L 804 15 uH 62.7 0.00003 1.9 3.0 1.0 0.000171 0.00%
L 805 15 uH 58.2 0.00003 1.8 3.0 1.0 0.000163 0.00%
L 806 15 uH 70.8 0.00003 2.1 3.0 1.0 0.000186 0.00%
L 807 15 uH 45.9 0.00003 1.6 3.0 1.0 0.000143 0.00%
T800 11.1 THS 15
For Transformer λP = λbπTπQπE
Ckt# Description Temp. λb πT πQ πE λp System %
T 801 LINE FILTER 43.4 0.01 1.5 3.0 1.0 0.064677 0.96%
T 802 Choke 900uH 51.9 0 1.7 3.0 1.0 0.000153 0.00%
T 803 SW.XFMR 81.8 0.02 2.3 3.0 1.0 0.151620 2.24%
T 804 Driver.XFMR 59.5 0.01 1.8 3.0 1.0 0.029821 0.44%
SUMMARY Inductive 800 0.24743 3.66%
 D800 6.1
For diode λP = λbπTπSπCπQπE
Ckt# Description Power Voltage Current Tj PRV If(avg) Pd Si Sp S2 Temp. λb πT πS πC πQ πE λP System %
D 801 1N5398 800 1.50 63.5 338 0.19 0.13 0.42 58.7 0 2.09 0.12 1 8 1 0.007839 0.12%
D 802 1N5398 800 1.50 69.6 337 0.35 0.23 0.42 60.8 0 2.32 0.12 1 8 1 0.008617 0.13%
D 803 1N5398 800 1.50 67.9 339 0.21 0.14 0.42 62.6 0 2.25 0.12 1 8 1 0.008500 0.13%
D 804 1N5398 800 1.50 72.0 337 0.35 0.23 0.42 63.2 0 2.41 0.12 1 8 1 0.008961 0.13%
D 805 BA159GP 1000 1.00 77.6 519 0.02 0.02 0.52 77.1 0 2.63 0.20 1 8 1 0.016272 0.24%
D 806 PR1502 100 1.50 61.1 58 0.02 0.02 0.58 60.5 0.03 2.01 0.27 1 8 1 0.106931 1.58%
D 807 BA159GP 1000 1.00 74.8 340 0.05 0.05 0.34 73.5 0 2.52 0.07 1 8 1 0.005568 0.08%
D 808 18V 0.50 W (Zener) 48.8 0.004 W 0.01 48.1 0 1.61 1 1 5.5 1 0.017744 0.26%
D 809 1S2076A 70 0.15 39.1 7.42 0.000 0.00 0.11 38.8 0 1.34 0.05 1 8 1 0.000578 0.01%
D 810 7V 0.50 W (Zener) 66.9 0.03 W 0.07 60.3 0 2.22 1 1 5.5 1 0.024391 0.36%
D 811 13V 0.50 W (Zener) 56.6 0.01 W 0.01 55.4 0 1.86 1 1 5.5 1 0.020434 0.30%
D 812 1S2076A 70 0.15 55.8 2.3 0.001 0.00 0.03 55.3 0 1.83 0.05 1 8 1 0.000791 0.01%
D 813 1S2076A 70 0.15 77.3 17 0.001 0.00 0.24 76.8 0 2.62 0.05 1 8 1 0.001133 0.02%
D 814 UF4004 400 1.00 68.6 194 0.31 0.31 0.49 60.9 0.03 2.28 0.17 1 8 1 0.078605 1.16%
D 815 1S2076A 70 0.15 57.8 5 0.001 0.01 0.07 56.8 0 1.9 0.05 1 8 1 0.000820 0.01%
D 816 RGP10G 400 1.00 73.6 342 0.08 0.08 0.86 71.7 0.03 2.47 0.68 1 8 1 0.338264 5.01%
D 817 UF3004 400 3.00 95.1 94.2 0.33 0.11 0.24 86.8 0.03 3.42 0.05 1 8 1 0.036929 0.55%
D 818 UF4001 50 1.00 104.4 40 0.55 0.55 0.80 90.6 0.03 3.89 0.58 1 8 1 0.452345 6.69%
D 819 RGP10D 200 1.00 95.3 111.5 0.5 0.50 0.56 82.8 0.03 3.43 0.24 1 8 1 0.165919 2.46%
D 820 UF3007 1000 3.00 72.6 886 0.16 0.05 0.89 68.6 0.03 2.43 0.75 1 8 1 0.362818 5.37%
D 821 SB340 40 3.00 103.9 12.4 1.12 0.37 0.31 75.9 0 3.87 0.06 1 8 0.7 0.003772 0.06%

Q800 6.3
Rated For Transistor λP = λbπTπAπRπSπQπE
Ckt# Description Power Voltage Current Tj Vce/Vds Pd Sp Temp. λb πT πA πR πS πQ πE λP System %
Q 802 2SC945 0.25 W 50 74.7 24.3 0.03 W 0.10 62.2 0 2.76 1.5 0.60 0.06 8 1 0.000899 0.01%
Q 803 2SA950 0.60 W -30 61.8 -9.5 0.04 W 0.07 53.5 0 2.18 1.5 0.83 0.06 8 1 0.000888 0.01%
Q 804 2SC945 0.25 W 50 60.0 12.4 0.01 W 0.02 57.5 0 2.11 1.5 0.60 0.05 8 1 0.000537 0.01%
Q 805 2SA950 0.60 W -30 61.4 -18.5 0.03 W 0.04 56.2 0 2.16 1.5 0.83 0.05 8 1 0.000815 0.01%
Q 806 2SC945 0.25 W 50 90.0 24 0.06 W 0.26 58.0 0 3.56 1.5 0.60 0.1 8 1 0.001884 0.03%
Q 807 2SA950 0.60 W -30 68.8 -25.2 0.05 W 0.09 57.8 0 2.48 1.5 0.83 0.06 8 1 0.001080 0.02%
 6.4
Rated For FET λP = λbπTπAπQπE 5.5
Ckt# Description Power Voltage Current Tj Vce/Vds Pd Sp Temp. λb πT πA πQ πE λP System %
Q 801 2SK727 81.5 W 900 70.2 494 1.13 W 0.01 68.5 0.01 2.34 8.0 5.5 1 1.236939 18.30%
Q 808 2SK526 21.3 W 250 96.6 197.5 2.25 W 0.11 83.4 0.01 3.5 4.0 5.5 1 0.922698 13.65%

I800 5.1
For IC λP = (C1 πT + C2 πE)πQ πL
Ckt# Description Rated Power Rth( °C/W ) Tj Pd Temp. C1 πT C2 πE πQ πL λP System %
I 801 UC3842N 1W 100 72.4 0.22 W 50.7 0.01 3.2 0.003 0.50 10 1.0 0.33957 5.02%
I 803 TL431CLP 0.78 W 71 61.95 0.05 W 58.4 0.01 1.6 0.001 0.50 10 1.0 0.16920 2.50%
I 804 M5238P 0.63 W 80 57.1 0.02 W 55.9 0.01 1.2 0.003 0.50 10 1.0 0.13422 1.99%
I 805 M5238P 0.63 W 80 52.3 0.04 W 49.5 0.01 0.8 0.003 0.50 10 1.0 0.10067 1.49%

6.11
For Opto-electronics λP = λb πT πQπE
Ckt# Description Rated Power Rth( °C/W ) Tj Pd Temp. λb πT πQ πE λP System %
I 802 4N35(VDE) 0.25 W 100 46.2 0.01 W 45.3 0.01 1.9 8 1 0.193680 2.87%
SUMMARY Semiconductor 800 4.77032 70.59%
Power supply 6.757863 100.00%
 Power supply
MTBF = 38,225 Hours R800
For VR λp = λb * πtaps (πR *πV * πQ * πE)
For resistor λp = λb (πE * πR * πQ)
For thermistor λp = λb (πE * πQ)
Ckt# Description Voltage Current Power Stress Temp. λb πE πR πQ πtaps πV λp System %
R 801 Thermister 5Ohm/8A 76.5 0.07 1 ---- 15 ----- ---- 0.975000 3.73%
R 802 CF 120,000 0.5 W 148.3 0.1833 W 0.37 53.8 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.023100 0.09%
R 803 CF 120,000 0.5 W 148.3 0.1833 W 0.37 53.8 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.023100 0.09%
R 804 MOF 47,000 1W 141.7 0.4272 W 0.43 78.4 0.01 1 1.2 3 ----- ---- 0.050400 0.19%
R 805 MOF 47,000 1W 138.2 0.4064 W 0.41 42.2 0.01 1 1.2 3 ----- ---- 0.039600 0.15%
R 806 CEM 47,000 5W 147.25 0.4613 W 0.09 78.4 0.01 1 1.6 15 ----- ---- 0.187200 0.72%
R 807 CEM 820 10 W 39.4 1.8931 W 0.19 69.1 0.01 1 1 15 ----- ---- 0.138000 0.53%
R 808 CF 47 0.25 W 0.01 0.0074 W 0.03 45.2 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 809 CF 100,000 0.25 W 0.35 0.0000 W 0.00 49.1 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 810 CF 47 0.25 W 0.02 0.0223 W 0.09 48.1 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 811 CF 1,000 0.25 W 0.4 0.0002 W 0.00 55.4 0.01 1 1 15 ----- ---- 0.165000 0.63%
R 812 CF 22,000 0.25 W 6.85 0.0021 W 0.01 48.1 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 813 MOF 0.33 2W 0.3 0.0287 W 0.01 42.2 0.01 1 1 3 ----- ---- 0.028800 0.11%
R 814 CF 2,700 0.25 W 2.03 0.0015 W 0.01 45.8 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 815 CF 120 0.25 W 1.96 0.0320 W 0.13 44.1 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 816 CF 22,000 0.25 W 2.5 0.0003 W 0.00 45.8 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
R 817 CF 2,200 0.25 W 2.14 0.0021 W 0.01 38.8 0 1 1 15 ----- ---- 0.013200 0.05%
R 818 CF 560 0.25 W 0.83 0.0012 W 0.00 70.9 0 1 1 15 ----- ---- 0.018000 0.07%
R 819 CF 12,000 0.25 W 13.25 0.0146 W 0.06 67.9 0 1 1 15 ----- ---- 0.018000 0.07%
R 820 CF 150,000 0.5 W 189.4 0.2391 W 0.48 67.9 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.031350 0.12%
R 821 CF 560 0.25 W 0.04 0.0000 W 0.00 59.9 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 822 CF 5,100 0.25 W 17.83 0.0623 W 0.25 60.3 0 1 1 15 ----- ---- 0.019500 0.07%
R 823 VR 200 0.5 W 0.08 0.0002 W 0.00 57.4 0.03 1 1 10 1 1 0.260000 0.99%
R 824 CF 1,000 0.25 W 2.41 0.0058 W 0.02 57.4 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 825 CF 12,000 0.25 W 0.44 0.0000 W 0.00 60.3 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 826 CF 12,000 0.25 W 6.61 0.0036 W 0.01 63.5 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 827 CF 300,000 0.25 W 5.71 0.0001 W 0.00 54.3 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.018150 0.07%
R 828 CF 390,000 0.25 W 7.65 0.0002 W 0.00 54.3 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.018150 0.07%
R 829 CF 1000000 0.25 W 0.24 0.0000 W 0.00 54.3 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.018150 0.07%
R 830 CF 6,800 0.25 W 4.64 0.0032 W 0.01 56.0 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 831 VR 5,000 0.2 W 2.78 0.0019 W 0.01 55.2 0.03 1 1 10 1 1 0.260000 0.99%
R 832 CF 6,800 0.25 W 4.61 0.0031 W 0.01 56.0 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 833 CF 120,000 0.25 W 0.23 0.0000 W 0.00 55.3 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.018150 0.07%
R 834 CF 2000000 0.25 W 0.04 0.0000 W 0.00 56.0 0 1 1.2 15 ----- ---- 0.019800 0.08%
R 835 CF 47,000 0.25 W 0.11 0.0000 W 0.00 55.3 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 836 CF 1000000 0.25 W 1.83 0.0000 W 0.00 55.3 0 1 1.1 15 ----- ---- 0.018150 0.07%
R 837 CF 5,100 0.25 W 16.99 0.0566 W 0.23 56.8 0 1 1 15 ----- ---- 0.019500 0.07%
R 838 CF 22,000 0.25 W 0.03 0.0000 W 0.00 55.0 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 839 CF 39,000 0.25 W 20.7 0.0110 W 0.04 56.8 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 840 CF 7,500 0.25 W 4.04 0.0022 W 0.01 61.0 0 1 1 15 ----- ---- 0.016500 0.06%
R 841 CF 150 0.25 W 3.6 0.0864 W 0.35 60.4 0 1 1 15 ----- ---- 0.022500 0.09%
R 842 CF 6,200 0.25 W 10.55 0.0180 W 0.07 76.8 0 1 1 15 ----- ---- 0.019500 0.07%
R 843 MOF 4.7 1W 0.14 0.0934 W 0.09 75.2 0.01 1 1 3 ----- ---- 0.030000 0.11%
R 848 Thermister 270Ohm/270V 102.3 0.07 1 ---- 15 ----- ---- 0.975000 3.73%
R 850 CF 2.2 0.25 W 0.06 0.0067 W 0.03 51.4 0 1 1 15 ----- ---- 0.014400 0.06%
SUMMARY Resistor 800 3.707500 14.17%

C800
For capacitor λp = λb (πE *πQ *πcv)
Ckt# Description Voltage Stress Temp. λb πE πQ πcv λp System %
C 801 MEF 0.47u 250 V 230 0.92 42.4 0.06 1 20 1.12 1.342800 5.13%
C 802 CD 3300p 400 V 112.44 0.28 50.7 0 1 10 1 0.020990 0.08%
C 803 CD 3300p 400 V 114.12 0.29 50.7 0 1 10 1 0.020990 0.08%
C 804 MEF 0.1u 250 V 230 0.92 42.1 0.06 1 20 0.97 1.164000 4.45%
C 805 MEF 0.1u 250 V 230 0.92 57.6 0.08 1 20 0.97 1.552000 5.93%
C 806 CD 4700p 400 V 56.8 0.14 53.9 0 1 10 1.04 0.014546 0.06%
C 807 CD 4700p 400 V 54.7 0.14 59.4 0 1 10 1.04 0.020780 0.08%
C 808 ALU 330u 250 V 152.6 0.61 58.0 0.06 1 10 0.97 0.540400 2.07%
C 809 ALU 330u 250 V 154 0.62 61.7 0.06 1 10 0.97 0.540400 2.07%
C 810 CD 0.001u 1000 V 465 0.47 75.1 0.02 1 10 0.88 0.166535 0.64%
C 811 CD 0.02u 1000 V 160 0.16 75.1 0 1 10 0.88 0.039443 0.15%
C 812 ALU 100u 25 V 17.4 0.70 45.9 0.06 1 10 0.78 0.443460 1.70%
C 813 CD 0.01u 50 V 5.1 0.10 55.4 0 1 10 1.13 0.018067 0.07%
C 814 CD 0.1u 50 V 5 0.10 45.2 0 1 10 1.45 0.016002 0.06%
C 815 CD 1000p 500 V 0.6 0.00 45.2 0 1 10 0.88 0.009636 0.04%
C 816 PPN 0.0056u 100 V 2.36 0.02 45.8 0 1 30 0.87 0.019358 0.07%
C 817 PPN 0.01u 100 V 2.4 0.02 38.8 0 1 30 0.91 0.017218 0.07%
C 818 CD 0.1u 50 V 0.25 0.00 49.1 0 1 10 1.45 0.016002 0.06%
C 819 PPN 0.01u 100 V 2.28 0.02 38.8 0 1 30 0.91 0.017218 0.07%
C 820 CD 27p 500 V 8.65 0.02 60.3 0 1 10 0.59 0.009426 0.04%
C 821 PPN 0.001u 100 V 6.85 0.07 55.4 0 1 30 0.76 0.022661 0.09%
C 822 CD 180p 500 V 7.55 0.02 54.3 0 1 10 0.73 0.007984 0.03%
C 823 ALU 47u 35 V 18.15 0.52 57.3 0.04 1 10 0.68 0.278759 1.07%
C 824 MEF 0.022u 63 V 11.3 0.18 60.4 0 1 20 0.84 0.023632 0.09%
C 825 PEN 0.1u 50 V 1.78 0.04 53.5 0 1 30 1.09 0.024154 0.09%
C 826 ALU 47u 200 V 120.4 0.60 41.4 0.03 1 10 0.68 0.217280 0.83%
C 827 ALU 47u 200 V 119.8 0.60 43.4 0.03 1 10 0.68 0.217280 0.83%
C 828 CD 1000p 500 V 176.83 0.35 75.2 0.01 1 10 0.88 0.105120 0.40%
C 830 ALU 470u 100 V 77.6 0.78 63.5 0.1 1 10 1.03 1.029000 3.93%
C 831 ALU 220u 100 V 77 0.77 55.5 0.1 1 10 0.9 0.897600 3.43%
C 832 ALU 680u 25 V 15.85 0.63 64.7 0.08 1 10 1.18 0.919542 3.51%
C 833 ALU 1000u 25 V 15.87 0.63 63.4 0.06 1 10 1.18 0.671973 2.57%
C 834 ALU 1000u 10 V 7.72 0.77 60.3 0.1 1 10 1.18 1.178900 4.51%
C 835 ALU 1000u 10 V 7.7 0.77 53.8 0.08 1 10 1.18 0.919542 3.51%
C 836 ALU 470u 35 V 25.1 0.72 68.3 0.11 1 10 1.03 1.131900 4.33%
C 837 ALU 470u 35 V 24.75 0.71 62.2 0.08 1 10 1.03 0.792330 3.03%
C 838 ALU 100u 250 V 193.5 0.77 49.7 0.08 1 10 0.78 0.607464 2.32%
C 839 ALU 22u 250 V 193.5 0.77 46.9 0.08 1 10 0.51 0.401388 1.53%
C 840 ALU 220u 10 V 1.38 0.14 54.8 0.02 1 10 0.9 0.197472 0.75%
C 841 ALU 220u 10 V 1.04 0.10 76.7 0.04 1 10 0.9 0.376992 1.44%
C 843 ALU 1u 50 V 14 0.28 54.4 0.03 1 10 0.34 0.085000 0.32%
C 844 CD 0.1u 50 V 6.26 0.13 53.5 0 1 10 1.45 0.020366 0.08%
SUMMARY Capacitor 800 ### 61.60%

L800
For inductor λp = λb (πE *πQ)
Ckt# Description Temp. λb πE πQ λp System %
L 801 15 uH 50.9 0 1 5 0.017000 0.06%
L 802 3.5 mH 68.2 0.01 1 5 0.054000 0.21%
L 803 15 uH 59.9 0.01 1 5 0.026500 0.10%
L 804 15 uH 62.7 0.01 1 5 0.036500 0.14%
L 805 15 uH 58.2 0.01 1 5 0.026500 0.10%
L 806 15 uH 70.8 0.01 1 5 0.054000 0.21%
L 807 15 uH 45.9 0 1 5 0.014500 0.06%
T800
For transformer λp = λb (πE *πQ)
Ckt# Description Temp. λb πE πQ λp System %
T 801 LINE FILTER 43.4 0 1 5 0.014500 0.06%
T 802 Choke 900uH 51.9 0 1 30 0.102000 0.39%
T 803 SW.XFMR 81.8 0.01 1 5 0.025500 0.10%
T 804 Driver.XFMR 59.5 0.01 1 5 0.026500 0.10%
SUMMARY Inductive 800 0.397500 1.52%

D800
For diode λp = λb (πE *πQ *πR *πA *πs2 *πc)
Rated For zener diode λp = λb (πE *πA *πQ)
Ckt# Description Power Voltage Current PRV If(avg) Pd Si Sp S 2 Temp. λb πE πQ πR πA πs2 πc λp System %
D 801 1N5398 800 1.43 338 0.19 0.13 0.42 58.7 0 1 15 1.5 1.5 0.7 1 0.011576 0.04%
D 802 1N5398 800 1.41 337 0.35 0.25 0.42 60.8 0 1 15 1.5 1.5 0.7 1 0.014884 0.06%
D 803 1N5398 800 1.39 339 0.21 0.15 0.42 62.6 0 1 15 1.5 1.5 0.7 1 0.011576 0.04%
D 804 1N5398 800 1.39 337 0.35 0.25 0.42 63.2 0 1 15 1.5 1.5 0.7 1 0.014884 0.06%
D 805 BA159GP 1000 0.45 519 0.02 0.04 0.52 77.1 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.003339 0.01%
D 806 PR1502 100 1.41 58 0.02 0.02 0.58 60.5 0 1 15 1.5 0.6 0.7 1 0.003497 0.01%
D 807 BA159GP 1000 0.46 340 0.05 0.11 0.34 73.5 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.003339 0.01%
D 808 18V 0.42 W (Zener) 0.004 W 0.01 48.1 0 1 30 ------- 1 ----- ---- 0.019500 0.07%
D 809 1S2076A 70 0.15 7.42 0.000 0.00 0.11 38.8 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.001575 0.01%
D 810 7V 0.38 W (Zener) 0.03 W 0.09 60.3 0 1 30 ------- 1 ----- ---- 0.021000 0.08%
D 811 13V 0.40 W (Zener) 0.01 W 0.02 55.4 0 1 30 ------- 1 ----- ---- 0.021000 0.08%
D 812 1S2076A 70 0.15 2.3 0.001 0.00 0.03 55.3 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.002331 0.01%
D 813 1S2076A 70 0.15 17 0.001 0.00 0.24 76.8 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.003339 0.01%
D 814 UF4004 400 0.96 194 0.31 0.32 0.49 60.9 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.005166 0.02%
D 815 1S2076A 70 0.15 5 0.001 0.01 0.07 56.8 0 1 15 1 0.6 0.7 1 0.002331 0.01%
D 816 RGP10G 400 0.91 342 0.08 0.08 0.86 71.7 0 1 15 1.5 1.5 0.9 1 0.013669 0.05%
D 817 UF3004 400 1.90 94.2 0.33 0.17 0.24 86.8 0 1 15 2 0.6 0.7 1 0.010332 0.04%
D 818 UF4001 50 0.76 40 0.55 0.72 0.80 90.6 0 1 15 1.5 1.5 0.8 1 0.108000 0.41%
D 819 RGP10D 200 0.85 111.5 0.5 0.59 0.56 82.8 0 1 15 1.5 1.5 0.7 1 0.073238 0.28%
D 820 UF3007 1000 2.44 886 0.16 0.07 0.89 68.6 0 1 15 2 0.6 0.9 1 0.007290 0.03%
D 821 SB340 40 3 12.4 1.12 0.37 0.31 75.9 0 1 15 2 1.5 0.7 1 0.037800 0.14%

Q800
For Transistor λp = λb (πE*πA*πQ*πR*πs2 *πc)
Rated For FET λp = λb (πE *πA *πQ *πc)
Ckt# Description Power Voltage Current Vce/Vds Pd Sp S2 Temp. λb πE πQ πR πA πs2 πc λp System %
Q 801 2SK727 81.5 W 900 494 1.13 W 0.01 0.55 68.5 0.02 1 12 ------- 0.7 ----- 1 0.176400 0.67%
Q 802 2SC945 0.16 W 50 24.3 0.03 W 0.16 0.49 62.2 0 1 12 1 0.7 0.65 1 0.006552 0.03%
Q 803 2SA950 0.46 W -30 -9.5 0.04 W 0.09 0.32 53.5 0 1 12 1 0.7 0.35 1 0.003822 0.01%
Q 804 2SC945 0.17 W 50 12.4 0.01 W 0.03 0.25 57.5 0 1 12 1 0.7 0.3 1 0.002495 0.01%
Q 805 2SA950 0.45 W -30 -18.5 0.03 W 0.06 0.62 56.2 0 1 12 1 0.7 0.88 1 0.011088 0.04%
Q 806 2SC945 0.17 W 50 24 0.06 W 0.38 0.48 58.0 0 1 12 1 0.7 0.65 1 0.009282 0.04%
Q 807 2SA950 0.44 W -30 -25.2 0.05 W 0.12 0.84 57.8 0 1 12 1 0.7 2.2 1 0.027720 0.11%
Q 808 2SK526 21.3 W 250 197.5 2.25 W 0.11 0.79 83.4 0.03 1 12 ------- 0.7 ----- 1 0.218400 0.83%

I800
For IC λp = πQ (C1 πT πv + C2 πE)πL
Ckt# Description Rated Power Rt h(°C/W) Tj Pd Temp. πQ C1 πT πv C2 πE πL λp System %
I 801 UC3842N 1W 100 72.4 0.22 W 50.7 20 0.01 13 1 0 0.38 1 2.61976 10.01%
I 803 TL431CLP 0.78 W 71 61.95 0.05 W 58.4 20 0.01 4.4 1 0 0.38 1 0.885320 3.38%
I 804 M5238P 0.63 W 80 57.1 0.02 W 55.9 20 0.01 3 1 0 0.38 1 0.619760 2.37%
I 805 M5238P 0.63 W 80 52.3 0.04 W 49.5 20 0.01 2 1 0 0.38 1 0.419760 1.60%
 For Opto-electronic coupler λp = λb πT πE πQ
Ckt# Description Rated Power Rth( °C/W) Tj Pd Temp. λb πT πE πQ λp System %
I 802 4N35(VDE) 0.25 W 100 46.2 0.01 W 45.3 0.01 100 1 1 0.550000 2.10%
SUMMARY Semiconductor 800 5.94002 22.71%
Power supply 26.160631 100.00%
 67501 MTBF Prediction
Parts count (Base on MIL-HDBK-217F Notice2)

Sub system Q'ty Failure rate

Resistor 19 3.26E-06
Capacitor 22 4.95E-06
Semiconductor 26 8.07E-06
Others 11 1.17E-06
Total # 78 1.74E-05
MTBF
Mean Time Between Failure 57,316 Hours

67501 Resistor
ITEM PQTY PN COMP-NAME REFERENCE-DESIGNATOR DESCRIPTION λg πQ Failure rate
1 1 R1/2W15K CF-R R7 RES=15K 1/2W 0.016 10 0.16
2 1 540007 CF-R R13 RES=100 1/4W 0.016 10 0.16
3 1 540040 CF-R R20 RES=100K 1/4W 0.016 10 0.16
4 2 540041 CF-R R5,R6 RES=1 1/4W 0.016 10 0.32
5 1 540099 CF-R R12 RES=30K 1/4W 0.016 10 0.16
6 1 541057-459 CF-R R3 RES=11.5K 1/4W 0.016 10 0.16
7 1 540110 CF-R R1 RES=15K 1/4W 0.016 10 0.16
8 1 541057-459 CF-R R17 RES=32.4K 1/4W 0.016 10 0.16
9 1 540118 CF-R R9 RES=150K 0.016 10 0.16
10 1 540146 CF-R R2 RES=130K 0.016 10 0.16
11 1 540147 CF-R R4 RES=180K 0.016 10 0.16
12 1 540246 CF-R R218 RES=12 1/4W 0.016 10 0.16
13 1 540246 MF R8 RES=150 1W 0.038 10 0.38
14 1 540985 MF R18 RES=698 1/8W 0.016 10 0.16
15 1 540986 MF R10 RES=887 1/4W 0.016 10 0.16
16 1 540987 MF R11 RES=3.4K 1/8W 0.016 10 0.16
17 1 540988 MF R15 RES=43.2K 1/8W 0.016 10 0.16
 18 1 R1/4W2.2 CF R14 RES=2.2 1/4W 0.02 10 0.16
19
67501 Resistor 19 3.26E-06

67501 Capacitor
ITEM PQTY PN COMP-NAME REFERENCE-DESIGNATOR DESCRIPTION λg πQ Failure rate
19 1 CD33/1K CERAMIC C19 CAP=33PF 0.026 10 0.26
20 1 260164 CERAMIC C5 CAP=1UF 0.026 10 0.26
21 1 260155 CERAMIC C18 CAP=560PF 0.026 10 0.26
22 1 260153 CERAMIC C13 CAP=0.15UF 0.026 10 0.26
23 1 260152 CERAMIC C11 CAP=0.01UF 0.026 10 0.26
24 2 260151 CERAMIC C23,C24 CAP=0.1UF 0.026 10 0.52
25 4 260150 CERAMIC C6,C9,C12,C22 CAP=0.47UF 0.026 10 1.04
26 4 250070 EL-C C7,C8,C10,C14 CAP=10UF 0.019 10 0.76
27 2 250069 EL-C C15,C17 CAP=1000UF 0.019 10 0.38
28 1 250068 EL-C C16 CAP=470UF 0.019 10 0.19
29 4 250067 EL-C C1-C4 CAP=330UF 0.019 10 0.76
22
67501 Capacitor 22 4.95E-06

67501 Semiconductor
ITEM PQTY PN COMP-NAME REFERENCE-DESIGNATOR DESCRIPTION λg πQ Failure rate
30 1 370047 1N5362B Z1 Zener Diode 0.024 8 0.19
31 1 370046 1N5254B Z4 Zener Diode 0.024 5.5 0.13
32 1 370045 1N5250B Z2 Zener Diode 0.024 5.5 0.13
33 1 370044 1N5248B Z3 Zener Diode 0.024 5.5 0.13
34 3 370003 1N4004 D6,D8,D15 General Purpose 0.028 8 0.67
35 3 370049 1N5404 D1,D2,D4 POWER RECTIFIER 0.022 8 0.53
36 1 370076 HT-1129 D11 DIAC 0.02 5.5 0.11
37 3 370043 MBR160 D12,D16,D18 Power Rectifier 0.022 8 0.53
38 1 370042 MUR440 D3 Switching 0.0075 8 0.06
 39 4 370061 D5,D9,D13,D18 Fast Recovery Diode 0.19 5.5 4.18
44 1 600057 MAC97B6 Q4 TRIAC 0.02 8 0.16
45 1 600056 223A6L6 Q3 TRIAC 0.02 5.5 0.11
46 1 600054 IRFP254 Q2 POWER MOSFET 0 5.5 0.01
47 1 600055 TIP48 Q1 POWER MOSFET 0 5.5 0.01
48 1 450367 IR2100 U2 IC,MOSFET DRVR 0.041 10 0.41
49 1 450366 UC2524AN U3 IC,VOLT 0.047 10 0.47
50 1 450177 7815CT U1 IC,VOLT 0.024 10 0.24
26
67501 Semiconductor 26 8.07E-06

67501 Others
ITEM PQTY PN COMP-NAME REFERENCE-DESIGNATOR DESCRIPTION λg πQ Failure rate
40 2 330062 4.75-5.25UH L4,L5 INDUCTOR 0.00022 3 0
41 1 330061 163UH L3 INDUCTOR 0 3 0
42 2 330060 393UH L1,L2 INDUCTOR 0 3 0
43 1 320091 T1 TRANSFORMER 0.0042 3 0.01
51 1 300059 4.0A250V F1 FUSE 0.02 1 0.02
52 1 300055 CLIP FUSE CLIP 0.013 1 0.01
53 2 100684 SOCKET J1,J2 SOCKET 0.11 1 0.22
54 1 311108 PCB 67501 PCB Plated Through Hole 0.45 2 0.9
11
67501 Others 11 1.17E-06
 MTBF DEMONSTRATION TEST PROCEDURE

1. SCOPE

This test procedure describes how to plan and run a MTBF demonstration of new projects.

1.1 Purpose
To demonstrate the real figure of MTBF on new product with life test facility of QAD

2. PROCEDURE

2.1 Test start

Demonstration test should be conducted from Pilot-Run to Mass-Production,
the sample size of demonstration for Eng. Pilot-Run and Pilot-Run should be planed by
QE engineer to project team for arrangement before Eng. Pilot-Run.

2.2 Test finish

-Demonstrated MTBF should be reached the MTBF target with 90% confidence level
before Mass-Production.
-If demonstrated MTBF with 90% confidence level cannot reached after certain period
(i.e.. Pilot-Run to Mass-Production) due to many failures then the test should be extend.
Suggest the limitation of failure numbers on Mass-Production should be no more than 2
and if more than 4 failures then the demonstration failed.

3. TEST CONDITIONS
3.1 Test Hour Defined – The hours are defined as operational hours exclude first 72 hours.
(0-72 hours is Infant mortality period)

3.2 Conditions for Test – The conditions for the test will be 40°C with nominal line voltage
applied to the product.

3.3 Power cycle – 5 hours ON / 1 hours OFF cycling

Operating time : 20 hours per day.
3.4 Acceleration factor : × 3.06 (40°C vs. 25°C)
The Arrhenious relationship is employed to compute the equivalent derated failure rate
And a conservative activation energy of 0.6 ev is choice.
according to “Arrhenious Model”
λ = A • e-Ea/KT
where λ: Failure rate
A : Normalization constant
Ea : Activation energy
K : Boltzman constant (8.617 × 10-5 ev/°K)
T : Temperature in °K
Assume conservative activation energy of 0.6 ev
Failure rate increased about 2 times per 10°C temperature rise

4. FAILURE ANALYSIS

4.1 Failure mode

4.1.1 If failure was found and the cause is known, such as material, workmanship … etc
it was a quality failure –––– eliminate this problem
After solution implement –– continue life test and pay more attention to observe this failure
within an interval longer than the time that this problem was found.
4.1.2 Otherwise, it was reliability failure – this failure should be count.

4.2 Failure report

Failure report will be issue by QE engineer to QE manager and the people concerned.

5. DEMONSTRATED MTBF CALCULATION

5.1 Test Terminated at Predetermined Time t

5.1.1 One side confidence limit of MTBF is

2T
MTBF > ─────
χ22r+2;α

where T : Total number of hours of testing T = nt,

n : Sample size
t : Test time
r : Number of failures
χ22r+2 : Chi-square value for 2r+2 degree of freedom
α : Producer's risk (1-α = confidence level)
 5.1.2 Base on G.E.M table (90% confidence level)
Number of failures Test ratio
0 2.3
1 3.9
2 5.3
3 6.7
4 8.0
Total test time
Test ratio = ──────
Target MTBF

Total test time

MTBF > ──────
Test Ratio

5.2 Test Terminated When The rth Failure Has Occurred

One side confidence limit of MTBF is

2T
MTBF > ────
χ22r;α

r
T = Σ ti + ( n-r ) t
i=1

where T : Total number of hours of testing

ti : Test time to ith failure
n : sample size
r : Number of failures
t : Test time
χ22r : Chi-square value for 2r degree of freedom
α: Producer's risk ( 1-α= confidence level )

6. PROPOSAL
Suggestion: Use time terminated test method ( see 5.1.2 )
Confidence level 90%

T
MTBF > ─────
Test ratio
 GENERAL EXPONENTIAL MODEL

In the useful life period of electronic equipment, the failure rate

F(t)
λ(t) = ── is relative constant
R(t)
and the probability density of time to failure
f(t) =λ∙ e-λ∙t which have an Exponential distribution
For a time terminated test, Total test time and total failure are constant
The probability of rth failure is

e-λ∙T (λ∙T)r
Pr = ───── which have a Poisson distribution
r!
where Pr : The probability of rth failure
r : Number of failure
T : Total test time
λ: Failure rate

1 T
MTBF = ── , let M =λ∙T = ──── (M : Test ratio)
λ MTBF

e-M (M) r
Pr = ────
r!
Cumulative probability of failures is
Pr(cum) = P0+P1+P2+ ∙ ∙ ∙ +Pr

e-M (M)2 e-M (M)r

= e + e (M) + ──── + ∙ ∙ ∙ + ────
-M -M

2! r!

r Mi
= e-M ( Σ ──── ) = α
i=0 i!

Hence cumulative probability of failure is Pr(cum)

The confidence level is 1 – Pr(cum) = 1-α
For example if given confidence level 1-α = 90% and no failure can be occur
P0 = e-M = 1-90% = 0.1
M = ln 10 = 2.3026
That means at 90% confidence level Test ratio is 2.3026 with no failure
We can build G.E.M. table which is the relationship between confidence level,
Test ratios and Failure numbers, and it is an useful tool for MTBF demonstration test.
 HALT釋疑

HALT & HASS 是快速有效得到可靠性狀況的方法 其中HALT使用於開發階段

而HASS則用於生產程序中. 這種概念在30年前由 Dr. Greg Hobbs 提出

HALT & HASS 的概念並不是通過測試 而是有做過測試 找到什麼結果

是屬於何種型態的失效 失效發現時的測試條件 決定採取何種對策
由於吾人施加過度高的應力 某些失效 或者已經超過零組件之技術極限
所以設計人員需依據測試條件 判斷是否應該針對此種失效施以對策

1.HALT 溫度可以很高（以可靠度考量）
HALT進行是把待測物的外殼去除使其完全通風，甚而修改結構使每個Module
都在chamber氣流直接吹到的位置，氣流量很大，因此待測物內部的零件若原本
不熱者，會在更高的溫度動作，而原本高溫（內部發熱或是在熱源旁的）卻會
被強烈氣流控制在chamber的溫度設定點附近而不再有原來的高溫情況，然而
若依原待測物的結構在蓋上外殼時也許僅40℃的室溫就會使較高熱的零件規格
達到100℃（溫升60℃）已經接近零件規格，故環境試驗是依待測物的規格，
而HALT試較高溫度，此乃兩者之間最大的差異。

2.因為多數零件在極限情形下操作會有wear-out情況，所以HASS時間需得限制，
否則用掉產品壽命。

3.加速壽命試驗與HALT
一般加速壽命試驗外蓋，機構，散熱片並沒有Modify改變，所以當環境溫度
上升時在內部每顆零件的溫度都是〝水漲船高〞一致上升，故壽命加速率
或整部待測物的失效率變化率全數相同，因此MTBF可以估算（內部溫度平衡
情形未變）。但HALT已經改變了整個待測物的結構及溫度關係以尋找弱點。
因此其溫度加速率每個Module以至於每顆零件均不相同（內部溫度平衡情況
已變），所以其壽命加速率無法估計無法表現產品壽命亦即HALT之加速與
原來待測物結構已經不同並非life test也因此不能估算MTBF數據，我本人認為
稱為HART較恰當。Highly Accelerated Reliability Test)

4.就因為加速情況已改變，若試驗中被發掘出來的失效模式在原結構有機會
發生（需較專門的知識，應由RD研判）自然必須對策，因此RD的參與是
很重要的，如此可有效的提高產品的設計強度。
 x e-x 1-e-x error
0 0.999 0.001 0.05%
0 0.998 0.002 0.10%
0 0.997 0.003 0.15%
0 0.996 0.004 0.20%
0.01 0.995 0.005 0.25%
0.01 0.994 0.006 0.30%
0.01 0.993 0.007 0.35%
0.01 0.992 0.008 0.40%
0.01 0.991 0.009 0.45%
0.01 0.990 0.010 0.50%
0.02 0.980 0.020 0.99%
0.03 0.970 0.030 1.49%
0.04 0.961 0.039 1.97%
0.05 0.951 0.049 2.46%
0.06 0.942 0.058 2.94%
0.07 0.932 0.068 3.42%
0.08 0.923 0.077 3.90%
0.09 0.914 0.086 4.37%
0.1 0.905 0.095 4.84%