DIODOS ESPECIALES (LED'S - SCHOTTCKY - GUNN- FAST Y STEP RECOVERY - IMPATT - PIN)+) pDIODO EMISOR DE LUZ (L.ED. En los : interaccionan entre si. En un material antrinseco tenemos Mee essen Ey En un material extrinseco (p.e, tipo N) tenemos lo siguiente: i Ee Ep LL ey Si creo niveles Prehibida (niveles Ilemados p orat Ee ty Pero ‘todas La probabilidad de recomb. yvenergia “de elec. Siipretendo ‘eBiquiente: Vamos. exten, on pote (or x i al >» be semiconductores, los dtomos no estan permitiges,muy cerca del centro de a fundos),p.e, estos saltos significan scupar con un Ue laguna_@n’ B.V.--> RECOMBINACION “PAR ELECTRON-LAGUNA" 7 obtener luz. de este proceso debe ‘anali a plantear la variacion de los niveles energéticos Hfuncion d@ 1a cantidad de movimiente (P= m.v) Jo sigurent livre,(su energfa torresponde a B.0.).S1 su ener= | pia variase y pasara a corres~ Ponder a Banda de Val.,el salto ; Ge enecgfa corre zonderia a Una tadiacidn electrumagnetica de Fl n.f.Este tipo de transicisn sé denomina "banda a banda" y |< serfa la unica posibilidad-de salto energético en material > intefnsecos “transiciones posibles” ~~ banda agregando dtomos de - = Nivel pretunde Z saltos,uno a cont. del otre electrdn una depende de la distancia. entre mivicde y lag.La probabilidad ce recomb. Lniveles“profundos es mucho mayor que en les otres casos, 22-14 cuando uso ar es Joi tes En este caso,cuande un electron pasa de Ec a Ev lo mace sin cambios en la P del sistema. 7 Semiconductor gel tips de "Banga directa" o de “transicidn =~ directa".Recorgar que ¢1 momento del foten es dénit. La probabilidad que una trans. de este tipo emita un fotdn es elevada. ones bf : €casa z En este case, los electrones que tienen min. energfa en B.C. (A) tienen un momento 1, (peseen Velocidad).Para pasar ae AaB deve necesariamente cambiar & pers el fotdn no es e) respensa— ble de ello sino que sera un fondn quien transporte esa ener— gia. Bemicondul er del tipo de “banda andirecta" o de "transicidn ind:— recta”, La probabilidad de que una tran- sicidn de este tipa emita un fo- tén es baja. Semic. de banda indirect i, Ge ==> No se usan como LEDS. Semic. de banda directa : As-Ga (sdlo de banda directa en uno de los tres ejes cristalogrdficos pero con interesante rendamiento). La idea entonces,para oo producir el efecto lumfmica en femiconductares (gral. As-Ga) es hacer penetran electranes ae alta anergfa de B.C. a BV. y esperar que’ se recombinacidn. eo Huecoe imyectadon pierdan por Rediseién por ‘ecombinedién 4 aie] Fo Banda de condezion “~~ Nivel de-donadorae *: i" Unibn vel intermedi | Metabrecion : Nival de sceptoren | Metelree! } Banda de valencia eT EZEP RD SEzed ~ Recombinsélonee i Ehacsne nctadan! ba polarizacion directa de la yuntura PN inyecta lagunas de P aN y @lectrones de NaP, los elec. y la inyectados se recombinan cen los pertadores mayoritarios prdimos a z.c.e.,se emiten fotenes,se irradia en todas las direcciones, obseredadose la mayor luz en ia parte superion porque el ancho dela sona Fes pequero, £1 fendmeno de emisidn de luz en los semicanductores se” donnce Goma ELECTROLUMINISCENCIA (tambien ocurre en materiales sin desas © sin juntura, en presencia de elevades campos elgetricos aunque con menor rendimiento.