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I.
Introduction
Les multicouches sont des nanostructures artificielles fabriquées par destechniques de dépôt sous ultravide afin d'obtenir des propriétés nouvelles.L'élaboration de multicouches a commencée avec les semi-conducteurs etce n'est que depuis le début des années 1980 que l'on sait correctementréaliser des multicouches métalliques.Les propriétés physiques mesurées de ces multicouches dépendentfortement de leurs structures et de leurs modes de formation, ainsi ungrand effort est apporté pour la détermination de ces structures,notamment au niveau des interfaces. La morphologie des différentescouches d'empilement ainsi que leurs structures cristallographiquesdépendent du substrat utilisé et de la méthode de dépôt. Un mêmematériau peut avoir ainsi des propriétés différentes suivant sa méthoded'élaboration.La modélisation de formation des croissances est fondamentalepuisqu’elle permet d’une part de confirmer les expériences effectuées par jet atomique, d’autre part d’analyse les phénomènes microscopiquesresponsable de l’appariation d’un mode de croissance particulier. Enfinelle possède un caractère prédictif. Le but de ce travail est de faire unedescription des modèles utilisés pour étudier la formation des croissanceset des propriétés magnétiques des multicouches par des méthodes desimulation. La 1ère partie de ce chapitre représente une description dedeux modèles : le modèle de formation et de croissances par la méthodedynamique moléculaire et par la méthode Monte Carlo cinétique(KMC).Cette dernière consiste à prendre en compte tous les processusmicroscopiques cinétiques susceptibles d’intervenir sur la surface (dépôt,diffusion, agrégation) la dernière partie du travail représente unedescription du modèle de simulation numérique par la méthode MonteCarlo choisie pour l’étude des propriétés magnétiques à l’équilibre desmulticouches, permettant d’accéder aux principales grandeurs physiquestelles que l’énergie magnétique, l’aimantation, l’aimantation par plan, lachaleur spécifique ou la susceptibilité magnétique.
II. Simulation de formation et decroissance des multicouches
II.1 Formation et de croissances des multicouchesAu/Ni par Méthode dynamique moléculaire
 
La dynamique moléculaire consiste à intégrer des équations dumouvement en fonction du temps. Pour réaliser cette intégration on utiliseun algorithme de prédiction-correction à pas variable [1]. Cet algorithmeest choisi au lieu de celui de Verlet parce qu'il permet d'utiliser facilementla procédure de thermalisation. A noter que le pas variable permet d'avoirune intégration correcte des équations d'un système quels que soient lesévénements qui s'y déroulent. En effet, le dépôt d'un atome demande unebonne précision dans l'intégration au moment de son arrivée à la surfacedu cristal. D'autre part, l'utilisation d'un pas variable au lieu d'un pas devaleur fixée permet de gagner du temps d'exécution, lorsque l'intégrationpeut s'effectuer avec un pas plus grand.Le pas moyen de cette simulation est de 1fs, valeur comparable à cellesdonnées dans les articles sur la dynamique moléculaire.L’utilisation de la procédure de thermalisation [2] pour thermaliser cesystème, Seul une partie de ce système se thermalise, pour permettre auxatomes déposés d'arriver avec une énergie cinétique importante de l'ordrede 1500 KeV
II.1.1 Description du système
Le substrat est constitué de cinq monocouches d'or (Au) (voir la figure 1).La boîte utilisée pour la simulation par méthode dynamique moléculaireest une boîte périodique de dimensions latérales de 6 mailles sur 6.
 
 
Fig. 1: Schéma de la boîte périodique utilisée pour les simulations par dynamiquemoléculaire
.Un vide suffisant a été rajouté pour permettre la croissance d'unemulticouche sans que les deux surfaces interagissent. Les dimensions dela boîte sont fixées. Le substrat est donc large de 6 mailles sur 6. Ilcomporte cinq monocouches (le nombre minimal pour avoir les propriétésdu massif dans la couche du milieu, si les dimensions latérales sontfixées).Sur ces cinq monocouches, seules les deux monocouches de la surfaceinférieure sont thermalisées. Elles ont toujours une température de 300 K.Ce sont ces deux monocouches qui absorbent l'énergie cinétique amenéepar les atomes déposés, plus l'énergie cinétique due à la baisse d'énergiepotentielle des mêmes atomes. Elles représentent le thermostat dusystème. Les trois autres monocouches formant le substrat et lesdifférentes monocouches déposées ne sont donc thermaliséesqu'indirectement par les deux premières. Il y a ainsi des échanges dechaleur entre ces dernières et les deux plans atomiques de la surfaceinférieure. Les monocouches en surface s'échauffent au cours du dépôt.Avant de commencer la croissance d'un sandwich, une dynamiquemoléculaire a permis de thermaliser les cinq monocouches formant lesubstrat à la température de 300 K.Au cours d'une épitaxie par jets moléculaires, les atomes déposésproviennent de la surface évaporant du matériau considéré. Leursénergies cinétiques estimées sont de l'ordre de 1500 KeV.
II.1.2
La procédure utilisée pour déposer des atomes
 
On tire aléatoirement la position horizontale (x,y) d'un atome. L'altitude zest alors déterminée pour que l'atome déposée soit hors de la portée desautres atomes. Les vitesses latérales de l'atome sont aussi tiréesaléatoirement, cependant que son énergie cinétique latérale représente1% de l'énergie cinétique totale. Sa vitesse verticale est donc toujoursfixée en fonction des 99% de l'énergie cinétique globale.On commence une dynamique moléculaire avec les vitesses et lespositions provenant de l'ancienne dynamique moléculaire, plus celles dunouvel atome. La durée de cette dynamique moléculaire est de 5ps pourla multicouche Au/Ni. Et Ainsi de suite, on intègre les équations de façoncontinue, sans changement lors de la formation et de croissance desmulticouches.en réitérant le processus. Ainsi, nous intégrons les équations de façoncontinue, sans changement lors de la croissance.
II.1.3
Potentiel d’interaction
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